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Mini LED产业
2.2 Mini LED封装工艺对固晶机、检测和返修设备提出新要求 LED封装流程所需设备包括固晶机、焊线机/回流焊 机、灌胶机、检测与返修设备等。 固晶机用于芯片 贴装环节；焊线机用于正装芯片与基板之间的引线 键合；回流焊机用于倒装工艺下的芯片焊接；灌胶 机用于封胶环节；检测设备用于生产各环节的检测； 返修设备用于去除和替换存在缺陷的部分晶粒。 2.3 固晶环节：芯片转移技术是提升Mini LED产能的关键 固晶机是LED封装的重要设备。 常见的 Pick & Place模式固晶机工作原理为：①对晶片和 PCB/支架板进行图像识别、定位及图像处理。②通过 银胶拾取装置对支架板的给定位置进行点胶处理。 部分设备产品可实现的 功能包括自动获取不良坐标和不良类型、自动剔除不良元件 （超声波或激光）和清理焊盘、自动重置焊锡或银胶、二次 固晶和焊接等。
1.4K20编辑于 2022-06-08 砷化镓（GaAs）晶圆的光刻胶残留
一、残胶类型与成因分析 残胶类型 成因 典型缺陷 交联型残胶 等离子体刻蚀或离子注入后，光刻胶碳化交联，形成致密层 表面黑点、龟裂纹 金属污染胶 金属掩膜层（如Au/Ti）与光刻胶反应生成金属有机复合物 ，阻碍剥离液渗透 局部黄斑、粘附性残留 微结构卡胶 高深宽比（＞5:1）结构内光刻胶因表面张力残留，如VCSEL、HEMT器件中的微孔/沟槽 孔洞底部颗粒堆积 残胶的形式样貌有很多种，块状不规则形状、 DuPont EKC580：过氧化氢基配方（稀释比例1:5），适合含Au/Ti金属层的晶圆。 优势： 同步清除SU-8负胶及PMMA显影液残留； 抑制Al电极氧化（pH 6-7弱酸性环境）。 风险控制：需监测金属离子浓度（Na⁺＜1 ppb）。 3. Al电极：采用乳酸+柠檬酸缓冲体系（pH 6-7），避免碱性液腐蚀。
15610编辑于 2026-03-18- 来自专栏博捷芯划片机
博捷芯划片机在LED灯珠EMC支架中切割应用
EMC支架封装工艺流程：固晶-焊线-点胶-切割-分光-编带。 对切割EMC LED 封装技术有绝大优势。 双轴晶圆切割机为12英寸全自动动精密划片机，采用高精密进口主要配件，T轴采用DD马达，重复精度1μm，稳定性极强，兼容6"-12"材料，双CCD视觉系统，性能达到业界一流水平 设备工作流程： 1.下取物臂将待切割材料从晶片盒中取出
53460编辑于 2023-02-21 - 来自专栏芯片工艺技术
半导体芯片工艺材料有哪些，国内发展水平如何
半导体材料市场可以分为晶圆材料和封装材料。其中，晶圆材料主要有硅片、光掩膜、光刻胶、光刻胶辅助设备、溅射靶、抛光液、其他材料。 封装材料主要有层压基板、引线框架、焊线、模压化合物、底部填充料、液体密封剂、粘晶材料、锡球、晶圆级封装介质、热接口材料。其中，大硅片占比最高。 四川科美特生产的四氟化碳进入台积电12寸台南28nm晶圆加工生产线，目前公司已经被上市公司雅克科技收购；金宏气体自主研发7N电子级超纯氨打破国外垄断，电子气体主要A股上市公司：雅克科技、华特气体、南大光电 光刻胶：国产率不足10% 我国光刻胶生产基本上被外资把控，其中半导体光刻胶严重依赖进口。光刻胶由低端到高端整体可分为PCB 光刻胶、面板光刻胶和半导体光刻胶三个大类。 光刻胶主要A股上市公司：晶瑞股份、飞凯材料。
97820编辑于 2022-06-08 - 来自专栏芯智讯
国产化率不足10%！一文看懂国产半导体材料产业现状
中国国内的产能份额在过去两年中每年增加 1pct，自 2011年以来累计增加 7pct，预计到 2024 年中国在全球 IC 晶圆产能中的份额将达到近19%。 目前 g-line、i-line 广泛应用于 0.5um 以上和0.5-0.35um 制程，KrF 多应用于 0.25-0.13um，ArF 应用于 130-7nm，EUV 应用于7nm 及以下。 ，市场占比 14.7%；EUV 光刻胶市场为 0.51 亿美元，市场占比 2.6%，KrF、ArF 光刻胶市场占比最高，覆盖了 250nm-7nm 的绝大部分制程。 目前逻辑芯片正向 7nm 以下先进制程发展，台积电 5nm 产品已于 2020 年下半年实现量产出货，而芯片制程从成熟制程 28nm，先进制程 14nm 上升到 7nm 后，CMP抛光步骤大幅增加。 由于环氧树脂也是芯片主要的塑封材料，因此以上塑封材料的主要的供应商大多也属于芯片粘结材料的供应商，值得一提的是中国烟台德邦科技股份（Darbond）是国内专业提供针对集成电路用的固晶胶、邦定胶、导电胶、
4.1K21编辑于 2022-12-09 用于叠层晶圆的光刻胶剥离液及白光干涉仪在光刻图形的测量
引言随着半导体技术向高密度、高性能方向发展，叠层晶圆技术成为关键。在叠层晶圆制造过程中，光刻胶剥离液的性能对工艺质量和器件可靠性影响重大。 同时，精确测量光刻图形是保障叠层晶圆制造精度的重要环节，白光干涉仪为此提供了有效的技术手段。用于叠层晶圆的光刻胶剥离液性能要求叠层晶圆结构复杂，对光刻胶剥离液提出了严苛要求。 成分构成常用的叠层晶圆光刻胶剥离液主要由溶剂、碱性物质、表面活性剂、缓蚀剂和络合剂等成分组成。 之后，对混合溶液进行过滤处理，去除可能存在的杂质颗粒，得到澄清透明的光刻胶剥离液。制备过程中需严格控制各成分比例，并根据光刻胶类型和晶圆材料特性进行优化调整。 ；剥离完成后，精确测量残留光刻胶的厚度、晶圆表面的粗糙度以及光刻图形的最终尺寸，为优化光刻胶剥离液配方和剥离工艺提供准确的数据支持，确保叠层晶圆制造质量符合设计要求。
25210编辑于 2025-06-12- 来自专栏芯智讯
传日系光刻胶大厂断供，国产光刻胶概念股集体大涨！
国产光刻胶厂商布局与最新进展： 目前国产g/i 线光刻胶供应商主要有晶瑞电材（苏州瑞红）、彤程新材（北京科华），总体在全球市场份额约10%； 在KrF光刻胶方面，国内的彤程新材（北京科华）、上海新阳、 2021年7月初，南大光电在互动平台上表示，公司旗下的ArF光刻胶产品拿到小批量订单，不过他们没有透露具体的客户名单。 预计在项目投产后，满产满销的状态下，感光干膜光刻胶将每年给公司带来约5亿元的收入，显示用光刻胶将每年给公司带来约7亿元收入，半导体光刻胶将每年给公司带来约2亿元收入。 晶瑞电材 晶瑞电材此前曾表示，子公司瑞红(苏州)电子化学品股份有限公司2018年完成了国家重大科技项目02专项“i线光刻胶产品开发及产业化”项目后，i线光刻胶产品向中芯国际、合肥长鑫、华虹半导体、晶合集成等国内知名半导体企业批量供货 高端KrF光刻胶分辨率达到0.25-0.13μm，通过部分重要客户测试，计划2022年底批量供应；ArF光刻胶研发工作正有序开展。眉山晶瑞年产1200吨光刻胶项目计划2022年底建成。
85110编辑于 2023-03-24 白光干涉仪在晶圆光刻图形 3D 轮廓测量中的应用解析
引言晶圆光刻图形是半导体制造中通过光刻工艺形成的微米至纳米级三维结构（如光刻胶线条、接触孔、栅极图形等），其线宽、高度、边缘粗糙度等参数直接决定后续蚀刻、沉积工艺的精度，进而影响器件性能。 晶圆光刻图形测量的核心需求晶圆光刻图形测量需满足三项核心指标：一是亚纳米级精度，线宽（10nm-5μm）和高度（50nm-2μm）的测量误差需控制在 ±2% 以内，以评估光刻对准精度和临界尺寸（CD）偏差 通过相移干涉算法，线宽测量重复性误差 < 0.3%，高度测量精度 ±1nm，满足 7nm 制程中 CD 均匀性（3σ<1.5nm）的严苛要求。 数据采集与处理流程晶圆经真空吸附固定后，系统通过 alignment 标记自动定位至曝光场，扫描获取干涉数据。 典型应用案例在 7nm 逻辑芯片的栅极光刻测量中，白光干涉仪检测出曝光场边缘的光刻胶线条高度降低 15nm（设计高度 800nm），LER 增至 1.2nm（正常区域 < 0.8nm），推测为曝光剂量不均导致
38610编辑于 2025-09-03- 来自专栏韩曙亮的移动开发专栏
【了不起的芯片 - 读书笔记】CPU 的制作流程 ( 晶圆制作 | 光刻机光刻流程 | 蚀刻过程 | 涂层过程 | 重复上述步骤若干次 | 芯片封装 )
下面是 光刻过程的图解 : 在晶圆上涂抹光刻胶 , 光刻胶涂抹完毕 , 在 晶圆 上涂抹完 光刻胶 后 , 使用光刻机 , 进行光刻 , 中间的透镜是 掩膜 , 其中有电路图案 , 光刻机将该掩膜中的图案 投射到 晶圆上 , 光刻机 克完之后的 晶圆 中 , 有很多电路 , 该电路有很多层 , 检查光刻效果 , 紫外曝光： 使用紫外线光源，通过掩膜将光照射到光刻胶上。 光刻胶保留的部分不会被蚀刻 ; 光刻胶被溶解的部分 , 会被蚀刻 ; 三、蚀刻过程 ---- 刻蚀 有两种方式 , 化学腐蚀反应 / 用等离子体轰击晶圆表面 ; 光刻胶覆盖的位置保留 , 没有光刻胶的部位被刻蚀 蚀刻过程涉及以下主要步骤： 掩膜图案定义： 首先，在晶圆表面涂覆一层光刻胶，并使用光刻技术将掩膜图案转移到光刻胶上。掩膜图案是所需结构和图案的阴影图案，它决定了蚀刻后所保留的区域。 清洗和剥离： 在蚀刻完成后，对晶圆进行清洗，去除蚀刻剂和剩余的光刻胶。
3K20编辑于 2023-10-11 - 来自专栏人人都是极客
CPU是如何制造出来的（附高清全程图解）
值得一提的是，Intel公司创立之初使用的晶圆尺寸只有2英寸/50毫米 ? 光刻胶(Photo Resist)：图中蓝色部分就是在晶圆旋转过程中浇上去的光刻胶液体，类似制作传统胶片的那种。 晶圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平。 ? 光刻：光刻胶层随后透过掩模(Mask)被曝光在紫外线(UV)之下，变得可溶，期间发生的化学反应类似按下机械相机快门那一刻胶片的变化。 溶解光刻胶：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致 ? 蚀刻：使用化学物质溶解掉暴露出来的晶圆部分，而剩下的光刻胶保护着不应该蚀刻的部分。 ? 从晶圆上切割下来的单个内核，这里展示的是Core i7的核心。 封装：封装级别，20毫米/1英寸。衬底(基片)、内核、散热片堆叠在一起，就形成了我们看到的处理器的样子。 等级测试：最后一次测试，可以鉴别出每一颗处理器的关键特性，比如最高频率、功耗、发热量等，并决定处理器的等级，比如适合做成最高端的Core i7-975 Extreme，还是低端型号Core i7-920
4.2K40发布于 2021-04-29 - 来自专栏硬件大熊
警惕超声波工艺对晶振造成损伤
图片来源： 致远超声设备 晶振是频率元器件， 1. 若超声波工作频率与晶振的晶片产生共振效应，极其易碎的晶片就很可能被震碎，造成晶振停振； 晶振在受到足够激励功率的电流时，晶片就会有规律震动，这是水晶的物理特性。 晶片越薄，晶振的振动频率就越高，越厚，振动频率越低。 图片来源：晶诺威科技 2. 晶片与基座上的弹片通过导电胶连接，在超声波高频震荡下，导电胶可能被震裂，导致晶片与基座之间出现断路，不再起振。 图片来源：晶诺威科技 警惕超声波工艺对晶振造成的损伤 1. 确保晶振与产品外壳之间有一定空间，尽量避开超声区域； 2. 降低超声仪运行功率； 3. 提前做样品验证测试，检查超声工艺适用性； 4. 对于导电胶裂开问题，可以考虑选型高强度导电胶处理的晶振，包括晶片固着点特殊处理（当然，这也会导致晶振的参数变动，如ESR等）
79740编辑于 2023-09-02 - 来自专栏大数据文摘
95后up主低成本DIY纳米级光刻机！一图纸一书桌研究半年，挑战芯片制造最难环节
并且，美国还在千方百计阻止“台积电”给华为供应7纳米芯片。 整个芯片生产流程中，最让国人头疼的还是光刻机。 芯片少不了光刻胶这种原料，小彭同学花了不少力气，终于淘到了一小瓶光刻胶（150元），光刻胶的外袋是黑色遮光的，但Bug的是装光刻胶的瓶子却是透明的，所以说不能一拿到手就打开，一旦随意打开就容易全部曝光了 目前国内最为先进的技术在上海微电子的，国产光刻机精度大约是28纳米，中芯国际目前掌握的技术为14纳米，而华为目前所需的芯片精度为5纳米和7纳米。 这里文摘菌简单罗列一下晶圆制作的一些必要步骤。 第一步：湿洗，主要是用试剂保持硅晶圆表面杂质。 第十二步：晶圆测试。 第十三步：晶圆打磨以及出厂。 看着步骤挺多，但是再看看制作工序，其中的第二步就是光刻，也就是说，如果我们还没有掌握5纳米和7纳米的技术工艺，后面的工艺基本就无法继续。
2.4K20发布于 2020-07-14 鼎龙股份：潜江二期300吨光刻胶量产线即将试运行
12月22日，国产光刻胶厂商鼎龙股份在互动平台上表示，公司潜江二期年产300吨KrF/ArF高端晶圆光刻胶量产线，已按计划即将进入试运行阶段，当前整体节奏良好。 潜江一期30吨KrF/ArF 高端晶圆光刻胶产线具备批量化生产及供货能力，可满足客户端现阶段订单需求。 同时，鼎龙股份还表示，公司深耕半导体材料领域多年，在 KrF、ArF 高端晶圆光刻胶领域已构建从核心原料到成品的全流程自主制备体系。 公司布局的近 30 款高端晶圆光刻胶（涵盖KrF与浸没式ArF），可适配多制程需求。 截至目前，公司已有两款高端晶圆光刻胶通过国内主流晶圆厂验证并获得订单，超15款产品送样验证、超10款产品进入加仑样测试。
17910编辑于 2026-03-20[新启航]白光干涉仪在浸没式光刻后的 3D 轮廓测量
引言浸没式光刻（Immersion Lithography）通过在投影透镜与晶圆之间填充高折射率液体（如超纯水，n≈1.44），突破传统干法光刻的分辨率极限，广泛应用于 45nm 至 7nm 节点芯片制造 25 个曝光场，且避免光刻胶吸水导致的结构变形。 材料与环境兼容性针对浸没式光刻常用的 ArF 光刻胶（对水敏感），白光干涉仪采用干燥载物台与恒温控制系统（温度波动 <±0.1℃），避免测量过程中光刻胶吸水膨胀。 数据采集与处理流程晶圆经真空吸附固定在恒温载物台（23℃±0.1℃）后，系统通过 Mark 点定位曝光场，进行三维扫描获取干涉数据。 典型应用案例在 7nm 逻辑芯片的浸没式光刻测量中，白光干涉仪检测出曝光场边缘 CD 存在 1.5nm 偏差，追溯为液体折射率分布不均，调整流量控制系统后 CD 均匀性提升至 3σ=0.9nm。
29410编辑于 2025-09-19- 来自专栏钱塘大数据
芯片里面100多亿个晶体管是如何安装上去的？
晶圆代工厂就是根据芯片设计师设计好的物理版图进行制造。 通常的晶圆加工流程中，刻蚀工艺位于光刻工艺之后，有图形的光刻胶层在刻蚀中不会受到腐蚀源的显著侵蚀，从而完成图形转移的工艺步骤。刻蚀环节是复制掩膜图案的关键步骤。 在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。 溶解光刻胶：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致。 “刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。 然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。 清除光刻胶：蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部清除后就可以看到设计好的电路图案。
3.2K10编辑于 2022-03-15 - 来自专栏用户7621540的专栏
手把手教你，19步从石头里抠出一块CPU
第十一步，把光刻胶（photoresist）放到硅晶圆上。 由于切割出的晶圆表面依然不光滑，所以需要经过仔细研磨来减少切割时造成的凹凸不平的表面。 研磨的时候会用到一些特殊的化学液体来对晶圆表面进行清洗，最后抛光。到这一步为止晶圆的制备就算完成了。之后晶圆会被装进特殊的盒子里密封保存运输。 第十三步，光遮罩（photo-mask）产生的阴影位置将会影响硅晶圆表面光刻胶的化学变化，取决于使用的是positive 还是negative 的光刻胶（photoresist）。 光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。 在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。 如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。 第十四步，加入一些神奇的化学物质来改善（develop）一下光刻胶。 第十五步，用酸（acid）来腐蚀掉硅晶圆暴露出来的部分。
68210编辑于 2021-12-21 [新启航]白光干涉仪在光学投影光刻 Projection Lithography 后的 3D 轮廓测量
这些结构的关键尺寸（CD）、高度、侧壁倾角等参数直接决定芯片的电学性能与良率，例如 7nm 节点器件的栅极 CD 偏差需控制在 ±1nm 以内。 ，分析不同区域的参数偏差（如中心与边缘的 CD 差 < 2nm）；三是高效无损检测，单晶圆测量时间 < 10 分钟，且避免因测量导致光刻胶感光（投影光刻胶对紫外光敏感）。 材料与工艺兼容性针对投影光刻常用的化学放大光刻胶（如 ArF、EUV 光刻胶），白光干涉仪可采用 400-500nm 波段的可见光光源，避免紫外光导致的二次曝光。 晶圆级均匀性分析通过精密气浮平台的拼接扫描技术，白光干涉仪可在 8 分钟内完成 12 英寸晶圆上 10mm×10mm 区域的测量，覆盖数千个光刻图形单元。 数据采集与处理流程晶圆经真空吸附固定在防震载物台后，系统通过 Mark 点定位至目标曝光场，扫描获取三维干涉数据。
27110编辑于 2025-09-16- 来自专栏生命科学
分子胶的筛选案例详解_MedChemExpress(MCE 中国)
如图 7，化合物 10 主要存在两种可能的构象，且通过对化合物 13 进行分子对接显示：化合物 10 和 13 的 pose 基本和 fit1 一致。 在 CIP-DEL 筛选试验中，首先将 His-tag 的 BRD9 (靶蛋白) 固载在磁珠上，并使用 2 种不同的实验方法来鉴定潜在的分子胶。 如图 10 所示，将文库和固载的 BRD9 蛋白孵育 (允许形成二元复合物)，文库首先和 VCB (VHL–elongin C–elongin B) 预孵育，再和固载的 BRD9 蛋白孵育 (允许形成三元复合物 后续通过 AlphaScreen 进行协同性验证，发现化合物 13-3 和 13-7 无钩状效应。 在细胞实验验证中，13-7 在 NanoBiT 实验中诱导三元复合物形成且无钩状效应，在 HiBit 实验中对 BRD9 的降解也无钩状效应，且具有较好的选择性。
40110编辑于 2025-06-04 - 来自专栏新智元
手把手教你，19步从石头里抠出一块CPU
第十一步，把光刻胶（photoresist）放到硅晶圆上。 由于切割出的晶圆表面依然不光滑，所以需要经过仔细研磨来减少切割时造成的凹凸不平的表面。 研磨的时候会用到一些特殊的化学液体来对晶圆表面进行清洗，最后抛光。到这一步为止晶圆的制备就算完成了。之后晶圆会被装进特殊的盒子里密封保存运输。 第十三步，光遮罩（photo-mask）产生的阴影位置将会影响硅晶圆表面光刻胶的化学变化，取决于使用的是positive 还是negative 的光刻胶（photoresist）。 光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。 在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。 如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。 第十四步，加入一些神奇的化学物质来改善（develop）一下光刻胶。 第十五步，用酸（acid）来腐蚀掉硅晶圆暴露出来的部分。
61410发布于 2021-11-23 - 来自专栏程序员成长充电站
一步步做个集成电路（IC）
计算机基础课第 38 期分享 转载请联系授权（微信ID：qianpangzi0206） 阅读本文大概需要 4 分钟 01 光刻法 下面用一个简单例子，来做一片集成电路（IC） 我们从一片硅开始，叫"晶圆 我们可以用晶圆做基础，把复杂金属电路放上面，集成所有东西，非常适合做集成电路。 下一步是在硅片顶部，加一层薄薄的氧化层, 作为保护层，然后加一层特殊化学品, 叫 "光刻胶"。 光刻胶被光照射后 会变得可溶，可以用一种特殊化学药剂洗掉。 单单光刻胶本身，并不是很有用但和"光掩膜"配合使用会很强大，光掩膜就像胶片一样，只不过不是吃墨西哥卷饼的可爱仓鼠，而是要转移到晶圆上的图案。 把光掩膜盖到晶圆上，用强光照射挡住光的地方，光刻胶不会变化。光照到的地方，光刻胶会发生化学变化 洗掉它之后，暴露出氧化层。 所以又是类似的步骤用光刻胶+光掩膜，然后溶掉暴露的光刻胶，暴露的金属 晶体管终于做好了！它有三根线，连接着硅的三个不同区域，每个区域的掺杂方式不同，这叫双极型晶体管。
58920发布于 2019-08-29
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