11月11日消息,光刻机大厂ASML在其位于荷兰费尔德霍芬的总部召开了投资者日会议,同时也通过在线形式向投资者介绍了其对于未来公司前景的看法。 我们计划将年产能提高到90个EUV和600个深紫外系统(2025-2026年),同时将高NA EUV产能提高到20个系统(2027-2028年)。 与 2021 年 9 月的投资者日相比,这些新的发展和计划为我们未来的增长带来了更新的情景。
9月3日,SK海力士公司宣布,该公司已经在韩国利川的M16制造工厂安装了首个商用High NA EUV(高数值孔径极紫外光刻)系统并投入量产。 High NA EUV系统用于微缩存储单元的先进工艺技术对于提高生产力和产品性能至关重要,可以增加晶圆上生产的芯片数量,并提高功率效率和性能。 自2021年首次在10nm制程(第四代)中引入EUV技术以来,SK海力士一直在扩大EUV在最先进DRAM生产中的应用范围。 此次组装的新一代技术系统性能超越现有EUV设备,是SK海力士为满足行业对极致微缩和高密度的需求而做出的努力之一。 TWINSCAN EXE:5200B 是 ASML High NA EUV 产品线的首款量产机型,与现有 EUV 系统相比,该机型可打印尺寸缩小 1.7 倍的晶体管,并实现晶体管密度提高 2.9 倍,NA
9月6日消息,据路透社报导,全球光刻机大厂ASML CEO Peter Wennink表示,尽管有些供应商遇到了一些阻碍,但今年年底将照计划推出下一代的High NA(高数值孔径)EUV产品线的首款产品 目前,EUV光刻机可以支持芯片制造商将芯片制程推进到3nm制程左右,但是如果要继续推进到2nm制程甚至更小的尺寸,就需要更高数值孔径(NA)的High-NA光刻机。 相比目前的0.33数值孔径的EUV光刻机,High-NA EUV光刻机将数值孔径提升到0.55,可以进一步提升分辨率(根据瑞利公式,NA越大,分辨率越高),从0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到 而ASML新一代的高数值孔径 High-NA EUV光刻机也就成为了争夺的关键。 英特尔此前曾对外表示,其将率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。 2022年9月,台积电研究发展资深副总经理米玉杰也对外表示,台积电将在2024年取得ASML新一代High-NA EUV光刻机,为客户发展相关的基础设施与架构解决方案。
9月28日消息,俄罗斯计算机与数据科学博士Dmitrii Kuznetsov近日通过X平台曝光了俄罗斯最新的光刻机研发路线图,显示俄罗斯最快将在2026年完成65-40nm分辨率的光刻机的研发,2032 ASML 系统更经济的EUV光刻机。 第三阶段:计划于2033-2036 年推出分辨率为 28-13nm(潜力为9nm)的光刻机,将采用六镜物镜光学系统、套刻精度2nm、曝光区域为26 x 2 mm,生产效率将提升至每小时超过100片晶圆。 比如,ASML EUV光刻机的反射镜采用的是硅与钼的镀膜反射镜,而11.2nm波长的EUV光刻机则需要由钌和铍(Ru/Be) 制成的反射镜。 更为关键的是,俄罗斯研发的EUV光刻机还面临着生产效率低下的问题。虽然曝光的图片显示,其第三阶段推出的EUV光刻机的生产效率可达每小时超过100片晶圆,但是这只有ASML EUV光刻机的一半。
9月25日消息,最新的传闻显示,英特尔近期向ASML追加了High NA EUV光刻机的订单,订购数量从原来的一台增加至两台,突显英特尔正在增加对于Intel 14A制程的资本支出。 同时预计2027年High NA EUV光刻机的出货量将由8台增加值10台,其中英特尔从1台增加到2台,SK海力士也从1台增加到2台。 众所周知,High NA EUV光刻机主要是面向埃米级制程的最先进的光刻机,可以实现极高的分辨率,但是其单台价格也高达3.7亿美元,只有台积电、英特尔、三星、SK海力士等少数大厂能够负担的起。 不过,台积电之前已经公开表态,其A16/A14将不会使用High NA EUV光刻机。相比之下,英特尔和三星则希望借助High NA EUV光刻机来加速自身尖端制程工艺上的突破。 而英特尔则已经明确表示,将会在Intel 14A制程当中,利用High NA EUV光刻机来量产。 目前英特尔已经对Intel 14A进行了重新设计,以使其面向代工客户的需求。
早在9月16日华为禁令开始的前几天,ASML就表过态,表示会加大对我国市场的重视,加速对我国市场的布局,助力我国企业的发展。 在ASML挑明可以向中国出口后,有业内人士表示:美国要郁闷了! 高兴为时过早,DUV不是EUV,顶尖光刻机仍是问题 然而,两位高管都强调了DUV光刻机的出口,却没有提及更先进的EUV(极端紫外线)光刻机。 有网友对此消息表示:「DUV光刻机是二等品,自然不用受限。」 前不久,中芯国际曾向ASML购买了一台EUV光刻机,但却因为美国资本的阻挠,至今未收到货。 DUV光刻机与EUV光刻机什么区别? EUV光刻机则是实现7nm的关键设备,如果中国大陆无法引入ASML的EUV光刻机,则意味着大陆将止步于7nm工艺。 目前中芯国际订购了一台EUV。 而更为重要的是,ASML是全球唯一一家能够量产EUV光刻机的厂商。 贵,而且稀有。 EUV光刻机的价格约为1.48亿欧元,折合人民币大概11.65亿元左右。
目前的标准型EUV光刻机,仍可以支持台积电尖端制程的生产到2026年以后,台积电尖端制程A16也将会继续采用标准型EUV光刻机来进行生产。 EUV光刻机。 张晓强表示,“人们似乎对于台积电何时使用 High NA EUV光刻机很感兴趣,我认为我们的答案非常简单。每当我们看到 High NA EUV将提供有意义、可衡量的好处时,我们就会这样做。 因此,台积电至少在 2030 年之前,甚至可能更晚,都没有计划使用 High NA EUV 光刻机进行大规模生产。 相比之下,英特尔将在 2027 年至 2028 年开始使用High NA EUV光刻机来制造其Intel 14A制程,主要是可以提升精度、减少EUV曝光次数和工艺步骤的数量。
该交易已作为正式披露文件提交给韩国监管机构,使成为近年来ASML客户公开的最大一笔EUV光刻机采购订单。 根据预计,SK海力士采购的这些EUV光刻机将主要用于先进DRAM芯片和HBM芯片的生产。 当前,一台标准型EUV光刻机的价格约为2-3亿美元。如果按照单台2.5亿美元的价格估算,79.7亿美元将可采购接近32台。 不过,伯恩斯坦公司的分析师戴维·道则预计,SK海力士的这份订单将使得其在两年内新增约30台EUV光刻机。这略高于其之前预测的SK海力士两年内将采购26台EUV光刻机的数量。 业界普遍认为,SK海力士此次大手笔采购EUV光刻机,主要是为了扩大与AI相关的先进内存芯片(比如HBM)产能,以满足AI激增的需求。 如果SK海力士能够更早地锁定更多数量的EUV光刻机,也将能够提升其未来在先进AI内存领域的竞争力。
9月19日消息,据Tom's hardware报道,台积电作为全球最大的先进制程晶圆代工厂,不仅拥有着全球最先进的制程工艺,也拥有着数量最多的ASML EUV光刻机。 自2019年第二代7nm技术量产之时,台积电就率先引入了ASML EUV光刻机进行量产,随后台积电持续控制着全球超过42%~56%的EUV光刻机装机量,经过多年的积累,台积电目前已经累积了约200多台EUV 光刻机,在2024~2025年还新增了60多台,以支撑先进制程扩产需要。 设备业者指出,EUV光刻机相较传统的深紫外(DUV)光刻机,光罩及保护膜等都须进一步调整,保护膜一直是半导体制程中防止尘粒污染的关键保护机制。 熟悉半导体制程技术人士认为,相较于竞争对手仍高度依赖ASML的EUV光刻机和EUV光罩保护膜推进先进制程技术,台积电自制EUV光罩保护膜,可将现有EUV制程再优化,拉升了生产良率与扩大产能,在成本结构上取得优势
EUV光刻机将于2024年开始发货,每台设备的价格将在3亿至3.5亿欧元之间。 但是,他仍非常有信心的预测,全球半导体市场在未来十年内仍将保持平均每年9%的增长。预计到2030年,全球半导体市场将达到1万亿至1.3万亿美元。 众所周知,目前ASML是全球最大的光刻机供应商,同时也是唯一的EUV光刻机的供应商。 相比目前的0.33数值孔径的EUV光刻机,High-NA EUV光刻机将数值孔径提升到0.55,可以进一步提升分辨率(根据瑞利公式,NA越大,分辨率越高),从0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到 今年9月,台积电研究发展资深副总经理米玉杰也对外表示,台积电将在2024年取得ASML新一代High-NA EUV光刻机,为客户发展相关的基础设施与架构解决方案。
5月30日消息,光刻机大厂ASML在imec(比利时微电子研究中心)的ITF World 2024会议上宣布,其首款High-NA EUV光刻机已创下新的晶圆制造速度记录,超过了两个月前创下的记录。 就发展路线来说,ASML的标准EUV光刻机可以打印13.5nm的线宽,而新的High-NA EUV光刻机则是可以通过打印8nm线宽来创建更小的晶体管。ASML现在已经证明其设备可以满足其基本规格。 因此,ASML对High NA EUV光刻机的发展充满信心,预计未来将能够在突破其极限。 而除了ASML自己在进行High NA EUV光刻机的测试之外,目前唯一安装完成High NA EUV光刻机的英特尔,也在美国俄勒冈州的D1X工厂投入测试工作。 Martin van den Brink指出,ASML已经可以开发更新一代的Hyper-NA EUV光刻机了,以进一步扩展其High-NA EUV光刻机的潜在路线图。 编辑:芯智讯-浪客剑
High NA EUV光刻机进行量产。 EUV光刻机的规模商用。 EUV光刻机。 EUV光刻机市场的唯一供应商。 同时,EUV光线也无法被玻璃透镜折射,必须通过蔡司的以硅与钼制成的特殊镀膜反射镜,来修正光的前进方向,而且每一次反射可能将会损失约30%能量,而EUV光学照明系统当中有9组反射镜,导致最终到达晶圆表面光阻层的
High NA EUV(0.55NA)光刻机。 虽然,High NA EUV光刻机刚开始出货,但是ASML已经在加紧研发新一代的Hyper-NA EUV光刻机,为其寻找合适的解决方案。 相较之下,High NA EUV光刻机的数值孔径为0.55,标准EUV光刻机则是0.33。 High NA EUV光刻机(EXE:5200B),2028年前后会推出第三代的High NA EUV光刻机(EXE:5400),2030年前后将会推出更高速的第四代High NA EUV光刻机(EXE 从其他技术路线来看,虽然佳能推出了纳米压印技术,希望能够在某种程度上替代EUV光刻机,但是其生产率通常远低于High NA EUV光刻机。
中芯国际或与ASML进行新谈判,EUV仍是关键问题 就在今年10月份,ASML传出消息可以向中国进口光刻机。 然而,这家荷兰公司强调了DUV光刻机,而非更先进的EUV(极端紫外线)光刻机。 有网友对此消息表示:「DUV光刻机是二等品,自然不用受限。」 DUV光刻机与EUV光刻机什么区别? 中低端与高端的区别。 EUV光刻机则是实现7nm的关键设备,如果中国大陆无法引入ASML的EUV光刻机,则意味着大陆将止步于7nm工艺。 目前中芯国际订购了一台EUV。 而更为重要的是,ASML是全球唯一一家能够量产EUV光刻机的厂商。 贵,而且稀有。 EUV光刻机的价格约为1.48亿欧元,折合人民币大概11.65亿元左右(价格仅参考)。 荷兰ASML公司,其占据了全球大部分的EUV光刻机市场,基本上实现了EUV光刻机的垄断。 能控制荷兰ASML出口,这背后的大股东究竟是谁? 早在1980年代前,ASML飞利浦旗下的一家小公司。
11月6日消息,据彭博社报道,佳能公司正计划将其新的基于“纳米压印”技术的芯片制造设备的价格定为ASML的EUV光刻机的1/10。 尖端制程严重依赖EUV光刻机 总部位于荷兰的ASML是目前全球最大的光刻机厂商,同时也是全球唯一的极紫外光刻设备供应商。EUV光刻机是目前世界上最先进的芯片制造设备,每台成本高达数亿美元。 目前7nm以下的先进制程芯片的大规模生产主要都是依赖于ASML的EUV光刻机,但只有少数现金充裕的公司才有能力投资购买这些EUV光刻机。 即便如此,EUV光刻机仍因为其在尖端芯片制造供应链中的关键地位而一直受到出口管制审查。多年前,美国就有向其盟友——荷兰施压,要求其限制EUV设备出口到中国。 该技术可以不使用EUV光刻机,就能使制程技术推进到5nm。
近日,全球光刻机大厂ASML首次在其荷兰总部向媒体公开展示了最新一代的High NA EUV光刻机,除了已经率先获得全球首台High NA EUV光刻机的英特尔之外,台积电和三星订购High NA EUV ASML上季收到的EUV设备订单也创下了历史新高。 英特尔在2023年12月已率先拿下了全球首台High NA EUV光刻机,并已经开始在英特尔俄勒冈州晶圆厂安装。 业界指出,由于High NA EUV光刻机价格是当前EUV光刻机的两倍,这也意味着设备成本将大幅增加,由于明年即将量产的2nm依然可以依赖于现有的EUV光刻机来完成,并且成本并不会大幅增加,这也是台积电 、三星不急于导入High NA EUV光刻机的关键。 事实上,进入7nm以下后,台积电就开始导入EUV光刻设备,原因在于光罩曝光层数大幅增加,在至少20层以上的重复曝光需求下,孔径重复对准的精准度要求越来越高,这也让EUV光刻机成为了必备设备,不仅可以提高良率
ASML EUV光刻机的光学系统解析 目前ASML是全球唯一的EUV光刻机供应商,其先进的EUV光刻机拥有超过10万个零件,涉及到上游5000多家供应商。 这也使得一台EUV光刻机的售价高达1.5亿美元左右。 △ASML EUV光刻机七大模块 其中,“照明光学模组”是EUV最核心的作业模组。这里EUV光线由“光源模组”(Source)生成后,导入“照明光学模组”。 小结: 如果Tsumoru Shintake教授的面向EUV光刻的双反射镜系统解决方案能够商用,将有望帮助现有的EUV光刻机的EUV光源系统的功率降低90%。 比如现在ASML EUV光刻机的EUV光源功率为500W,那么采用新的接近方案后,只需要50W的EUV光源即可达到现有的作用于晶圆的EUV光线的功率要求。
ASML还制定了到 2025 年推出的第二代High NA EUV光刻机将产能提高到每小时 220 片晶圆的路线图,确保将High NA EUV光刻机集成到芯片工厂对于芯片制造商来说在经济性上至关重要。 这些是有史以来光刻出的最精细的线条,为 EUV光刻机创造了最高分辨率的世界纪录。该演示验证了 ASML 合作伙伴蔡司的创新高数值孔径 EUV 光学设计。 这也使得英特尔被台积电、三星等率先使用EUV光刻机的厂商持续超越。 从时间点上来看,从英特尔拿到首台High NA EUV光刻机,到现在的组装完成,仅用了4个月不到,足见英特尔对于尽快学习并运用High NA EUV光刻机的迫切程度。 这也意味着High NA EUV光刻机将会被应用于Intel 14A的量产。
继不久前对外公开展示了面向2nm以下尖端制程制造的High NA EUV光刻机之后,近日,AMSL在其2023年度报告当中还披露了其未来更为先进的Hyper-NA EUV技术的进展,并预计Hyper-NA EUV光刻机可能将会在2030年之际开始商用,为未来更尖端的芯片生产技术提供助力。 NA 光刻机的原因。 当时ASML担忧的是Hyper NA技术的制造成本增长速度和目前High-NA EUV技术一样,那么高昂的成本将会使得Hyper NA光刻机在经济层面几乎不可行。 根据资料显示,ASML标准数值孔径的EUV光刻机(NXE系列)目前售价约为1.83亿美元,而High NA EUV光刻机(EXE:5000)的售价约为3.8亿美元,增长了一倍多,如果Hyper NA光刻机成本也将继续增长一倍
ASML在该季度还交付了首台第二代 High NA EUV 光刻机TWINSCAN EXE:5200B。 从预定金额来看,ASML第二季度的新增订单金额从 39.36 亿欧元增长至 55.41 亿欧元,其中23亿欧元为EUV光刻机订单。 二季度出货首台 TWINSCAN EXE:5200B 系统 从出货量来看,ASML二季度出货了 67 台新光刻设备和 9 台二手光刻设备。 67台光刻机当中,包括11台EUV光刻机、31台ArFi光刻机、4台ArFdry光刻机、16台KrF光刻机、14台I-line光刻机,以及第一台第二代High NA EUV光刻机 TWINSCAN EXE 2025年的全年就几个业务板块来看,戴厚杰指出: 1、EUV部分:EUV在先进制程的发展中愈发重要,越来越多的客户转向使用EUV光刻机。