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英特尔Fab 52揭秘：已安装4台EUV光刻机，规划月产能4万片
Intel 18A 的复杂度与精细度，远远超过台积电亚利桑那州Fab 21 第一期N4 或 N5 制程。 即使与台积电 N4P 或 第二期工程的 N3 制程相比，Intel 18A 规格依然更具领先性。 已安装4台ASML EUV光刻机，未来整个园区将扩增至15台以上 对于一座先进制程晶圆厂的实力来说，往往取决于极紫外光（EUV）光刻设备。 △英特尔 Fab 52 晶圆厂内的ASML EUV光刻机 据了解，NXE:3800E 包括更快的晶圆传输系统、更高效的晶圆台以及更强大的光源。 但至少15 台EUV光刻设备这个数字，表示英特尔拥有极大的空间来进一步扩充其产能上限。 月产能4万片 生产规模方面，英特尔Fab 52 拥有强大的产能。
21110编辑于 2026-03-19- 来自专栏芯智讯
ASML公布扩产计划：EUV光刻机90台年，DUV光刻机600台年
11月11日消息，光刻机大厂ASML在其位于荷兰费尔德霍芬的总部召开了投资者日会议，同时也通过在线形式向投资者介绍了其对于未来公司前景的看法。 我们计划将年产能提高到90个EUV和600个深紫外系统（2025-2026年），同时将高NA EUV产能提高到20个系统（2027-2028年）。
35130编辑于 2022-11-22 SK海力士安装首款商用High NA EUV光刻机
9月3日，SK海力士公司宣布，该公司已经在韩国利川的M16制造工厂安装了首个商用High NA EUV（高数值孔径极紫外光刻）系统并投入量产。 High NA EUV系统用于微缩存储单元的先进工艺技术对于提高生产力和产品性能至关重要，可以增加晶圆上生产的芯片数量，并提高功率效率和性能。 自2021年首次在10nm制程（第四代）中引入EUV技术以来，SK海力士一直在扩大EUV在最先进DRAM生产中的应用范围。 此次组装的新一代技术系统性能超越现有EUV设备，是SK海力士为满足行业对极致微缩和高密度的需求而做出的努力之一。 TWINSCAN EXE:5200B 是 ASML High NA EUV 产品线的首款量产机型，与现有 EUV 系统相比，该机型可打印尺寸缩小 1.7 倍的晶体管，并实现晶体管密度提高 2.9 倍，NA
19310编辑于 2026-03-19俄罗斯光刻机路线图曝光：2036年底前完成EUV光刻机研发！
年前完成28nm分辨率的光刻机的研发，并最终在2036年底前完成可以生产10nm以下先进制程的全新极紫外线光（EUV）光刻机的研发。 其实，早在2024年12月，俄罗斯科学院微观结构物理研究所就已经公布由其主导研发的EUV光刻机计划，该EUV光刻机将采用波长为11.2nm的镭射光源，而非ASML 使用的标准13.5nm波长，目标是打造比 ASML 系统更经济的EUV光刻机。 比如，ASML EUV光刻机的反射镜采用的是硅与钼的镀膜反射镜，而11.2nm波长的EUV光刻机则需要由钌和铍（Ru/Be） 制成的反射镜。 更为关键的是，俄罗斯研发的EUV光刻机还面临着生产效率低下的问题。虽然曝光的图片显示，其第三阶段推出的EUV光刻机的生产效率可达每小时超过100片晶圆，但是这只有ASML EUV光刻机的一半。
26510编辑于 2026-03-20台积电A14制程仍不会采用High NA EUV光刻机
目前的标准型EUV光刻机，仍可以支持台积电尖端制程的生产到2026年以后，台积电尖端制程A16也将会继续采用标准型EUV光刻机来进行生产。 EUV光刻机。 张晓强表示，“人们似乎对于台积电何时使用 High NA EUV光刻机很感兴趣，我认为我们的答案非常简单。每当我们看到 High NA EUV将提供有意义、可衡量的好处时，我们就会这样做。 因此，台积电至少在 2030 年之前，甚至可能更晚，都没有计划使用 High NA EUV 光刻机进行大规模生产。 相比之下，英特尔将在 2027 年至 2028 年开始使用High NA EUV光刻机来制造其Intel 14A制程，主要是可以提升精度、减少EUV曝光次数和工艺步骤的数量。
11710编辑于 2026-03-19斥资80亿美元，SK海力士拿下约30台EUV光刻机！
该交易已作为正式披露文件提交给韩国监管机构，使成为近年来ASML客户公开的最大一笔EUV光刻机采购订单。 根据预计，SK海力士采购的这些EUV光刻机将主要用于先进DRAM芯片和HBM芯片的生产。 当前，一台标准型EUV光刻机的价格约为2-3亿美元。如果按照单台2.5亿美元的价格估算，79.7亿美元将可采购接近32台。 不过，伯恩斯坦公司的分析师戴维·道则预计，SK海力士的这份订单将使得其在两年内新增约30台EUV光刻机。这略高于其之前预测的SK海力士两年内将采购26台EUV光刻机的数量。 业界普遍认为，SK海力士此次大手笔采购EUV光刻机，主要是为了扩大与AI相关的先进内存芯片（比如HBM）产能，以满足AI激增的需求。 如果SK海力士能够更早地锁定更多数量的EUV光刻机，也将能够提升其未来在先进AI内存领域的竞争力。
12810编辑于 2026-04-10- 来自专栏芯智讯
ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150%，可打印8nm线宽
现阶段经过进一步调整，ASML已经可用其试验性质High-NA EUV光刻机打印生产8nm线宽，这是的新纪录，这打破了该公司在4月初当时创下的记录。 就发展路线来说，ASML的标准EUV光刻机可以打印13.5nm的线宽，而新的High-NA EUV光刻机则是可以通过打印8nm线宽来创建更小的晶体管。ASML现在已经证明其设备可以满足其基本规格。 因此，ASML对High NA EUV光刻机的发展充满信心，预计未来将能够在突破其极限。 而除了ASML自己在进行High NA EUV光刻机的测试之外，目前唯一安装完成High NA EUV光刻机的英特尔，也在美国俄勒冈州的D1X工厂投入测试工作。 Martin van den Brink指出，ASML已经可以开发更新一代的Hyper-NA EUV光刻机了，以进一步扩展其High-NA EUV光刻机的潜在路线图。 编辑：芯智讯-浪客剑
36510编辑于 2024-06-07 - 来自专栏芯智讯
ASML：将按计划在年底推出首款High NA EUV光刻机
目前，EUV光刻机可以支持芯片制造商将芯片制程推进到3nm制程左右，但是如果要继续推进到2nm制程甚至更小的尺寸，就需要更高数值孔径（NA）的High-NA光刻机。 相比目前的0.33数值孔径的EUV光刻机，High-NA EUV光刻机将数值孔径提升到0.55，可以进一步提升分辨率（根据瑞利公式，NA越大，分辨率越高），从0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到 而ASML新一代的高数值孔径 High-NA EUV光刻机也就成为了争夺的关键。 英特尔此前曾对外表示，其将率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。 2022年4月，ASML曾披露，其位于 Veldhoven 的新洁净室中已经开始集成第一个High-NA EUV光刻系统（EXE:5000）。 2022年第一季度收到了多个EXE:5200系统（量产版High-NA EUV光刻系统）的订单，2022年4月还收到了额外的EXE:5200 订单。
41910编辑于 2023-09-08 - 来自专栏芯智讯
ASML最新路线图曝光：2030年推出Hyper NA EUV！
High NA EUV（0.55NA）光刻机。 虽然，High NA EUV光刻机刚开始出货，但是ASML已经在加紧研发新一代的Hyper-NA EUV光刻机，为其寻找合适的解决方案。 High NA EUV（EXE：5200）光刻机打印生产8nm线宽，这是的新纪录，这打破了该公司在4月初当时创下的记录（10nm线宽），而且还具有一定程度的重叠覆盖。 相较之下，High NA EUV光刻机的数值孔径为0.55，标准EUV光刻机则是0.33。 High NA EUV光刻机（EXE：5200B），2028年前后会推出第三代的High NA EUV光刻机（EXE：5400），2030年前后将会推出更高速的第四代High NA EUV光刻机（EXE
50010编辑于 2024-06-18 - 来自专栏芯智讯
首台商用High NA EUV光刻机完成组装，将助力Intel 14A工艺开发
当地时间4月18日，英特尔公司宣布在俄勒冈州希尔斯伯勒的研发基地达成了先进半导体制造领域的一个重要里程碑，完成了业界首个商用High NA（高数值孔径）极紫外（EUV）光刻机的组装。 ASML还制定了到 2025 年推出的第二代High NA EUV光刻机将产能提高到每小时 220 片晶圆的路线图，确保将High NA EUV光刻机集成到芯片工厂对于芯片制造商来说在经济性上至关重要。 这也使得英特尔被台积电、三星等率先使用EUV光刻机的厂商持续超越。 从时间点上来看，从英特尔拿到首台High NA EUV光刻机，到现在的组装完成，仅用了4个月不到，足见英特尔对于尽快学习并运用High NA EUV光刻机的迫切程度。 这也意味着High NA EUV光刻机将会被应用于Intel 14A的量产。
52210编辑于 2024-04-25 - 来自专栏新智元
全球最大光刻机厂CEO：拜登恐难缓解中美半导体紧张局势
中芯国际或与ASML进行新谈判，EUV仍是关键问题 就在今年10月份，ASML传出消息可以向中国进口光刻机。 然而，这家荷兰公司强调了DUV光刻机，而非更先进的EUV(极端紫外线)光刻机。 有网友对此消息表示：「DUV光刻机是二等品，自然不用受限。」 DUV光刻机与EUV光刻机什么区别？ 中低端与高端的区别。 EUV光刻机则是实现7nm的关键设备，如果中国大陆无法引入ASML的EUV光刻机，则意味着大陆将止步于7nm工艺。 目前中芯国际订购了一台EUV。 而更为重要的是，ASML是全球唯一一家能够量产EUV光刻机的厂商。 贵，而且稀有。 EUV光刻机的价格约为1.48亿欧元，折合人民币大概11.65亿元左右（价格仅参考）。 据悉，中芯国际7nm技术研发已经完成，今年4月就可以风险量产，5nm、3nm最关键、最艰巨的8大项技术也已有序展开，只等EUV光刻机到来。
78130发布于 2021-01-25 - 来自专栏芯智讯
Hyper NA光刻机有望2030年商用！
继不久前对外公开展示了面向2nm以下尖端制程制造的High NA EUV光刻机之后，近日，AMSL在其2023年度报告当中还披露了其未来更为先进的Hyper-NA EUV技术的进展，并预计Hyper-NA EUV光刻机可能将会在2030年之际开始商用，为未来更尖端的芯片生产技术提供助力。 ASML目前的EUV工具的数值孔径（NA）为0.33，可实现13.5nm左右的分辨率，透过单次曝光，可以产生26nm的最小金属间距和25-30nm尖端到尖端的近似互连空间间距，这些尺寸足以满足4/5nm 当时ASML担忧的是Hyper NA技术的制造成本增长速度和目前High-NA EUV技术一样，那么高昂的成本将会使得Hyper NA光刻机在经济层面几乎不可行。 根据资料显示，ASML标准数值孔径的EUV光刻机（NXE系列）目前售价约为1.83亿美元，而High NA EUV光刻机（EXE:5000）的售价约为3.8亿美元，增长了一倍多，如果Hyper NA光刻机成本也将继续增长一倍
35110编辑于 2024-02-26 - 来自专栏芯智讯
摩根大通：为应对客户砍单，台积电将关闭4台EUV光刻机！台积电回应：例行维护与升级！
而计划明年继续涨价的台积电，目前的先进制程的产能利用率也出现了下滑，甚至开始计划关闭EUV光刻机来减少产能。 上周，产业链的消息人士@手机晶片达人 就爆料称，由于台积电先进制程产能利用率开始下滑，且评估之后下滑时间会持续一段周期，因此，台积电计划从今年年底开始，将关闭部分EUV光刻机，以节省EUV光刻机的巨大的耗电支出 随后网上就有一些网友表示，台积电为了省电费要关闭EUV光刻机了。事实上这是不可能的。 芯智讯之前就曾多次报道过，一台EUV光刻机工作一天大概需要耗电3万度。 不过，即便如此，对于台积电来说，关闭EUV光刻机也并不能省下多少费用。要知道台积2021年实际用电量就已接近170亿度。 摩根大通在最新发布的报告中指出，台积电面临联发科、AMD、高通、英伟达等四大先进制程客户砍单，计划关闭4台极紫外光（EUV）光刻机以减少产出，届时月产能将锐减1.5万片，明年获利恐衰退8%，是三年来首度面临获利下滑
33220编辑于 2022-09-07 - 来自专栏新智元
光刻机能进口了！全球最大制造商ASML回应，卖给中国DUV光刻机无需美国许可
高兴为时过早，DUV不是EUV，顶尖光刻机仍是问题 然而，两位高管都强调了DUV光刻机的出口，却没有提及更先进的EUV(极端紫外线)光刻机。 有网友对此消息表示：「DUV光刻机是二等品，自然不用受限。」 前不久，中芯国际曾向ASML购买了一台EUV光刻机，但却因为美国资本的阻挠，至今未收到货。 DUV光刻机与EUV光刻机什么区别？ EUV光刻机则是实现7nm的关键设备，如果中国大陆无法引入ASML的EUV光刻机，则意味着大陆将止步于7nm工艺。 目前中芯国际订购了一台EUV。 而更为重要的是，ASML是全球唯一一家能够量产EUV光刻机的厂商。 贵，而且稀有。 EUV光刻机的价格约为1.48亿欧元，折合人民币大概11.65亿元左右。 荷兰的公司，美国资本核心 荷兰ASML公司，其占据了全球大部分的EUV光刻机市场，基本上实现了EUV光刻机的垄断。 但既然是荷兰企业，怎么还受到美国的控制呢？
1.5K10发布于 2020-10-29 台积电持续提升EUV光刻效率，6年晶圆产量增加了30倍
9月19日消息，据Tom's hardware报道，台积电作为全球最大的先进制程晶圆代工厂，不仅拥有着全球最先进的制程工艺，也拥有着数量最多的ASML EUV光刻机。 自2019年第二代7nm技术量产之时，台积电就率先引入了ASML EUV光刻机进行量产，随后台积电持续控制着全球超过42%~56%的EUV光刻机装机量，经过多年的积累，台积电目前已经累积了约200多台EUV 设备业者指出，EUV光刻机相较传统的深紫外（DUV）光刻机，光罩及保护膜等都须进一步调整，保护膜一直是半导体制程中防止尘粒污染的关键保护机制。 台积电希望以自身研发与生产能力，全面提升EUV先进制程良率，创造最低成本、最高效益的制程和产品。 数据显示，台积电EUV光罩保护膜寿命增加了4倍，单片晶圆生产效率提升了4.5倍，瑕疵品大幅降低。 熟悉半导体制程技术人士认为，相较于竞争对手仍高度依赖ASML的EUV光刻机和EUV光罩保护膜推进先进制程技术，台积电自制EUV光罩保护膜，可将现有EUV制程再优化，拉升了生产良率与扩大产能，在成本结构上取得优势
20110编辑于 2026-03-19ASML EUV光刻之路还能走多远？
虽然近期台积电高管表示，台积电接下来的A16/A14制程都不会采用ASML售价高达4亿美元的High NA EUV光刻机（具有0.5数值孔径），但是英特尔则已经决定在其下一代的Intel 14A制程上选择采用 High NA EUV光刻机进行量产。 EUV光刻机的规模商用。 EUV光刻机。 所以， Benschop 才会说，预计到下个世纪中叶，晶体管之间的间距才有可能进一步缩小到 1/4 nm 的水平。
26210编辑于 2026-03-19- 来自专栏芯智讯
可绕过EUV量产5nm！佳能CEO：纳米压印设备无法卖到中国！
11月6日消息，据彭博社报道，佳能公司正计划将其新的基于“纳米压印”技术的芯片制造设备的价格定为ASML的EUV光刻机的1/10。 尖端制程严重依赖EUV光刻机 总部位于荷兰的ASML是目前全球最大的光刻机厂商，同时也是全球唯一的极紫外光刻设备供应商。EUV光刻机是目前世界上最先进的芯片制造设备，每台成本高达数亿美元。 目前7nm以下的先进制程芯片的大规模生产主要都是依赖于ASML的EUV光刻机，但只有少数现金充裕的公司才有能力投资购买这些EUV光刻机。 即便如此，EUV光刻机仍因为其在尖端芯片制造供应链中的关键地位而一直受到出口管制审查。多年前，美国就有向其盟友——荷兰施压，要求其限制EUV设备出口到中国。 该技术可以不使用EUV光刻机，就能使制程技术推进到5nm。
46230编辑于 2023-11-09 传英特尔追加ASML High NA EUV光刻机订单
9月25日消息，最新的传闻显示，英特尔近期向ASML追加了High NA EUV光刻机的订单，订购数量从原来的一台增加至两台，突显英特尔正在增加对于Intel 14A制程的资本支出。 同时预计2027年High NA EUV光刻机的出货量将由8台增加值10台，其中英特尔从1台增加到2台，SK海力士也从1台增加到2台。 众所周知，High NA EUV光刻机主要是面向埃米级制程的最先进的光刻机，可以实现极高的分辨率，但是其单台价格也高达3.7亿美元，只有台积电、英特尔、三星、SK海力士等少数大厂能够负担的起。 不过，台积电之前已经公开表态，其A16/A14将不会使用High NA EUV光刻机。相比之下，英特尔和三星则希望借助High NA EUV光刻机来加速自身尖端制程工艺上的突破。 而英特尔则已经明确表示，将会在Intel 14A制程当中，利用High NA EUV光刻机来量产。 目前英特尔已经对Intel 14A进行了重新设计，以使其面向代工客户的需求。
22810编辑于 2026-03-20- 来自专栏芯智讯
ASML CEO：High-NA EUV将于2024年出货，每台价格至少3亿欧元！
EUV光刻机将于2024年开始发货，每台设备的价格将在3亿至3.5亿欧元之间。 众所周知，目前ASML是全球最大的光刻机供应商，同时也是唯一的EUV光刻机的供应商。 相比目前的0.33数值孔径的EUV光刻机，High-NA EUV光刻机将数值孔径提升到0.55，可以进一步提升分辨率（根据瑞利公式，NA越大，分辨率越高），从0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到 而根据ASML今年4月披露的信息显示，目前ASML在位于 Veldhoven 的新洁净室中已经开始集成第一个High-NA EUV光刻系统（EXE:5000）。 今年第一季度收到了多个EXE:5200系统（量产版High-NA EUV光刻系统）的订单，今年4月还收到了额外的EXE:5200 订单。
37020编辑于 2022-11-22 英特尔前CEO出任xLight董事长，推动FEL-EUV光源2028年商用！成本可降低3倍！
4月13日消息，英特尔前CEO帕特·基辛格近日在LinkedIn平台上发布博文称，其已经加入了 xLight 担任执行董事长。xLight官网上个月也公布了这一消息。 目前光刻机巨头ASML的EUV光刻机所采用的是EUV光源系统，正是基于被称为激光等离子体EUV光源（LPP），其原理是通过30kW功率的二氧化碳激光器轰击以每秒50000滴的速度从喷嘴内喷出的锡金属液滴 系统及运营成本可降低3倍 根据此日本筑波的高能加速器研究组织（KEK）的研究人员公布的基于EUV-FEL光源的研究论文显示，EUV-FEL光源的建设和运行成本粗略估计为10kW EUV功率4亿美元和每年 帕特·基辛格声称，xLight 的技术可以提供当前EUV光源4倍的功率（1000W），可以将每片晶圆的光刻成本降低约 50%，并且单个 xLight 的EUV-FEL光源系统可以支持多达 20 台 ASML 需要注意的是，xLight 的目标并不是取代 ASML 的 EUV 光刻工具，而是推出一个可以兼容ASML EUV光刻机的EUV-LPP光源系统，实现“到 2028 年将连接到 ASML 光刻机并制造晶圆
16310编辑于 2026-03-19
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