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Mini LED产业
2.2 Mini LED封装工艺对固晶机、检测和返修设备提出新要求 LED封装流程所需设备包括固晶机、焊线机/回流焊 机、灌胶机、检测与返修设备等。 固晶机用于芯片 贴装环节；焊线机用于正装芯片与基板之间的引线 键合；回流焊机用于倒装工艺下的芯片焊接；灌胶 机用于封胶环节；检测设备用于生产各环节的检测； 返修设备用于去除和替换存在缺陷的部分晶粒。 2.3 固晶环节：芯片转移技术是提升Mini LED产能的关键 固晶机是LED封装的重要设备。 常见的 Pick & Place模式固晶机工作原理为：①对晶片和 PCB/支架板进行图像识别、定位及图像处理。②通过 银胶拾取装置对支架板的给定位置进行点胶处理。 部分设备产品可实现的 功能包括自动获取不良坐标和不良类型、自动剔除不良元件 （超声波或激光）和清理焊盘、自动重置焊锡或银胶、二次 固晶和焊接等。
1.5K20编辑于 2022-06-08 砷化镓（GaAs）晶圆的光刻胶残留
DuPont EKC580：过氧化氢基配方（稀释比例1:5），适合含Au/Ti金属层的晶圆。 工艺参数： 温度：70±5℃（避免GaAs表面As挥发） 时间：15-25分钟（超声辅助可缩短至10分钟） 选择比：光刻胶去除速率＞200 nm/min，GaAs刻蚀速率＜0.5 nm/min（比＞400 低温等离子体辅助剥离（超薄残胶） 步骤： O₂等离子体灰化（200W，10分钟）去除表层胶； H₂/N₂混合气体处理（1:4，150℃）还原碳化层； 丙酮+异丙醇（IPA）低温清洗（40℃）。 分阶段处理（高深宽比结构） 阶段 作用 参数 预膨胀 DMSO浸泡溶胀光刻胶，降低内应力 常温浸泡30分钟 主剥离 剥离液+兆声波（1MHz）穿透微结构 60℃, 0.5W/cm², 10分钟 后清洗 电学性能： C-V测试：Dit＜1×10¹¹ cm⁻²·eV⁻¹（1MHz）； I-V测试：肖特基漏电流＜1nA/mm²（-5V偏压）。
42810编辑于 2026-03-18- 来自专栏博捷芯划片机
博捷芯划片机在LED灯珠EMC支架中切割应用
EMC支架封装工艺流程：固晶-焊线-点胶-切割-分光-编带。 对切割EMC LED 封装技术有绝大优势。 双轴晶圆切割机为12英寸全自动动精密划片机，采用高精密进口主要配件，T轴采用DD马达，重复精度1μm，稳定性极强，兼容6"-12"材料，双CCD视觉系统，性能达到业界一流水平 设备工作流程： 1.下取物臂将待切割材料从晶片盒中取出
61260编辑于 2023-02-21 - 来自专栏芯片工艺技术
半导体芯片工艺材料有哪些，国内发展水平如何
半导体材料市场可以分为晶圆材料和封装材料。其中，晶圆材料主要有硅片、光掩膜、光刻胶、光刻胶辅助设备、溅射靶、抛光液、其他材料。 封装材料主要有层压基板、引线框架、焊线、模压化合物、底部填充料、液体密封剂、粘晶材料、锡球、晶圆级封装介质、热接口材料。其中，大硅片占比最高。 光刻胶：国产率不足10% 我国光刻胶生产基本上被外资把控，其中半导体光刻胶严重依赖进口。光刻胶由低端到高端整体可分为PCB 光刻胶、面板光刻胶和半导体光刻胶三个大类。 2015年，我国光刻胶前五大公司分别中国台湾长兴化学、日立化成、日本旭化成、美国杜邦及中国台湾长春化工，均是外资或合资企业，上述五大企业市场份额达到89.7%，内资企业市场份额不足10%。 光刻胶主要A股上市公司：晶瑞股份、飞凯材料。
1.1K20编辑于 2022-06-08 - 来自专栏芯智讯
国产化率不足10%！一文看懂国产半导体材料产业现状
晶圆制造材料中，硅片为晶圆基底材料；掩膜版用于光刻工艺底板；光刻胶用于将掩膜版上的图案转移到硅片上；靶材用于薄膜沉积；电子特气用于氧化、还原、除杂；湿电子化学品用于清洗、刻蚀；抛光材料用于实现平坦化。 根据 IC insights 预计，2022 年全球新投产 10 座 12 英寸晶圆厂，将带来全球晶圆产能 8.7%的增幅，高于 2021 年的 8.5%，并预计 2022 年全球晶圆厂的产能利用率仍将超过 据观研网数据，65nm 制程的晶圆代工厂每 10 片正片需要加 6 片假片，28nm 及以下制程每 10 片正片则需要加 15-20 片假片。 光刻胶组分决定了光刻胶的质量，也是光刻胶技术壁垒所在。 国内知名光刻胶企业包括南大光电、晶瑞电材、彤程新材、上海新阳等。由于我国光刻胶产业起步较晚，目前市场份额占比较低。 由于环氧树脂也是芯片主要的塑封材料，因此以上塑封材料的主要的供应商大多也属于芯片粘结材料的供应商，值得一提的是中国烟台德邦科技股份（Darbond）是国内专业提供针对集成电路用的固晶胶、邦定胶、导电胶、
4.5K21编辑于 2022-12-09 鼎龙高端光刻胶进入头部晶圆厂！
公告显示，鼎龙股份年产300吨KrF/ArF高端晶圆光刻胶产线自2026年3月20日投产后，已向两家头部晶圆厂客户交付数百加仑浸没式ArF及KrF光刻胶，产品已在客户量产产线顺利应用。 8款高端光刻胶获批量订单，商业化进程显著加快 鼎龙股份表示，截至公告披露日，公司已有8款高端晶圆光刻胶取得多家国内主流晶圆厂客户的批量订单。 在测试验证方面，鼎龙股份已经累计布局40余款高端晶圆光刻胶，近30款产品已向客户送样开展验证测试，其中超10款进入加仑样测试阶段。 产品覆盖全场景，剑指百亿国产替代市场 ArF与KrF光刻胶是逻辑、存储芯片制造的核心刚需耗材，属于国内晶圆光刻胶市场中价值量占比最高的两大品类。 然而，当前国内高端晶圆光刻胶供给仍由日本企业（如JSR、东京应化、信越化学、富士胶片）主导，国产化率较低低。
30210编辑于 2026-06-23用于叠层晶圆的光刻胶剥离液及白光干涉仪在光刻图形的测量
引言随着半导体技术向高密度、高性能方向发展，叠层晶圆技术成为关键。在叠层晶圆制造过程中，光刻胶剥离液的性能对工艺质量和器件可靠性影响重大。 同时，精确测量光刻图形是保障叠层晶圆制造精度的重要环节，白光干涉仪为此提供了有效的技术手段。用于叠层晶圆的光刻胶剥离液性能要求叠层晶圆结构复杂，对光刻胶剥离液提出了严苛要求。 成分构成常用的叠层晶圆光刻胶剥离液主要由溶剂、碱性物质、表面活性剂、缓蚀剂和络合剂等成分组成。 之后，对混合溶液进行过滤处理，去除可能存在的杂质颗粒，得到澄清透明的光刻胶剥离液。制备过程中需严格控制各成分比例，并根据光刻胶类型和晶圆材料特性进行优化调整。 ；剥离完成后，精确测量残留光刻胶的厚度、晶圆表面的粗糙度以及光刻图形的最终尺寸，为优化光刻胶剥离液配方和剥离工艺提供准确的数据支持，确保叠层晶圆制造质量符合设计要求。
32510编辑于 2025-06-12鼎龙股份：潜江二期300吨光刻胶量产线即将试运行
12月22日，国产光刻胶厂商鼎龙股份在互动平台上表示，公司潜江二期年产300吨KrF/ArF高端晶圆光刻胶量产线，已按计划即将进入试运行阶段，当前整体节奏良好。 潜江一期30吨KrF/ArF 高端晶圆光刻胶产线具备批量化生产及供货能力，可满足客户端现阶段订单需求。 同时，鼎龙股份还表示，公司深耕半导体材料领域多年，在 KrF、ArF 高端晶圆光刻胶领域已构建从核心原料到成品的全流程自主制备体系。 公司布局的近 30 款高端晶圆光刻胶（涵盖KrF与浸没式ArF），可适配多制程需求。 截至目前，公司已有两款高端晶圆光刻胶通过国内主流晶圆厂验证并获得订单，超15款产品送样验证、超10款产品进入加仑样测试。
29010编辑于 2026-03-20白光干涉仪在晶圆光刻图形 3D 轮廓测量中的应用解析
引言晶圆光刻图形是半导体制造中通过光刻工艺形成的微米至纳米级三维结构（如光刻胶线条、接触孔、栅极图形等），其线宽、高度、边缘粗糙度等参数直接决定后续蚀刻、沉积工艺的精度，进而影响器件性能。 晶圆光刻图形测量的核心需求晶圆光刻图形测量需满足三项核心指标：一是亚纳米级精度，线宽（10nm-5μm）和高度（50nm-2μm）的测量误差需控制在 ±2% 以内，以评估光刻对准精度和临界尺寸（CD）偏差 大面积扫描与自动化分析通过精密 XY 平台拼接扫描，可在 6 分钟内完成 300mm 晶圆上 5mm×5mm 区域的三维成像，覆盖数百个光刻图形单元。 数据采集与处理流程晶圆经真空吸附固定后，系统通过 alignment 标记自动定位至曝光场，扫描获取干涉数据。 应用中的挑战与解决方案超薄图形的信号提取对 < 50nm 的光刻胶图形，信号强度易受基底噪声干扰。采用锁相放大技术可提升信噪比 10 倍以上，确保超薄图形参数的稳定提取。
49010编辑于 2025-09-03- 来自专栏芯智讯
传日系光刻胶大厂断供，国产光刻胶概念股集体大涨！
国产光刻胶厂商布局与最新进展： 目前国产g/i 线光刻胶供应商主要有晶瑞电材（苏州瑞红）、彤程新材（北京科华），总体在全球市场份额约10%； 在KrF光刻胶方面，国内的彤程新材（北京科华）、上海新阳、 晶瑞电材（苏州瑞红）、徐州博康（华懋科技持有约26%股份）等都有布局，但实现量产供货的却不多，整体市场份额不到1%。 在ArF光刻胶方面，国内的南大光电、晶瑞电材（苏州瑞红）、彤程新材（北京科华）、上海新阳、徐州博康（华懋科技持有约26%股份）等也都有布局，但没有实现大批量量产供货。 晶瑞电材 晶瑞电材此前曾表示，子公司瑞红(苏州)电子化学品股份有限公司2018年完成了国家重大科技项目02专项“i线光刻胶产品开发及产业化”项目后，i线光刻胶产品向中芯国际、合肥长鑫、华虹半导体、晶合集成等国内知名半导体企业批量供货 高端KrF光刻胶分辨率达到0.25-0.13μm，通过部分重要客户测试，计划2022年底批量供应；ArF光刻胶研发工作正有序开展。眉山晶瑞年产1200吨光刻胶项目计划2022年底建成。
93710编辑于 2023-03-24 - 来自专栏钱塘大数据
芯片里面100多亿个晶体管是如何安装上去的？
这是CPU的截面视图，可以清晰的看到层状的CPU结构，芯片内部采用的是层级排列方式，这个CPU大概是有10层。其中最下层为器件层，即是MOSFET晶体管。 通常的晶圆加工流程中，刻蚀工艺位于光刻工艺之后，有图形的光刻胶层在刻蚀中不会受到腐蚀源的显著侵蚀，从而完成图形转移的工艺步骤。刻蚀环节是复制掩膜图案的关键步骤。 在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。 溶解光刻胶：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致。 “刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。 然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。 清除光刻胶：蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部清除后就可以看到设计好的电路图案。
3.5K10编辑于 2022-03-15 - 来自专栏韩曙亮的移动开发专栏
【了不起的芯片 - 读书笔记】CPU 的制作流程 ( 晶圆制作 | 光刻机光刻流程 | 蚀刻过程 | 涂层过程 | 重复上述步骤若干次 | 芯片封装 )
下面是 光刻过程的图解 : 在晶圆上涂抹光刻胶 , 光刻胶涂抹完毕 , 在 晶圆 上涂抹完 光刻胶 后 , 使用光刻机 , 进行光刻 , 中间的透镜是 掩膜 , 其中有电路图案 , 光刻机将该掩膜中的图案 投射到 晶圆上 , 光刻机 克完之后的 晶圆 中 , 有很多电路 , 该电路有很多层 , 检查光刻效果 , 紫外曝光： 使用紫外线光源，通过掩膜将光照射到光刻胶上。 光刻胶保留的部分不会被蚀刻 ; 光刻胶被溶解的部分 , 会被蚀刻 ; 三、蚀刻过程 ---- 刻蚀 有两种方式 , 化学腐蚀反应 / 用等离子体轰击晶圆表面 ; 光刻胶覆盖的位置保留 , 没有光刻胶的部位被刻蚀 蚀刻过程涉及以下主要步骤： 掩膜图案定义： 首先，在晶圆表面涂覆一层光刻胶，并使用光刻技术将掩膜图案转移到光刻胶上。掩膜图案是所需结构和图案的阴影图案，它决定了蚀刻后所保留的区域。 清洗和剥离： 在蚀刻完成后，对晶圆进行清洗，去除蚀刻剂和剩余的光刻胶。
3.3K20编辑于 2023-10-11 - 来自专栏视觉检测
基于机器视觉的晶圆检测方案
为确保生产的芯片质量合格，晶圆检测这一环节在半导体生产中变得尤为关键。在晶圆生产和质量控制过程中，晶圆检测可大大提高生产效率和产品质量。因此，晶圆检测是半导体企业中不可或缺的环节。 2、效率要求 每分钟可处理数百至数千件产品，检测速度是人工的5-10倍，满足客户不影响效率，实现全工序检测需求。 芯片生产质检常见案例1、晶圆缺陷检测 晶圆表面光滑、反光明显，部分≤0.01mm的微小缺陷肉眼无法识别，漏检、错检率高。缺陷涵盖裂纹、气泡、颗粒、划痕等类型难以精准分类。 2、芯片封装检测 芯片封装后容易出现破损、溢胶，印字（型号、生产日期）模糊、错印，条码无法识别等问题，厂家需要协同完成全流程检测。 方案采用同轴光+面光组合；搭载OCR识别算法，精准识别印字内容、条码信息，验证逻辑一致性；同步检测封胶破损、溢胶、缺胶等缺陷。3、芯片引脚检测 常见的引脚缺陷包括引脚尺寸偏差、弯曲、缺失和氧化。
1800编辑于 2026-06-26 [新启航]白光干涉仪在光学投影光刻 Projection Lithography 后的 3D 轮廓测量
，分析不同区域的参数偏差（如中心与边缘的 CD 差 < 2nm）；三是高效无损检测，单晶圆测量时间 < 10 分钟，且避免因测量导致光刻胶感光（投影光刻胶对紫外光敏感）。 材料与工艺兼容性针对投影光刻常用的化学放大光刻胶（如 ArF、EUV 光刻胶），白光干涉仪可采用 400-500nm 波段的可见光光源，避免紫外光导致的二次曝光。 晶圆级均匀性分析通过精密气浮平台的拼接扫描技术，白光干涉仪可在 8 分钟内完成 12 英寸晶圆上 10mm×10mm 区域的测量，覆盖数千个光刻图形单元。 具体测量流程与关键技术测量系统配置需配备超高数值孔径物镜（NA=0.95，工作距离 10mm）以解析纳米细节；采用窄带滤波可见光（450nm），避免光刻胶感光；Z 向扫描范围≥5μm，步长 0.1nm 数据采集与处理流程晶圆经真空吸附固定在防震载物台后，系统通过 Mark 点定位至目标曝光场，扫描获取三维干涉数据。
37510编辑于 2025-09-16- 来自专栏生命科学
分子胶的筛选案例详解_MedChemExpress(MCE 中国)
第二个问题是化合物 10 是如何介导 WEE1 与 CRBN-DDB1 结合，通过 cryo-EM 获得 WEE1-化合物 10-CRBN-DDB1 的复合物结合模式，结果显示 WEE1 的 G loop 如图 7，化合物 10 主要存在两种可能的构象，且通过对化合物 13 进行分子对接显示：化合物 10 和 13 的 pose 基本和 fit1 一致。 在化合物 10 的两种可能结合模式中，咪唑并吡啶和金刚烷基取代基都与 SJ3149 的苯并恶唑部分部分重合，这为进一步优化分子胶提供结构基础。 在 CIP-DEL 筛选试验中，首先将 His-tag 的 BRD9 (靶蛋白) 固载在磁珠上，并使用 2 种不同的实验方法来鉴定潜在的分子胶。 如图 10 所示，将文库和固载的 BRD9 蛋白孵育 (允许形成二元复合物)，文库首先和 VCB (VHL–elongin C–elongin B) 预孵育，再和固载的 BRD9 蛋白孵育 (允许形成三元复合物
50010编辑于 2025-06-04 - 来自专栏芯片工艺技术
ASML光刻机为啥那么重要，这故事要从芯片光刻原理说起
• 所以作为晶园生产用的曝光光源必须是某一单一波长的光源；• 另外光源还必须通过反射镜和透镜，使光源发出的光转化成一束平行光，这样才能保证特征尺寸的要求。 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变。光刻胶由4种成分组成： •正胶：遇光后产生解离，形成一种溶于显影液的结构。 one must be aligned to the previouspattern. 6英寸晶片，每片约需40~60次左右曝光（依赖chip大小） •对准法则 第一次光刻只是把掩膜版上的Y轴与晶园上的平边成 也有2X, 4X, and 10X的缩小比例。光刻设备商比如：ASML, Canon, Nikon, and GCA. –接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。 ––接近式光刻：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10～25mm)，可以大大减小掩膜版的损伤，分辨率较低––投影式光刻：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式
1.9K12编辑于 2022-06-06 [新启航]白光干涉仪在浸没式光刻后的 3D 轮廓测量
25 个曝光场，且避免光刻胶吸水导致的结构变形。 材料与环境兼容性针对浸没式光刻常用的 ArF 光刻胶（对水敏感），白光干涉仪采用干燥载物台与恒温控制系统（温度波动 <±0.1℃），避免测量过程中光刻胶吸水膨胀。 具体测量流程与关键技术测量系统配置需配备超高数值孔径物镜（NA=0.95）与防反射涂层镜头，减少液体残留的光反射干扰；采用高稳定性白光光源（波长 450nm，功率波动 < 0.1%）；Z 向扫描范围≥10μm 数据采集与处理流程晶圆经真空吸附固定在恒温载物台（23℃±0.1℃）后，系统通过 Mark 点定位曝光场，进行三维扫描获取干涉数据。 采用快速扫描模式（扫描速率 5mm/s）可将单场测量时间控制在 10 秒内，减少蒸发影响，确保高度测量误差 < 0.5nm。
39010编辑于 2025-09-19- 来自专栏用户7621540的专栏
手把手教你，19步从石头里抠出一块CPU
第十一步，把光刻胶（photoresist）放到硅晶圆上。 由于切割出的晶圆表面依然不光滑，所以需要经过仔细研磨来减少切割时造成的凹凸不平的表面。 研磨的时候会用到一些特殊的化学液体来对晶圆表面进行清洗，最后抛光。到这一步为止晶圆的制备就算完成了。之后晶圆会被装进特殊的盒子里密封保存运输。 第十三步，光遮罩（photo-mask）产生的阴影位置将会影响硅晶圆表面光刻胶的化学变化，取决于使用的是positive 还是negative 的光刻胶（photoresist）。 光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。 在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。 如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。 第十四步，加入一些神奇的化学物质来改善（develop）一下光刻胶。 第十五步，用酸（acid）来腐蚀掉硅晶圆暴露出来的部分。
71910编辑于 2021-12-21 - 来自专栏硬件大熊
警惕超声波工艺对晶振造成损伤
图片来源： 致远超声设备 晶振是频率元器件， 1. 若超声波工作频率与晶振的晶片产生共振效应，极其易碎的晶片就很可能被震碎，造成晶振停振； 晶振在受到足够激励功率的电流时，晶片就会有规律震动，这是水晶的物理特性。 晶片越薄，晶振的振动频率就越高，越厚，振动频率越低。 图片来源：晶诺威科技 2. 晶片与基座上的弹片通过导电胶连接，在超声波高频震荡下，导电胶可能被震裂，导致晶片与基座之间出现断路，不再起振。 图片来源：晶诺威科技 警惕超声波工艺对晶振造成的损伤 1. 确保晶振与产品外壳之间有一定空间，尽量避开超声区域； 2. 降低超声仪运行功率； 3. 提前做样品验证测试，检查超声工艺适用性； 4. 对于导电胶裂开问题，可以考虑选型高强度导电胶处理的晶振，包括晶片固着点特殊处理（当然，这也会导致晶振的参数变动，如ESR等）
92140编辑于 2023-09-02 [白光干涉仪]白光干涉仪在步进重复光刻后的 3D 轮廓测量
材料与工艺兼容性针对步进光刻常用的化学放大光刻胶（如 KrF、ArF 胶），白光干涉仪采用 400-500nm 可见光光源，避免紫外光引发的二次曝光。 非接触测量模式不会破坏光刻胶与基底的结合力，适合 SU-8 等厚胶（>10μm）结构的测量。 大面积拼接与统计分析通过精密 XY 平台的拼接扫描技术，白光干涉仪可在 12 分钟内完成 12 英寸晶圆的全域扫描，生成曝光场级的参数分布热力图。 数据采集与处理流程晶圆经真空吸附固定后，系统通过 Mark 点定位曝光场阵列，依次扫描获取三维干涉数据。 厚胶结构的底部轮廓识别对 > 20μm 的厚胶图形，底部反射信号弱导致高度测量失真。通过双波长干涉技术（450nm+635nm）可增强底部信号，将厚胶高度测量精度提升至 ±2nm。
39010编辑于 2025-09-17
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