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The 50 Ohm Impedance: Where It Came From and Why We Use It
So where did the 50 Ohm impedance standard come from and why is it important? If you’re ready for a history lesson the 50 Ohm impedance value, then keep reading. History of Coaxial Cables and the 50 Ohm Impedance The history of 50 Ohm impedance goes back to the late What About 75 Ohm Impedance? cable, 50/75 Ohm port, or another component with 50/75 Ohm input impedance.
55510编辑于 2022-05-16 - 来自专栏6G
为什么是 50 欧姆 ？
那为什么是50Ohm，不是40Ohm，60Ohm或者100Ohm？ 难道50Ohm真的与众不同吗？ 下面我们一起来了解下。 最终发现在保证TEM 模式传输时的电缆： 最低损耗时特性阻抗在77 Ohm； 最高功率容量的特性阻抗为 30 Ohm。 实际上据传，50Ohm是上面 3 个值之间做出的一个折中选择。它既接近77Ohm和30Ohm之间的平均值，也接近60欧姆，这使得它成为一个相对理想的选择。 此外，对于某些介电填充电缆，损耗最小的阻抗恰好在50Ohm左右，这为选择50Ohm提供了另一个自然的理由。 不过，除了50Ohm阻抗，75Ohm阻抗也是一个常见的标准。 这些参数是根据某个参考阻抗定义的，通常选择50Ohm或75Ohm，因为这些值与高速/射频系统中的介质相匹配。通过考虑所需的终端阻抗，我们可以更好地理解S参数测量，并在设计中实现目标。
1.2K10编辑于 2024-05-28 - 来自专栏小鹏的专栏
将mat格式中加标签的数据分为：训练集、验证集、测试集
; X_Ohm1=TempMontData1; label_Ohm1=TempMontLabel1; save Ohm_data_C1 X_Ohm1 label_Ohm1; %clear X_Ohm label_Ohm ; %load Ohm_data; X_Ohm2=TempMontData2; label_Ohm2=TempMontLabel2; save Ohm_data_C2 X_Ohm2 label_Ohm2 ; %clear X_Ohm label_Ohm; %load Ohm_data; X_Ohm3=TempMontData3; label_Ohm3=TempMontLabel3; save Ohm_data_C3 ; X_Ohm1=TempMontData1; label_Ohm1=TempMontLabel1; save Ohm_data_C1 X_Ohm1 label_Ohm1; %clear X_Ohm label_Ohm X_Ohm3 label_Ohm3; %clear X_Ohm label_Ohm;
1.4K20编辑于 2022-05-09 - 来自专栏全栈程序员必看
关于balun的一些仿真和思考[通俗易懂]
1、错误的初始设计，电路图如下： IC端的差分输入端口是一个相对较高的阻抗（对于射频50ohm系统而言），balun嘛，就是一个阻抗变换的元件，那么如果差分端的阻抗是400ohm，对于1:1的balun 而言，那么从单端看入的阻抗也是400ohm咯，为了使Term1端口匹配（在实际中，Term1就是我们的测试端口），就简单粗暴的在单端并接了50ohm到地。 在射频系统/电路中，1:1的balun，就是从50ohm变到50ohm，其变化仅仅由差分变为单端，1:2的balun，就是从100ohm变到50ohm，差分转单端。 在差分端并接50ohm，对于1:1的balun确实强行使term1 处S参数变得很好，但在IC的差分端发生了严重的反射，因为ZOUT=25ohm，而ZL=400ohm，计算得： 是不是与仿真结果的 2、在balun的使用中，一定要让balun的端口处于端接50ohm的状态，如果不是，加匹配使之变到50ohm。 7、后记之答疑 因为写这篇文章的时间很早，后来博主又学习了一下关于巴伦的知识。
3.7K20编辑于 2022-11-18 - 来自专栏李家杂货铺zi
Cadence 16.6 Allegro中如何设置多层板的每一层的差分信号的线宽和线间距以保证100Ω阻抗？
线宽Width=5.10mil，差分线内间距Spacing=8.5mil，Top层相邻的介质层的厚度为3.85mil，介质层的介电常数=4.5，Cross Section计算出的差分阻抗为88.622ohm 就是一般说的线宽）设置为5.1mil，线宽W2设置为（W1-0.5mil）=4.6mil，差分线内间距S1设置为8.5mil，Top层厚度T1设置为2.1mil，Si9000计算出的差分阻抗为99.07ohm ，因此相对于Allegro的计算结果88.622ohm，Si9000的计算结果要偏大一些。 ，因此相对于Allegro的计算结果93.677ohm，Si9000的计算结果要偏大一些。 Min Line Width设置为5.1mil（Top层）和4.00mil（内部走线层），将100ohm差分线的Primary Gap设置为8.5mil（Top层）和8.00mil（内部走线层）。
3K10编辑于 2023-03-21 - 来自专栏全栈程序员必看
贴片电阻0805,1206是什么意思_贴片电阻识别及型号
譬如：3ohm用3R0表示，10ohm用100表示，100ohm用101表示，也就是说“R”表示点“.”的意思，而101后面个位数的“1”表示的是带有1个0，例如102表示1000。 2、电阻上的数字和字母表示的就是阻值，R002就表示0.002ohm，180表示的就是18ohm. 3、怎样区分贴片的电阻与电容，由于电阻上面有白色的字体表示，所以除端角外背景颜色应该是黑色的，而电容上就没有字体表示
5.2K20编辑于 2022-09-24 - 来自专栏linux驱动个人学习
SMBus与I2C的差别
电流限制 既然对电流有限制，那麼也可容易地推断对提升电阻的阻值之范围要求，I2C在5V Vdd时当大於1.6k ohm，在3V Vdd时当大於1k ohm，类似的SMBus於5V Vdd时当大於14k ohm，3V Vdd时当大於8.5k ohm，不过这个定义并非牢不可破，就一般实务而言，在SMBus上也可用2.4k~3.9k ohm范畴的阻值。
2.1K20发布于 2018-07-04 - 来自专栏全栈程序员必看
贴片电阻封装与功率对照表_贴片电阻能承受多大电流
譬如：3ohm用3R0表示，10ohm用100表示，100ohm用101表示，也就是说“R”表示点“。”的意思，而101后面个位数的“1”表示的是带有1个0，例如102表示10000。 2、电阻上的数字和字母表示的就是阻值，R002就表示0.002ohm，180表示的就是18ohm. 3、怎样区分贴片的电阻与电容，由于电阻上面有白色的字体表示，所以除端角外背景颜色应该是黑色的，而电容上就没有字体表示
35.2K11编辑于 2022-09-27 - 来自专栏云深之无迹
为什么高位ADC对参考源要求极高？（通俗版）
import matplotlib.pyplot as plt def compute_snr_enob_for_ref( ref_psd_uv_per_sqrtHz=0.1, r_ohm 计算 REF+RC 滤波器组合下的总噪声、SNR 和 ENOB 参数： - ref_psd_uv_per_sqrtHz: 参考源噪声密度（单位 µV/√Hz） - r_ohm =f"ADC BW = {adc_bw_hz/1e3:.0f} kHz", ) plt.axvline( 1 / (2 * np.pi * r_ohm import matplotlib.pyplot as plt def compute_snr_enob_for_ref( ref_psd_uv_per_sqrtHz=0.1, r_ohm =f"ADC BW = {adc_bw_hz/1e3:.0f} kHz", ) plt.axvline( 1 / (2 * np.pi * r_ohm
36000编辑于 2025-06-08 - 来自专栏全志嵌入式那些事
全志V85X系列芯片PCB设计需要注意些什么?
必须遵守 17 走线阻抗50 +/-10% ohm。参考平面完整。保持2W间距。 必须遵守 SD CARD 18 CLK做包地处理，如果不能包地则保持3W间距。 必须遵守 21 走线阻抗50 +/-10% ohm。参考平面完整。保持2W间距。 必须遵守 CSI 22 PCLK的对地电容靠近主控，串联电阻靠近模组。 必须遵守 33 MIPI-DSI阻抗要求：单端50ohm，差分100ohm。 必须遵守 34 MIPI-DSI差分对内长度差10mil内，差分对之间的长度差160mil内。 建议 44 USB-DM/USB-DP信号差分走线，差分阻抗为90ohm，保证走线参考层不跨分割。 必须遵守 55 走线阻抗50 +/-10% ohm。参考平面完整。保持2W间距。 必须遵守 56 两层板时，D0-D3两两包地，CLK单线包地，线间距4mil。
66210编辑于 2024-02-02 - 来自专栏linux驱动个人学习
全速USB和高速USB的识别过程分析
因为此时高速设备的1.5k上拉电阻还未撤销，在hub端，全速/低速驱动器形成一个阻抗为45欧姆(Ohm)的终端电阻，2电阻并联后仍是45欧姆左右的阻抗，所以在hub端看到一个约800mV的电压（45欧姆 400mV就是由17.78mA*22.5Ohm得来。以后高速操作的信号幅值就是400mV而不像全速/低速那样的3V。 其幅度是800mV（17.78mA * (45ohm ||1.5kohm) = 800mV，见上文解释）。在这里，Chirp K的持续时间是2.13ms（a，b两点之间）。 ? (17.78mA * (45Ohm ||45Ohm) = 17.78mA * 22.5Ohm = 400mV) ?
6.4K30发布于 2021-01-20 - 来自专栏工程师看海
3000字，示波器有源探头介绍！
单端有源探头的输入阻抗较高（一般达100Kohm以上），而输入电容较小（一般小于1pf)，通过探头放大器后连接到示波器，示波器必须使用50ohm输入阻抗。 差分探头的输入阻抗较高（一般达50Kohm以上），而输入电容较小（一般小于1pf)，通过差分探头放大器后连接到示波器，示波器必须使用50ohm输入阻抗。 探头附件的电路结构如下图所示： 1、在探头附件尖端部分会有一对阻尼电阻（一般82ohm），这对阻尼电阻的作用是消除探头附件尖端部分的电感的谐振影响； 2、探头尖端部分的后面是25Kohm的电阻，这个电阻决定了探头的输入阻抗 4、同轴传输线连接到放大器，放大器是50ohm匹配的（差分100ohm匹配）。 从探头附件结构中可见中间的50ohm传输线的长短不影响探测，所以可以用很长的同轴电缆或扩展同轴电缆，让这个同轴电缆伸进高低温箱里进行高低温换进下被测电路板的测试。
70730编辑于 2023-05-24 - 来自专栏AI电堂
示波器探头的作用及工作原理
电流探头 最常用的高阻无源探头和有源探头简单对比如下： 有源探头和无源探头对比 低阻电阻分压探头具备较低的电容负载（<1pf)，较高的带宽（>1.5GHz），较低的价格，但是电阻负载非常大，一般只有500ohm 单端有源探头的输入阻抗较高（一般达100Kohm以上），而输入电容较小（一般小于1pf)，通过探头放大器后连接到示波器，示波器必须使用50ohm输入阻抗。 差分探头的输入阻抗较高（一般达50Kohm以上），而输入电容较小（一般小于1pf)，通过差分探头放大器后连接到示波器，示波器必须使用50ohm 输入阻抗。 同轴传输线连接到放大器，放大器是50ohm匹配的（差分100ohm匹配）。 从探头附件结构中可见中间的50ohm传输线的长短不影响探测，所以可以用很长的同轴电缆或扩展同轴电缆，让这个同轴电缆伸进高低温箱里进行高低温换进下被测电路板的测试。
1.2K10编辑于 2022-12-08 - 来自专栏硬件大熊
一个恒流输出电源传导、辐射超标解决案例
手动读点，余量7.19db，验证N线后，无压力通过 辐射测试 步骤1：在不加磁珠FB1、不加环路电容、变压器不包铜皮的情况下，辐射数据严重超标； 步骤2：针对续流回路，增加磁珠FB1(100M 60ohm 留意高频开关部分（打“X”的黑线），发现高频走线过长，环路面积太大： 重新布局、Layout后： 再次测试辐射性能，在变压器不加铜皮、环路电容C9=2.2nf、磁珠FB1(100MHZ 60ohm
71810编辑于 2022-06-23 - 来自专栏硬件大熊
NFC之华为AIPASS认证：测试用例简介
该测试分别使用NFC Forum Listener1、3、6进行测试，使用82ohm负载 最大发射场强 发射场强过大可能导致近距离刷卡时因为信号饱和而导致刷卡失败，同时发射场强过大也会带来更高的功耗。 该测试分别使用 NFC Forum Listener1、3、6进行测试，使用82ohm负载 波形调制质量 NFC读写设备的发射信号调制质量直接影响刷卡效果，如果发射波形失真严重会直接导致刷卡失败。
1.2K20编辑于 2022-06-23 - 来自专栏量子位
最近有啥ML比赛能表现自己的优秀？CVPR2018图像压缩大赛
其中包括：谷歌的图像视频压缩专家Jim Bankoski和德国亚琛工业大学的Jens Ohm，WaveOne的CV+ML专家Oren Ripple，即将要离开康奈尔加盟谷歌的Ramin Zabih。 △ 谷歌图像视频压缩专家Jens Ohm 苏黎世联邦理工学院ETC Zürich为了加速这个领域的研究进展，给这次比赛提供了没有版权的高清图像数据库，数据集P（professional）和数据集M（mobile
1.1K70发布于 2018-03-22 - 来自专栏ElecDeveloper
射频&天线设计-连接器与线缆
阻抗：除了75ohm有线电视连接器外，其他RF连接器基本都是标准的50ohm阻抗。
1.3K40发布于 2021-08-19 - 来自专栏人生代码
「值得关注」什么是 DeFi 2.0？为下一个大趋势做好准备
“DeFi 2.0”这个关键词最近随着一些代币的大幅增长而出现，如 OHM、SPELL、... 那么什么是 DeFi 2.0？为什么 DeFi 2.0 是整个当前 DeFi 的可能替代品？ 从这些问题出发，许多项目开始开发合适的项目，例如 Olympus DAO (OHM) 或 Abracadabra (SPELL)，……它们正在慢慢成为下一波资本效率分支的催化剂。 Olympus DAO (OHM)：将 LP 代币换成债券的机制，减少农场和倾销情况的频率，并创造可持续的流动性。 OHM、SPELL 等项目的成功将被视为推动下一波市场浪潮的催化剂，并将用户的资本效率提升到一个新的水平。 顶级项目很有可能站稳脚跟，因为它们可以优化流动性来源并防止用户撤回资产的情况。
43920编辑于 2023-03-04 - 来自专栏模拟版图layout设计
版图Latch up DRC规则解读
IO PAD附近结构：当PAD通过一个电阻（R）连到内部时； a：如果R>=200ohm时，此时出现latch up风险低，此时将"RES200层"手动覆盖住电阻区域(RPDMY)，电阻后面的器件将被视为 ：Internal circuit部分； b：如果R<=50ohm时，此时出现latch up风险高，此时电阻后面的器件将被视为：OD injector部分； c：如果50ohm<R<200ohm时，此时依设计决定是否将电阻后的器件视为
3.7K36编辑于 2024-09-25 - 来自专栏硬件大熊
NFC芯片选型及基本电路框架
天线： 由R1电阻(通常是1ohm或0ohm)和印制PCB组成。 天线越大，读卡距离越远，当天线面积达到5cm x 5cm以后，再增大天线，读卡距离没有明显提升。
2.3K40编辑于 2022-06-23
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