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ASML公布扩产计划：EUV光刻机90台年，DUV光刻机600台年
11月11日消息，光刻机大厂ASML在其位于荷兰费尔德霍芬的总部召开了投资者日会议，同时也通过在线形式向投资者介绍了其对于未来公司前景的看法。 我们计划将年产能提高到90个EUV和600个深紫外系统（2025-2026年），同时将高NA EUV产能提高到20个系统（2027-2028年）。
39830编辑于 2022-11-22 SK海力士安装首款商用High NA EUV光刻机
9月3日，SK海力士公司宣布，该公司已经在韩国利川的M16制造工厂安装了首个商用High NA EUV（高数值孔径极紫外光刻）系统并投入量产。 High NA EUV系统用于微缩存储单元的先进工艺技术对于提高生产力和产品性能至关重要，可以增加晶圆上生产的芯片数量，并提高功率效率和性能。 自2021年首次在10nm制程（第四代）中引入EUV技术以来，SK海力士一直在扩大EUV在最先进DRAM生产中的应用范围。 此次组装的新一代技术系统性能超越现有EUV设备，是SK海力士为满足行业对极致微缩和高密度的需求而做出的努力之一。 TWINSCAN EXE:5200B 是 ASML High NA EUV 产品线的首款量产机型，与现有 EUV 系统相比，该机型可打印尺寸缩小 1.7 倍的晶体管，并实现晶体管密度提高 2.9 倍，NA
27510编辑于 2026-03-19俄罗斯光刻机路线图曝光：2036年底前完成EUV光刻机研发！
年前完成28nm分辨率的光刻机的研发，并最终在2036年底前完成可以生产10nm以下先进制程的全新极紫外线光（EUV）光刻机的研发。 其实，早在2024年12月，俄罗斯科学院微观结构物理研究所就已经公布由其主导研发的EUV光刻机计划，该EUV光刻机将采用波长为11.2nm的镭射光源，而非ASML 使用的标准13.5nm波长，目标是打造比 ASML 系统更经济的EUV光刻机。 比如，ASML EUV光刻机的反射镜采用的是硅与钼的镀膜反射镜，而11.2nm波长的EUV光刻机则需要由钌和铍（Ru/Be） 制成的反射镜。 更为关键的是，俄罗斯研发的EUV光刻机还面临着生产效率低下的问题。虽然曝光的图片显示，其第三阶段推出的EUV光刻机的生产效率可达每小时超过100片晶圆，但是这只有ASML EUV光刻机的一半。
44010编辑于 2026-03-20- 来自专栏新智元
全球最大光刻机厂CEO：拜登恐难缓解中美半导体紧张局势
中芯国际或与ASML进行新谈判，EUV仍是关键问题 就在今年10月份，ASML传出消息可以向中国进口光刻机。 然而，这家荷兰公司强调了DUV光刻机，而非更先进的EUV(极端紫外线)光刻机。 有网友对此消息表示：「DUV光刻机是二等品，自然不用受限。」 DUV光刻机与EUV光刻机什么区别？ 中低端与高端的区别。 EUV光刻机则是实现7nm的关键设备，如果中国大陆无法引入ASML的EUV光刻机，则意味着大陆将止步于7nm工艺。 目前中芯国际订购了一台EUV。 有微电子博士解析，就这一台，还是着眼于两三代技术节点之后的产品研发（14nm ->10nm -> 7nm -> 5nm）。必须要用EUV的，是5nm以及以下，直到7nm，DUV都够用。 据悉，中芯国际7nm技术研发已经完成，今年4月就可以风险量产，5nm、3nm最关键、最艰巨的8大项技术也已有序展开，只等EUV光刻机到来。
83030发布于 2021-01-25 - 来自专栏新智元
光刻机能进口了！全球最大制造商ASML回应，卖给中国DUV光刻机无需美国许可
高兴为时过早，DUV不是EUV，顶尖光刻机仍是问题 然而，两位高管都强调了DUV光刻机的出口，却没有提及更先进的EUV(极端紫外线)光刻机。 有网友对此消息表示：「DUV光刻机是二等品，自然不用受限。」 前不久，中芯国际曾向ASML购买了一台EUV光刻机，但却因为美国资本的阻挠，至今未收到货。 DUV光刻机与EUV光刻机什么区别？ EUV光刻机则是实现7nm的关键设备，如果中国大陆无法引入ASML的EUV光刻机，则意味着大陆将止步于7nm工艺。 目前中芯国际订购了一台EUV。 有微电子博士解析，就这一台，还是着眼于两三代技术节点之后的产品研发（14nm ->10nm -> 7nm -> 5nm）。必须要用EUV的，是5nm以及以下，直到7nm，DUV都够用。 而更为重要的是，ASML是全球唯一一家能够量产EUV光刻机的厂商。 贵，而且稀有。 EUV光刻机的价格约为1.48亿欧元，折合人民币大概11.65亿元左右。
1.6K10发布于 2020-10-29 - 来自专栏芯智讯
可绕过EUV量产5nm！佳能CEO：纳米压印设备无法卖到中国！
尖端制程严重依赖EUV光刻机 总部位于荷兰的ASML是目前全球最大的光刻机厂商，同时也是全球唯一的极紫外光刻设备供应商。EUV光刻机是目前世界上最先进的芯片制造设备，每台成本高达数亿美元。 目前7nm以下的先进制程芯片的大规模生产主要都是依赖于ASML的EUV光刻机，但只有少数现金充裕的公司才有能力投资购买这些EUV光刻机。 即便如此，EUV光刻机仍因为其在尖端芯片制造供应链中的关键地位而一直受到出口管制审查。多年前，美国就有向其盟友——荷兰施压，要求其限制EUV设备出口到中国。 该技术可以不使用EUV光刻机，就能使制程技术推进到5nm。 虽然在今年7月日本实施了新的半导体出口管制措施，限制了可以被用于先进制程的浸没式光刻机的出口，其中似乎并未新增对于限制基于纳米压印技术的光刻机的出口。
54430编辑于 2023-11-09 传英特尔追加ASML High NA EUV光刻机订单
9月25日消息，最新的传闻显示，英特尔近期向ASML追加了High NA EUV光刻机的订单，订购数量从原来的一台增加至两台，突显英特尔正在增加对于Intel 14A制程的资本支出。 据X平台用户@JerryCap 爆料称，预计2027年Low NA EUV光刻机的出货量将从52台提高到56台，这主要是由于英特尔额外追加了两台的订单（总量到5台），三星也追加了两台（总量到7台）。 同时预计2027年High NA EUV光刻机的出货量将由8台增加值10台，其中英特尔从1台增加到2台，SK海力士也从1台增加到2台。 众所周知，High NA EUV光刻机主要是面向埃米级制程的最先进的光刻机，可以实现极高的分辨率，但是其单台价格也高达3.7亿美元，只有台积电、英特尔、三星、SK海力士等少数大厂能够负担的起。 不过，台积电之前已经公开表态，其A16/A14将不会使用High NA EUV光刻机。相比之下，英特尔和三星则希望借助High NA EUV光刻机来加速自身尖端制程工艺上的突破。
36310编辑于 2026-03-20美国质疑EUV光刻机已入华！ASML回怼：绝无可能！
6月19日消息，据彭博社报道，美国商务部长霍华德·卢特尼克近期在一场闭门会谈中，向荷兰半导体设备巨头ASML的高级管理层表达了一项严峻关切，称该公司生产的极紫外（EUV）光刻机，可能已经违反美国主导的出口管制规定 ASML的EUV光刻系统是当前全球唯一能够制造7nm以下尖端半导体电路图案的设备，台积电、三星等巨头均依赖其生产苹果、英伟达的尖端处理器。 ASML公司发言人在一份声明中强调：“ASML从未向中国大陆发运过EUV机器，也从未向中国大陆发运过任何专门设计用于EUV机器的组件、模块或设备。” 为证明这是“不存在的事实”，ASML向美方提供了一份名为《没有任何迹象表明ASML EUV系统在中国大陆》的文件。文件指出，目前全球有314台EUV机器在运行，26台已退役，中国境内数量为零。 与此同时，美国国会两党法案正寻求进一步收紧对ASML等外国公司的限制，使其面临与美国公司同等级别的对华约束，包括有效禁止所有浸没式DUV光刻机的出口，这将严重影响ASML的预期营收。
11710编辑于 2026-06-24台积电A14制程仍不会采用High NA EUV光刻机
目前的标准型EUV光刻机，仍可以支持台积电尖端制程的生产到2026年以后，台积电尖端制程A16也将会继续采用标准型EUV光刻机来进行生产。 EUV光刻机。 张晓强表示，“人们似乎对于台积电何时使用 High NA EUV光刻机很感兴趣，我认为我们的答案非常简单。每当我们看到 High NA EUV将提供有意义、可衡量的好处时，我们就会这样做。 因此，台积电至少在 2030 年之前，甚至可能更晚，都没有计划使用 High NA EUV 光刻机进行大规模生产。 相比之下，英特尔将在 2027 年至 2028 年开始使用High NA EUV光刻机来制造其Intel 14A制程，主要是可以提升精度、减少EUV曝光次数和工艺步骤的数量。
23110编辑于 2026-03-19斥资80亿美元，SK海力士拿下约30台EUV光刻机！
该交易已作为正式披露文件提交给韩国监管机构，使成为近年来ASML客户公开的最大一笔EUV光刻机采购订单。 根据预计，SK海力士采购的这些EUV光刻机将主要用于先进DRAM芯片和HBM芯片的生产。 当前，一台标准型EUV光刻机的价格约为2-3亿美元。如果按照单台2.5亿美元的价格估算，79.7亿美元将可采购接近32台。 不过，伯恩斯坦公司的分析师戴维·道则预计，SK海力士的这份订单将使得其在两年内新增约30台EUV光刻机。这略高于其之前预测的SK海力士两年内将采购26台EUV光刻机的数量。 业界普遍认为，SK海力士此次大手笔采购EUV光刻机，主要是为了扩大与AI相关的先进内存芯片（比如HBM）产能，以满足AI激增的需求。 如果SK海力士能够更早地锁定更多数量的EUV光刻机，也将能够提升其未来在先进AI内存领域的竞争力。
25010编辑于 2026-04-10- 来自专栏芯智讯
ASML：将按计划在年底推出首款High NA EUV光刻机
可以帮助芯片制造商继续向7nm及以下更先进制程工艺推进的同时，进一步提升效率和降低曝光成本。 目前，EUV光刻机可以支持芯片制造商将芯片制程推进到3nm制程左右，但是如果要继续推进到2nm制程甚至更小的尺寸，就需要更高数值孔径（NA）的High-NA光刻机。 相比目前的0.33数值孔径的EUV光刻机，High-NA EUV光刻机将数值孔径提升到0.55，可以进一步提升分辨率（根据瑞利公式，NA越大，分辨率越高），从0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到 而ASML新一代的高数值孔径 High-NA EUV光刻机也就成为了争夺的关键。 英特尔此前曾对外表示，其将率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。 根据英特尔的规划，其将在2024年率先量产Intel 20A和Intel 18A工艺，届时或将有部分利用High-NA EUV光刻机。
47710编辑于 2023-09-08 - 来自专栏芯智讯
ASML公开展示High NA EUV光刻机：最快2026年大规模商用！
近日，全球光刻机大厂ASML首次在其荷兰总部向媒体公开展示了最新一代的High NA EUV光刻机，除了已经率先获得全球首台High NA EUV光刻机的英特尔之外，台积电和三星订购High NA EUV ASML上季收到的EUV设备订单也创下了历史新高。 英特尔在2023年12月已率先拿下了全球首台High NA EUV光刻机，并已经开始在英特尔俄勒冈州晶圆厂安装。 业界指出，由于High NA EUV光刻机价格是当前EUV光刻机的两倍，这也意味着设备成本将大幅增加，由于明年即将量产的2nm依然可以依赖于现有的EUV光刻机来完成，并且成本并不会大幅增加，这也是台积电 、三星不急于导入High NA EUV光刻机的关键。 事实上，进入7nm以下后，台积电就开始导入EUV光刻设备，原因在于光罩曝光层数大幅增加，在至少20层以上的重复曝光需求下，孔径重复对准的精准度要求越来越高，这也让EUV光刻机成为了必备设备，不仅可以提高良率
70610编辑于 2024-02-26 - 来自专栏芯智讯
Hyper NA光刻机有望2030年商用！
继不久前对外公开展示了面向2nm以下尖端制程制造的High NA EUV光刻机之后，近日，AMSL在其2023年度报告当中还披露了其未来更为先进的Hyper-NA EUV技术的进展，并预计Hyper-NA EUV光刻机可能将会在2030年之际开始商用，为未来更尖端的芯片生产技术提供助力。 △根据此前imec的预计，凭借晶体管技术以及先进的制造工具的出现，2030年将进入7埃米（0.7nm）时代，2032年将有望进化到5埃米（0.5nm），2036年将有望实现2埃米（0.2nm）。 当时ASML担忧的是Hyper NA技术的制造成本增长速度和目前High-NA EUV技术一样，那么高昂的成本将会使得Hyper NA光刻机在经济层面几乎不可行。 根据资料显示，ASML标准数值孔径的EUV光刻机（NXE系列）目前售价约为1.83亿美元，而High NA EUV光刻机（EXE:5000）的售价约为3.8亿美元，增长了一倍多，如果Hyper NA光刻机成本也将继续增长一倍
42910编辑于 2024-02-26 - 来自专栏芯智讯
摩根大通：为应对客户砍单，台积电将关闭4台EUV光刻机！台积电回应：例行维护与升级！
继7月有大陆成熟制程晶圆代工厂率先降价10%之后，近日有消息称，台湾晶圆代工厂的成熟制程报价也已累计下跌了20%。 而计划明年继续涨价的台积电，目前的先进制程的产能利用率也出现了下滑，甚至开始计划关闭EUV光刻机来减少产能。 上周，产业链的消息人士@手机晶片达人 就爆料称，由于台积电先进制程产能利用率开始下滑，且评估之后下滑时间会持续一段周期，因此，台积电计划从今年年底开始，将关闭部分EUV光刻机，以节省EUV光刻机的巨大的耗电支出 随后网上就有一些网友表示，台积电为了省电费要关闭EUV光刻机了。事实上这是不可能的。 芯智讯之前就曾多次报道过，一台EUV光刻机工作一天大概需要耗电3万度。 不过，即便如此，对于台积电来说，关闭EUV光刻机也并不能省下多少费用。要知道台积2021年实际用电量就已接近170亿度。
38020编辑于 2022-09-07 - 来自专栏量子位
过气光刻机也不能卖给中国！美国无理施压荷兰ASML，国产芯片再遭打压
这一次还不只最先进的设备，还包括了上一代采用DUV技术的光刻机，其制造能力最高可以生产7nm制程的芯片。 而可以制造5nm及以下制程芯片的EUV光刻机，早在两年前，就因为美国的施压而无法进口。 消息来自彭博社，据知情人士透露，美国正在游说荷兰政府，希望全球最大的光刻机制造商ASML，禁止向中国出口光刻机。 而这一次涉及的相关技术，还是老款DUV光刻机，只能生产7nm以上制程的芯片。 毕竟具备7nm以下制程芯片制造能力的EUV光刻机，早在2020年初，因为美国政府的压力而禁止出口到中国。 而目前国内目前能够自主制造的芯片制程，还停留在28nm。 至于更先进的EUV光刻机核心技术，现在还处在实验室的基础研发阶段，比如光刻胶原材料、EUV极紫外光源等等，何时能研发成熟投入商用，现在来看仍然是一个巨大的未知数。 而ASML的EUV技术，则与美国和英特尔牵头成立的EUV LLC联盟有着千丝万缕的联系。 所以与上次禁止出口EUV光刻机不同的是，ASML出口DUV光刻机到中国，无需美国的授权。
47710编辑于 2022-07-06 - 来自专栏芯智讯
日本提出EUV光刻新方案：光源功率可降低10倍，成本将大幅降低！
8月7日消息，近日日本冲绳科学技术大学（OIST）的Tsumoru Shintake教授带领的研究团队提出了一项全新、大幅简化的面向极紫外（EUV）光刻机的双反射镜系统。 ASML EUV光刻机的光学系统解析 目前ASML是全球唯一的EUV光刻机供应商，其先进的EUV光刻机拥有超过10万个零件，涉及到上游5000多家供应商。 这也使得一台EUV光刻机的售价高达1.5亿美元左右。 根据官网资料显示，通快集团向ASML供应的二氧化碳激光器拥有457,329个部件，系统内的线缆长度高达7,322米，重量更是达到了17,090千克。 比如现在ASML EUV光刻机的EUV光源功率为500W，那么采用新的接近方案后，只需要50W的EUV光源即可达到现有的作用于晶圆的EUV光线的功率要求。
72010编辑于 2024-08-14 美国商务部1.5亿美元注资xLight，加速EUV-FEL光源研发
目前光刻机巨头ASML的EUV光刻机所采用的是EUV光源系统，正是基于被称为激光等离子体EUV光源（LPP），其原理是通过30kW功率的二氧化碳激光器轰击以每秒50000滴的速度从喷嘴内喷出的锡金属液滴 目前全球仅有头部的少数的晶圆制造厂商能够用的其这种单价高达约1.5亿美元的EUV光刻机，主要用于7nm以下的先进制程芯片的制造。值得一提的是，该系统发射极紫外光的同时会产生碎屑而污染反射镜。 其中，基于自由电子激光器（FEL）技术的EUV光源方案被寄予厚望。 xLight就是一家面向EUV光刻机开发基于直线电子加速器的自由电子激光 （FEL） 技术的EUV光源系统的初创公司。 20 台EUV光刻机使用，光源系统的使用寿命为 30 年，可以将资本和运营支出减少 3 倍以上，还可以保持与现有设备的兼容性。 值得注意的是今年7月22日，xLight还曾宣布，已完成超额认购的4000万美元B轮融资。
24210编辑于 2026-03-20- 来自专栏芯智讯
ASML最新路线图曝光：2030年推出Hyper NA EUV！
High NA EUV（0.55NA）光刻机。 虽然，High NA EUV光刻机刚开始出货，但是ASML已经在加紧研发新一代的Hyper-NA EUV光刻机，为其寻找合适的解决方案。 相较之下，High NA EUV光刻机的数值孔径为0.55，标准EUV光刻机则是0.33。 High NA EUV光刻机（EXE：5200B），2028年前后会推出第三代的High NA EUV光刻机（EXE：5400），2030年前后将会推出更高速的第四代High NA EUV光刻机（EXE ASML上周暗示，可能将在2024年底前向台积电出货High NA EUV光刻机。 Ronse 表示：“High NA 应该会持续贯穿从 2nm 到 1.4nm、10埃米甚至7埃米的工艺节点。”
64010编辑于 2024-06-18 台积电持续提升EUV光刻效率，6年晶圆产量增加了30倍
9月19日消息，据Tom's hardware报道，台积电作为全球最大的先进制程晶圆代工厂，不仅拥有着全球最先进的制程工艺，也拥有着数量最多的ASML EUV光刻机。 自2019年第二代7nm技术量产之时，台积电就率先引入了ASML EUV光刻机进行量产，随后台积电持续控制着全球超过42%~56%的EUV光刻机装机量，经过多年的积累，台积电目前已经累积了约200多台EUV 设备业者指出，EUV光刻机相较传统的深紫外（DUV）光刻机，光罩及保护膜等都须进一步调整，保护膜一直是半导体制程中防止尘粒污染的关键保护机制。 而台积电研发EUV光罩保护膜已有多年，这主要是因为评估EUV光罩保护膜对于7nm以下制程生产效率与成本降低极为重要，因此近期决定正式加速自研计划。 熟悉半导体制程技术人士认为，相较于竞争对手仍高度依赖ASML的EUV光刻机和EUV光罩保护膜推进先进制程技术，台积电自制EUV光罩保护膜，可将现有EUV制程再优化，拉升了生产良率与扩大产能，在成本结构上取得优势
38110编辑于 2026-03-19- 来自专栏芯智讯
俄罗斯自研光刻机最新进展：成本不到37万元！
研发的光刻机计划达到EUV级别，但技术原理完全不同，是基于同步加速器和/或等离子体源”的无掩模X射线光刻机。 目前，EUV光刻机全球只有ASML公司能够研发、生产，但它的技术限制也很多，俄罗斯计划开发全新的EUV光刻机，使用的将是X射线技术，不需要光掩模就能生产芯片。 光刻机的架构及技术很复杂，不过决定光刻机分辨率的主要因素就是三点，分别是常数K、光源波长及物镜的数值孔径，波长越短，分辨率就越高，现在的EUV光刻机使用的是极紫外光EUV，波长13.5nm，可以用于制造 此外，X射线光刻机相比现在的EUV光刻机还有一个优势，那就是不需要光掩模版，可以直写光刻，这也节省了一大笔费用。 7nm芯片的光刻机。
82110编辑于 2023-10-10
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