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ASML公布扩产计划：EUV光刻机90台年，DUV光刻机600台年
11月11日消息，光刻机大厂ASML在其位于荷兰费尔德霍芬的总部召开了投资者日会议，同时也通过在线形式向投资者介绍了其对于未来公司前景的看法。 我们计划将年产能提高到90个EUV和600个深紫外系统（2025-2026年），同时将高NA EUV产能提高到20个系统（2027-2028年）。
34330编辑于 2022-11-22 SK海力士安装首款商用High NA EUV光刻机
9月3日，SK海力士公司宣布，该公司已经在韩国利川的M16制造工厂安装了首个商用High NA EUV（高数值孔径极紫外光刻）系统并投入量产。 High NA EUV系统用于微缩存储单元的先进工艺技术对于提高生产力和产品性能至关重要，可以增加晶圆上生产的芯片数量，并提高功率效率和性能。 自2021年首次在10nm制程（第四代）中引入EUV技术以来，SK海力士一直在扩大EUV在最先进DRAM生产中的应用范围。 此次组装的新一代技术系统性能超越现有EUV设备，是SK海力士为满足行业对极致微缩和高密度的需求而做出的努力之一。 TWINSCAN EXE:5200B 是 ASML High NA EUV 产品线的首款量产机型，与现有 EUV 系统相比，该机型可打印尺寸缩小 1.7 倍的晶体管，并实现晶体管密度提高 2.9 倍，NA
14810编辑于 2026-03-19俄罗斯光刻机路线图曝光：2036年底前完成EUV光刻机研发！
年前完成28nm分辨率的光刻机的研发，并最终在2036年底前完成可以生产10nm以下先进制程的全新极紫外线光（EUV）光刻机的研发。 其实，早在2024年12月，俄罗斯科学院微观结构物理研究所就已经公布由其主导研发的EUV光刻机计划，该EUV光刻机将采用波长为11.2nm的镭射光源，而非ASML 使用的标准13.5nm波长，目标是打造比 ASML 系统更经济的EUV光刻机。 比如，ASML EUV光刻机的反射镜采用的是硅与钼的镀膜反射镜，而11.2nm波长的EUV光刻机则需要由钌和铍（Ru/Be） 制成的反射镜。 更为关键的是，俄罗斯研发的EUV光刻机还面临着生产效率低下的问题。虽然曝光的图片显示，其第三阶段推出的EUV光刻机的生产效率可达每小时超过100片晶圆，但是这只有ASML EUV光刻机的一半。
15910编辑于 2026-03-20台积电A14制程仍不会采用High NA EUV光刻机
目前的标准型EUV光刻机，仍可以支持台积电尖端制程的生产到2026年以后，台积电尖端制程A16也将会继续采用标准型EUV光刻机来进行生产。 EUV光刻机。 张晓强表示，“人们似乎对于台积电何时使用 High NA EUV光刻机很感兴趣，我认为我们的答案非常简单。每当我们看到 High NA EUV将提供有意义、可衡量的好处时，我们就会这样做。 因此，台积电至少在 2030 年之前，甚至可能更晚，都没有计划使用 High NA EUV 光刻机进行大规模生产。 相比之下，英特尔将在 2027 年至 2028 年开始使用High NA EUV光刻机来制造其Intel 14A制程，主要是可以提升精度、减少EUV曝光次数和工艺步骤的数量。
8210编辑于 2026-03-19- 来自专栏芯智讯
ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150%，可打印8nm线宽
5月30日消息，光刻机大厂ASML在imec（比利时微电子研究中心）的ITF World 2024会议上宣布，其首款High-NA EUV光刻机已创下新的晶圆制造速度记录，超过了两个月前创下的记录。 就发展路线来说，ASML的标准EUV光刻机可以打印13.5nm的线宽，而新的High-NA EUV光刻机则是可以通过打印8nm线宽来创建更小的晶体管。ASML现在已经证明其设备可以满足其基本规格。 因此，ASML对High NA EUV光刻机的发展充满信心，预计未来将能够在突破其极限。 而除了ASML自己在进行High NA EUV光刻机的测试之外，目前唯一安装完成High NA EUV光刻机的英特尔，也在美国俄勒冈州的D1X工厂投入测试工作。 Martin van den Brink指出，ASML已经可以开发更新一代的Hyper-NA EUV光刻机了，以进一步扩展其High-NA EUV光刻机的潜在路线图。 编辑：芯智讯-浪客剑
34610编辑于 2024-06-07 - 来自专栏芯智讯
ASML：将按计划在年底推出首款High NA EUV光刻机
目前，EUV光刻机可以支持芯片制造商将芯片制程推进到3nm制程左右，但是如果要继续推进到2nm制程甚至更小的尺寸，就需要更高数值孔径（NA）的High-NA光刻机。 相比目前的0.33数值孔径的EUV光刻机，High-NA EUV光刻机将数值孔径提升到0.55，可以进一步提升分辨率（根据瑞利公式，NA越大，分辨率越高），从0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到 而ASML新一代的高数值孔径 High-NA EUV光刻机也就成为了争夺的关键。 英特尔此前曾对外表示，其将率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。 根据英特尔的规划，其将在2024年率先量产Intel 20A和Intel 18A工艺，届时或将有部分利用High-NA EUV光刻机。 显然这个价格非常的高昂，达到了目前在售的EUV光刻机的2倍。但是对于正在先进制程领域激烈竞争的头部晶圆厂来说，他们将别无选择。 编辑：芯智讯-浪客剑
40910编辑于 2023-09-08 - 来自专栏芯智讯
ASML最新路线图曝光：2030年推出Hyper NA EUV！
High NA EUV（0.55NA）光刻机。 虽然，High NA EUV光刻机刚开始出货，但是ASML已经在加紧研发新一代的Hyper-NA EUV光刻机，为其寻找合适的解决方案。 相较之下，High NA EUV光刻机的数值孔径为0.55，标准EUV光刻机则是0.33。 High NA EUV光刻机（EXE：5200B），2028年前后会推出第三代的High NA EUV光刻机（EXE：5400），2030年前后将会推出更高速的第四代High NA EUV光刻机（EXE 从其他技术路线来看，虽然佳能推出了纳米压印技术，希望能够在某种程度上替代EUV光刻机，但是其生产率通常远低于High NA EUV光刻机。
46910编辑于 2024-06-18 - 来自专栏新智元
光刻机能进口了！全球最大制造商ASML回应，卖给中国DUV光刻机无需美国许可
高兴为时过早，DUV不是EUV，顶尖光刻机仍是问题 然而，两位高管都强调了DUV光刻机的出口，却没有提及更先进的EUV(极端紫外线)光刻机。 有网友对此消息表示：「DUV光刻机是二等品，自然不用受限。」 前不久，中芯国际曾向ASML购买了一台EUV光刻机，但却因为美国资本的阻挠，至今未收到货。 DUV光刻机与EUV光刻机什么区别？ EUV光刻机则是实现7nm的关键设备，如果中国大陆无法引入ASML的EUV光刻机，则意味着大陆将止步于7nm工艺。 目前中芯国际订购了一台EUV。 而更为重要的是，ASML是全球唯一一家能够量产EUV光刻机的厂商。 贵，而且稀有。 EUV光刻机的价格约为1.48亿欧元，折合人民币大概11.65亿元左右。 荷兰的公司，美国资本核心 荷兰ASML公司，其占据了全球大部分的EUV光刻机市场，基本上实现了EUV光刻机的垄断。 但既然是荷兰企业，怎么还受到美国的控制呢？
1.4K10发布于 2020-10-29 - 来自专栏新智元
全球最大光刻机厂CEO：拜登恐难缓解中美半导体紧张局势
中芯国际或与ASML进行新谈判，EUV仍是关键问题 就在今年10月份，ASML传出消息可以向中国进口光刻机。 然而，这家荷兰公司强调了DUV光刻机，而非更先进的EUV(极端紫外线)光刻机。 有网友对此消息表示：「DUV光刻机是二等品，自然不用受限。」 DUV光刻机与EUV光刻机什么区别？ 中低端与高端的区别。 EUV光刻机则是实现7nm的关键设备，如果中国大陆无法引入ASML的EUV光刻机，则意味着大陆将止步于7nm工艺。 目前中芯国际订购了一台EUV。 而更为重要的是，ASML是全球唯一一家能够量产EUV光刻机的厂商。 贵，而且稀有。 EUV光刻机的价格约为1.48亿欧元，折合人民币大概11.65亿元左右（价格仅参考）。 荷兰ASML公司，其占据了全球大部分的EUV光刻机市场，基本上实现了EUV光刻机的垄断。 能控制荷兰ASML出口，这背后的大股东究竟是谁？ 早在1980年代前，ASML飞利浦旗下的一家小公司。
77330发布于 2021-01-25 - 来自专栏芯智讯
可绕过EUV量产5nm！佳能CEO：纳米压印设备无法卖到中国！
11月6日消息，据彭博社报道，佳能公司正计划将其新的基于“纳米压印”技术的芯片制造设备的价格定为ASML的EUV光刻机的1/10。 尖端制程严重依赖EUV光刻机 总部位于荷兰的ASML是目前全球最大的光刻机厂商，同时也是全球唯一的极紫外光刻设备供应商。EUV光刻机是目前世界上最先进的芯片制造设备，每台成本高达数亿美元。 目前7nm以下的先进制程芯片的大规模生产主要都是依赖于ASML的EUV光刻机，但只有少数现金充裕的公司才有能力投资购买这些EUV光刻机。 即便如此，EUV光刻机仍因为其在尖端芯片制造供应链中的关键地位而一直受到出口管制审查。多年前，美国就有向其盟友——荷兰施压，要求其限制EUV设备出口到中国。 该技术可以不使用EUV光刻机，就能使制程技术推进到5nm。
44530编辑于 2023-11-09 - 来自专栏芯智讯
ASML公开展示High NA EUV光刻机：最快2026年大规模商用！
近日，全球光刻机大厂ASML首次在其荷兰总部向媒体公开展示了最新一代的High NA EUV光刻机，除了已经率先获得全球首台High NA EUV光刻机的英特尔之外，台积电和三星订购High NA EUV ASML上季收到的EUV设备订单也创下了历史新高。 英特尔在2023年12月已率先拿下了全球首台High NA EUV光刻机，并已经开始在英特尔俄勒冈州晶圆厂安装。 业界指出，由于High NA EUV光刻机价格是当前EUV光刻机的两倍，这也意味着设备成本将大幅增加，由于明年即将量产的2nm依然可以依赖于现有的EUV光刻机来完成，并且成本并不会大幅增加，这也是台积电 、三星不急于导入High NA EUV光刻机的关键。 事实上，进入7nm以下后，台积电就开始导入EUV光刻设备，原因在于光罩曝光层数大幅增加，在至少20层以上的重复曝光需求下，孔径重复对准的精准度要求越来越高，这也让EUV光刻机成为了必备设备，不仅可以提高良率
45410编辑于 2024-02-26 传英特尔追加ASML High NA EUV光刻机订单
9月25日消息，最新的传闻显示，英特尔近期向ASML追加了High NA EUV光刻机的订单，订购数量从原来的一台增加至两台，突显英特尔正在增加对于Intel 14A制程的资本支出。 同时预计2027年High NA EUV光刻机的出货量将由8台增加值10台，其中英特尔从1台增加到2台，SK海力士也从1台增加到2台。 众所周知，High NA EUV光刻机主要是面向埃米级制程的最先进的光刻机，可以实现极高的分辨率，但是其单台价格也高达3.7亿美元，只有台积电、英特尔、三星、SK海力士等少数大厂能够负担的起。 不过，台积电之前已经公开表态，其A16/A14将不会使用High NA EUV光刻机。相比之下，英特尔和三星则希望借助High NA EUV光刻机来加速自身尖端制程工艺上的突破。 而英特尔则已经明确表示，将会在Intel 14A制程当中，利用High NA EUV光刻机来量产。 目前英特尔已经对Intel 14A进行了重新设计，以使其面向代工客户的需求。
14210编辑于 2026-03-20- 来自专栏芯智讯
日本提出EUV光刻新方案：光源功率可降低10倍，成本将大幅降低！
ASML EUV光刻机的光学系统解析 目前ASML是全球唯一的EUV光刻机供应商，其先进的EUV光刻机拥有超过10万个零件，涉及到上游5000多家供应商。 这也使得一台EUV光刻机的售价高达1.5亿美元左右。 △ASML EUV光刻机七大模块 其中，“照明光学模组”是EUV最核心的作业模组。这里EUV光线由“光源模组”（Source）生成后，导入“照明光学模组”。 小结： 如果Tsumoru Shintake教授的面向EUV光刻的双反射镜系统解决方案能够商用，将有望帮助现有的EUV光刻机的EUV光源系统的功率降低90%。 比如现在ASML EUV光刻机的EUV光源功率为500W，那么采用新的接近方案后，只需要50W的EUV光源即可达到现有的作用于晶圆的EUV光线的功率要求。
53210编辑于 2024-08-14 - 来自专栏芯智讯
Hyper NA光刻机有望2030年商用！
继不久前对外公开展示了面向2nm以下尖端制程制造的High NA EUV光刻机之后，近日，AMSL在其2023年度报告当中还披露了其未来更为先进的Hyper-NA EUV技术的进展，并预计Hyper-NA EUV光刻机可能将会在2030年之际开始商用，为未来更尖端的芯片生产技术提供助力。 NA 光刻机的原因。 当时ASML担忧的是Hyper NA技术的制造成本增长速度和目前High-NA EUV技术一样，那么高昂的成本将会使得Hyper NA光刻机在经济层面几乎不可行。 根据资料显示，ASML标准数值孔径的EUV光刻机（NXE系列）目前售价约为1.83亿美元，而High NA EUV光刻机（EXE:5000）的售价约为3.8亿美元，增长了一倍多，如果Hyper NA光刻机成本也将继续增长一倍
33910编辑于 2024-02-26 - 来自专栏芯智讯
摩根大通：为应对客户砍单，台积电将关闭4台EUV光刻机！台积电回应：例行维护与升级！
而计划明年继续涨价的台积电，目前的先进制程的产能利用率也出现了下滑，甚至开始计划关闭EUV光刻机来减少产能。 上周，产业链的消息人士@手机晶片达人 就爆料称，由于台积电先进制程产能利用率开始下滑，且评估之后下滑时间会持续一段周期，因此，台积电计划从今年年底开始，将关闭部分EUV光刻机，以节省EUV光刻机的巨大的耗电支出 随后网上就有一些网友表示，台积电为了省电费要关闭EUV光刻机了。事实上这是不可能的。 芯智讯之前就曾多次报道过，一台EUV光刻机工作一天大概需要耗电3万度。 不过，即便如此，对于台积电来说，关闭EUV光刻机也并不能省下多少费用。要知道台积2021年实际用电量就已接近170亿度。 而一台EUV光刻机的价格就要1.5亿美元左右，这么精贵的设备，为了省点电费而放那吃灰显然是不可能的。 正常情况下，晶圆厂是24小时不停机生产，EUV机台是尖端制程生产最重要的环节，不会单独关闭。
32820编辑于 2022-09-07 - 来自专栏芯智讯
首台商用High NA EUV光刻机完成组装，将助力Intel 14A工艺开发
ASML还制定了到 2025 年推出的第二代High NA EUV光刻机将产能提高到每小时 220 片晶圆的路线图，确保将High NA EUV光刻机集成到芯片工厂对于芯片制造商来说在经济性上至关重要。 这些是有史以来光刻出的最精细的线条，为 EUV光刻机创造了最高分辨率的世界纪录。该演示验证了 ASML 合作伙伴蔡司的创新高数值孔径 EUV 光学设计。 这也使得英特尔被台积电、三星等率先使用EUV光刻机的厂商持续超越。 从时间点上来看，从英特尔拿到首台High NA EUV光刻机，到现在的组装完成，仅用了4个月不到，足见英特尔对于尽快学习并运用High NA EUV光刻机的迫切程度。 这也意味着High NA EUV光刻机将会被应用于Intel 14A的量产。
50810编辑于 2024-04-25 ASML EUV光刻之路还能走多远？
High NA EUV光刻机进行量产。 EUV光刻机的规模商用。 而作为急需在EUV光刻机上进行突破的中国，则将目光瞄向了基于直线电子加速器的自由电子激光技术的EUV光源（EUV-FEL）技术。 EUV光刻机。 EUV光刻机市场的唯一供应商。
12410编辑于 2026-03-19台积电持续提升EUV光刻效率，6年晶圆产量增加了30倍
9月19日消息，据Tom's hardware报道，台积电作为全球最大的先进制程晶圆代工厂，不仅拥有着全球最先进的制程工艺，也拥有着数量最多的ASML EUV光刻机。 自2019年第二代7nm技术量产之时，台积电就率先引入了ASML EUV光刻机进行量产，随后台积电持续控制着全球超过42%~56%的EUV光刻机装机量，经过多年的积累，台积电目前已经累积了约200多台EUV 光刻机，在2024~2025年还新增了60多台，以支撑先进制程扩产需要。 设备业者指出，EUV光刻机相较传统的深紫外（DUV）光刻机，光罩及保护膜等都须进一步调整，保护膜一直是半导体制程中防止尘粒污染的关键保护机制。 熟悉半导体制程技术人士认为，相较于竞争对手仍高度依赖ASML的EUV光刻机和EUV光罩保护膜推进先进制程技术，台积电自制EUV光罩保护膜，可将现有EUV制程再优化，拉升了生产良率与扩大产能，在成本结构上取得优势
13910编辑于 2026-03-19- 来自专栏博文视点Broadview
光刻机和核弹相比，哪个更难造？
以业界最先进的EUV光刻机和最先进的核弹相比，它们尽管所属不同的领域，但都是现代高科技的代表，所以它们之间的对比也充满了悬念。 目前，世界上拥有核弹的国家屈指可数，而能造出EUV光刻机的国家却只有荷兰。 但是，这能说明光刻机就比核弹更难造吗？ ASML生产的EUV光刻机采用了多个国家和地区的顶尖技术与高精尖仪器，如紫外光源、光学镜头、掩膜版对准系统、双晶圆平台模组、计量及控制系统、能量控制器、光束矫正器等，这些是由欧洲、美国、日本等提供的。 这些仪器都是各自的领域方向最先进仪器的代表，光刻机更是集合了各个领域最先进的技术，实现了 的效果。 因此，ASML EUV光刻机的成功离不开全球最先进的仪器技术的支持。 所以说，即使ASML公开光刻机的原理图纸，也并不是任何一个国家都能集成所有核心部件，造出EUV光刻机的。 核弹的基本原理并不难，主要是通过原子核裂变过程释放的中子轰击其他原子核，形成链式反应。
68520编辑于 2023-08-09 - 来自专栏芯智讯
ASML CEO：High-NA EUV将于2024年出货，每台价格至少3亿欧元！
EUV光刻机将于2024年开始发货，每台设备的价格将在3亿至3.5亿欧元之间。 众所周知，目前ASML是全球最大的光刻机供应商，同时也是唯一的EUV光刻机的供应商。 目前，EUV光刻机可以支持芯片制造商将芯片制程推进到3nm制程左右，但是如果要继续推进到2nm制程甚至更小的尺寸，就需要更高数值孔径（NA）的High-NA光刻机。 相比目前的0.33数值孔径的EUV光刻机，High-NA EUV光刻机将数值孔径提升到0.55，可以进一步提升分辨率（根据瑞利公式，NA越大，分辨率越高），从0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到 而ASML新一代的高数值孔径 High-NA EUV光刻机也就成为了争夺的关键。
35920编辑于 2022-11-22
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