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ASML公布扩产计划：EUV光刻机90台年，DUV光刻机600台年
11月11日消息，光刻机大厂ASML在其位于荷兰费尔德霍芬的总部召开了投资者日会议，同时也通过在线形式向投资者介绍了其对于未来公司前景的看法。 我们计划将年产能提高到90个EUV和600个深紫外系统（2025-2026年），同时将高NA EUV产能提高到20个系统（2027-2028年）。
35130编辑于 2022-11-22 SK海力士安装首款商用High NA EUV光刻机
9月3日，SK海力士公司宣布，该公司已经在韩国利川的M16制造工厂安装了首个商用High NA EUV（高数值孔径极紫外光刻）系统并投入量产。 High NA EUV系统用于微缩存储单元的先进工艺技术对于提高生产力和产品性能至关重要，可以增加晶圆上生产的芯片数量，并提高功率效率和性能。 自2021年首次在10nm制程（第四代）中引入EUV技术以来，SK海力士一直在扩大EUV在最先进DRAM生产中的应用范围。 此次组装的新一代技术系统性能超越现有EUV设备，是SK海力士为满足行业对极致微缩和高密度的需求而做出的努力之一。 TWINSCAN EXE:5200B 是 ASML High NA EUV 产品线的首款量产机型，与现有 EUV 系统相比，该机型可打印尺寸缩小 1.7 倍的晶体管，并实现晶体管密度提高 2.9 倍，NA
19310编辑于 2026-03-19俄罗斯光刻机路线图曝光：2036年底前完成EUV光刻机研发！
年前完成28nm分辨率的光刻机的研发，并最终在2036年底前完成可以生产10nm以下先进制程的全新极紫外线光（EUV）光刻机的研发。 其实，早在2024年12月，俄罗斯科学院微观结构物理研究所就已经公布由其主导研发的EUV光刻机计划，该EUV光刻机将采用波长为11.2nm的镭射光源，而非ASML 使用的标准13.5nm波长，目标是打造比 ASML 系统更经济的EUV光刻机。 比如，ASML EUV光刻机的反射镜采用的是硅与钼的镀膜反射镜，而11.2nm波长的EUV光刻机则需要由钌和铍（Ru/Be） 制成的反射镜。 更为关键的是，俄罗斯研发的EUV光刻机还面临着生产效率低下的问题。虽然曝光的图片显示，其第三阶段推出的EUV光刻机的生产效率可达每小时超过100片晶圆，但是这只有ASML EUV光刻机的一半。
26610编辑于 2026-03-20- 来自专栏芯智讯
ASML CEO：High-NA EUV将于2024年出货，每台价格至少3亿欧元！
11月15日消息，综合韩联社、koreatimes报道显示，全球光刻机龙头大厂ASML首席执行官温宁克（Peter Wennink）于今日在韩国首尔召开的一场新闻发布会上表示，ASML新一代的High-NA EUV光刻机将于2024年开始发货，每台设备的价格将在3亿至3.5亿欧元之间。 众所周知，目前ASML是全球最大的光刻机供应商，同时也是唯一的EUV光刻机的供应商。 相比目前的0.33数值孔径的EUV光刻机，High-NA EUV光刻机将数值孔径提升到0.55，可以进一步提升分辨率（根据瑞利公式，NA越大，分辨率越高），从0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到 而ASML新一代的高数值孔径 High-NA EUV光刻机也就成为了争夺的关键。
37020编辑于 2022-11-22 - 来自专栏芯智讯
可绕过EUV量产5nm！佳能CEO：纳米压印设备无法卖到中国！
11月6日消息，据彭博社报道，佳能公司正计划将其新的基于“纳米压印”技术的芯片制造设备的价格定为ASML的EUV光刻机的1/10。 尖端制程严重依赖EUV光刻机 总部位于荷兰的ASML是目前全球最大的光刻机厂商，同时也是全球唯一的极紫外光刻设备供应商。EUV光刻机是目前世界上最先进的芯片制造设备，每台成本高达数亿美元。 目前7nm以下的先进制程芯片的大规模生产主要都是依赖于ASML的EUV光刻机，但只有少数现金充裕的公司才有能力投资购买这些EUV光刻机。 即便如此，EUV光刻机仍因为其在尖端芯片制造供应链中的关键地位而一直受到出口管制审查。多年前，美国就有向其盟友——荷兰施压，要求其限制EUV设备出口到中国。 该技术可以不使用EUV光刻机，就能使制程技术推进到5nm。
46230编辑于 2023-11-09 台积电A14制程仍不会采用High NA EUV光刻机
目前的标准型EUV光刻机，仍可以支持台积电尖端制程的生产到2026年以后，台积电尖端制程A16也将会继续采用标准型EUV光刻机来进行生产。 EUV光刻机。 张晓强表示，“人们似乎对于台积电何时使用 High NA EUV光刻机很感兴趣，我认为我们的答案非常简单。每当我们看到 High NA EUV将提供有意义、可衡量的好处时，我们就会这样做。 因此，台积电至少在 2030 年之前，甚至可能更晚，都没有计划使用 High NA EUV 光刻机进行大规模生产。 相比之下，英特尔将在 2027 年至 2028 年开始使用High NA EUV光刻机来制造其Intel 14A制程，主要是可以提升精度、减少EUV曝光次数和工艺步骤的数量。
11710编辑于 2026-03-19斥资80亿美元，SK海力士拿下约30台EUV光刻机！
该交易已作为正式披露文件提交给韩国监管机构，使成为近年来ASML客户公开的最大一笔EUV光刻机采购订单。 根据预计，SK海力士采购的这些EUV光刻机将主要用于先进DRAM芯片和HBM芯片的生产。 当前，一台标准型EUV光刻机的价格约为2-3亿美元。如果按照单台2.5亿美元的价格估算，79.7亿美元将可采购接近32台。 不过，伯恩斯坦公司的分析师戴维·道则预计，SK海力士的这份订单将使得其在两年内新增约30台EUV光刻机。这略高于其之前预测的SK海力士两年内将采购26台EUV光刻机的数量。 业界普遍认为，SK海力士此次大手笔采购EUV光刻机，主要是为了扩大与AI相关的先进内存芯片（比如HBM）产能，以满足AI激增的需求。 如果SK海力士能够更早地锁定更多数量的EUV光刻机，也将能够提升其未来在先进AI内存领域的竞争力。
12810编辑于 2026-04-10ASML业绩预警，股价暴跌8.33%！
ASML在该季度还交付了首台第二代 High NA EUV 光刻机TWINSCAN EXE:5200B。 从预定金额来看，ASML第二季度的新增订单金额从 39.36 亿欧元增长至 55.41 亿欧元，其中23亿欧元为EUV光刻机订单。 67台光刻机当中，包括11台EUV光刻机、31台ArFi光刻机、4台ArFdry光刻机、16台KrF光刻机、14台I-line光刻机，以及第一台第二代High NA EUV光刻机 TWINSCAN EXE 从终端应用来看，二季度ASML净系统销售额有69%是来自逻辑制程，环比增加11个百分点，存储制程占比则降至了31%。 2025年的全年就几个业务板块来看，戴厚杰指出： 1、EUV部分：EUV在先进制程的发展中愈发重要，越来越多的客户转向使用EUV光刻机。
21210编辑于 2026-03-19- 来自专栏芯智讯
ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150%，可打印8nm线宽
5月30日消息，光刻机大厂ASML在imec（比利时微电子研究中心）的ITF World 2024会议上宣布，其首款High-NA EUV光刻机已创下新的晶圆制造速度记录，超过了两个月前创下的记录。 就发展路线来说，ASML的标准EUV光刻机可以打印13.5nm的线宽，而新的High-NA EUV光刻机则是可以通过打印8nm线宽来创建更小的晶体管。ASML现在已经证明其设备可以满足其基本规格。 因此，ASML对High NA EUV光刻机的发展充满信心，预计未来将能够在突破其极限。 而除了ASML自己在进行High NA EUV光刻机的测试之外，目前唯一安装完成High NA EUV光刻机的英特尔，也在美国俄勒冈州的D1X工厂投入测试工作。 Martin van den Brink指出，ASML已经可以开发更新一代的Hyper-NA EUV光刻机了，以进一步扩展其High-NA EUV光刻机的潜在路线图。 编辑：芯智讯-浪客剑
36510编辑于 2024-06-07 ASML EUV光刻之路还能走多远？
High NA EUV光刻机进行量产。 EUV光刻机的规模商用。 EUV光刻机。 EUV光刻机市场的唯一供应商。 （其实早在2016年11月5日，AMSL就收购了卡尔蔡司半导体制造技术公司（Carl Zeiss SMT）的24.9%股权，以强化双方在半导体微影技术方面的合作，研发High NA EUV光刻系统。）
26210编辑于 2026-03-19- 来自专栏芯智讯
1台EUV光刻机1年耗电超1000万度！2025年台积电将消耗全台12%电力
光刻机巨头ASML最先进极紫外（EUV）光刻机，每台预估耗电1MW（megawatt，百万瓦），约为前几代设备的10 倍，加上制造先进制程芯片还没有其他替代设备，因此半导体产业蓬勃发展，恐严重影响全球减碳进度 当中就曾指出，而EUV光刻机之所以耗电，主要是由于“EUV 的能源转换效率（wall plug efficiency）只有 0.02% 左右。而造成转换率低的一大原因是，极紫外光本身的损耗过大。 换句话来说，就是一台输出功率250W的EUV光刻机工作一天，将会消耗3万千瓦时，也就是说，一年的耗电量就超过1000万千瓦时。 · 报道称，台积电目前拥有80 台EUV 设备，且正在安装新一代的EUV设备。照此估算，台积电一年，仅这80台EUV光刻机的耗电量将高达8亿千瓦时。 资料显示，今明两年，台积电将在台湾岛内兴建11座晶圆厂，其中大部分为生产3nm及2nm先进制程的晶圆厂。由于这些尖端制程晶圆厂必须用到EUV光刻机，因为耗电量将会进一步大幅增长。
73640编辑于 2022-08-31 第二代High-NA EUV加持，传Intel 14A拿下英伟达和AMD大单
值得注意的是，近日英特尔宣布其尖端制程晶圆厂已安装了ASML的第二代High-NA EUV光刻机TWINSCAN EXE:5200B，这也是目前全球最先进的光刻设备，将用于Intel 14A 节点制程的量产上 早在2023年底，ASML 向英特尔交货了首套High-NA EUV 光刻机，型号为TWINSCAN EXE:5000。 ASML 第二代High-NA EUV光刻机TWINSCAN EXE:5200B 在标准条件下，产量可达到每小时175片晶圆。但英特尔计划做进一步调整，提升至每小时200片晶圆以上。 显然，Intel 14A不论是尖端技术的采用、技术指标，还是生产效率的提升，都有望领先于才刚准备引入背面供电技术、并且依然采用标准EUV光刻机生产的台积电A16制程。 广发证券香港的分析显示，Intel 18A的良率已在今年 11 月达到 60-65%，并计划在 2025 年底前达到 70%。 编辑：芯智讯-浪客剑
18710编辑于 2026-03-19- 来自专栏芯智讯
ASML：将按计划在年底推出首款High NA EUV光刻机
目前，EUV光刻机可以支持芯片制造商将芯片制程推进到3nm制程左右，但是如果要继续推进到2nm制程甚至更小的尺寸，就需要更高数值孔径（NA）的High-NA光刻机。 相比目前的0.33数值孔径的EUV光刻机，High-NA EUV光刻机将数值孔径提升到0.55，可以进一步提升分辨率（根据瑞利公式，NA越大，分辨率越高），从0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到 而ASML新一代的高数值孔径 High-NA EUV光刻机也就成为了争夺的关键。 英特尔此前曾对外表示，其将率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。 根据英特尔的规划，其将在2024年率先量产Intel 20A和Intel 18A工艺，届时或将有部分利用High-NA EUV光刻机。 显然这个价格非常的高昂，达到了目前在售的EUV光刻机的2倍。但是对于正在先进制程领域激烈竞争的头部晶圆厂来说，他们将别无选择。 编辑：芯智讯-浪客剑
41910编辑于 2023-09-08 - 来自专栏芯智讯
ASML最新路线图曝光：2030年推出Hyper NA EUV！
High NA EUV（0.55NA）光刻机。 虽然，High NA EUV光刻机刚开始出货，但是ASML已经在加紧研发新一代的Hyper-NA EUV光刻机，为其寻找合适的解决方案。 相较之下，High NA EUV光刻机的数值孔径为0.55，标准EUV光刻机则是0.33。 High NA EUV光刻机（EXE：5200B），2028年前后会推出第三代的High NA EUV光刻机（EXE：5400），2030年前后将会推出更高速的第四代High NA EUV光刻机（EXE 从其他技术路线来看，虽然佳能推出了纳米压印技术，希望能够在某种程度上替代EUV光刻机，但是其生产率通常远低于High NA EUV光刻机。
50010编辑于 2024-06-18 - 来自专栏新智元
光刻机能进口了！全球最大制造商ASML回应，卖给中国DUV光刻机无需美国许可
高兴为时过早，DUV不是EUV，顶尖光刻机仍是问题 然而，两位高管都强调了DUV光刻机的出口，却没有提及更先进的EUV(极端紫外线)光刻机。 有网友对此消息表示：「DUV光刻机是二等品，自然不用受限。」 前不久，中芯国际曾向ASML购买了一台EUV光刻机，但却因为美国资本的阻挠，至今未收到货。 DUV光刻机与EUV光刻机什么区别？ EUV光刻机则是实现7nm的关键设备，如果中国大陆无法引入ASML的EUV光刻机，则意味着大陆将止步于7nm工艺。 目前中芯国际订购了一台EUV。 而更为重要的是，ASML是全球唯一一家能够量产EUV光刻机的厂商。 贵，而且稀有。 EUV光刻机的价格约为1.48亿欧元，折合人民币大概11.65亿元左右。 荷兰的公司，美国资本核心 荷兰ASML公司，其占据了全球大部分的EUV光刻机市场，基本上实现了EUV光刻机的垄断。 但既然是荷兰企业，怎么还受到美国的控制呢？
1.5K10发布于 2020-10-29 - 来自专栏新智元
全球最大光刻机厂CEO：拜登恐难缓解中美半导体紧张局势
中芯国际或与ASML进行新谈判，EUV仍是关键问题 就在今年10月份，ASML传出消息可以向中国进口光刻机。 然而，这家荷兰公司强调了DUV光刻机，而非更先进的EUV(极端紫外线)光刻机。 有网友对此消息表示：「DUV光刻机是二等品，自然不用受限。」 DUV光刻机与EUV光刻机什么区别？ 中低端与高端的区别。 EUV光刻机则是实现7nm的关键设备，如果中国大陆无法引入ASML的EUV光刻机，则意味着大陆将止步于7nm工艺。 目前中芯国际订购了一台EUV。 而更为重要的是，ASML是全球唯一一家能够量产EUV光刻机的厂商。 贵，而且稀有。 EUV光刻机的价格约为1.48亿欧元，折合人民币大概11.65亿元左右（价格仅参考）。 荷兰ASML公司，其占据了全球大部分的EUV光刻机市场，基本上实现了EUV光刻机的垄断。 能控制荷兰ASML出口，这背后的大股东究竟是谁？ 早在1980年代前，ASML飞利浦旗下的一家小公司。
78130发布于 2021-01-25 传英特尔追加ASML High NA EUV光刻机订单
9月25日消息，最新的传闻显示，英特尔近期向ASML追加了High NA EUV光刻机的订单，订购数量从原来的一台增加至两台，突显英特尔正在增加对于Intel 14A制程的资本支出。 同时预计2027年High NA EUV光刻机的出货量将由8台增加值10台，其中英特尔从1台增加到2台，SK海力士也从1台增加到2台。 众所周知，High NA EUV光刻机主要是面向埃米级制程的最先进的光刻机，可以实现极高的分辨率，但是其单台价格也高达3.7亿美元，只有台积电、英特尔、三星、SK海力士等少数大厂能够负担的起。 不过，台积电之前已经公开表态，其A16/A14将不会使用High NA EUV光刻机。相比之下，英特尔和三星则希望借助High NA EUV光刻机来加速自身尖端制程工艺上的突破。 而英特尔则已经明确表示，将会在Intel 14A制程当中，利用High NA EUV光刻机来量产。 目前英特尔已经对Intel 14A进行了重新设计，以使其面向代工客户的需求。
22810编辑于 2026-03-20- 来自专栏机器之心
英特尔、AMD等芯片断供，俄罗斯3万亿卢布芯片国产化战略曝光，2030年实现28nm
据Zelenograd报道，俄罗斯政府将投资 6.7 亿卢布（约合5100万元人民币）以促进对 X 射线光刻机的研究，并号称该款光刻机工艺可以达到EUV级别。 图源：https://www.asml.com/zh-cn/technology ASML 研发的光刻机是极紫外光（EUV），波长为13.5nm，而俄罗斯计划开发的光刻机X射线技术的波长介于 0.01 正因为有这两个特点，俄罗斯要研发的X射线光刻机优势很大，甚至被当地的媒体宣传为全球都没有的光刻机，ASML 也做不到。 不过，有消息人士指出，俄罗斯早年间就参与了EUV光刻技术的发展。 2010年，ASML生产第一台EUV光刻机时，俄罗斯一个物理研究所 IPM（RAS）也在开发EUV的系统及元件，以及装置原型的搭建。 X射线光刻研究有望于今年11月正式启动。到那时，俄罗斯应该已经提出了原型 X 射线光刻机的技术规范和可行性研究。
66640编辑于 2022-04-19 - 来自专栏芯智讯
俄罗斯自研光刻机最新进展：成本不到37万元！
研发的光刻机计划达到EUV级别，但技术原理完全不同，是基于同步加速器和/或等离子体源”的无掩模X射线光刻机。 目前，EUV光刻机全球只有ASML公司能够研发、生产，但它的技术限制也很多，俄罗斯计划开发全新的EUV光刻机，使用的将是X射线技术，不需要光掩模就能生产芯片。 光刻机的架构及技术很复杂，不过决定光刻机分辨率的主要因素就是三点，分别是常数K、光源波长及物镜的数值孔径，波长越短，分辨率就越高，现在的EUV光刻机使用的是极紫外光EUV，波长13.5nm，可以用于制造 此外，X射线光刻机相比现在的EUV光刻机还有一个优势，那就是不需要光掩模版，可以直写光刻，这也节省了一大笔费用。 该部将为这项工作支付11亿卢布。 据报道，这项工作被指定为“光解”代码。技术规范指出，其相关性是由于俄罗斯没有开发和生产类似材料。
72110编辑于 2023-10-10 - 来自专栏芯智讯
ASML公开展示High NA EUV光刻机：最快2026年大规模商用！
近日，全球光刻机大厂ASML首次在其荷兰总部向媒体公开展示了最新一代的High NA EUV光刻机，除了已经率先获得全球首台High NA EUV光刻机的英特尔之外，台积电和三星订购High NA EUV ASML上季收到的EUV设备订单也创下了历史新高。 英特尔在2023年12月已率先拿下了全球首台High NA EUV光刻机，并已经开始在英特尔俄勒冈州晶圆厂安装。 业界指出，由于High NA EUV光刻机价格是当前EUV光刻机的两倍，这也意味着设备成本将大幅增加，由于明年即将量产的2nm依然可以依赖于现有的EUV光刻机来完成，并且成本并不会大幅增加，这也是台积电 、三星不急于导入High NA EUV光刻机的关键。 事实上，进入7nm以下后，台积电就开始导入EUV光刻设备，原因在于光罩曝光层数大幅增加，在至少20层以上的重复曝光需求下，孔径重复对准的精准度要求越来越高，这也让EUV光刻机成为了必备设备，不仅可以提高良率
47410编辑于 2024-02-26
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