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一个曾经出现在我脑海中的问题--建造一个更大的“meta”门需要多少个NAND门？您的任务是构建一个黑匣子电路，该电路采用两条输入线( A和B )，并返回一条满足A NAND B的输出线，但有以下限制：
在此结构中，必须至少使用两个NAND门(除了NAND之外，不要使用门)。
浏览 0修改于2014-01-28得票数 5
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在这个平台上的问题是，我们只有一个NAND闪存来做这件事，我们希望在同一块中附加不同的消息，而不必在用新消息更新它之前擦除整个块！
浏览 0修改于2011-03-09得票数 1
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我想转换成NAND和NOT门仅在Verilog以下。我在Verilog试了以下几种方法：但是，在令牌~中，我在~C中得到了一个语法错误。
浏览 6修改于2014-10-06得票数 0
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对于NAND芯片，我有一个基本的疑问，我们正在尝试基于DM365的定制板，所使用的NAND来自微米MT29F8G08ABABA。但在u引导术语中，他们使用扇区大小作为NAND设备。因为当我使用命令从u-boot命令行中，我得到了nand大小，如下所示这个扇区大小是块大小NAND读/写在u
浏览 4提问于2013-12-24得票数 2
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我有一个整数表，我想要选择所有这些，如果转换为二进制，没有同时设置1位和2位。例如，在具有列名下降值的表中，具有值.我会得到4，12和20作为第一选择的结果，我将得到18对于第二选择。foreach($db->query('SELECT id, lineid, decvalue, dateupdated FROM trialtable WHERE decvalue 1!&2 ORDER BY id ASC') as $r
浏览 3修改于2014-01-22得票数 0
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Nand块是在写了X(10-100 k)之后“设计为失败的”。然后，他们被标记为破碎。
问:写周期被认为是一个信号电子写，还是一个完整的擦除，然后写？
浏览 5提问于2014-06-21得票数 2
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最近，我一直在研究用于NAND闪存的Hamming、R-S和BCH ECC方案的基础知识。
根据源(在页面底部)，对于BCH，您可能有512B或1024B的扇区大小。奇偶校验位的数量取决于扇区大小。或者这是由NAND供应商制定的、您必须遵守的东西？
浏览 7修改于2021-05-05得票数 1
结构的最终输出应该是：~xy~z + ~x~yz + x~y~z + xyzy XOR z = y~z + ~yz = NAND[NAND(y,NAND(z,z)),NAND(z,NAND(y,y))]NAND(y,NAND(z,z)) = NOT(y * NOT(z*z)) = NOT(y) + z，我称之为g1和
NAND(z,NAND(y,y))所以现在我有了一个只有NAN
浏览 0提问于2018-03-11得票数 0
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因为我想重新排列我的nand分区。有人能告诉我怎么做吗？6: root 0x03c00000 0x00400000 0
active partition: nand0,0- (
浏览 2提问于2011-12-21得票数 12
我有一个2-1多路复用器，我正在尝试只使用NAND、XNOR和OR门(不一定是所有的门)来编写z = s'd0 + sd1。我试着简化它，最终得到的是z = NAND(NAND(s', d0), NAND(s, d1))，但我不能使用NOT (')，所以有没有一种方法可以不使用NOT来编写NAND(s', d0)
浏览 5修改于2019-12-29得票数 0
我已经使用以下步骤在我的板上闪现nand从u引导。
#mmc改为${loadaddr} 0x8000x1800
#nand擦除偏移大小
我想在内核中执行同样的步骤，您能指导我如何将数据从sdcard复制到内核中的RAM (查找u-boot "mmc读“的备
浏览 3修改于2016-03-29得票数 0
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这一次，我有NAND Gate和NOR Gate，在这两个测试中，我只有一个测试失败。在NAND中，假设输入信号是0X，(LOW and UNKNOWN SIGNAL)，输出应该是1，但我得到的是X。Table NAND for reference.1 1 0 0
//in NANDwhen the inputs are 0X or 0
浏览 0修改于2015-04-11得票数 0
现在是否有人对大型NAND闪存芯片的写访问了如指掌？写入的最小粒度是多少？我这里有一个微控制器闪存，它需要至少1到最多4个字(即16位字)一次馈送到写状态机。
浏览 1修改于2010-09-09得票数 2
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我的问题是，当我试图构建电路时，NAND门只需要2个输入。那我怎么把它分成三份呢？如果它是一个AND门，我将只使用2，等式将是：但是，这不适用于我的NAND，因为
~((a NAND b) NAND c) != (abc)
浏览 17修改于2016-03-18得票数 3
我在研究闪存(Nand)的可靠性问题。我们知道，如果块被损坏，它称之为“坏块”。但我有些问题让我很困惑。期待你的帮助。1.我们是否也可以称该单元为“坏单元”，包括在该坏块内？
浏览 2提问于2016-04-29得票数 0
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我目前正在Nand2Tetris上的Project 7中工作，当VM仿真程序加载.asm文件时，我将面临以下错误：
SimpleAdd.asm: in line 1: unknown instruction
浏览 7提问于2021-12-23得票数 2
当然，在U中使用nand读取实用程序时：NAND read: device 0 offset 0x2560000, size 0x1000U-Boot> nand read 0x20000000 0x2561000 0x1000 4096 bytes read
浏览 8提问于2019-09-24得票数 2
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