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ASML公布扩产计划：EUV光刻机90台年，DUV光刻机600台年
11月11日消息，光刻机大厂ASML在其位于荷兰费尔德霍芬的总部召开了投资者日会议，同时也通过在线形式向投资者介绍了其对于未来公司前景的看法。 我们计划将年产能提高到90个EUV和600个深紫外系统（2025-2026年），同时将高NA EUV产能提高到20个系统（2027-2028年）。
35130编辑于 2022-11-22 SK海力士安装首款商用High NA EUV光刻机
9月3日，SK海力士公司宣布，该公司已经在韩国利川的M16制造工厂安装了首个商用High NA EUV（高数值孔径极紫外光刻）系统并投入量产。 High NA EUV系统用于微缩存储单元的先进工艺技术对于提高生产力和产品性能至关重要，可以增加晶圆上生产的芯片数量，并提高功率效率和性能。 自2021年首次在10nm制程（第四代）中引入EUV技术以来，SK海力士一直在扩大EUV在最先进DRAM生产中的应用范围。 此次组装的新一代技术系统性能超越现有EUV设备，是SK海力士为满足行业对极致微缩和高密度的需求而做出的努力之一。 TWINSCAN EXE:5200B 是 ASML High NA EUV 产品线的首款量产机型，与现有 EUV 系统相比，该机型可打印尺寸缩小 1.7 倍的晶体管，并实现晶体管密度提高 2.9 倍，NA
19310编辑于 2026-03-19俄罗斯光刻机路线图曝光：2036年底前完成EUV光刻机研发！
其实，早在2024年12月，俄罗斯科学院微观结构物理研究所就已经公布由其主导研发的EUV光刻机计划，该EUV光刻机将采用波长为11.2nm的镭射光源，而非ASML 使用的标准13.5nm波长，目标是打造比 ASML 系统更经济的EUV光刻机。 第三阶段：计划于2033-2036 年推出分辨率为 28-13nm（潜力为9nm）的光刻机，将采用六镜物镜光学系统、套刻精度2nm、曝光区域为26 x 2 mm，生产效率将提升至每小时超过100片晶圆。 比如，ASML EUV光刻机的反射镜采用的是硅与钼的镀膜反射镜，而11.2nm波长的EUV光刻机则需要由钌和铍（Ru/Be） 制成的反射镜。 更为关键的是，俄罗斯研发的EUV光刻机还面临着生产效率低下的问题。虽然曝光的图片显示，其第三阶段推出的EUV光刻机的生产效率可达每小时超过100片晶圆，但是这只有ASML EUV光刻机的一半。
26410编辑于 2026-03-20斥资80亿美元，SK海力士拿下约30台EUV光刻机！
该交易已作为正式披露文件提交给韩国监管机构，使成为近年来ASML客户公开的最大一笔EUV光刻机采购订单。 根据预计，SK海力士采购的这些EUV光刻机将主要用于先进DRAM芯片和HBM芯片的生产。 主要会部署在两个晶圆厂：一个是SK海力士位于龙仁的新晶圆厂，该晶圆厂计划于2027年2月投产；另一个则是位于清州的M15X工厂，该晶圆厂专门用于生产高带宽内存芯片。 当前，一台标准型EUV光刻机的价格约为2-3亿美元。如果按照单台2.5亿美元的价格估算，79.7亿美元将可采购接近32台。 不过，伯恩斯坦公司的分析师戴维·道则预计，SK海力士的这份订单将使得其在两年内新增约30台EUV光刻机。这略高于其之前预测的SK海力士两年内将采购26台EUV光刻机的数量。 如果SK海力士能够更早地锁定更多数量的EUV光刻机，也将能够提升其未来在先进AI内存领域的竞争力。
12810编辑于 2026-04-10台积电A14制程仍不会采用High NA EUV光刻机
目前的标准型EUV光刻机，仍可以支持台积电尖端制程的生产到2026年以后，台积电尖端制程A16也将会继续采用标准型EUV光刻机来进行生产。 EUV光刻机。 需要指出的是，台积电的 A16 本质上是 N2P的延续，具有超级电源轨 （SPR） 背面供电网络。由于台积电不需要用于 N2 和 N2P 的高数值孔径 EUV 工具，因此 A16 也不需要它们。 因此，台积电至少在 2030 年之前，甚至可能更晚，都没有计划使用 High NA EUV 光刻机进行大规模生产。 根据ASML财报披露的信息显示，ASML已经向客户交付了5台High NA EUV光刻机，其中英特尔拿到了多数，三星可能也拿到了1-2台。
11710编辑于 2026-03-19- 来自专栏芯智讯
ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150%，可打印8nm线宽
2-2.5倍的速度，即提升了100%至150%，将进一步提升产能，并降低成本。 就发展路线来说，ASML的标准EUV光刻机可以打印13.5nm的线宽，而新的High-NA EUV光刻机则是可以通过打印8nm线宽来创建更小的晶体管。ASML现在已经证明其设备可以满足其基本规格。 因此，ASML对High NA EUV光刻机的发展充满信心，预计未来将能够在突破其极限。 而除了ASML自己在进行High NA EUV光刻机的测试之外，目前唯一安装完成High NA EUV光刻机的英特尔，也在美国俄勒冈州的D1X工厂投入测试工作。 Martin van den Brink指出，ASML已经可以开发更新一代的Hyper-NA EUV光刻机了，以进一步扩展其High-NA EUV光刻机的潜在路线图。 编辑：芯智讯-浪客剑
36510编辑于 2024-06-07 - 来自专栏芯智讯
ASML：将按计划在年底推出首款High NA EUV光刻机
目前，EUV光刻机可以支持芯片制造商将芯片制程推进到3nm制程左右，但是如果要继续推进到2nm制程甚至更小的尺寸，就需要更高数值孔径（NA）的High-NA光刻机。 相比目前的0.33数值孔径的EUV光刻机，High-NA EUV光刻机将数值孔径提升到0.55，可以进一步提升分辨率（根据瑞利公式，NA越大，分辨率越高），从0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到 0.55 NA EUV的低至8nm分辨率（通过多重曝光可支持2nm及以下制程工艺芯片的制造）。 而ASML新一代的高数值孔径 High-NA EUV光刻机也就成为了争夺的关键。 英特尔此前曾对外表示，其将率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。 显然这个价格非常的高昂，达到了目前在售的EUV光刻机的2倍。但是对于正在先进制程领域激烈竞争的头部晶圆厂来说，他们将别无选择。 编辑：芯智讯-浪客剑
41910编辑于 2023-09-08 - 来自专栏芯智讯
支持2埃米量产！ASML最新路线图曝光：2030年推出Hyper NA EUV！
近年来，随着半导体尖端制程工艺越来越逼近物理极限，荷兰光刻机大厂ASML生产的EUV光刻机已经成为了继续推动晶体管微缩的关键设备，而当制程工艺进入2nm以下的埃米时代，可能就需要用到售价高达3.5亿欧元的 后续到2035年前后，新的High NA EUV光刻机产能将会提高到每小时300片晶圆，达到目前出货的High NA EUV光刻机（EXE：5000）产能的2倍。 从支持的工艺节点来看，根据Martin van den Brink 此前披露的未来15年的逻辑器件的工艺路线图来看，利用目前的0.3NA的标准型EUV光刻机支持到2025年2nm的量产，再往下就需要通过多重曝光技术来实现 NA EUV光刻机，或许可以支持到2埃米（0.2nm）以下的制程节点，这里路线图上打了一个问号，所以不确定Hyper NA EUV光刻机能否支持下去。 ASML上周暗示，可能将在2024年底前向台积电出货High NA EUV光刻机。 Ronse 表示：“High NA 应该会持续贯穿从 2nm 到 1.4nm、10埃米甚至7埃米的工艺节点。”
50010编辑于 2024-06-18 传英特尔追加ASML High NA EUV光刻机订单
9月25日消息，最新的传闻显示，英特尔近期向ASML追加了High NA EUV光刻机的订单，订购数量从原来的一台增加至两台，突显英特尔正在增加对于Intel 14A制程的资本支出。 同时预计2027年High NA EUV光刻机的出货量将由8台增加值10台，其中英特尔从1台增加到2台，SK海力士也从1台增加到2台。 众所周知，High NA EUV光刻机主要是面向埃米级制程的最先进的光刻机，可以实现极高的分辨率，但是其单台价格也高达3.7亿美元，只有台积电、英特尔、三星、SK海力士等少数大厂能够负担的起。 不过，台积电之前已经公开表态，其A16/A14将不会使用High NA EUV光刻机。相比之下，英特尔和三星则希望借助High NA EUV光刻机来加速自身尖端制程工艺上的突破。 而英特尔则已经明确表示，将会在Intel 14A制程当中，利用High NA EUV光刻机来量产。 目前英特尔已经对Intel 14A进行了重新设计，以使其面向代工客户的需求。
22810编辑于 2026-03-20- 来自专栏新智元
光刻机能进口了！全球最大制造商ASML回应，卖给中国DUV光刻机无需美国许可
高兴为时过早，DUV不是EUV，顶尖光刻机仍是问题 然而，两位高管都强调了DUV光刻机的出口，却没有提及更先进的EUV(极端紫外线)光刻机。 有网友对此消息表示：「DUV光刻机是二等品，自然不用受限。」 前不久，中芯国际曾向ASML购买了一台EUV光刻机，但却因为美国资本的阻挠，至今未收到货。 DUV光刻机与EUV光刻机什么区别？ EUV光刻机则是实现7nm的关键设备，如果中国大陆无法引入ASML的EUV光刻机，则意味着大陆将止步于7nm工艺。 目前中芯国际订购了一台EUV。 而更为重要的是，ASML是全球唯一一家能够量产EUV光刻机的厂商。 贵，而且稀有。 EUV光刻机的价格约为1.48亿欧元，折合人民币大概11.65亿元左右。 荷兰的公司，美国资本核心 荷兰ASML公司，其占据了全球大部分的EUV光刻机市场，基本上实现了EUV光刻机的垄断。 但既然是荷兰企业，怎么还受到美国的控制呢？
1.5K10发布于 2020-10-29 - 来自专栏芯智讯
可绕过EUV量产5nm！佳能CEO：纳米压印设备无法卖到中国！
尖端制程严重依赖EUV光刻机 总部位于荷兰的ASML是目前全球最大的光刻机厂商，同时也是全球唯一的极紫外光刻设备供应商。EUV光刻机是目前世界上最先进的芯片制造设备，每台成本高达数亿美元。 目前7nm以下的先进制程芯片的大规模生产主要都是依赖于ASML的EUV光刻机，但只有少数现金充裕的公司才有能力投资购买这些EUV光刻机。 绕过EUV，佳能纳米压印技术可量产5nm 今年10月中旬，佳能公司宣布开始销售基于“纳米压印”（Nanoprinted lithography，NIL）技术的芯片生产设备 FPA-1200NZ2C。 该技术可以不使用EUV光刻机，就能使制程技术推进到5nm。 佳能表示会继续改进和发展这套系统，未来有望用于生产 2nm 芯片。 对于纳米压印技术市场前景，三井藤夫说：“我不认为纳米压印技术会超过EUV，但我相信这将创造新的机会和需求。
46230编辑于 2023-11-09 - 来自专栏芯智讯
ASML公开展示High NA EUV光刻机：最快2026年大规模商用！
近日，全球光刻机大厂ASML首次在其荷兰总部向媒体公开展示了最新一代的High NA EUV光刻机，除了已经率先获得全球首台High NA EUV光刻机的英特尔之外，台积电和三星订购High NA EUV 预计最快2026年陆续到位，届时High NA EUV将成为全球三大晶圆制造厂实现2nm以下先进制程大规模量产的必备“武器”。 业界指出，由于High NA EUV光刻机价格是当前EUV光刻机的两倍，这也意味着设备成本将大幅增加，由于明年即将量产的2nm依然可以依赖于现有的EUV光刻机来完成，并且成本并不会大幅增加，这也是台积电 、三星不急于导入High NA EUV光刻机的关键。 不过，可以确定的是，ASML的High NA EUV光刻机已成为英特尔、台积电及三星等晶圆制造大厂进军2nm以下先进制程的必备武器，仅是大规模采用的时间先后顺序有所差别。
47310编辑于 2024-02-26 - 来自专栏新智元
全球最大光刻机厂CEO：拜登恐难缓解中美半导体紧张局势
在过去川普任职期内，中美之间的贸易战让不少科技公司都卷入其中，总部位于荷兰的光刻机制造商ASML也是其中之一。 由于美国政府的压力，其最新价值约2亿美元的光刻机已停止向中国销售。 中芯国际或与ASML进行新谈判，EUV仍是关键问题 就在今年10月份，ASML传出消息可以向中国进口光刻机。 然而，这家荷兰公司强调了DUV光刻机，而非更先进的EUV(极端紫外线)光刻机。 有网友对此消息表示：「DUV光刻机是二等品，自然不用受限。」 DUV光刻机与EUV光刻机什么区别？ 中低端与高端的区别。 EUV光刻机则是实现7nm的关键设备，如果中国大陆无法引入ASML的EUV光刻机，则意味着大陆将止步于7nm工艺。 目前中芯国际订购了一台EUV。 而更为重要的是，ASML是全球唯一一家能够量产EUV光刻机的厂商。 贵，而且稀有。 EUV光刻机的价格约为1.48亿欧元，折合人民币大概11.65亿元左右（价格仅参考）。
78130发布于 2021-01-25 - 来自专栏芯智讯
Hyper NA光刻机有望2030年商用！
继不久前对外公开展示了面向2nm以下尖端制程制造的High NA EUV光刻机之后，近日，AMSL在其2023年度报告当中还披露了其未来更为先进的Hyper-NA EUV技术的进展，并预计Hyper-NA EUV光刻机可能将会在2030年之际开始商用，为未来更尖端的芯片生产技术提供助力。 2nm以下制程节点将非常有用。 当时ASML担忧的是Hyper NA技术的制造成本增长速度和目前High-NA EUV技术一样，那么高昂的成本将会使得Hyper NA光刻机在经济层面几乎不可行。 根据资料显示，ASML标准数值孔径的EUV光刻机（NXE系列）目前售价约为1.83亿美元，而High NA EUV光刻机（EXE:5000）的售价约为3.8亿美元，增长了一倍多，如果Hyper NA光刻机成本也将继续增长一倍
35110编辑于 2024-02-26 - 来自专栏芯智讯
台积电将于2024年取得ASML High-NA EUV光刻机，2025年量产2nm
9月12日消息，据台湾媒体报道，目前台积电先进制程进展顺利，3nm制程将于今年下半年量产，升级版3nm（N3E）制程将于2023年量产，2nm制程将会在预定的2025年量产。 目前，台积电2nm晶圆厂将座落于竹科宝山二期扩建计画用地中，竹科管理局已展开公共设施建设，目前台积电也已经开始整地作业。 资料显示，台积电2nm制程将采用GAAFET架构，相比台积电3nm，在相同功耗下速度快10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%，应用包含移动计算、高性能计算及完备的小芯片整合解决方案。 台积电研究发展资深副总经理米玉杰表示，将在2024年取得ASML下世代极紫外光刻设备（High-NA EUV），为客户发展相关的基础设施与架构解决方案。
70220编辑于 2022-09-20 - 来自专栏芯智讯
首台商用High NA EUV光刻机完成组装，将助力Intel 14A工艺开发
ASML还制定了到 2025 年推出的第二代High NA EUV光刻机将产能提高到每小时 220 片晶圆的路线图，确保将High NA EUV光刻机集成到芯片工厂对于芯片制造商来说在经济性上至关重要。 这也使得英特尔被台积电、三星等率先使用EUV光刻机的厂商持续超越。 因此，在英特尔CEO基辛格提出“IDM 2.0”战略后，英特尔便迅速重新聚焦于尖端制程工艺的提升，提出的了四年五个工艺节点的计划，希望在2025年凭借Intel 18A实现对于台积电2nm工艺的超越。 从时间点上来看，从英特尔拿到首台High NA EUV光刻机，到现在的组装完成，仅用了4个月不到，足见英特尔对于尽快学习并运用High NA EUV光刻机的迫切程度。 这也意味着High NA EUV光刻机将会被应用于Intel 14A的量产。
52210编辑于 2024-04-25 ASML EUV光刻之路还能走多远？
EUV光刻机。 根据Martin van den Brink 此前披露的ASML未来15年的逻辑器件的工艺路线图来看，利用目前的0.3NA的标准型EUV光刻机支持到2025年2nm的量产，再往下就需要通过多重曝光技术来实现 再往下就可能必须要采用0.75NA的Hyper NA EUV光刻机，或许可以支持到2埃米（0.2nm）以下的制程节点，这里路线图上打了一个问号，所以不确定Hyper NA EUV光刻机能否支持下去。 2埃米制程节点的对应的晶体管的金属间距为大约在16-12nm，进入到2埃米以下制程以下，金属间距才会进一步缩小到14-10nm。 更高的EUV光源功率，更低的能耗 目前ASML的EUV光源（被称为激光等离子体光源），是通过利用德国通快（Trumpf）公司的30千瓦功率的二氧化碳激光器，每秒2次轰击雾化的锡（Sn）金属液滴（锡金属液滴以每秒
26210编辑于 2026-03-19- 来自专栏芯智讯
日本提出EUV光刻新方案：光源功率可降低10倍，成本将大幅降低！
ASML EUV光刻机的光学系统解析 目前ASML是全球唯一的EUV光刻机供应商，其先进的EUV光刻机拥有超过10万个零件，涉及到上游5000多家供应商。 这也使得一台EUV光刻机的售价高达1.5亿美元左右。 △ASML EUV光刻机七大模块 其中，“照明光学模组”是EUV最核心的作业模组。这里EUV光线由“光源模组”（Source）生成后，导入“照明光学模组”。 小结： 如果Tsumoru Shintake教授的面向EUV光刻的双反射镜系统解决方案能够商用，将有望帮助现有的EUV光刻机的EUV光源系统的功率降低90%。 比如现在ASML EUV光刻机的EUV光源功率为500W，那么采用新的接近方案后，只需要50W的EUV光源即可达到现有的作用于晶圆的EUV光线的功率要求。
57510编辑于 2024-08-14 - 来自专栏芯智讯
摩根大通：为应对客户砍单，台积电将关闭4台EUV光刻机！台积电回应：例行维护与升级！
而计划明年继续涨价的台积电，目前的先进制程的产能利用率也出现了下滑，甚至开始计划关闭EUV光刻机来减少产能。 上周，产业链的消息人士@手机晶片达人 就爆料称，由于台积电先进制程产能利用率开始下滑，且评估之后下滑时间会持续一段周期，因此，台积电计划从今年年底开始，将关闭部分EUV光刻机，以节省EUV光刻机的巨大的耗电支出 随后网上就有一些网友表示，台积电为了省电费要关闭EUV光刻机了。事实上这是不可能的。 芯智讯之前就曾多次报道过，一台EUV光刻机工作一天大概需要耗电3万度。 不过，即便如此，对于台积电来说，关闭EUV光刻机也并不能省下多少费用。要知道台积2021年实际用电量就已接近170亿度。 而一台EUV光刻机的价格就要1.5亿美元左右，这么精贵的设备，为了省点电费而放那吃灰显然是不可能的。 正常情况下，晶圆厂是24小时不停机生产，EUV机台是尖端制程生产最重要的环节，不会单独关闭。
33220编辑于 2022-09-07 - 来自专栏芯智讯
ASML CEO：High-NA EUV将于2024年出货，每台价格至少3亿欧元！
众所周知，目前ASML是全球最大的光刻机供应商，同时也是唯一的EUV光刻机的供应商。 目前，EUV光刻机可以支持芯片制造商将芯片制程推进到3nm制程左右，但是如果要继续推进到2nm制程甚至更小的尺寸，就需要更高数值孔径（NA）的High-NA光刻机。 相比目前的0.33数值孔径的EUV光刻机，High-NA EUV光刻机将数值孔径提升到0.55，可以进一步提升分辨率（根据瑞利公式，NA越大，分辨率越高），从0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到 0.55 NA EUV的低至8nm分辨率（通过多重曝光可支持2nm及以下制程工艺芯片的制造）。 对于High-NA EUV光刻系统的价格，温宁克也首次正面回应称，每台设备的价格将在3亿至3.5亿欧元之间。显然这个价格非常的高昂，达到了目前在售的EUV光刻机的2倍。
37020编辑于 2022-11-22
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