科学家研制2D金属芯片:让储存速度提高100倍
科学家正在努力,希望开发出下一代数据存储材料,以提高现有存储速度。
据英国《自然·物理学》杂志近日发表的一项研究,一个美国联合研究团队利用层状二碲化钨制成了二维(2D)金属芯片,其厚度仅三个原子,其可代替硅芯片存储数据,且比硅芯片更密集、更小、更快,也更节能,同时储存速度提高了 100 倍之多。
研究人员对二碲化钨薄层结构施加微小电流,使其奇数层相对于偶数层发生稳定的偏移,并利用奇偶层的排列来存储二进制数据。数据写入后,他们再通过一种称为贝利曲率的量子特性,在不干扰排列的情况下读取数据。
与现有...