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Mini LED产业
2.2 Mini LED封装工艺对固晶机、检测和返修设备提出新要求 LED封装流程所需设备包括固晶机、焊线机/回流焊 机、灌胶机、检测与返修设备等。 固晶机用于芯片 贴装环节；焊线机用于正装芯片与基板之间的引线 键合；回流焊机用于倒装工艺下的芯片焊接；灌胶 机用于封胶环节；检测设备用于生产各环节的检测； 返修设备用于去除和替换存在缺陷的部分晶粒。 2.3 固晶环节：芯片转移技术是提升Mini LED产能的关键 固晶机是LED封装的重要设备。 常见的 Pick & Place模式固晶机工作原理为：①对晶片和 PCB/支架板进行图像识别、定位及图像处理。②通过 银胶拾取装置对支架板的给定位置进行点胶处理。 部分设备产品可实现的 功能包括自动获取不良坐标和不良类型、自动剔除不良元件 （超声波或激光）和清理焊盘、自动重置焊锡或银胶、二次 固晶和焊接等。
1.5K20编辑于 2022-06-08 砷化镓（GaAs）晶圆的光刻胶残留
一、残胶类型与成因分析 残胶类型 成因 典型缺陷 交联型残胶 等离子体刻蚀或离子注入后，光刻胶碳化交联，形成致密层 表面黑点、龟裂纹 金属污染胶 金属掩膜层（如Au/Ti）与光刻胶反应生成金属有机复合物 ，阻碍剥离液渗透 局部黄斑、粘附性残留 微结构卡胶 高深宽比（＞5:1）结构内光刻胶因表面张力残留，如VCSEL、HEMT器件中的微孔/沟槽 孔洞底部颗粒堆积 残胶的形式样貌有很多种，块状不规则形状、 DuPont EKC580：过氧化氢基配方（稀释比例1:5），适合含Au/Ti金属层的晶圆。 优势： 同步清除SU-8负胶及PMMA显影液残留； 抑制Al电极氧化（pH 6-7弱酸性环境）。 风险控制：需监测金属离子浓度（Na⁺＜1 ppb）。 3. 低温等离子体辅助剥离（超薄残胶） 步骤： O₂等离子体灰化（200W，10分钟）去除表层胶； H₂/N₂混合气体处理（1:4，150℃）还原碳化层； 丙酮+异丙醇（IPA）低温清洗（40℃）。
42810编辑于 2026-03-18- 来自专栏芯片工艺技术
8英寸晶圆产能吃紧
在全球晶圆代工收入破纪录的背后，却是8英寸晶圆产能吃紧。这一情况已经从2019年第二季度持续到现在，不但未见缓解迹象，反而越来越严峻，成为收入增长下半导体行业的隐忧。 从晶圆尺寸的发展历程就能看出，相比于12英寸，8英寸产线更为陈旧落后。在良率相同的情况下，一片12英寸的晶圆生产的IC数量约为200颗，是一片8英寸晶圆的两倍，前者有更高的成本效益。 不过，8英寸晶圆也有着自己的优势，首先是拥有特殊的晶圆工艺，其次大部分折旧的固定资产成本较低，最重要的是对于产能要求不高的厂商而言更加经济。 如果要从产品上将8英寸晶圆和12英寸晶圆区分开来，8英寸晶圆主要用于需要特征技术或差异化技术的产品，包括功率芯片、图像传感器芯片、指纹识别芯片、MCU、无线通信芯片等，涵盖消费电子、通信、计算、工业、汽车等领域 华虹集团拥有3座8英寸晶圆厂和3座12英寸晶圆厂，8英寸晶圆厂月产能约18万片，12英寸晶圆月产能约4万片，遍布上海、张江和无锡。
91110编辑于 2022-06-08 - 来自专栏AI电堂
为什么8吋晶圆这么缺？
03 8吋与12吋晶圆的区别 8吋晶圆与12吋的晶圆最直观区别在于物理面积带来的单片晶圆产出芯片量的差别，两者相差2.25倍。 采用12吋晶圆代工开发的芯片，其后期投资较8吋晶圆高出很多，资金压力往往是8吋产线向12吋演进的一大难关。 8吋晶圆, IDM与代工厂的产能分配为55% Vs 45%。目前，全球每月8吋晶圆产能约为540万片，新建8吋厂计划仅有TSMC，不能解决8吋晶圆的燃眉之急。 8吋或12吋晶圆，用来生产APS-C规格相机，只能产出约60颗（8吋）以及150颗（12吋）感光组件。显而易见，CIS应用极消耗晶圆产能。 FoD也需要8吋产能 FoD用到8吋晶圆的部分在于光学式屏下指纹, 采用了以CIS进行指纹影像的收集方式。
76310发布于 2021-11-12 - 来自专栏博捷芯划片机
博捷芯划片机在LED灯珠EMC支架中切割应用
EMC支架封装工艺流程：固晶-焊线-点胶-切割-分光-编带。 对切割EMC LED 封装技术有绝大优势。 双轴晶圆切割机为12英寸全自动动精密划片机，采用高精密进口主要配件，T轴采用DD马达，重复精度1μm，稳定性极强，兼容6"-12"材料，双CCD视觉系统，性能达到业界一流水平 设备工作流程： 1.下取物臂将待切割材料从晶片盒中取出
61260编辑于 2023-02-21 - 来自专栏芯片工艺技术
半导体芯片工艺材料有哪些，国内发展水平如何
半导体材料市场可以分为晶圆材料和封装材料。其中，晶圆材料主要有硅片、光掩膜、光刻胶、光刻胶辅助设备、溅射靶、抛光液、其他材料。 另外，国内半导体材料企业集中于6英寸以下生产线，目前有少数厂商开始打入国内8英寸、12英寸生产线。 1. 目前，国内硅片生产厂商技术较为薄弱，市场份额较小，多数企业以生产8英寸及以下硅片为主。 光刻胶：国产率不足10% 我国光刻胶生产基本上被外资把控，其中半导体光刻胶严重依赖进口。光刻胶由低端到高端整体可分为PCB 光刻胶、面板光刻胶和半导体光刻胶三个大类。 光刻胶主要A股上市公司：晶瑞股份、飞凯材料。
1.1K20编辑于 2022-06-08 - 来自专栏芯智讯
国产化率不足10%！一文看懂国产半导体材料产业现状
根据 Knometa Research 数据，2021 年全球的晶圆产能达到了 2143 万片/月（按 8 寸晶圆当量），其中中国国内月产能为 350 万片，仅占全球产能的 16%。 国内市场主要被日本信越、日本胜高及环球晶圆等占据，中国大陆厂商市占率不足 5%。 目前，我国硅片企业目前在6吋硅片已具备较强实力，8吋与12吋产线也在积极建设和验证中。 光刻胶组分决定了光刻胶的质量，也是光刻胶技术壁垒所在。 国内知名光刻胶企业包括南大光电、晶瑞电材、彤程新材、上海新阳等。由于我国光刻胶产业起步较晚，目前市场份额占比较低。 8 吋及 12 吋产能扩张带动高纯试剂需求进一步提升，12 吋晶圆制造过程中所使用的湿电子化学品约为 24 千克/片，8 吋晶圆消耗量约为 12 吋晶圆消耗量的五分之一，约为 5 千克/片左右，6 吋晶圆消耗量约为 由于环氧树脂也是芯片主要的塑封材料，因此以上塑封材料的主要的供应商大多也属于芯片粘结材料的供应商，值得一提的是中国烟台德邦科技股份（Darbond）是国内专业提供针对集成电路用的固晶胶、邦定胶、导电胶、
4.5K21编辑于 2022-12-09 用于叠层晶圆的光刻胶剥离液及白光干涉仪在光刻图形的测量
引言随着半导体技术向高密度、高性能方向发展，叠层晶圆技术成为关键。在叠层晶圆制造过程中，光刻胶剥离液的性能对工艺质量和器件可靠性影响重大。 同时，精确测量光刻图形是保障叠层晶圆制造精度的重要环节，白光干涉仪为此提供了有效的技术手段。用于叠层晶圆的光刻胶剥离液性能要求叠层晶圆结构复杂，对光刻胶剥离液提出了严苛要求。 成分构成常用的叠层晶圆光刻胶剥离液主要由溶剂、碱性物质、表面活性剂、缓蚀剂和络合剂等成分组成。 之后，对混合溶液进行过滤处理，去除可能存在的杂质颗粒，得到澄清透明的光刻胶剥离液。制备过程中需严格控制各成分比例，并根据光刻胶类型和晶圆材料特性进行优化调整。 ；剥离完成后，精确测量残留光刻胶的厚度、晶圆表面的粗糙度以及光刻图形的最终尺寸，为优化光刻胶剥离液配方和剥离工艺提供准确的数据支持，确保叠层晶圆制造质量符合设计要求。
32510编辑于 2025-06-128款量产、40款在研！鼎龙高端光刻胶进入头部晶圆厂！
公告显示，鼎龙股份年产300吨KrF/ArF高端晶圆光刻胶产线自2026年3月20日投产后，已向两家头部晶圆厂客户交付数百加仑浸没式ArF及KrF光刻胶，产品已在客户量产产线顺利应用。 8款高端光刻胶获批量订单，商业化进程显著加快 鼎龙股份表示，截至公告披露日，公司已有8款高端晶圆光刻胶取得多家国内主流晶圆厂客户的批量订单。 在测试验证方面，鼎龙股份已经累计布局40余款高端晶圆光刻胶，近30款产品已向客户送样开展验证测试，其中超10款进入加仑样测试阶段。 产品覆盖全场景，剑指百亿国产替代市场 ArF与KrF光刻胶是逻辑、存储芯片制造的核心刚需耗材，属于国内晶圆光刻胶市场中价值量占比最高的两大品类。 然而，当前国内高端晶圆光刻胶供给仍由日本企业（如JSR、东京应化、信越化学、富士胶片）主导，国产化率较低低。
29910编辑于 2026-06-23- 来自专栏韩曙亮的移动开发专栏
【了不起的芯片 - 读书笔记】CPU 的制作流程 ( 晶圆制作 | 光刻机光刻流程 | 蚀刻过程 | 涂层过程 | 重复上述步骤若干次 | 芯片封装 )
下面是 光刻过程的图解 : 在晶圆上涂抹光刻胶 , 光刻胶涂抹完毕 , 在 晶圆 上涂抹完 光刻胶 后 , 使用光刻机 , 进行光刻 , 中间的透镜是 掩膜 , 其中有电路图案 , 光刻机将该掩膜中的图案 投射到 晶圆上 , 光刻机 克完之后的 晶圆 中 , 有很多电路 , 该电路有很多层 , 检查光刻效果 , 紫外曝光： 使用紫外线光源，通过掩膜将光照射到光刻胶上。 光刻胶保留的部分不会被蚀刻 ; 光刻胶被溶解的部分 , 会被蚀刻 ; 三、蚀刻过程 ---- 刻蚀 有两种方式 , 化学腐蚀反应 / 用等离子体轰击晶圆表面 ; 光刻胶覆盖的位置保留 , 没有光刻胶的部位被刻蚀 蚀刻过程涉及以下主要步骤： 掩膜图案定义： 首先，在晶圆表面涂覆一层光刻胶，并使用光刻技术将掩膜图案转移到光刻胶上。掩膜图案是所需结构和图案的阴影图案，它决定了蚀刻后所保留的区域。 清洗和剥离： 在蚀刻完成后，对晶圆进行清洗，去除蚀刻剂和剩余的光刻胶。
3.3K20编辑于 2023-10-11 - 来自专栏芯智讯
传日系光刻胶大厂断供，国产光刻胶概念股集体大涨！
3月8日消息，今日业内传出消息称，某日本某光刻胶大厂已经执行美国“实体清单”的限制要求，对中国大陆某存储晶圆厂断供了KrF光刻胶。 有业内人士向芯智讯表示，消息属实。但并未透露更多细节。 2021年8月，彤程新材宣布使用自筹资金6.9853亿元，投资建设“ArF高端光刻胶研发平台建设项目”。 值得一提的是，在2021年11月8日，北京科华微电子材料有限公司宣布与光刻胶大厂杜邦电子与工业事业部开展一项合作计划，为中国集成电路芯片制造商提供高性能光刻材料。 晶瑞电材 晶瑞电材此前曾表示，子公司瑞红(苏州)电子化学品股份有限公司2018年完成了国家重大科技项目02专项“i线光刻胶产品开发及产业化”项目后，i线光刻胶产品向中芯国际、合肥长鑫、华虹半导体、晶合集成等国内知名半导体企业批量供货 高端KrF光刻胶分辨率达到0.25-0.13μm，通过部分重要客户测试，计划2022年底批量供应；ArF光刻胶研发工作正有序开展。眉山晶瑞年产1200吨光刻胶项目计划2022年底建成。
93710编辑于 2023-03-24 白光干涉仪在晶圆光刻图形 3D 轮廓测量中的应用解析
引言晶圆光刻图形是半导体制造中通过光刻工艺形成的微米至纳米级三维结构（如光刻胶线条、接触孔、栅极图形等），其线宽、高度、边缘粗糙度等参数直接决定后续蚀刻、沉积工艺的精度，进而影响器件性能。 晶圆光刻图形测量的核心需求晶圆光刻图形测量需满足三项核心指标：一是亚纳米级精度，线宽（10nm-5μm）和高度（50nm-2μm）的测量误差需控制在 ±2% 以内，以评估光刻对准精度和临界尺寸（CD）偏差 大面积扫描与自动化分析通过精密 XY 平台拼接扫描，可在 6 分钟内完成 300mm 晶圆上 5mm×5mm 区域的三维成像，覆盖数百个光刻图形单元。 数据采集与处理流程晶圆经真空吸附固定后，系统通过 alignment 标记自动定位至曝光场，扫描获取干涉数据。 2）超大视野 + 超高精度：搭载 0.6 倍镜头，拥有 15mm 单幅超大视野，结合 0.1nm 级测量精度，既能满足纳米级微观结构的精细检测，又能无缝完成 8 寸晶圆 FULL MAPPING 扫描，
49010编辑于 2025-09-03- 来自专栏硬件大熊
警惕超声波工艺对晶振造成损伤
图片来源： 致远超声设备 晶振是频率元器件， 1. 若超声波工作频率与晶振的晶片产生共振效应，极其易碎的晶片就很可能被震碎，造成晶振停振； 晶振在受到足够激励功率的电流时，晶片就会有规律震动，这是水晶的物理特性。 晶片越薄，晶振的振动频率就越高，越厚，振动频率越低。 图片来源：晶诺威科技 2. 晶片与基座上的弹片通过导电胶连接，在超声波高频震荡下，导电胶可能被震裂，导致晶片与基座之间出现断路，不再起振。 图片来源：晶诺威科技 警惕超声波工艺对晶振造成的损伤 1. 确保晶振与产品外壳之间有一定空间，尽量避开超声区域； 2. 降低超声仪运行功率； 3. 提前做样品验证测试，检查超声工艺适用性； 4. 对于导电胶裂开问题，可以考虑选型高强度导电胶处理的晶振，包括晶片固着点特殊处理（当然，这也会导致晶振的参数变动，如ESR等）
92140编辑于 2023-09-02 - 来自专栏行业研究报告
2022年半导体材料行业研究报告
中国半导体材料种类繁多，主要包括前道的硅片、电子气体、光刻胶等晶圆制造半导体材料和后道的封装基板、引线框架、键合金丝等封装半导体材料。 除此之外，江丰电子和晶瑞股份已分别在溅射靶材和光刻胶领域打破了国外厂商垄断格局，推动了中国半导体靶材和光刻胶材料国产化进程。 大陆IDM厂商主要有：华润微电子、士兰微、扬杰科技、苏州固锝、上海贝岭等。 、国盛电子有限公司为代表的硅晶圆厂商主要提供8寸以下规格的中低端硅片。 总体而言，中国半导体材料在硅晶圆、靶材、封装基板市场竞争较为激烈，而抛光液和光刻胶市场的集中度则较高。
1.4K30编辑于 2022-05-05 鼎龙股份：潜江二期300吨光刻胶量产线即将试运行
12月22日，国产光刻胶厂商鼎龙股份在互动平台上表示，公司潜江二期年产300吨KrF/ArF高端晶圆光刻胶量产线，已按计划即将进入试运行阶段，当前整体节奏良好。 潜江一期30吨KrF/ArF 高端晶圆光刻胶产线具备批量化生产及供货能力，可满足客户端现阶段订单需求。 同时，鼎龙股份还表示，公司深耕半导体材料领域多年，在 KrF、ArF 高端晶圆光刻胶领域已构建从核心原料到成品的全流程自主制备体系。 公司布局的近 30 款高端晶圆光刻胶（涵盖KrF与浸没式ArF），可适配多制程需求。 截至目前，公司已有两款高端晶圆光刻胶通过国内主流晶圆厂验证并获得订单，超15款产品送样验证、超10款产品进入加仑样测试。
28910编辑于 2026-03-208英寸晶圆代工集体涨价！涨幅最高20%！
1月14日消息，市场研究机构TrendForce近日发布最新报告指出，随着台积电、三星电子降低8英晶圆代工产能，将导致2026年全球8英寸晶圆代工总产能同步减少2.4%。 与此用时，人工智能（AI）驱动的电源管理相关成熟制程芯片的需求依然强劲，使得8英寸晶圆代工厂今年产能利用率有望提升到90%。此消彼长之下，8英寸晶圆代工厂今年或将调高报价5%至20%。 从具体厂商来看，晶圆代工龙头大厂台积电在2025年8月宣布，两年内逐步退出6英寸晶圆制造业务，并持续削减8英寸晶圆产能。 目前，华虹集团的8英寸晶圆代工产能约为19万片，8英寸晶圆代工产能利用率也已超100%。 力积电目前的8英寸晶圆厂月产能约12万片（包含新竹和竹南的Fab 8A、8B），当前产能利用率持续上升。 随着台积电、三星电子这两大晶圆代工厂削减8英寸晶圆产能，其他像格罗方德等厂商主要精力都放在12英寸晶圆厂扩产，TrendForce预计，2025年全球8英寸晶圆代工产能将同比下滑约0.3%，进入负成长走势
72720编辑于 2026-03-19[新启航]白光干涉仪在光学投影光刻 Projection Lithography 后的 3D 轮廓测量
，分析不同区域的参数偏差（如中心与边缘的 CD 差 < 2nm）；三是高效无损检测，单晶圆测量时间 < 10 分钟，且避免因测量导致光刻胶感光（投影光刻胶对紫外光敏感）。 材料与工艺兼容性针对投影光刻常用的化学放大光刻胶（如 ArF、EUV 光刻胶），白光干涉仪可采用 400-500nm 波段的可见光光源，避免紫外光导致的二次曝光。 晶圆级均匀性分析通过精密气浮平台的拼接扫描技术，白光干涉仪可在 8 分钟内完成 12 英寸晶圆上 10mm×10mm 区域的测量，覆盖数千个光刻图形单元。 数据采集与处理流程晶圆经真空吸附固定在防震载物台后，系统通过 Mark 点定位至目标曝光场，扫描获取三维干涉数据。 2）超大视野 + 超高精度：搭载 0.6 倍镜头，拥有 15mm 单幅超大视野，结合 0.1nm 级测量精度，既能满足纳米级微观结构的精细检测，又能无缝完成 8 寸晶圆 FULL MAPPING 扫描，
37510编辑于 2025-09-16- 来自专栏用户7621540的专栏
手把手教你，19步从石头里抠出一块CPU
第十一步，把光刻胶（photoresist）放到硅晶圆上。 由于切割出的晶圆表面依然不光滑，所以需要经过仔细研磨来减少切割时造成的凹凸不平的表面。 研磨的时候会用到一些特殊的化学液体来对晶圆表面进行清洗，最后抛光。到这一步为止晶圆的制备就算完成了。之后晶圆会被装进特殊的盒子里密封保存运输。 第十三步，光遮罩（photo-mask）产生的阴影位置将会影响硅晶圆表面光刻胶的化学变化，取决于使用的是positive 还是negative 的光刻胶（photoresist）。 光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。 在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。 如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。 第十四步，加入一些神奇的化学物质来改善（develop）一下光刻胶。 第十五步，用酸（acid）来腐蚀掉硅晶圆暴露出来的部分。
71910编辑于 2021-12-21 - 来自专栏钱塘大数据
芯片里面100多亿个晶体管是如何安装上去的？
晶圆代工厂就是根据芯片设计师设计好的物理版图进行制造。 通常的晶圆加工流程中，刻蚀工艺位于光刻工艺之后，有图形的光刻胶层在刻蚀中不会受到腐蚀源的显著侵蚀，从而完成图形转移的工艺步骤。刻蚀环节是复制掩膜图案的关键步骤。 在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。 溶解光刻胶：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致。 “刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。 然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。 清除光刻胶：蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部清除后就可以看到设计好的电路图案。
3.5K10编辑于 2022-03-15 [白光干涉仪]白光干涉仪在步进重复光刻后的 3D 轮廓测量
材料与工艺兼容性针对步进光刻常用的化学放大光刻胶（如 KrF、ArF 胶），白光干涉仪采用 400-500nm 可见光光源，避免紫外光引发的二次曝光。 非接触测量模式不会破坏光刻胶与基底的结合力，适合 SU-8 等厚胶（>10μm）结构的测量。 通过优化光源强度（10-30mW）和积分时间（8-20ms），可在低反射率硅基底上获取信噪比 > 30dB 的干涉信号，确保纳米级参数的稳定提取。 数据采集与处理流程晶圆经真空吸附固定后，系统通过 Mark 点定位曝光场阵列，依次扫描获取三维干涉数据。 2）超大视野 + 超高精度：搭载 0.6 倍镜头，拥有 15mm 单幅超大视野，结合 0.1nm 级测量精度，既能满足纳米级微观结构的精细检测，又能无缝完成 8 寸晶圆 FULL MAPPING 扫描，
39010编辑于 2025-09-17
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