- 综合排序
- 最热优先
- 最新优先
- 来自专栏刘旷专栏
巨头混战SiC市场
作为此次领投基本半导体的主角，闻泰科技也通过这次融资，拿到了汽车功率器件当红产品SiC的入场券。而从整个国内SiC市场的情况来看，参与角逐SiC领域的巨头，远不止有闻泰科技一家。 SiC凭什么站上风口 半导体材料那么多，SiC凭什么能够站上风口呢？要回答这一点，还需要从SiC本身的特性来说。 ，所以SiC的频率可以做得更高。 根据Yole数据显示，Cree、英飞凌、罗姆约占据了90%的SiC市场份额，Cree是SiC衬底主要供应商，罗姆、意法半导体等则拥有自己的SiC生产线等，其中Cree占据了一半以上的碳化硅晶片市场，这种垄断优势使其在产业上游的话语权非常之大 据三菱电机（知名SiC厂商）研究发现，SiC的功率损耗较IGBT下降了87%。结合功率半导体在整车中的能量损耗占比数据可以得出，仅仅是将IGBT替换为SiC，就可提高整车续航里程10%左右。
43900发布于 2021-01-17 - 来自专栏芯智讯
爱仕特与汉磊集团达成SiC领域多项合作，将共同开发8英寸SiC MOS技术
双方在以下方面达成重要合作，基于双方2022年已签署的LTA协议，汉磊将重点考虑满足爱仕特的代工产能需求；为1700V和3300V SiC MOS的量产准备；共同合作开发SiC MOS trench工艺技术 ；共同合作开发SiC MOS 8英寸工艺技术。 爱仕特方面，展示了公司自主研发并生产的全SiC MOS模块，全部采用汉磊代工生产的1200V 17毫欧SiC MOS芯片，也是国内率先上车使用的自主研发的SiC MOS芯片。 产品涵盖电压650V-3300V、电流5A-150A的SiC MOS芯片，高功率低耗损的SiC MOS模块，以及基于SiC MOS模块的整机应用系统方案，各项性能指标达到国际水平，提供各类规格参数的SiC 目前，爱仕特采用6英寸技术已量产20余款 650V-3300V 全系列 SiC MOSFET 产品，并建立起车规级的 SiC MOS 模块工厂。
61110编辑于 2023-03-24 - 来自专栏全栈程序员必看
matlab aic sic,请教ADF检验时AIC准则和SIC准则不一致时怎么办？
SIC最小准则下的检验结果如下，显示不能拒绝原假设，即数据有单位根。 Hypothesis: LAUS has a unit root Exogenous: Constant, Linear Trend Lag Length: 2 (Automatic based on SIC
78920编辑于 2022-08-25 SiC芯片和LED芯片，哪个行业的前景更好
SiC和LED芯片都属于三五族化合物半导体芯片，很多做LED的企业现在也在做SiC，SiC芯片的应用主要也是被汽车电子、新能源光伏逆变器、数据中心等行业带起来了。 而LED芯片这几年确实一直起不来，前几年mirco-LED在电视和AR眼镜等领域是有一定的热度， SiC芯片利润高，附加值也较大，市场规模正以年均20%以上的速度增长。 中国作为全球最大的新能源汽车市场，SiC芯片需求增长尤为突出，2025年国内SiC功率器件市场规模预计达80亿元，2030年有望突破500亿元（CAGR≈40%）。 SiC可以做各种工艺的功率期间，如上。 长期：SiC芯片的成长性和附加值更高，尤其在汽车和能源领域将迎来爆发。
12310编辑于 2026-03-18- 来自专栏芯智讯
昭和电工8英寸SiC外延晶圆开始样品出货
9月8日消息，日本半导体材料大厂昭和电工（Showa Denko KK）昨日宣布，其碳化硅（SiC）功率半导体的8英寸（200mm）SiC 外延晶圆（Epitaxial Wafer）已开始进行样品出货 ，成为日本首家送样8英寸SiC外延晶圆的厂商。 据介绍，昭和电工出样的8英寸SiC外延晶圆采用的是昭和电工自制的SiC单晶晶圆。 昭和电工指出，和原先使用硅晶圆的功率半导体相比，SiC功率半导体的电力损耗更少、更不易发热，来自电动车（EV）、再生能源领域的需求急增，而SiC外延晶圆则是决定SiC功率半导体性能的关键材料。 目前SiC功率半导体主要使用6英寸（150mm）SiC外延晶圆进行生产，而随着SiC磊晶晶圆大尺寸化、每片晶圆所能获取的晶片数将变多，有助于提高生产效率、降低成本。
39410编辑于 2022-09-14 - 来自专栏芯智讯
DISCO推出新型SiC晶圆切割设备，速度提升10倍！
近日，日本半导体设备大厂Disco公司成功开发出了一款新型SiC晶圆切割设备DFG8541，可以加工最大尺寸为8英寸的硅和SiC晶圆，并将SiC晶圆的切割速度提升至原来的10倍，极大地提高了生产效率。 由于SiC晶圆的硬度极高，加工难度较大，这一技术突破对于推动SiC功率半导体的规模化生产具有重要意义。 △DFG8541可以加工最大尺寸为8英寸的硅和SiC晶圆 为了满足半导体市场对小于8英寸晶圆的研磨需求，DISCO一直在提供全自动研磨机DFG8540。 但自DFG8540首次发布以来已经过去了20年，客户的加工对象已经从硅扩展到包括SiC在内的化合物半导体。 通过选择高扭矩主轴，可以支持SiC等高刚性难以加工的材料，从而应对由于全球脱碳运动而不断增长的SiC功率半导体制造需求。
63910编辑于 2024-01-12 - 来自专栏芯智讯
晶盛机电宣布成功研发出8英寸N型SiC晶体
8月15日消息，近日，晶盛机电通过官方微信公众号宣布，经过晶体实验室研发团队半年多的技术攻关，8月12日，首颗8英寸（200mm）N型SiC（碳化硅）晶体成功出炉，晶盛第三代半导体材料SiC研发自此迈入 据介绍，此次研发成功的8英寸碳化硅晶体，晶坯厚度25mm，直径214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶体研发上取得的重大突破。 不过，需要指出的是，目前碳化硅器件的生产线大都还是6英寸的产线，因此SiC晶圆升级到8英寸，还需要对制造设备和整体支持生态系统进行升级更换。
42810编辑于 2022-08-17 - 来自专栏芯智讯
昕感首发1200V7mΩ SiC MOSFET芯片！
相对于传统的硅基MOSFET来说，SiC MOSFET得益于SiC材料的加持，具有更低的导通电阻、更低的开关损耗、更高的击穿电场强度和高温稳定性，可以使电机驱动系统具有更高的效率、更高的功率密度，并且拥有更长的使用寿命 而更高效的1200V SiC MOSFET正是电动汽车800V高压平台必不可少的关键器件。 对于SiC MOSFET来说，导通电阻是一项重要的性能指标，反映了器件在导通状态下的损耗和效率。 在1200V的工作电压下，SiC MOSFET通常具备更低的导通电阻，可以实现更高的功率密度和更低的能量损耗。 虽然目前一些国际大厂的SiC MOSFET的导通电阻可以控制在1200V/3mΩ以下，但是国产SiC MOSFET厂商由于起步相对较晚，目前导通电阻水平多数都还是在1200V/10mΩ以上。 显然，昕感科技的1200V/7mΩ SiC MOSFET芯片已经达到了业界领先的水平。
43910编辑于 2023-12-29 中芯国际：将配合国际客户“China for China”需求建GaN、SiC产能
此外，中芯国际CEO赵海军还在业绩会上透露，未来还会根据一些国际客户“China for China”的需求，配合建立SiC、GaN等第三代半导体产能。 未来还会根据一些国际客户“China for China”的需求，配合建立SiC、GaN等第三代半导体产能。
25910编辑于 2026-03-20- 来自专栏镁客网
ST与罗姆旗下SiCrystal签署协议，确保150mm SiC晶片产能
随着新能源汽车的大规模商用和5G时代的来临，市场对碳化硅（SiC）功率器件需求日益增长。 策划&撰写：Lynn 伴随着电动汽车和5G的普及，碳化硅（SiC）材料的需求也在日益增长。 1月16日，意法半导体与罗姆集团旗下的SiCrystal公司签署一了份碳化硅（SiC）晶圆长期供应协议，协议规定， SiCrystal将向意法半导体提供总价超过1.2亿美元的先进的150mm碳化硅晶片， 对于这次合作，罗姆子公司SiCrystal总裁兼首席执行官Robert Eckstein博士表示，“ SiCrystal是ROHM集团旗下的SiC公司，拥有多年的SiC晶圆研制经验。 意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery则透露了接下来的规划，“该SiC衬底长期供应协议是在我们已经拿到的外部产能以及正在逐步扩大的内部产能之外的另一项产能保证，这将确保意法半导体能够增加晶圆供给量并补充内部产能缺口 不得不说，随着新能源汽车的大规模商用和5G时代的来临，产品市场对碳化硅（SiC）材料的需求已经开始呈现了前所未有的增长趋势。
62640发布于 2020-02-14 - 来自专栏芯智讯
SiC需求旺盛，安森美已拿下30亿美元长期供货协议！业绩超预期！
尽管二季度的整体销售额相比去年同期仅增长了不到几百万美元，但是安森美表示，其第二季度来自碳化硅（SiC）零部件的收入相比去年同期增长了4倍。 显然，安森美预测的第三季营收优于市场预期，主要是得益于碳化硅（SiC）需求强劲，汽车业强烈的需求有望抵销半导体产业的疲软市况。 今年5月，安森美曾表示，考虑投资超过20亿美元扩充碳化硅产能。
35120编辑于 2023-08-09 - 来自专栏芯智讯
意法半导体发布五款新一代SiC MOSFET功率模组
12月19日消息，意法半导体（ST）今日宣布，再度扩展碳化硅（SiC）产品线，推出了五款新一代SiC MOSFET 功率模组，其涵盖多种不同额定功率，且支持电动汽车电驱系统的常用运作电压。
41560编辑于 2023-02-09 - 来自专栏集成电路IC测试座案例合计
国产车载通信测试方案：车规级CAN SIC芯片测试技术解析
本文结合国产CAN SIC芯片的封装设计、芯片测试座方案与标准，探讨其在车载通信中的应用与国产化突破路径。 一、CAN SIC芯片的核心价值与技术特性 1. 2.关键场景示例 ADAS域控：需实时传输摄像头与雷达数据，CAN SIC支持8Mbps速率，确保低延迟（<1ms）与高可靠性。 电动汽车三电系统：在高压环境下（如±42V总线故障保护），CAN SIC芯片通过增强EMC性能（±8kV ESD防护）保障通信安全。 2.智能化芯片烧录座与功能验证 多协议兼容：支持CAN FD与SIC协议栈，烧录速率达10Gbps，CRC校验良率>99.99%。 国产车规级CAN SIC芯片通过振铃抑制、宽温域可靠性与高集成封装，正在打破国际厂商垄断。鸿怡电子SIC芯片测试座等测试座厂商的智能化方案，为国产芯片提供了从设计到量产的完整验证能力。
94410编辑于 2025-04-23 - 来自专栏芯智讯
理想自研芯片曝光：智能驾驶AI芯片即将流片，还有SiC功率芯片！
11月21日消息，据业内消息，国产新能源汽车厂商理想目前正在国内研发用于智能驾驶场景的 AI 推理芯片，同时还在新加坡组建芯片研发团队，研发驱动电机控制器的 SiC（碳化硅）功率芯片。 目前，在职场应用 LinkedIn 上，已经可以看到理想近期发布的五个新加坡招聘岗位，包括：总经理、SiC 功率模块故障分析 / 物理分析专家、SiC 功率模块设计专家、SiC 功率模块工艺专家和 SiC
65130编辑于 2023-11-22 半导体功率器件SiC与GaN的特点、应用与IC测试座的选配
一、SiC与GaN功率器件的核心特点：突破传统硅器件的性能瓶颈相较于传统硅（Si）功率器件，碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）凭借宽禁带半导体特性，在耐高温、耐高压、高频化、低损耗等维度实现跨越式提升， 成为新能源、5G等领域的核心器件，两者核心参数对比如下：特性参数传统硅（Si）碳化硅（SiC）氮化镓（GaN）核心优势体现禁带宽度（eV）1.123.263.40耐更高温度（SiC/GaN可耐175℃+ ，Si仅125℃）击穿场强（MV/cm）~0.3~3.0~3.3耐更高电压（SiC支持1200V+，GaN支持650V+）热导率（W/m・K）~150~490~130（异质结）SiC散热快，适合高功率密度场景开关速度中等快 SiC（为主）、GaN主逆变器、OBC（车载充电机）、DC-DC转换器耐150℃高温、1200V高压、抗振动高温可靠性、功率循环稳定性光伏/储能SiC（为主）逆变器、变流器耐175℃高温、3300V高压 四、德诺嘉电子功率器件测试座：适配SiC/GaN测试的关键解决方案德诺嘉电子针对SiC与GaN的测试需求，通过材料创新、结构优化及性能强化，打造“高适配、高稳定、高精准”的测试座产品，其关键应用优势体现在
58210编辑于 2025-11-10- 来自专栏芯片工艺技术
什么是半导体功率器件
碳化硅与碳化硅 ( SiC ) 功率器件 高频低压用 Si-IGBT,高频高压用 SiC MOS,电压功率不大但是高频则用 GaN。 ABB公司正在研制高功率、高电压的SiC整流器和其他SiC低频功率器件，用于工业和电力系统。 目前局限 SIC 用途的原因是成本太高，产品参数也不稳定。 目前 SIC 芯片成本是IGBT 的 4-5 倍，但业界预计 SiC 成本三年内可以下降到 2 倍左右。目前有使用 SiC MOS的车型是特斯拉的 Model 3。 因此，目前来看，SiC 产业链被国外高度垄断，未来 2-3 年当 SiC 成本由目前是 Si 基 4-5 倍下降至 2 倍，并且国内 SIC 上下游产业链也更加成熟、打破国外垄断时，预 计 SIC 才会在国内开始提升渗透率 ，并且 SiC 只是一种基材，未来随着 SiC 技术的逐渐成熟，也会有 SiC IGBT 相关产品。
2.4K11编辑于 2022-06-08 传台积电广发“英雄帖”，拟以12英碳化硅解决载板散热问题
其中，3D IC 封装的SiC应用有两个可能方向，首先是散热载板，将以“导电型 SiC”优先测试; 下一阶段则可能在硅中介层（Silicon Interposer）导入半绝缘型 SiC。 从材料特性来看，SiC的热导率（K值）仅次于钻石。 供应链人士透露，6英寸SiC晶圆目前仍是主流、8英寸是未来扩产方向，而台积电要求的12英寸SiC若是作为中介层使用，对结构瑕疵的要求不像传统SiC那样严格，但中介层的关键在于切割技术，如果切割技术不佳， 目前只知道 SiC 对台积电来说可作为散热材料。 业界人士认为，SiC的应用会因不同的封装技术而有所不同，未来可能会有多条发展路线，目前也有一个方向是尝试将SiC应用在PCB上，但目前看最明确的应用仍与AI相关。 编辑：芯智讯-林子
13110编辑于 2026-03-19- 来自专栏芯智讯
三菱电机宣布在日本新建8吋SiC晶圆厂
日本三菱电机（Mitsubishi Electric）于14日宣布，因来自电动汽车（EV）的需求旺盛，将投资约1000亿日元（约合人民币51.3亿元）在熊本县菊池市的现有工厂厂区内兴建新厂房，该新厂将导入8吋SiC 日媒指出，藉由上述增产投资，2026年度时，三菱电机SiC晶圆产能将扩增至2022年度的约5倍水准。 根据法国调查公司Yole指出，2021年三菱电机SiC功率半导体全球市占率排第6，在日本厂商中，仅次于位居第四位的Rohm。
40210编辑于 2023-03-24 - 来自专栏芯智讯
三星电子正在开发8英寸SiC功率半导体，已投资1000～2000亿韩元
报道称，三星电子在今年年初成立了“功率半导体”任务小组（TF），进军 SiC/GaN 功率半导体市场。 值得注意的是，与GaN已经普及8英寸晶圆不同，SiC目前仍以4英寸和6英寸晶圆为主，8英寸晶圆还没有达到商业化。 最早2024-2025年，Wolfspeed、Twosix、SK Siltron等大厂正式定下8英寸SiC晶圆量产的目标。 因此，业界认为，考虑到进入实际SiC市场的时机，三星电子正在尝试从8英寸而不是6英寸开始开发工艺。 三星电子表示，（SiC功率半导体）相关业务仍处于研究阶段，尚未决定是否将其具体商业化。 编辑：芯智讯-林子
28220编辑于 2023-04-11 - 来自专栏芯智讯
揭秘碳化硅芯片的设计和制造
•有效控制了漏电流，提高了SiC器件的可靠性和稳定性； •减小了电场集中效应，提高了SiC器件的击穿电压，SiC MOSFET的击穿电压和具体的每一个开关单元有关，同时和耐压环也有很大的关系。 SiC JTE（结延伸区）是用于改善硅碳化物（SiC）功率器件电压阻断能力的结构。SiC JTE的设计对于实现所需的击穿电压并避免因器件边缘处高电场而导致的过早击穿至关重要。 Active Cell 开关单元 – SiC MOSFET的核心 开关单元是SiC MOSFET中一个非常重要的部分。 SiC MOSFET的设计和制造有一个概念。 安森美在SiC 功率器件的设计和制造领域拥有十多年的经验，我们的SiC MOSFET产品经过几代的迭代发展，无论是性能还是品质和可靠性都已经稳定和具有竞争力，非常 欢迎选择和使用我们的SiC MOSFET
67520编辑于 2023-04-11
腾讯云开发者
Copyright © 2013 - 2026 Tencent Cloud. All Rights Reserved. 腾讯云 版权所有
深圳市腾讯计算机系统有限公司 ICP备案/许可证号：粤B2-20090059 
粤公网安备44030502008569号
腾讯云计算（北京）有限责任公司 京ICP证150476号 | 京ICP备11018762号