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Mini LED产业
2.2 Mini LED封装工艺对固晶机、检测和返修设备提出新要求 LED封装流程所需设备包括固晶机、焊线机/回流焊 机、灌胶机、检测与返修设备等。 固晶机用于芯片 贴装环节；焊线机用于正装芯片与基板之间的引线 键合；回流焊机用于倒装工艺下的芯片焊接；灌胶 机用于封胶环节；检测设备用于生产各环节的检测； 返修设备用于去除和替换存在缺陷的部分晶粒。 2.3 固晶环节：芯片转移技术是提升Mini LED产能的关键 固晶机是LED封装的重要设备。 常见的 Pick & Place模式固晶机工作原理为：①对晶片和 PCB/支架板进行图像识别、定位及图像处理。②通过 银胶拾取装置对支架板的给定位置进行点胶处理。 部分设备产品可实现的 功能包括自动获取不良坐标和不良类型、自动剔除不良元件 （超声波或激光）和清理焊盘、自动重置焊锡或银胶、二次 固晶和焊接等。
1.4K20编辑于 2022-06-08 砷化镓（GaAs）晶圆的光刻胶残留
光刻胶的残留在不同外延基板上处理工艺也不同，玻璃基板或者蓝宝石就会抗造一点，砷化镓、磷化铟等就要避免酸碱。 一、残胶类型与成因分析 残胶类型 成因 典型缺陷 交联型残胶 等离子体刻蚀或离子注入后，光刻胶碳化交联，形成致密层 表面黑点、龟裂纹 金属污染胶 金属掩膜层（如Au/Ti）与光刻胶反应生成金属有机复合物 ，阻碍剥离液渗透 局部黄斑、粘附性残留 微结构卡胶 高深宽比（＞5:1）结构内光刻胶因表面张力残留，如VCSEL、HEMT器件中的微孔/沟槽 孔洞底部颗粒堆积 残胶的形式样貌有很多种，块状不规则形状、 DuPont EKC580：过氧化氢基配方（稀释比例1:5），适合含Au/Ti金属层的晶圆。 低温等离子体辅助剥离（超薄残胶） 步骤： O₂等离子体灰化（200W，10分钟）去除表层胶； H₂/N₂混合气体处理（1:4，150℃）还原碳化层； 丙酮+异丙醇（IPA）低温清洗（40℃）。
11910编辑于 2026-03-18- 来自专栏博捷芯划片机
博捷芯划片机在LED灯珠EMC支架中切割应用
EMC支架封装工艺流程：固晶-焊线-点胶-切割-分光-编带。 对切割EMC LED 封装技术有绝大优势。 双轴晶圆切割机为12英寸全自动动精密划片机，采用高精密进口主要配件，T轴采用DD马达，重复精度1μm，稳定性极强，兼容6"-12"材料，双CCD视觉系统，性能达到业界一流水平 设备工作流程： 1.下取物臂将待切割材料从晶片盒中取出
52260编辑于 2023-02-21 - 来自专栏用户4866861的专栏
驯服晶振，gps驯服晶振，gps晶振，锁相晶振、卫星驯服晶振
SYN3307型GNSS驯服晶振模块产品概述SYN3307型GNSS驯服晶振模块是由西安同步电子科技有限公司精心设计、自行研发生产的一款模块化高精度的时间频率标准产品，内装高精度授时型GNSS接收机和OCX0 恒温晶体振荡器，使用智能驯服锁相技术，在驯服晶振过程中不断计算学习恒温晶振的温度及老化等特性，在北斗GPS丢失后自动复现该驯服学习过程，对恒温晶振的温度特性和老化率等指标进行补偿，继续提供高可靠性的时间和频率基准信息输出 RS422/485电平输出选件01210MHz输出可选3.3V TTL方波输出或者其他电平选件013PCB板不需要外壳，提供内部PCB模块,尺寸76.2mm*95mm*25mm选件014内部时基高稳低相噪恒温晶振选件
59410编辑于 2023-04-26 - 来自专栏移动安全
乐固加固FAQ
使用乐固加固的apk，右键压缩软件解压，可看到tencent_stub文件； 加固后文件名一般会添加"_legu"，如果使用工具签名成功，一般会在文件名后面补充"zipliagn_signed"或者"signed
17.4K206发布于 2018-05-25 用于叠层晶圆的光刻胶剥离液及白光干涉仪在光刻图形的测量
引言随着半导体技术向高密度、高性能方向发展，叠层晶圆技术成为关键。在叠层晶圆制造过程中，光刻胶剥离液的性能对工艺质量和器件可靠性影响重大。 同时，精确测量光刻图形是保障叠层晶圆制造精度的重要环节，白光干涉仪为此提供了有效的技术手段。用于叠层晶圆的光刻胶剥离液性能要求叠层晶圆结构复杂，对光刻胶剥离液提出了严苛要求。 成分构成常用的叠层晶圆光刻胶剥离液主要由溶剂、碱性物质、表面活性剂、缓蚀剂和络合剂等成分组成。 之后，对混合溶液进行过滤处理，去除可能存在的杂质颗粒，得到澄清透明的光刻胶剥离液。制备过程中需严格控制各成分比例，并根据光刻胶类型和晶圆材料特性进行优化调整。 ；剥离完成后，精确测量残留光刻胶的厚度、晶圆表面的粗糙度以及光刻图形的最终尺寸，为优化光刻胶剥离液配方和剥离工艺提供准确的数据支持，确保叠层晶圆制造质量符合设计要求。
24810编辑于 2025-06-12- 来自专栏芯片工艺技术
如何去除光刻胶
光刻胶在做完后续成形工艺之后，PR就不需要了，而且还要去除的很干净，减少多后续工艺的影响。 去除光刻胶的方法主要有干法和湿法，湿法是主流，但是对于一些ICP或者离子注入工艺后发生“硬化”的光刻胶，湿法就会出现去胶不干净的情况。 因此就有了干法刻蚀去除光刻胶的技术，从20世纪70年代末开始，干法工艺采用灰化Ashing来去除光刻胶。 灰化，简单的理解就是用氧气把光刻胶燃烧掉，光刻胶的基本成分是碳氢有机物，在射频或微波作用下，氧气电离成氧原子并与光刻胶发生化学反应，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通过泵被真空抽走，完成光刻胶的去除。
2K50编辑于 2022-11-15 - 来自专栏韩曙亮的移动开发专栏
【了不起的芯片 - 读书笔记】CPU 的制作流程 ( 晶圆制作 | 光刻机光刻流程 | 蚀刻过程 | 涂层过程 | 重复上述步骤若干次 | 芯片封装 )
下面是 光刻过程的图解 : 在晶圆上涂抹光刻胶 , 光刻胶涂抹完毕 , 在 晶圆 上涂抹完 光刻胶 后 , 使用光刻机 , 进行光刻 , 中间的透镜是 掩膜 , 其中有电路图案 , 光刻机将该掩膜中的图案 投射到 晶圆上 , 光刻机 克完之后的 晶圆 中 , 有很多电路 , 该电路有很多层 , 检查光刻效果 , 紫外曝光： 使用紫外线光源，通过掩膜将光照射到光刻胶上。 光刻胶保留的部分不会被蚀刻 ; 光刻胶被溶解的部分 , 会被蚀刻 ; 三、蚀刻过程 ---- 刻蚀 有两种方式 , 化学腐蚀反应 / 用等离子体轰击晶圆表面 ; 光刻胶覆盖的位置保留 , 没有光刻胶的部位被刻蚀 蚀刻过程涉及以下主要步骤： 掩膜图案定义： 首先，在晶圆表面涂覆一层光刻胶，并使用光刻技术将掩膜图案转移到光刻胶上。掩膜图案是所需结构和图案的阴影图案，它决定了蚀刻后所保留的区域。 清洗和剥离： 在蚀刻完成后，对晶圆进行清洗，去除蚀刻剂和剩余的光刻胶。
2.9K20编辑于 2023-10-11 - 来自专栏芯片工艺技术
半导体芯片工艺材料有哪些，国内发展水平如何
半导体材料市场可以分为晶圆材料和封装材料。其中，晶圆材料主要有硅片、光掩膜、光刻胶、光刻胶辅助设备、溅射靶、抛光液、其他材料。 封装材料主要有层压基板、引线框架、焊线、模压化合物、底部填充料、液体密封剂、粘晶材料、锡球、晶圆级封装介质、热接口材料。其中，大硅片占比最高。 大硅片：最主要的半导体材料 大硅片也称硅晶圆，是最主要的半导体材料，硅晶圆片的市场销售额占整个半导体材料市场总销售额的32%~40%。硅片尺寸越大，对材料和技术的要求也就越高。 光刻胶：国产率不足10% 我国光刻胶生产基本上被外资把控，其中半导体光刻胶严重依赖进口。光刻胶由低端到高端整体可分为PCB 光刻胶、面板光刻胶和半导体光刻胶三个大类。 光刻胶主要A股上市公司：晶瑞股份、飞凯材料。
97220编辑于 2022-06-08 - 来自专栏芯智讯
国产化率不足10%！一文看懂国产半导体材料产业现状
其中，晶圆制造材料主要包括硅片、特种气体、掩膜版、光刻胶及配套材料、湿电子化学品、靶材、CMP 抛光液&抛光垫等；封装材料主要包括封装基板、引线框架、键合丝、包封材料、陶瓷基板、芯片粘接材料等。 晶圆制造材料中，硅片为晶圆基底材料；掩膜版用于光刻工艺底板；光刻胶用于将掩膜版上的图案转移到硅片上；靶材用于薄膜沉积；电子特气用于氧化、还原、除杂；湿电子化学品用于清洗、刻蚀；抛光材料用于实现平坦化。 2021 年晶圆制造材料市场细分占比中，硅片占比 41%最高，市场份额约 126 亿美元；掩膜版、电子特气分别占比 16%、15%，市场份额约 49 亿美元、45 亿美元；CMP 材料、光刻胶、湿电子化学品 光刻胶组分决定了光刻胶的质量，也是光刻胶技术壁垒所在。 国内知名光刻胶企业包括南大光电、晶瑞电材、彤程新材、上海新阳等。由于我国光刻胶产业起步较晚，目前市场份额占比较低。 由于环氧树脂也是芯片主要的塑封材料，因此以上塑封材料的主要的供应商大多也属于芯片粘结材料的供应商，值得一提的是中国烟台德邦科技股份（Darbond）是国内专业提供针对集成电路用的固晶胶、邦定胶、导电胶、
4K21编辑于 2022-12-09 - 来自专栏CAE学习
ANSYS Workbench单向流固耦合案例
流固耦合（Fluid-solid interaction，FSI）计算，通常用于考虑流体与固体间存在强烈的相互作用时，对流体流场与固体应力应变的考察。 ANSYS Workbench中可以利用Fluent与DS进行单向流固耦合计算。我们这里来举一个最简单的单向耦合例子：风吹挡板。 流固耦合计算中的几何模型与单纯的流体模型或固体模型不同，它要求同时具有流体和固体模型，而且流体计算中只能有流体模型，固体计算中只能有固体模型。建好后的模型如图3，4，5所示。 →ANSYS流固耦合分析与工程实例注意geometry树形节点上，禁用流体区域以及外壳固体区域。之所以禁用外壳固体区域，因为流体对其影响可以忽略，为节省计算开销。
6.3K31编辑于 2022-05-12 - 来自专栏硬件大熊
警惕超声波工艺对晶振造成损伤
图片来源： 致远超声设备 晶振是频率元器件， 1. 若超声波工作频率与晶振的晶片产生共振效应，极其易碎的晶片就很可能被震碎，造成晶振停振； 晶振在受到足够激励功率的电流时，晶片就会有规律震动，这是水晶的物理特性。 晶片越薄，晶振的振动频率就越高，越厚，振动频率越低。 图片来源：晶诺威科技 2. 晶片与基座上的弹片通过导电胶连接，在超声波高频震荡下，导电胶可能被震裂，导致晶片与基座之间出现断路，不再起振。 图片来源：晶诺威科技 警惕超声波工艺对晶振造成的损伤 1. 确保晶振与产品外壳之间有一定空间，尽量避开超声区域； 2. 降低超声仪运行功率； 3. 提前做样品验证测试，检查超声工艺适用性； 4. 对于导电胶裂开问题，可以考虑选型高强度导电胶处理的晶振，包括晶片固着点特殊处理（当然，这也会导致晶振的参数变动，如ESR等）
78840编辑于 2023-09-02 鼎龙股份：潜江二期300吨光刻胶量产线即将试运行
12月22日，国产光刻胶厂商鼎龙股份在互动平台上表示，公司潜江二期年产300吨KrF/ArF高端晶圆光刻胶量产线，已按计划即将进入试运行阶段，当前整体节奏良好。 潜江一期30吨KrF/ArF 高端晶圆光刻胶产线具备批量化生产及供货能力，可满足客户端现阶段订单需求。 同时，鼎龙股份还表示，公司深耕半导体材料领域多年，在 KrF、ArF 高端晶圆光刻胶领域已构建从核心原料到成品的全流程自主制备体系。 公司布局的近 30 款高端晶圆光刻胶（涵盖KrF与浸没式ArF），可适配多制程需求。 截至目前，公司已有两款高端晶圆光刻胶通过国内主流晶圆厂验证并获得订单，超15款产品送样验证、超10款产品进入加仑样测试。
14610编辑于 2026-03-20- 来自专栏芯智讯
传日系光刻胶大厂断供，国产光刻胶概念股集体大涨！
国产光刻胶厂商布局与最新进展： 目前国产g/i 线光刻胶供应商主要有晶瑞电材（苏州瑞红）、彤程新材（北京科华），总体在全球市场份额约10%； 在KrF光刻胶方面，国内的彤程新材（北京科华）、上海新阳、 晶瑞电材（苏州瑞红）、徐州博康（华懋科技持有约26%股份）等都有布局，但实现量产供货的却不多，整体市场份额不到1%。 在ArF光刻胶方面，国内的南大光电、晶瑞电材（苏州瑞红）、彤程新材（北京科华）、上海新阳、徐州博康（华懋科技持有约26%股份）等也都有布局，但没有实现大批量量产供货。 晶瑞电材 晶瑞电材此前曾表示，子公司瑞红(苏州)电子化学品股份有限公司2018年完成了国家重大科技项目02专项“i线光刻胶产品开发及产业化”项目后，i线光刻胶产品向中芯国际、合肥长鑫、华虹半导体、晶合集成等国内知名半导体企业批量供货 高端KrF光刻胶分辨率达到0.25-0.13μm，通过部分重要客户测试，计划2022年底批量供应；ArF光刻胶研发工作正有序开展。眉山晶瑞年产1200吨光刻胶项目计划2022年底建成。
83610编辑于 2023-03-24 - 来自专栏钱塘大数据
芯片里面100多亿个晶体管是如何安装上去的？
晶圆代工厂就是根据芯片设计师设计好的物理版图进行制造。 通常的晶圆加工流程中，刻蚀工艺位于光刻工艺之后，有图形的光刻胶层在刻蚀中不会受到腐蚀源的显著侵蚀，从而完成图形转移的工艺步骤。刻蚀环节是复制掩膜图案的关键步骤。 在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。 溶解光刻胶：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致。 “刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。 然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。 清除光刻胶：蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部清除后就可以看到设计好的电路图案。
3.1K10编辑于 2022-03-15 - 来自专栏用户7621540的专栏
手把手教你，19步从石头里抠出一块CPU
第十一步，把光刻胶（photoresist）放到硅晶圆上。 由于切割出的晶圆表面依然不光滑，所以需要经过仔细研磨来减少切割时造成的凹凸不平的表面。 研磨的时候会用到一些特殊的化学液体来对晶圆表面进行清洗，最后抛光。到这一步为止晶圆的制备就算完成了。之后晶圆会被装进特殊的盒子里密封保存运输。 第十三步，光遮罩（photo-mask）产生的阴影位置将会影响硅晶圆表面光刻胶的化学变化，取决于使用的是positive 还是negative 的光刻胶（photoresist）。 光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。 在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。 如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。 第十四步，加入一些神奇的化学物质来改善（develop）一下光刻胶。 第十五步，用酸（acid）来腐蚀掉硅晶圆暴露出来的部分。
67910编辑于 2021-12-21 - 来自专栏新智元
手把手教你，19步从石头里抠出一块CPU
第十一步，把光刻胶（photoresist）放到硅晶圆上。 由于切割出的晶圆表面依然不光滑，所以需要经过仔细研磨来减少切割时造成的凹凸不平的表面。 研磨的时候会用到一些特殊的化学液体来对晶圆表面进行清洗，最后抛光。到这一步为止晶圆的制备就算完成了。之后晶圆会被装进特殊的盒子里密封保存运输。 第十三步，光遮罩（photo-mask）产生的阴影位置将会影响硅晶圆表面光刻胶的化学变化，取决于使用的是positive 还是negative 的光刻胶（photoresist）。 光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。 在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。 如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。 第十四步，加入一些神奇的化学物质来改善（develop）一下光刻胶。 第十五步，用酸（acid）来腐蚀掉硅晶圆暴露出来的部分。
60510发布于 2021-11-23 - 来自专栏程序员成长充电站
一步步做个集成电路（IC）
计算机基础课第 38 期分享 转载请联系授权（微信ID：qianpangzi0206） 阅读本文大概需要 4 分钟 01 光刻法 下面用一个简单例子，来做一片集成电路（IC） 我们从一片硅开始，叫"晶圆 我们可以用晶圆做基础，把复杂金属电路放上面，集成所有东西，非常适合做集成电路。 下一步是在硅片顶部，加一层薄薄的氧化层, 作为保护层，然后加一层特殊化学品, 叫 "光刻胶"。 光刻胶被光照射后 会变得可溶，可以用一种特殊化学药剂洗掉。 单单光刻胶本身，并不是很有用但和"光掩膜"配合使用会很强大，光掩膜就像胶片一样，只不过不是吃墨西哥卷饼的可爱仓鼠，而是要转移到晶圆上的图案。 把光掩膜盖到晶圆上，用强光照射挡住光的地方，光刻胶不会变化。光照到的地方，光刻胶会发生化学变化 洗掉它之后，暴露出氧化层。 所以又是类似的步骤用光刻胶+光掩膜，然后溶掉暴露的光刻胶，暴露的金属 晶体管终于做好了！它有三根线，连接着硅的三个不同区域，每个区域的掺杂方式不同，这叫双极型晶体管。
58620发布于 2019-08-29 白光干涉仪在晶圆光刻图形 3D 轮廓测量中的应用解析
引言晶圆光刻图形是半导体制造中通过光刻工艺形成的微米至纳米级三维结构（如光刻胶线条、接触孔、栅极图形等），其线宽、高度、边缘粗糙度等参数直接决定后续蚀刻、沉积工艺的精度，进而影响器件性能。 晶圆光刻图形测量的核心需求晶圆光刻图形测量需满足三项核心指标：一是亚纳米级精度，线宽（10nm-5μm）和高度（50nm-2μm）的测量误差需控制在 ±2% 以内，以评估光刻对准精度和临界尺寸（CD）偏差 大面积扫描与自动化分析通过精密 XY 平台拼接扫描，可在 6 分钟内完成 300mm 晶圆上 5mm×5mm 区域的三维成像，覆盖数百个光刻图形单元。 数据采集与处理流程晶圆经真空吸附固定后，系统通过 alignment 标记自动定位至曝光场，扫描获取干涉数据。 在极紫外（EUV）光刻胶测量中，通过反射模式有效穿透超薄光刻胶层（<50nm），清晰识别出 0.3nm 级的表面起伏。
36710编辑于 2025-09-03- 来自专栏安富莱嵌入式技术分享
【知识普及】芯片制造：从沙子到半导体IC
需要复杂的化学和物理过程才能从沙子中制造出纯单晶硅锭，称为晶锭，每 1000 万个硅原子中只有一个杂质原子。然后使用特殊的锯切技术从硅晶锭上切割出极薄的晶片。这些晶圆是后续芯片生产的基本构建块。 直径大的晶圆为芯片提供了更多的空间。硅是一种半导体。这意味着它可以导电，也可以作为绝缘体。为了使其导导，在晶圆中加入少量特定原子作为杂质。 晶体管建立在掺杂晶圆中的p和n导电层上。晶体管是微芯片中最小的控制单元。他们的工作是控制电压和电流，它们是迄今为止电子电路最重要的组件。但是这些层是如何在晶圆上创建的呢？ ? ? 然后，再次施加光刻胶，并通过掩模对晶片进行曝光。再次剥离曝光的光刻胶。 ? ? 下一步是掺杂过程，将杂质原子引入暴露的硅中。离子注入机用于将杂质原子注入硅中。 祛除光刻胶残留物后，再涂一层氧化层。晶片经历另一个循环，即施加光刻胶、通过掩模曝光和剥离。 蚀刻接触孔供导电层访问，使接触和互连能够集成在晶片中。再次施加光刻胶和掩模。
1.2K10发布于 2021-06-22
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