- 综合排序
- 最热优先
- 最新优先
- 来自专栏芯片工艺技术
Mini LED产业
2.2 Mini LED封装工艺对固晶机、检测和返修设备提出新要求 LED封装流程所需设备包括固晶机、焊线机/回流焊 机、灌胶机、检测与返修设备等。 固晶机用于芯片 贴装环节；焊线机用于正装芯片与基板之间的引线 键合；回流焊机用于倒装工艺下的芯片焊接；灌胶 机用于封胶环节；检测设备用于生产各环节的检测； 返修设备用于去除和替换存在缺陷的部分晶粒。 2.3 固晶环节：芯片转移技术是提升Mini LED产能的关键 固晶机是LED封装的重要设备。 常见的 Pick & Place模式固晶机工作原理为：①对晶片和 PCB/支架板进行图像识别、定位及图像处理。②通过 银胶拾取装置对支架板的给定位置进行点胶处理。 部分设备产品可实现的 功能包括自动获取不良坐标和不良类型、自动剔除不良元件 （超声波或激光）和清理焊盘、自动重置焊锡或银胶、二次 固晶和焊接等。
1.5K20编辑于 2022-06-08 砷化镓（GaAs）晶圆的光刻胶残留
光刻胶的残留在不同外延基板上处理工艺也不同，玻璃基板或者蓝宝石就会抗造一点，砷化镓、磷化铟等就要避免酸碱。 一、残胶类型与成因分析 残胶类型 成因 典型缺陷 交联型残胶 等离子体刻蚀或离子注入后，光刻胶碳化交联，形成致密层 表面黑点、龟裂纹 金属污染胶 金属掩膜层（如Au/Ti）与光刻胶反应生成金属有机复合物 ，阻碍剥离液渗透 局部黄斑、粘附性残留 微结构卡胶 高深宽比（＞5:1）结构内光刻胶因表面张力残留，如VCSEL、HEMT器件中的微孔/沟槽 孔洞底部颗粒堆积 残胶的形式样貌有很多种，块状不规则形状、 DuPont EKC580：过氧化氢基配方（稀释比例1:5），适合含Au/Ti金属层的晶圆。 低温等离子体辅助剥离（超薄残胶） 步骤： O₂等离子体灰化（200W，10分钟）去除表层胶； H₂/N₂混合气体处理（1:4，150℃）还原碳化层； 丙酮+异丙醇（IPA）低温清洗（40℃）。
42310编辑于 2026-03-18- 来自专栏SAP ERP管理实践
SAP 资产模块-9.在建工程转固
在建工程转固是指将在建的工程项目转为固定资产的过程，通常是指在建工程完工后，将其计入公司的固定资产账户中。 取消测试运行，点击执行，保存生成会计凭证，完成在建工程转固。
2.4K12编辑于 2024-07-31 - 来自专栏博捷芯划片机
博捷芯划片机在LED灯珠EMC支架中切割应用
EMC支架封装工艺流程：固晶-焊线-点胶-切割-分光-编带。 对切割EMC LED 封装技术有绝大优势。 双轴晶圆切割机为12英寸全自动动精密划片机，采用高精密进口主要配件，T轴采用DD马达，重复精度1μm，稳定性极强，兼容6"-12"材料，双CCD视觉系统，性能达到业界一流水平 设备工作流程： 1.下取物臂将待切割材料从晶片盒中取出
61060编辑于 2023-02-21 - 来自专栏芯智讯
传日系光刻胶大厂断供，国产光刻胶概念股集体大涨！
国产光刻胶厂商布局与最新进展： 目前国产g/i 线光刻胶供应商主要有晶瑞电材（苏州瑞红）、彤程新材（北京科华），总体在全球市场份额约10%； 在KrF光刻胶方面，国内的彤程新材（北京科华）、上海新阳、 彤程新材 资料显示，彤程新材旗下北京科华微电子材料有限公司半导体光刻胶等业务2021年1-9月份实现业务订单销售9,375.85万元，同比增长51.6%，半导体用G/I线光刻胶产品销售额较上年同期增长61.78% 公司2022年1-9月干膜光刻胶的收入是923.37万元，公司已具备干膜光刻胶（ArF干式光刻胶）的配方及生产技术，但尚未建设好与之配套的生产厂房及生产线，因此目前公司干膜光刻胶主要生产环节采用外协加工的模式 晶瑞电材 晶瑞电材此前曾表示，子公司瑞红(苏州)电子化学品股份有限公司2018年完成了国家重大科技项目02专项“i线光刻胶产品开发及产业化”项目后，i线光刻胶产品向中芯国际、合肥长鑫、华虹半导体、晶合集成等国内知名半导体企业批量供货 高端KrF光刻胶分辨率达到0.25-0.13μm，通过部分重要客户测试，计划2022年底批量供应；ArF光刻胶研发工作正有序开展。眉山晶瑞年产1200吨光刻胶项目计划2022年底建成。
93610编辑于 2023-03-24 用于叠层晶圆的光刻胶剥离液及白光干涉仪在光刻图形的测量
引言随着半导体技术向高密度、高性能方向发展，叠层晶圆技术成为关键。在叠层晶圆制造过程中，光刻胶剥离液的性能对工艺质量和器件可靠性影响重大。 同时，精确测量光刻图形是保障叠层晶圆制造精度的重要环节，白光干涉仪为此提供了有效的技术手段。用于叠层晶圆的光刻胶剥离液性能要求叠层晶圆结构复杂，对光刻胶剥离液提出了严苛要求。 成分构成常用的叠层晶圆光刻胶剥离液主要由溶剂、碱性物质、表面活性剂、缓蚀剂和络合剂等成分组成。 之后，对混合溶液进行过滤处理，去除可能存在的杂质颗粒，得到澄清透明的光刻胶剥离液。制备过程中需严格控制各成分比例，并根据光刻胶类型和晶圆材料特性进行优化调整。 ；剥离完成后，精确测量残留光刻胶的厚度、晶圆表面的粗糙度以及光刻图形的最终尺寸，为优化光刻胶剥离液配方和剥离工艺提供准确的数据支持，确保叠层晶圆制造质量符合设计要求。
32410编辑于 2025-06-12- 来自专栏芯智讯
国产化率不足10%！一文看懂国产半导体材料产业现状
本土产业链公司包括沪硅产业、TCL中环、立昂微、神工股份、中晶科技、奕斯伟硅片技术、麦斯克、中欣晶圆、有研硅等。其中，截至今年9月，上海新昇的12吋硅片出货量已超340万片。 光刻胶组分决定了光刻胶的质量，也是光刻胶技术壁垒所在。 国内知名光刻胶企业包括南大光电、晶瑞电材、彤程新材、上海新阳等。由于我国光刻胶产业起步较晚，目前市场份额占比较低。 前瞻产业研究院数据显示 2019 年中国国内在国内湿电子化学品市场供应分布仅占 9%，欧美企业和日本企业占比超过 60%。 我国湿电子化学品多集中于低端市场，高端市场亟需突破。 根据 SEMI 数据，全球 CMP 材料成本占比中，抛光液用量最大，其中抛光液占比 49%，抛光垫占比 33%，合计占比 82%，钻石碟占比9%，清洗液占比 5%。 由于环氧树脂也是芯片主要的塑封材料，因此以上塑封材料的主要的供应商大多也属于芯片粘结材料的供应商，值得一提的是中国烟台德邦科技股份（Darbond）是国内专业提供针对集成电路用的固晶胶、邦定胶、导电胶、
4.5K21编辑于 2022-12-09 - 来自专栏韩曙亮的移动开发专栏
【了不起的芯片 - 读书笔记】CPU 的制作流程 ( 晶圆制作 | 光刻机光刻流程 | 蚀刻过程 | 涂层过程 | 重复上述步骤若干次 | 芯片封装 )
下面是 光刻过程的图解 : 在晶圆上涂抹光刻胶 , 光刻胶涂抹完毕 , 在 晶圆 上涂抹完 光刻胶 后 , 使用光刻机 , 进行光刻 , 中间的透镜是 掩膜 , 其中有电路图案 , 光刻机将该掩膜中的图案 投射到 晶圆上 , 光刻机 克完之后的 晶圆 中 , 有很多电路 , 该电路有很多层 , 检查光刻效果 , 紫外曝光： 使用紫外线光源，通过掩膜将光照射到光刻胶上。 光刻胶保留的部分不会被蚀刻 ; 光刻胶被溶解的部分 , 会被蚀刻 ; 三、蚀刻过程 ---- 刻蚀 有两种方式 , 化学腐蚀反应 / 用等离子体轰击晶圆表面 ; 光刻胶覆盖的位置保留 , 没有光刻胶的部位被刻蚀 蚀刻过程涉及以下主要步骤： 掩膜图案定义： 首先，在晶圆表面涂覆一层光刻胶，并使用光刻技术将掩膜图案转移到光刻胶上。掩膜图案是所需结构和图案的阴影图案，它决定了蚀刻后所保留的区域。 清洗和剥离： 在蚀刻完成后，对晶圆进行清洗，去除蚀刻剂和剩余的光刻胶。
3.3K20编辑于 2023-10-11 - 来自专栏生命科学
分子胶的筛选案例详解_MedChemExpress(MCE 中国)
分子胶的作用机制是什么？已知的分子胶是如何被发现以及改造优化的？为什么 CRBN 类分子胶的研究热度最高？AI 能否助力分子胶的发现？ 在 CIP-DEL 筛选试验中，首先将 His-tag 的 BRD9 (靶蛋白) 固载在磁珠上，并使用 2 种不同的实验方法来鉴定潜在的分子胶。 如图 10 所示，将文库和固载的 BRD9 蛋白孵育 (允许形成二元复合物)，文库首先和 VCB (VHL–elongin C–elongin B) 预孵育，再和固载的 BRD9 蛋白孵育 (允许形成三元复合物 呈递蛋白比率越高，表明 CIP-DEL 化合物与 BRD9 的结合越依赖于 VCB 的存在，这意味着该化合物具有更高的协同性。 研究假设可以利用呈递蛋白比率来筛选在与 BRD9 和 VCB 形成三元复合物时具有不同协同程度的小分子。
50010编辑于 2025-06-04 鼎龙高端光刻胶进入头部晶圆厂！
公告显示，鼎龙股份年产300吨KrF/ArF高端晶圆光刻胶产线自2026年3月20日投产后，已向两家头部晶圆厂客户交付数百加仑浸没式ArF及KrF光刻胶，产品已在客户量产产线顺利应用。 8款高端光刻胶获批量订单，商业化进程显著加快 鼎龙股份表示，截至公告披露日，公司已有8款高端晶圆光刻胶取得多家国内主流晶圆厂客户的批量订单。 在测试验证方面，鼎龙股份已经累计布局40余款高端晶圆光刻胶，近30款产品已向客户送样开展验证测试，其中超10款进入加仑样测试阶段。 产品覆盖全场景，剑指百亿国产替代市场 ArF与KrF光刻胶是逻辑、存储芯片制造的核心刚需耗材，属于国内晶圆光刻胶市场中价值量占比最高的两大品类。 然而，当前国内高端晶圆光刻胶供给仍由日本企业（如JSR、东京应化、信越化学、富士胶片）主导，国产化率较低低。
27610编辑于 2026-06-23- 来自专栏芯片工艺技术
半导体芯片工艺材料有哪些，国内发展水平如何
半导体材料市场可以分为晶圆材料和封装材料。其中，晶圆材料主要有硅片、光掩膜、光刻胶、光刻胶辅助设备、溅射靶、抛光液、其他材料。 封装材料主要有层压基板、引线框架、焊线、模压化合物、底部填充料、液体密封剂、粘晶材料、锡球、晶圆级封装介质、热接口材料。其中，大硅片占比最高。 大硅片：最主要的半导体材料 大硅片也称硅晶圆，是最主要的半导体材料，硅晶圆片的市场销售额占整个半导体材料市场总销售额的32%~40%。硅片尺寸越大，对材料和技术的要求也就越高。 光刻胶：国产率不足10% 我国光刻胶生产基本上被外资把控，其中半导体光刻胶严重依赖进口。光刻胶由低端到高端整体可分为PCB 光刻胶、面板光刻胶和半导体光刻胶三个大类。 光刻胶主要A股上市公司：晶瑞股份、飞凯材料。
1.1K20编辑于 2022-06-08 - 来自专栏行业研究报告
2022年半导体材料行业研究报告
中国半导体材料种类繁多，主要包括前道的硅片、电子气体、光刻胶等晶圆制造半导体材料和后道的封装基板、引线框架、键合金丝等封装半导体材料。 除此之外，江丰电子和晶瑞股份已分别在溅射靶材和光刻胶领域打破了国外厂商垄断格局，推动了中国半导体靶材和光刻胶材料国产化进程。 大陆IDM厂商主要有：华润微电子、士兰微、扬杰科技、苏州固锝、上海贝岭等。 总体而言，中国半导体材料在硅晶圆、靶材、封装基板市场竞争较为激烈，而抛光液和光刻胶市场的集中度则较高。 ，2016年9月惠瞻材料从有限责任公司变更为股份有限公司，2016年10月1日美国气体产品完成拆分，目前惠瞻材料已经是美国纽交所纳斯达克上市交易公司。
1.4K30编辑于 2022-05-05 - 来自专栏云上计算
深圳中科精工深耕激光雷达AA设备细分领域 创新研发构建核心技术壁垒
深圳中科精工科技有限公司（以下简称：中科精工）成立于2017年9月，专注于智能制造，以技术创新为核心，致力于为客户提供先进封装、光电测试及光学检测的整体解决方案，如高精度固晶机、光学主动对准(Active 多年来中科精工在光学精密设备领域积累了丰富的研发经验，自主研发光学主动对准、精确对焦、光心校准、光轴倾斜补偿、点胶封装等技术，解决传统光学模组由人工组装效率低、误差大、成像质量差、进口设备成本高、应用场景兼容性差
89140编辑于 2022-12-30 - 来自专栏硬件大熊
警惕超声波工艺对晶振造成损伤
图片来源： 致远超声设备 晶振是频率元器件， 1. 若超声波工作频率与晶振的晶片产生共振效应，极其易碎的晶片就很可能被震碎，造成晶振停振； 晶振在受到足够激励功率的电流时，晶片就会有规律震动，这是水晶的物理特性。 晶片越薄，晶振的振动频率就越高，越厚，振动频率越低。 图片来源：晶诺威科技 2. 晶片与基座上的弹片通过导电胶连接，在超声波高频震荡下，导电胶可能被震裂，导致晶片与基座之间出现断路，不再起振。 图片来源：晶诺威科技 警惕超声波工艺对晶振造成的损伤 1. 确保晶振与产品外壳之间有一定空间，尽量避开超声区域； 2. 降低超声仪运行功率； 3. 提前做样品验证测试，检查超声工艺适用性； 4. 对于导电胶裂开问题，可以考虑选型高强度导电胶处理的晶振，包括晶片固着点特殊处理（当然，这也会导致晶振的参数变动，如ESR等）
91940编辑于 2023-09-02 鼎龙股份：潜江二期300吨光刻胶量产线即将试运行
12月22日，国产光刻胶厂商鼎龙股份在互动平台上表示，公司潜江二期年产300吨KrF/ArF高端晶圆光刻胶量产线，已按计划即将进入试运行阶段，当前整体节奏良好。 潜江一期30吨KrF/ArF 高端晶圆光刻胶产线具备批量化生产及供货能力，可满足客户端现阶段订单需求。 同时，鼎龙股份还表示，公司深耕半导体材料领域多年，在 KrF、ArF 高端晶圆光刻胶领域已构建从核心原料到成品的全流程自主制备体系。 公司布局的近 30 款高端晶圆光刻胶（涵盖KrF与浸没式ArF），可适配多制程需求。 截至目前，公司已有两款高端晶圆光刻胶通过国内主流晶圆厂验证并获得订单，超15款产品送样验证、超10款产品进入加仑样测试。
28610编辑于 2026-03-20- 来自专栏用户7621540的专栏
手把手教你，19步从石头里抠出一块CPU
第十一步，把光刻胶（photoresist）放到硅晶圆上。 由于切割出的晶圆表面依然不光滑，所以需要经过仔细研磨来减少切割时造成的凹凸不平的表面。 研磨的时候会用到一些特殊的化学液体来对晶圆表面进行清洗，最后抛光。到这一步为止晶圆的制备就算完成了。之后晶圆会被装进特殊的盒子里密封保存运输。 第十三步，光遮罩（photo-mask）产生的阴影位置将会影响硅晶圆表面光刻胶的化学变化，取决于使用的是positive 还是negative 的光刻胶（photoresist）。 光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。 在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。 如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。 第十四步，加入一些神奇的化学物质来改善（develop）一下光刻胶。 第十五步，用酸（acid）来腐蚀掉硅晶圆暴露出来的部分。
71810编辑于 2021-12-21 - 来自专栏钱塘大数据
芯片里面100多亿个晶体管是如何安装上去的？
晶圆代工厂就是根据芯片设计师设计好的物理版图进行制造。 通常的晶圆加工流程中，刻蚀工艺位于光刻工艺之后，有图形的光刻胶层在刻蚀中不会受到腐蚀源的显著侵蚀，从而完成图形转移的工艺步骤。刻蚀环节是复制掩膜图案的关键步骤。 在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。 溶解光刻胶：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致。 “刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。 然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。 清除光刻胶：蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部清除后就可以看到设计好的电路图案。
3.5K10编辑于 2022-03-15 - 来自专栏新智元
手把手教你，19步从石头里抠出一块CPU
第十一步，把光刻胶（photoresist）放到硅晶圆上。 由于切割出的晶圆表面依然不光滑，所以需要经过仔细研磨来减少切割时造成的凹凸不平的表面。 研磨的时候会用到一些特殊的化学液体来对晶圆表面进行清洗，最后抛光。到这一步为止晶圆的制备就算完成了。之后晶圆会被装进特殊的盒子里密封保存运输。 第十三步，光遮罩（photo-mask）产生的阴影位置将会影响硅晶圆表面光刻胶的化学变化，取决于使用的是positive 还是negative 的光刻胶（photoresist）。 光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。 在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。 如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。 第十四步，加入一些神奇的化学物质来改善（develop）一下光刻胶。 第十五步，用酸（acid）来腐蚀掉硅晶圆暴露出来的部分。
69110发布于 2021-11-23 - 来自专栏机器人网
机器人技术：用裙边胶机器人涂装SUV遇到的问题和解决方案
喷涂区域不包含裙边R角，因量产前产品可靠性试验反馈，裙边位置存在车门内板密封胶条与裙边R角的磨损，导致裙边R角处磨漆，存在生锈的风险，固需增加裙边R角处的涂胶工艺，从而避免密封胶条与漆面的磨损导致的裙边锈蚀 1.3问题分析 1.3.1对裙边涂胶喷涂工艺分析 对裙边胶喷涂材料进行分析，现场使用的裙边胶为德国某进口公司提供，胶体粘度为40～75Pa·S，固含量≥90%，密度为1.2-1.4g/cm3，细度≤50μm 1.3.2对裙边涂胶供胶系统分析 对裙边胶管路运行情况进行分析，裙边胶供胶系统为集中供胶系统，采用一级供胶泵为机器人供胶即可满足现场使用压力。 防止因胶温度过高而导致胶材料本身的物理特性胶粘度变化，造成机器人喷涂雾胶。 3 效果验证及注意事项 为提升刮胶效果，将剪胶桶的刮胶板进行改进。 如图9、图10 喷涂膜厚均匀且为200mm，满足车身防护要求及产品防护要求. 4 结语 如果汽车工厂涂装车间为解决车底裙边防护及车底、裙边雾胶等质量问题时，通过以上问题解决的分析解决办法，现B汽车公司涂装车间通过问题提前输入及设备剪胶桶
1.6K41发布于 2018-04-20 - 来自专栏芯智讯
鼎龙股份多项光刻胶相关重大项目获立项，将获得约1.6亿元资金支持
11月9日晚间，国产半导体材料厂商鼎龙股份发布公告称，公司及下属子公司于今年相继收到多项光刻胶相关国家及省级重要项目立项通知，公司布局的三大领域光刻胶相关产品：集成电路晶圆光刻胶及核心原料、半导体先进封装用光刻胶 、半导体柔性显示用光刻胶相关项目将获得项目经费支持合计不超过1.64亿元。 公告称，上述光刻胶产品相关项目的立项，是公司作为创新类材料平台型公司综合实 力的重要体现，有利于公司实现半导体材料产品多元化发展，扩大公司在半导体行业的影响力及市场占有率。
27810编辑于 2023-11-10
腾讯云开发者
Copyright © 2013 - 2026 Tencent Cloud. All Rights Reserved. 腾讯云 版权所有
深圳市腾讯计算机系统有限公司 ICP备案/许可证号：粤B2-20090059 
粤公网安备44030502008569号
腾讯云计算（北京）有限责任公司 京ICP证150476号 | 京ICP备11018762号