NAND NOR FLASH闪存产品概述 随着国内对集成电路,特别是存储芯片的重视,前来咨询我们关于NOR Flash,NAND Flash,SD NAND, eMMC, Raw NAND的客户越来越多了 擦写寿命长;5,耐高低温冲击;6,容量适宜(128MB~4GB) 具体可以可以看链接:http://www.longsto.com/product/31.html 我们把存储产品大概分为E2PROM,NOR 二,NOR Flash 是目前应用领域最广泛的一种存储芯片了.基本上主流的电子产品里都有使用。甚至我们手机摄像头内部,屏幕驱动电路板上都会用到。主要用来存储代码和一些比较小的数据文件。 主流是SPI NOR接口; 主流容量:1Mbit~128Mbit; 封装:SOP-8居多,也有更小的;尺寸也都比较小。 NOR Flash架构决定了它的容量不能做大,而且读取速度比较慢。
擦写寿命长;5,耐高低温冲击;6,容量适宜(128MB~4GB) 具体可以可以看链接:http://www.longsto.com/product/31.html 我们把存储产品大概分为E2PROM,NOR 二,NOR Flash 是目前应用领域最广泛的一种存储芯片了.基本上主流的电子产品里都有使用。甚至我们手机摄像头内部,屏幕驱动电路板上都会用到。主要用来存储代码和一些比较小的数据文件。 主流是SPI NOR接口; 主流容量:1Mbit~128Mbit; 封装:SOP-8居多,也有更小的;尺寸也都比较小。 NOR Flash架构决定了它的容量不能做大,而且读取速度比较慢。 二,NOR Flash 是目前应用领域最广泛的一种存储芯片了.基本上主流的电子产品里都有使用。甚至我们手机摄像头内部,屏幕驱动电路板上都会用到。主要用来存储代码和一些比较小的数据文件。 主流是SPI NOR接口; 主流容量:1Mbit~128Mbit; 封装:SOP-8居多,也有更小的;尺寸也都比较小。 NOR Flash架构决定了它的容量不能做大,而且读取速度比较慢。
NAND FLASH,NAND为NOT AND(与非)之意,而NOR为NOT OR(或非)之意,该名称的命名是与两种FLAHS的架构有关的,如图所示: 两种Flash的架构对比 NAND FLASH 是把存储单元串行连在位线上,而 NOR FLASH 则是把存储单元并行的连到位线上。 所以 NOR 型的闪存存储器实现按位随机访问,而NAND 只能同时对多个存储单元同时访问。 对于 NOR FLASH,如果任意一个存储单元被相应的字线选中打开,那么对应的位线将变为 0,正是由于这种和 NOR 门电路相似的逻辑关系,使得这种结构的闪存被称为 NOR 型闪存,而 NAND FLASH 需要使一个位线上的所有存储单元都为 1,才能使得位线为 0,和 NAND 门电路相似的逻辑,故称之为NAND型闪存。
应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块,有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。 NOR闪存是随机存储介质,用于数据量较小的场合;NAND闪存是连续存储介质,适合存放大的数据。 由于NOR地址线和数据线分开,所以NOR芯片可以像SRAM一样连在数据线上。 为了方便管理,NAND的存储空间使用了块和页两级存储体系,也就是说闪存的存储空间是二维的,比如K9F5608UOA闪存块的大小为16K,每页的大小是512字节,每页还16字节空闲区用来存放错误校验码空间 NOR闪存的可靠性要高于NAND闪存,这主要是因为NOR型闪存的接口简单,数据操作少,位交换操作少,因此可靠性高,极少出现坏区块,因而一般用在对可靠性要求高的地方。 从使用角度来看,NOR闪存与NAND闪存是各有特点的:(1)NOR的存储密度低,所以存储一个字节的成本也较高,而NAND闪存的存储密度和存储容量均比较高; (2)NAND型闪存在擦、写文件(特别是连续的大文件
背景 支持一款nor flash时,出于性能考虑,一般会查看其nor支持的最高频率以及主控端spi控制器的最高频率,以选择一个合适的运行频率。 主控端的最高频率,可以查看主控的规格书,本文主要说下nor的频率限制。 让我们带着问题出发,假设我们的主控端最高spi clk为100M,那该怎么识别nor的限制,驱动又可以怎么处理? 如图是几款flash的规格书截图 winbond: w15q128 [px6hkpo4t3.png] mxic: mx15l128 [n0sc4ki6pj.png] gd: gd25q127 [zp18em9sjq.png 下面以mxic为例截图说明 比如对于READ命令,其频率限制是fR [3amksvgpnu.png] FAST READ命令,其频率限制是fC [x6wp53qx9g.png] DUAL READ,其频率限制是 [gkjnxhx6ly.png] [g26mw9cjci.png] 如果说READ还可以改用其他命令,那么READ ID对于兼容多款nor来说,基本是绕不过去的了。 怎么解决呢 ?
闪存物理结构 闪存器件原理 前文已经讲过了固态硬盘的发展史,曾经的固态硬盘有过RAM等介质,但是目前绝大多数固态硬盘都是以闪存芯片为存储介质的。DRAM固态硬盘我们见得少,主要应用于特殊的场合。 但由于DRAM掉电易失性,当然还有成本因素,现在的固态硬盘一般都不用DRAM,而是使用闪存作为存储介质,并且是NAND 闪存。固态硬盘的工作原理很多也都是基于闪存特性的。 比如,闪存在写之前必须先擦除,不能覆盖写,于是固态硬盘才需要垃圾回收(Garbage Collection,或者叫 Recycle);闪存每个块(Block)擦写次数达到一定值,这个块要么变成坏块,要么存储在上面的数据不可靠 还有类似很多例子,固态硬盘内部很多算法都是在为闪存服务的。所以,欲攻固态硬盘,闪存首当其冲。 闪存是一种非易失性存储器,也就是说,掉电了,数据也不会丢失。 下表所示是SLC,MLC和TLC在性能和寿命(Endurance)上的一个直观对比 (不同制程和不同厂家的闪存,参数不尽相同,数据仅供参考): 闪存类型 SLC MLC TLC 每单元比特数 1 2 3
它采用的,就是NOR Flash闪存。 1994年,闪迪公司第一个推出CF存储卡(Compact Flash)。当时,这种存储卡基于Nor Flash闪存技术,用于数码相机等产品。 很快,三星开始发售NAND闪存,闪迪推出了采用MLC串行NOR技术的第一张闪存卡。 1997年,手机开始配置闪存。从此,闪存继数码相机之后,又打开了一个巨大的消费级市场。 NOR Flash属于代码型闪存芯片,凭借NOR+PSRAM的XiP架构(XiP,Execute In Place,芯片内执行,即应用程序不必再把代码读到系统RAM中,而是可以直接在Flash闪存内运行 参考资料: 1、《半导体行业存储芯片研究框架-NOR深度报告》,方正证券; 2、《杂谈闪存二:NOR和NAND Flash》,老狼,知乎; 3、《存储技术发展历程》,谢长生; 4、《闪存技术的50多年发展史 ,存储在线; 5、《存储大厂又一次豪赌》,半导体行业观察; 6、《存储芯片行业研究报告》,国信证券; 7、《国产存储等待一场革命》,付斌,果壳; 8、《关于半导体存储,没有比这篇更全的了》,芯师爷; 9、
分类 NOR和NAND是市场上两种主要的非易失闪存技术。 在1984年,东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器(此处简称闪存)的概念。 後来,Intel发明的这类闪存被统称为NOR闪存。它结合EPROM和EEPROM两项技术,并拥有一个SRAM接口。 第二种闪存称为NAND闪存。 它由日立公司于1989年研制,并被认为是NOR闪存的理想替代者。NAND闪存的写周期比NOR闪存短90%,它的保存与删除处理的速度也相对较快。 可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。 耐用性 在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。 < Rise CS and MOSI for 80 clocks cycles */ for (i = 0; i <= 9; i++) { /*!
下主面要介绍下nor flash写保护,这个是可以在驱动层面做的。 nor写保护 写保护是nor提供的功能,即可以通过配置一些寄存器,将某些区域保护起来。 BP保护 大多数nor flash支持使用BP位来配置写保护,这种保护的特点是其保护的数据是成片的,一般是从flash头部开始的一片数据,或者从flash尾部开始的一片数据。 例如 winbond的这款flash就标注了 [dsqbmb9sln.png] [hulusse508.png] 从规格书可很容易看出,保护的范围是BP bit再结合其他的一些bit 一起决定的,可以保护 不同厂家的保护bit设置都不太一样,涉及到BP bit,SEC bit, CMP bit等,每适配一款新的nor,都得重新查下规格书才行。
try_module_get(ret->module)) ret = NULL; spin_unlock(&chip_drvs_lock); return ret; } 9.谁设置list_for_each 设置: 物理基地址(phys), 大小(size), 位宽(bankwidth), 虚拟基地址(virt) */ s3c_nor_map->name = "s3c_nor"; s3c_nor_map ->phys = 0; s3c_nor_map->size = 0x1000000; /* >= NOR的真正大小 */ s3c_nor_map->bankwidth = 2; s3c_nor_map ->virt = ioremap(s3c_nor_map->phys, s3c_nor_map->size); simple_map_init(s3c_nor_map); /* 3. */ add_mtd_partitions(s3c_nor_mtd, s3c_nor_parts, 2); return 0; } static void s3c_nor_exit(void
闪存介绍 由于 HTTP 协议是无状态的,所以 Laravel 提供了一种用于临时保存用户数据的方法 - 会话(Session),并附带支持多种会话后端驱动,可通过统一的 API 进行使用。 image.png 在控制器中定义闪存: session()->flash('success', '欢迎,您将在这里开启一段新的旅程~'); 之后我们可以使用 session()->get('success
Linux NOR 开发指南 1 简介 编写目的 此文档描述Sunxi NOR 模块的使用方法,为相关人员调试提供指导 适用范围 boot0: 适用于brandy-2.0 u-boot: 适用于 Framework:这层主要是处理不同厂家的NOR 物理特色差异,初始化SPINOR的工作状态,如工作线宽(1 线、2 线、4 线、8 线)、有效地址位(16M 以上的NOR 需要使用4 地址模式), 对应代码目录:drivers/mtd/spi-nor/spi-nor.c M25P80(generic SPI NOR controller driver):这层主要对SPI NOR Framework Flash NOR Flash 是一种非易失闪存技术,是Intel 在1988 年创建 MTD MTD(memory technology device 内存技术设备) 是用于访问memory 设备( //配置根据需求选择 All available flash: //flash类型,只区分nor和非nor方案,Android方案无此选项,默认非nor 0. default 1. nor Choice
Memory,同步动态随进存储器,同步是指 Memory工作需要同步时钟 9、DOC Disk On Chip 特点: 1) 32Pin DIP单芯片大容量FLASH存储器,容量8M~ NAND Flash和NOR Flash的比较 NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。 但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 相”flash存储器”经常可以与相”NOR存储器”互换使用。 许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。 NOR是现在市场上主要的非易失闪存技术。 NOR一般只用来存储少量的代码;NOR主要应用在代码存储介质中。
分类 NOR和NAND是市场上两种主要的非易失闪存技术。 在1984年,东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器(此处简称闪存)的概念。 后来的这种闪存被统称为NOR闪存。它结合EPROM和EEPROM两项技术,并拥有一个SRAM接口。 第二种闪存称为NAND闪存。它由日立公司于1989年研制,并被认为是NOR闪存的理想替代者。 NAND闪存的写周期比NOR闪存短90%,它的保存与删除处理的速度也相对较快。NAND的存储单元只有NOR的一半,在更小的存储空间中NAND获得了更好的性能。 3. 可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。 耐用性方面,NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。 易于使用方面,NOR的闪存可以像其他存储器那样直接连接并运行代码,而NAND需要复杂的I/O接口,使用NAND器件时,必须先写入驱动程序。 4.
最近研究了下nor flash的掉电问题,对nor的掉电有了更多的认识。总结分享如下 擦除从0变1,写入从1变0 nor flash的物理特性是,写入之前需要先进行擦除。 多次写入的例子 在uboot中就有一个利用nor这个特性的例子。当使用了冗余env功能时,flash上会维护两份env,我们记为envA和envB吧。 对此uboot支持几种策略,其中一种可适用于nor的策略FLAG_BOOLEAN,uboot会在env的头部结构中,使用了一个字节flags来表示其是否有效。 写入过程掉电 对于nor来说,一次写入可以连续写256 bytes,那如果在中途发生了掉电,再次上电后读出来的数据会是什么样的呢? 当写入一笔数据时,nor就是按顺序写入的,掉电后的数据特征为前面部分数据是正确数据,后面部分数据是0xFF。前后的交界点并未对齐到256 bytes。
固态硬盘的存储颗粒从目前来看主要分为SLC,MLC,TLC,QLC. 这四种存储颗粒的区别主要体现在那方面,以下我们就从价格,使用寿命,应用场合来划分.
上一篇文章[1]中,分享了关于低成本全闪存 NAS 的个人方案选择。 本篇文章,来聊聊硬件相关部分,以及软件的基础配置部分,也聊聊雷电组网的踩坑之旅。 在上一篇文章《廉价的全闪存雷电 NAS 折腾笔记:组网方案的选择[3]》中,我介绍了这台设备的优势,感兴趣可以自行翻阅。 必要的 BIOS 升级 如果你的设备硬件型号也是 NUC9i5QN、NUC9i7QN、NUC9i9QN 之一,可以在 Intel 下载中心,找到 NUC9 的 BIOS 升级程序,下载到今年 5 月 9 85%A8%E9%97%AA%E5%AD%98%E9%9B%B7%E7%94%B5%20NAS%20%E6%8A%98%E8%85%BE%E7%AC%94%E8%AE%B0%EF%BC%9A%E7%BB /content/www/us/en/ark/products/190104/intel-nuc-9-extreme-kit-nuc9i5qnx.html [3] 廉价的全闪存雷电 NAS 折腾笔记:组网方案的选择
之前有介绍过写保护,这里就不赘述了,可参考:https://www.cnblogs.com/zqb-all/p/12182920.html 但没有谈到开销,今天有同事问起,便记录一下 性能 不考虑写保护的nor 放两家flash的规格书截图供参考,请看其中的tw值: [5kuo3knds8.png] [pr0xd9ij08.png] ms级别的开销意味着,如果在每次写入之前解保护,写入之后恢复保护,会对写性能造成很大的影响
1.4.4 NOR FlashNOR Flash是一种快速、随机读写的闪存存储器,主要用于存储程序代码、固件等需要快速读取的数据。 NOR Flash采用类似于传统ROM的寻址方式,可以随机读写单独的存储单元,因此读取速度比NAND Flash快。 1.4.4.1 QSPI FlashQSPI Flash(Quad SPI Flash)是一种串行外部闪存,采用了NOR闪存作为其存储介质。 具体来说,QSPI Flash内部包含了一个控制器和一个或多个NOR闪存芯片,控制器通过SPI接口与主机之间进行通信。 1.4.4.2 其他NOR Flash存储器其他使用Nor Flash存储器技术的存储器包括Parallel NOR Flash、SPI NOR Flash和XIP Flash等。
上一篇文章中,分享了关于低成本全闪存 NAS 的个人方案选择。本篇文章,来聊聊硬件相关部分,以及软件的基础配置部分,也聊聊雷电组网的踩坑之旅。 在上一篇文章《廉价的全闪存雷电 NAS 折腾笔记:组网方案的选择》中,我介绍了这台设备的优势,感兴趣可以自行翻阅。 必要的 BIOS 升级如果你的设备硬件型号也是 NUC9i5QN、NUC9i7QN、NUC9i9QN 之一,可以在 Intel 下载中心,找到 NUC9 的 BIOS 升级程序,下载到今年 5 月 9 新版本的 ESXi 虽然挑设备,但其实对 NUC 9 还是蛮友好的。 内存的选择和使用NUC9 i7 和 i9 版本的内存频率可以支持到 3200,但是 i5 版本只能支持到 2666。