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Mini LED产业
2.2 Mini LED封装工艺对固晶机、检测和返修设备提出新要求 LED封装流程所需设备包括固晶机、焊线机/回流焊 机、灌胶机、检测与返修设备等。 固晶机用于芯片 贴装环节；焊线机用于正装芯片与基板之间的引线 键合；回流焊机用于倒装工艺下的芯片焊接；灌胶 机用于封胶环节；检测设备用于生产各环节的检测； 返修设备用于去除和替换存在缺陷的部分晶粒。 2.3 固晶环节：芯片转移技术是提升Mini LED产能的关键 固晶机是LED封装的重要设备。 常见的 Pick & Place模式固晶机工作原理为：①对晶片和 PCB/支架板进行图像识别、定位及图像处理。②通过 银胶拾取装置对支架板的给定位置进行点胶处理。 部分设备产品可实现的 功能包括自动获取不良坐标和不良类型、自动剔除不良元件 （超声波或激光）和清理焊盘、自动重置焊锡或银胶、二次 固晶和焊接等。
1.5K20编辑于 2022-06-08 砷化镓（GaAs）晶圆的光刻胶残留
一、残胶类型与成因分析 残胶类型 成因 典型缺陷 交联型残胶 等离子体刻蚀或离子注入后，光刻胶碳化交联，形成致密层 表面黑点、龟裂纹 金属污染胶 金属掩膜层（如Au/Ti）与光刻胶反应生成金属有机复合物 ，阻碍剥离液渗透 局部黄斑、粘附性残留 微结构卡胶 高深宽比（＞5:1）结构内光刻胶因表面张力残留，如VCSEL、HEMT器件中的微孔/沟槽 孔洞底部颗粒堆积 残胶的形式样貌有很多种，块状不规则形状、 DuPont EKC580：过氧化氢基配方（稀释比例1:5），适合含Au/Ti金属层的晶圆。 :1） 2. CO₂超临界干燥，避免结构坍塌 压力7.38MPa, 温度31℃ 2.
42310编辑于 2026-03-18- 来自专栏博捷芯划片机
博捷芯划片机在LED灯珠EMC支架中切割应用
EMC支架封装工艺流程：固晶-焊线-点胶-切割-分光-编带。 对切割EMC LED 封装技术有绝大优势。 双轴晶圆切割机为12英寸全自动动精密划片机，采用高精密进口主要配件，T轴采用DD马达，重复精度1μm，稳定性极强，兼容6"-12"材料，双CCD视觉系统，性能达到业界一流水平 设备工作流程： 1.下取物臂将待切割材料从晶片盒中取出 2. 上取物臂从工作盘将切割完成的材料移动到清洗盘上，进行二流体清洗和晶片干燥。 3 .下取物臂将切割完成的材料放回预校准台进行预校准，再推回晶片盒中。
61060编辑于 2023-02-21 用于叠层晶圆的光刻胶剥离液及白光干涉仪在光刻图形的测量
引言随着半导体技术向高密度、高性能方向发展，叠层晶圆技术成为关键。在叠层晶圆制造过程中，光刻胶剥离液的性能对工艺质量和器件可靠性影响重大。 同时，精确测量光刻图形是保障叠层晶圆制造精度的重要环节，白光干涉仪为此提供了有效的技术手段。用于叠层晶圆的光刻胶剥离液性能要求叠层晶圆结构复杂，对光刻胶剥离液提出了严苛要求。 成分构成常用的叠层晶圆光刻胶剥离液主要由溶剂、碱性物质、表面活性剂、缓蚀剂和络合剂等成分组成。 ；剥离完成后，精确测量残留光刻胶的厚度、晶圆表面的粗糙度以及光刻图形的最终尺寸，为优化光刻胶剥离液配方和剥离工艺提供准确的数据支持，确保叠层晶圆制造质量符合设计要求。 实际案例1，优于1nm分辨率，轻松测量硅片表面粗糙度测量，Ra=0.7nm2，毫米级视野，实现5nm-有机油膜厚度扫描3，卓越的“高深宽比”测量能力，实现光刻图形凹槽深度和开口宽度测量。
32410编辑于 2025-06-12- 来自专栏韩曙亮的移动开发专栏
【了不起的芯片 - 读书笔记】CPU 的制作流程 ( 晶圆制作 | 光刻机光刻流程 | 蚀刻过程 | 涂层过程 | 重复上述步骤若干次 | 芯片封装 )
下面是 光刻过程的图解 : 在晶圆上涂抹光刻胶 , 光刻胶涂抹完毕 , 在 晶圆 上涂抹完 光刻胶 后 , 使用光刻机 , 进行光刻 , 中间的透镜是 掩膜 , 其中有电路图案 , 光刻机将该掩膜中的图案 清洗和剥离： 在蚀刻完成后，对晶圆进行清洗，去除蚀刻剂和剩余的光刻胶。 例如，在蚀刻硅二氧化物（SiO2）而不蚀刻硅（Si）的过程中，可以使用掺杂抗蚀剂来保护硅材料。 掩膜保护： 在光刻过程中，如果需要在掩膜上进行蚀刻而不损害下面的材料，掺杂抗蚀剂可以用于保护掩膜。 绝缘层沉积： 在晶圆表面沉积绝缘层。常见的绝缘材料是二氧化硅（SiO2），它具有良好的绝缘性能。绝缘层的沉积通常使用化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）等技术进行。 常见的隔离层材料包括二氧化硅（SiO2）或氮化硅（SiNx）等。 绝缘层填充： 将绝缘材料填充到电路结构中的空隙和孔洞中。这通常通过化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）等技术来实现。
3.3K20编辑于 2023-10-11 东方晶源斩获国内存储晶圆大厂2亿元订单
近日，国内集成电路领域良率管理领导厂商东方晶源通过官方微信公众号宣布，公司凭借在计算光刻领域的核心技术壁垒与持续创新突破，与国内某先进存储厂商达成深度战略合作，并正式签署近2亿元的长期战略商业合同。 此次战略合作的达成，不仅是对东方晶源技术实力的高度认可，更彰显了公司与产业链伙伴协同创新、共筑产业生态的坚定决心。 该产品搭载Auto Retargeting（ART）自动目标修正功能，可对现有基于Bias Table的OPC流程实现增量式优化，自动修正ADI初始目标图形，有效弥补传统方法在复杂版图（尤其是1.5D/2D PanGen vPWQ的突破是东方晶源HPO 2.0战略的重要组成部分。 同时，以此次战略合作为契机，东方晶源将持续加大研发投入，与产业链上下游伙伴携手，共同构建自主可控、安全高效的半导体产业生态，为中国“芯”的发展注入更强动力。 来源：东方晶源
19210编辑于 2026-04-10- 来自专栏芯智讯
国产化率不足10%！一文看懂国产半导体材料产业现状
2、光刻胶产业从欧美转向日本，核心市场被国外占据 光刻胶产业从欧美转向日本。 光刻胶组分决定了光刻胶的质量，也是光刻胶技术壁垒所在。 国内知名光刻胶企业包括南大光电、晶瑞电材、彤程新材、上海新阳等。由于我国光刻胶产业起步较晚，目前市场份额占比较低。 目前我国半导体光刻胶和平板显示光刻胶制造能力仍较弱，只占整体生产结构的 2%和3%，主要生产技术水平较低的 PCB 用光刻胶，占整体生产结构中的 94%，半导体光刻胶及面板光刻胶国产替代空间广阔。 存储芯片由 2D NAND向 3D NAND 技术变革，也会使 CMP 抛光步骤数近乎翻倍。集成电路 2D 存储器件的线宽已接近物理极限，NAND 闪存已进入 3D 时代。 由于环氧树脂也是芯片主要的塑封材料，因此以上塑封材料的主要的供应商大多也属于芯片粘结材料的供应商，值得一提的是中国烟台德邦科技股份（Darbond）是国内专业提供针对集成电路用的固晶胶、邦定胶、导电胶、
4.5K21编辑于 2022-12-09 - 来自专栏芯片工艺技术
半导体芯片工艺材料有哪些，国内发展水平如何
半导体材料市场可以分为晶圆材料和封装材料。其中，晶圆材料主要有硅片、光掩膜、光刻胶、光刻胶辅助设备、溅射靶、抛光液、其他材料。 封装材料主要有层压基板、引线框架、焊线、模压化合物、底部填充料、液体密封剂、粘晶材料、锡球、晶圆级封装介质、热接口材料。其中，大硅片占比最高。 2. 电子气体：半导体材料之“源” 电子气体在电子产品制程工艺中广泛应用于薄膜、蚀刻、掺杂等工艺，被称为半导体、平面显示等材料的“粮食”和“源”。 光刻胶：国产率不足10% 我国光刻胶生产基本上被外资把控，其中半导体光刻胶严重依赖进口。光刻胶由低端到高端整体可分为PCB 光刻胶、面板光刻胶和半导体光刻胶三个大类。 光刻胶主要A股上市公司：晶瑞股份、飞凯材料。
1.1K20编辑于 2022-06-08 - 来自专栏硬件大熊
警惕超声波工艺对晶振造成损伤
图片来源： 致远超声设备 晶振是频率元器件， 1. 若超声波工作频率与晶振的晶片产生共振效应，极其易碎的晶片就很可能被震碎，造成晶振停振； 晶振在受到足够激励功率的电流时，晶片就会有规律震动，这是水晶的物理特性。 晶片越薄，晶振的振动频率就越高，越厚，振动频率越低。 图片来源：晶诺威科技 2. 晶片与基座上的弹片通过导电胶连接，在超声波高频震荡下，导电胶可能被震裂，导致晶片与基座之间出现断路，不再起振。 图片来源：晶诺威科技 警惕超声波工艺对晶振造成的损伤 1. 确保晶振与产品外壳之间有一定空间，尽量避开超声区域； 2. 降低超声仪运行功率； 3. 提前做样品验证测试，检查超声工艺适用性； 4. 对于导电胶裂开问题，可以考虑选型高强度导电胶处理的晶振，包括晶片固着点特殊处理（当然，这也会导致晶振的参数变动，如ESR等）
91840编辑于 2023-09-02 鼎龙高端光刻胶进入头部晶圆厂！
公告显示，鼎龙股份年产300吨KrF/ArF高端晶圆光刻胶产线自2026年3月20日投产后，已向两家头部晶圆厂客户交付数百加仑浸没式ArF及KrF光刻胶，产品已在客户量产产线顺利应用。 8款高端光刻胶获批量订单，商业化进程显著加快 鼎龙股份表示，截至公告披露日，公司已有8款高端晶圆光刻胶取得多家国内主流晶圆厂客户的批量订单。 在测试验证方面，鼎龙股份已经累计布局40余款高端晶圆光刻胶，近30款产品已向客户送样开展验证测试，其中超10款进入加仑样测试阶段。 产品覆盖全场景，剑指百亿国产替代市场 ArF与KrF光刻胶是逻辑、存储芯片制造的核心刚需耗材，属于国内晶圆光刻胶市场中价值量占比最高的两大品类。 然而，当前国内高端晶圆光刻胶供给仍由日本企业（如JSR、东京应化、信越化学、富士胶片）主导，国产化率较低低。
26810编辑于 2026-06-23- 来自专栏芯智讯
传日系光刻胶大厂断供，国产光刻胶概念股集体大涨！
，KrF光刻胶产品销售额较上年同期增长226.69%；彤程电子年产1.1万吨半导体、平板显示用光刻胶及2万吨相关配套试剂项目进展顺利，预计2022年开始分批投产。 2023年2月17日，彤程新材再度在投资者平台上表示，“ArF高端光刻胶研发平台建设项目”预计于2023年末建设完成。 今年2月初，南大光电再度在互动平台上表示，子公司宁波南大光电正在积极开展ArF光刻胶的客户验证工作，已有两款产品通过验证，目前有多款产品正在多家客户进行认证。 预计在项目投产后，满产满销的状态下，感光干膜光刻胶将每年给公司带来约5亿元的收入，显示用光刻胶将每年给公司带来约7亿元收入，半导体光刻胶将每年给公司带来约2亿元收入。 晶瑞电材 晶瑞电材此前曾表示，子公司瑞红(苏州)电子化学品股份有限公司2018年完成了国家重大科技项目02专项“i线光刻胶产品开发及产业化”项目后，i线光刻胶产品向中芯国际、合肥长鑫、华虹半导体、晶合集成等国内知名半导体企业批量供货
93610编辑于 2023-03-24 鼎龙股份：潜江二期300吨光刻胶量产线即将试运行
12月22日，国产光刻胶厂商鼎龙股份在互动平台上表示，公司潜江二期年产300吨KrF/ArF高端晶圆光刻胶量产线，已按计划即将进入试运行阶段，当前整体节奏良好。 潜江一期30吨KrF/ArF 高端晶圆光刻胶产线具备批量化生产及供货能力，可满足客户端现阶段订单需求。 同时，鼎龙股份还表示，公司深耕半导体材料领域多年，在 KrF、ArF 高端晶圆光刻胶领域已构建从核心原料到成品的全流程自主制备体系。 公司布局的近 30 款高端晶圆光刻胶（涵盖KrF与浸没式ArF），可适配多制程需求。 截至目前，公司已有两款高端晶圆光刻胶通过国内主流晶圆厂验证并获得订单，超15款产品送样验证、超10款产品进入加仑样测试。
28510编辑于 2026-03-20- 来自专栏钱塘大数据
芯片里面100多亿个晶体管是如何安装上去的？
通常的晶圆加工流程中，刻蚀工艺位于光刻工艺之后，有图形的光刻胶层在刻蚀中不会受到腐蚀源的显著侵蚀，从而完成图形转移的工艺步骤。刻蚀环节是复制掩膜图案的关键步骤。 在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。 溶解光刻胶：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致。 “刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。 然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。 清除光刻胶：蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部清除后就可以看到设计好的电路图案。 2 今天找到了台积电晶圆制造过程的视频，大家一起看一下哦。 3 这是一个讲解从原材料到芯片制造过程的视频，比较全面。
3.5K10编辑于 2022-03-15 白光干涉仪在晶圆光刻图形 3D 轮廓测量中的应用解析
引言晶圆光刻图形是半导体制造中通过光刻工艺形成的微米至纳米级三维结构（如光刻胶线条、接触孔、栅极图形等），其线宽、高度、边缘粗糙度等参数直接决定后续蚀刻、沉积工艺的精度，进而影响器件性能。 晶圆光刻图形测量的核心需求晶圆光刻图形测量需满足三项核心指标：一是亚纳米级精度，线宽（10nm-5μm）和高度（50nm-2μm）的测量误差需控制在 ±2% 以内，以评估光刻对准精度和临界尺寸（CD）偏差 接触式测量易造成光刻胶变形（如高宽比 > 2 的细线条），光学显微镜仅能提供二维轮廓，均无法满足需求。白光干涉仪的技术特性恰好适配这些测量难点。 例如，对 1μm 高的光刻胶线条，其高度测量偏差可控制在 2nm 以内。材料兼容性与非接触优势采用光学干涉原理，测量过程无物理接触，避免了光刻胶的刮擦或化学损伤。 2）超大视野 + 超高精度：搭载 0.6 倍镜头，拥有 15mm 单幅超大视野，结合 0.1nm 级测量精度，既能满足纳米级微观结构的精细检测，又能无缝完成 8 寸晶圆 FULL MAPPING 扫描，
48510编辑于 2025-09-03- 来自专栏用户7621540的专栏
手把手教你，19步从石头里抠出一块CPU
第十一步，把光刻胶（photoresist）放到硅晶圆上。 由于切割出的晶圆表面依然不光滑，所以需要经过仔细研磨来减少切割时造成的凹凸不平的表面。 研磨的时候会用到一些特殊的化学液体来对晶圆表面进行清洗，最后抛光。到这一步为止晶圆的制备就算完成了。之后晶圆会被装进特殊的盒子里密封保存运输。 第十三步，光遮罩（photo-mask）产生的阴影位置将会影响硅晶圆表面光刻胶的化学变化，取决于使用的是positive 还是negative 的光刻胶（photoresist）。 光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。 在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。 如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。 第十四步，加入一些神奇的化学物质来改善（develop）一下光刻胶。 第十五步，用酸（acid）来腐蚀掉硅晶圆暴露出来的部分。
71810编辑于 2021-12-21 - 来自专栏新智元
手把手教你，19步从石头里抠出一块CPU
第十一步，把光刻胶（photoresist）放到硅晶圆上。 由于切割出的晶圆表面依然不光滑，所以需要经过仔细研磨来减少切割时造成的凹凸不平的表面。 研磨的时候会用到一些特殊的化学液体来对晶圆表面进行清洗，最后抛光。到这一步为止晶圆的制备就算完成了。之后晶圆会被装进特殊的盒子里密封保存运输。 第十三步，光遮罩（photo-mask）产生的阴影位置将会影响硅晶圆表面光刻胶的化学变化，取决于使用的是positive 还是negative 的光刻胶（photoresist）。 光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。 在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。 如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。 第十四步，加入一些神奇的化学物质来改善（develop）一下光刻胶。 第十五步，用酸（acid）来腐蚀掉硅晶圆暴露出来的部分。
68910发布于 2021-11-23 - 来自专栏视觉检测
基于机器视觉的晶圆检测方案
为确保生产的芯片质量合格，晶圆检测这一环节在半导体生产中变得尤为关键。在晶圆生产和质量控制过程中，晶圆检测可大大提高生产效率和产品质量。因此，晶圆检测是半导体企业中不可或缺的环节。 2、效率要求 每分钟可处理数百至数千件产品，检测速度是人工的5-10倍，满足客户不影响效率，实现全工序检测需求。 芯片生产质检常见案例1、晶圆缺陷检测 晶圆表面光滑、反光明显，部分≤0.01mm的微小缺陷肉眼无法识别，漏检、错检率高。缺陷涵盖裂纹、气泡、颗粒、划痕等类型难以精准分类。 2、芯片封装检测 芯片封装后容易出现破损、溢胶，印字（型号、生产日期）模糊、错印，条码无法识别等问题，厂家需要协同完成全流程检测。 方案采用同轴光+面光组合；搭载OCR识别算法，精准识别印字内容、条码信息，验证逻辑一致性；同步检测封胶破损、溢胶、缺胶等缺陷。3、芯片引脚检测 常见的引脚缺陷包括引脚尺寸偏差、弯曲、缺失和氧化。
1100编辑于 2026-06-26 - 来自专栏程序员成长充电站
一步步做个集成电路（IC）
计算机基础课第 38 期分享 转载请联系授权（微信ID：qianpangzi0206） 阅读本文大概需要 4 分钟 01 光刻法 下面用一个简单例子，来做一片集成电路（IC） 我们从一片硅开始，叫"晶圆 我们可以用晶圆做基础，把复杂金属电路放上面，集成所有东西，非常适合做集成电路。 下一步是在硅片顶部，加一层薄薄的氧化层, 作为保护层，然后加一层特殊化学品, 叫 "光刻胶"。 光刻胶被光照射后 会变得可溶，可以用一种特殊化学药剂洗掉。 单单光刻胶本身，并不是很有用但和"光掩膜"配合使用会很强大，光掩膜就像胶片一样，只不过不是吃墨西哥卷饼的可爱仓鼠，而是要转移到晶圆上的图案。 把光掩膜盖到晶圆上，用强光照射挡住光的地方，光刻胶不会变化。光照到的地方，光刻胶会发生化学变化 洗掉它之后，暴露出氧化层。 所以又是类似的步骤用光刻胶+光掩膜，然后溶掉暴露的光刻胶，暴露的金属 晶体管终于做好了！它有三根线，连接着硅的三个不同区域，每个区域的掺杂方式不同，这叫双极型晶体管。
64020发布于 2019-08-29 - 来自专栏安富莱嵌入式技术分享
【知识普及】芯片制造：从沙子到半导体IC
需要复杂的化学和物理过程才能从沙子中制造出纯单晶硅锭，称为晶锭，每 1000 万个硅原子中只有一个杂质原子。然后使用特殊的锯切技术从硅晶锭上切割出极薄的晶片。这些晶圆是后续芯片生产的基本构建块。 直径大的晶圆为芯片提供了更多的空间。硅是一种半导体。这意味着它可以导电，也可以作为绝缘体。为了使其导导，在晶圆中加入少量特定原子作为杂质。 晶体管建立在掺杂晶圆中的p和n导电层上。晶体管是微芯片中最小的控制单元。他们的工作是控制电压和电流，它们是迄今为止电子电路最重要的组件。但是这些层是如何在晶圆上创建的呢？ ? ? 然后，再次施加光刻胶，并通过掩模对晶片进行曝光。再次剥离曝光的光刻胶。 ? ? 下一步是掺杂过程，将杂质原子引入暴露的硅中。离子注入机用于将杂质原子注入硅中。 祛除光刻胶残留物后，再涂一层氧化层。晶片经历另一个循环，即施加光刻胶、通过掩模曝光和剥离。 蚀刻接触孔供导电层访问，使接触和互连能够集成在晶片中。再次施加光刻胶和掩模。
1.3K10发布于 2021-06-22 - 来自专栏行业研究报告
2022年半导体材料行业研究报告
中国半导体材料种类繁多，主要包括前道的硅片、电子气体、光刻胶等晶圆制造半导体材料和后道的封装基板、引线框架、键合金丝等封装半导体材料。 除此之外，江丰电子和晶瑞股份已分别在溅射靶材和光刻胶领域打破了国外厂商垄断格局，推动了中国半导体靶材和光刻胶材料国产化进程。 大陆IDM厂商主要有：华润微电子、士兰微、扬杰科技、苏州固锝、上海贝岭等。 总体而言，中国半导体材料在硅晶圆、靶材、封装基板市场竞争较为激烈，而抛光液和光刻胶市场的集中度则较高。 公司拥有1个国家级技术中心、5个省部级研发中心、2个省部级重点实验室、5家高新技术企业、1个国家技术创新示范企业。
1.4K30编辑于 2022-05-05
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