SYN3307型GNSS驯服晶振模块产品概述SYN3307型GNSS驯服晶振模块是由西安同步电子科技有限公司精心设计、自行研发生产的一款模块化高精度的时间频率标准产品,内装高精度授时型GNSS接收机和OCX0 恒温晶体振荡器,使用智能驯服锁相技术,在驯服晶振过程中不断计算学习恒温晶振的温度及老化等特性,在北斗GPS丢失后自动复现该驯服学习过程,对恒温晶振的温度特性和老化率等指标进行补偿,继续提供高可靠性的时间和频率基准信息输出 TOD输出信号10MHz(可选100MHz或其它频点)路数1路SMA 正弦幅度≥7dBm(典型值9dBm)频率准确度≤1E-12 (参考锁定24小时平均值)守时精度≤10us (参考失效24小时内)短稳≤5E 1PPS上升沿同步输出)配置通过串口配置任意频率串口TOD路数1路DB9 RS232C内容年月日时分秒等等信息环境特性工作温度0℃~+50℃相对湿度≤90%(40℃)存储温度-30℃~+70℃供电电源5V RS422/485电平输出选件01210MHz输出可选3.3V TTL方波输出或者其他电平选件013PCB板不需要外壳,提供内部PCB模块,尺寸76.2mm*95mm*25mm选件014内部时基高稳低相噪恒温晶振选件
在 5G 通信中,可校准晶体振荡器,确保基站间信号相位误差小于 1ns;在智能家居领域,能保障 Wi-Fi 6 模块中晶体元件的稳定性,使物联网设备时延降低 30%;在汽车电子中,通过高温与振动环境模拟测试 故障诊断:在电路调试或维修中,快速定位晶体故障(如晶体停振、频率偏移过大),区分是晶体本身问题还是外围电路问题。 负载谐振频率FL±5ppm+时基误差+0.5pF*频率牵引力 Ts串联谐振电阻Fr1Ω~1000Ω (2±10%*R KΩ)10kΩ~300kΩ (2±10%*R KΩ)负载电容CL1pF-50pF时基误差 ,功率小于15W机箱尺寸便携式机箱320mm(宽)x280(深)x140mm(高)选件说明选件号内容01贴片式100Ω π网络测试座02插件式1000kΩ表晶测试座03贴片式1000kΩ表晶测试座04插件式陶瓷晶振测试座 05贴片适配套件06校准件07SYN5305型晶振测试仪配套晶振测试工装
爱普生TG2016SMN是一款超小型温度补偿晶体振荡器(TCXO),封装尺寸为2.0×1.6×0.73mm,具备小体积、高精度、低功耗的核心特点,耐热性优良且符合工业级温度标准,同时适配多种电子设备的时钟需求,在无线通信、卫星导航、无人机等多个领域均有广泛应用。
目录 1、无源晶振 2、 有源晶振 3、有源晶振和无源晶振的区别 ---- 晶振从材质可以分为石英晶振和陶瓷晶振两大类,而从属性晶振可以分为无源晶振:crystal(晶体)和有源晶振:oscillator 石英晶振和陶瓷晶振从外观上非常有利于区分,毕竟也是两种完全不一样的材质。而无源晶振和有源晶振有时候让人傻傻分不清楚。 有源晶振应用电路 3、有源晶振和无源晶振的区别 1、有源晶振比较贵,但是有源晶振自身就能震动。 而无论是无源晶振,还是有源晶振,都有自身的优点和缺点所在,若考虑产品成本,建议可以选择无源晶振电路;若考虑产品性能,建议选择有源晶振电路,省时方便也能保证产品性能。 2、无源晶振最高精度为5ppm,而有源晶振的精度则可以达到0.1ppm。精度越高,频率稳定性也更好。
8038贴片陶瓷晶振规格为8.0×3.8mm,属于KHz频率范围的时钟晶体。其具备小型封装、高性能特点,耐热性优良且符合工业级温度标准,同时满足RoHS环保要求。 EPSON/爱普生的MC-306晶振就是一款8.0*3.8mm的32.768k无源晶振,四脚贴片晶振,工作温度-40℃至+85℃,具有小体积轻薄型,耐热性及耐环境特性特点,被广泛用于计时(时间基准),钟表电智能手机 MC-306晶振技术特性: 1.精准频率输出MC-306标准频率为32.768 kHz(典型值),覆盖32 kHz至120 kHz范围,频差精度达±20 PPM,年老化率仅±3 PPM,确保长期稳定性, MC-306晶振应用场景: 1.消费电子领域在手机、笔记本电脑、平板电脑中,为处理器及功能模块提供稳定时钟信号,保障通话、上网、系统启动等功能协调运行;在数码相机中,确保拍摄时间记录与图像处理的精准稳定 MC-306晶振推荐焊盘尺寸:
产品概述SYN5305型晶振测试仪是一款多功能晶振测试系统,该晶振测试仪采用7寸大触摸屏设计,频率测量分辨率最高可达12位/s,被测频率范围高达6GHz,负载电容在5P~20P范围内任意可调,主机内部时基标配高精度 OCXO恒温晶振,可选高稳晶振和铷钟。 该晶振测试仪集合有源和无源晶振测试,多种贴片和直插封装,1.8V/2.5V/3.3V/5V等多种晶振供电电压,涵盖大多数电子产品晶体测试,广泛应用于邮电、通信、广播电视、学校、研究所及工矿企业对于晶振的验证或筛选 DIP直插内部晶振供电1.8V/2.5V/3.3V/5V外部晶振供电其它直流电压0~50V工装工作电压DC12V内部时基输出频率10MHz恒温晶振(可选更高时基)开机特性≤1E-8频率准确度≤3E-8( 晶振测试工装可定制其它工装选件007负载谐振电阻1Ω-300Ω 1KΩ-300KΩ选件008晶振电流测量可测量不同晶振电流选件009无源探头200MHz无源探头选件010无源探头500MHz无源探头选件
在对相位噪声要求极高的应用领域,高精度晶振更是不可或缺。本篇文章我们将深度解析超低相位噪声晶振的工作原理与应用,着重探讨其在Hi-Fi音频系统中的作用,详细介绍封装形式及测试要求。 超低相位噪声晶振的定义与核心工作原理晶振,即晶体振荡器,是一种能提供高精度频率输出的装置,其工作原理基于石英晶体的压电效应。 超低相位噪声晶振在这方面的应用得到了广泛认可。 每一个晶振在出厂前都需要经过这一过程,以确保其达到我们的长期可靠性标准。 超低相位噪声晶振测试座(Socket)的重要作用在测试和验证超低相位噪声晶振时,测试座(Socket)的选用显得十分重要。 同时,其适配性良好的接触设计能减少晶振脚插入时的应力,保护晶振本身的焊接点免受物理损坏。这些细节上的考量都体现了对超低相位噪声晶振严苛测试环境的适应能力。
传统晶振的抗干扰能力不足,可能导致雷达目标跟踪误差扩大、导弹制导精度下降。 二、SYN3627L 解决方案:重新定义恒温晶振性能边界针对上述行业痛点,SYN3627L 型 100MHz 恒温晶振以 “精准核心、紧凑设计、全域适应”为理念,通过四大核心优势,为各领域提供定制化频率解决方案 抗振动与冲击:通过晶体支架加固、灌封工艺优化,晶振可承受 5g 振动(5-2000Hz)与 50g 冲击(11ms),满足航空、航海、车载等动态场景需求。 恒温槽优化:动态响应与功耗的平衡传统恒温晶振的恒温槽存在升温时间长、功耗高的缺点。 维护成本:≤0.1ppm / 年的老化率使校准周期延长至 5-10 年,较传统晶振(年老化 1ppm)减少 80% 的校准工作量。
在电子设备的 “心脏”—— 石英晶振的生产、研发与质量管控环节,石英晶振测试仪扮演着至关重要的角色。 在研发领域,工程师借助测试仪对晶振的各项参数进行精细测量与分析,为新型晶振的设计优化、性能提升提供数据支撑,推动石英晶振技术不断进步。 二、晶振测试仪器的关键功能与原理(一)频率测量频率是石英晶振最核心的参数,它决定了电子设备的时钟基准。石英晶振测试仪通过高精度的频率计来测量晶振输出信号的频率。 例如SYN5305型晶振测试仪支持无源晶振和有源晶振测试,包括大多数常用贴片和直插封装,多种晶振供电电压0.6V-28VDC连续可调,涵盖大多数电子产品晶体测试,广泛应用于邮电、通信、广播电视、学校、研究所及工矿企业对于晶振的验证或筛选 5、预算维度初始购置成本:根据企业的财务预算,在满足测试需求的前提下,对比不同品牌、型号测试仪的价格。
本文主要解决以下几个问题: 1)晶振选型有哪些考虑? 2)稳定度、准确度和长期稳定度的区别是什么? 3)晶振摆放在什么位置最好? 4)晶振的PCB布局&布线有哪些考虑? 5)晶振供电有哪些考虑? 7)高稳晶振能用风扇吹吗? 8)VCXO的控制电压和频率有什么关系? 目录 1. 晶振选型有哪些考虑? 晶振摆放在什么位置最好? 4. 晶振的PCB布局&布线有哪些考虑? 5. 晶振的PCB布线有哪些考虑? 6. OCXO的启动功率 (电流) 和稳定功率 (电流) 的关系? 7. 晶振供电有哪些考虑? 高稳晶振能用风扇吹吗? 9. VCXO的控制电压和频率有什么关系? ---- 1. 晶振选型有哪些考虑? 5. 晶振的PCB布线有哪些考虑? 1)晶振的输入信号和输出信号避免相邻平行,以免产生反射干扰。
SYN3627型恒温晶振典型应用a) 电力,电信,广电,5G,智能驾控,物联网,轨道交通,机场运营,智慧城市指挥管理;b) 北斗卫星通信,卫星授时,导航系统,雷达,电子对抗,海洋开发,石油勘探,地质勘探 SYN3627型恒温晶振OCXO是由西安同步电子科技有限公司自主研发生产的系列恒温晶体震荡器,采用SC切型石英晶体和专有的恒温槽设计,输出频率范围包括32.768kHz~200MHz,可选正弦和方波输出 该恒温晶振OCXO广泛用于通信基站、智能电网、测试及量测设备,以及雷达、制导等军事和宇航等领域。产品特点1) 小体积,高性价比;2) 低相噪、高稳定度;3) 高可靠性。 LVTTL/LVCMOS功率/电平≥5dBm(50Ω负载)H≥2.8V,L≤0.4V(15pF负载)谐波≤-40dBc杂散≤-65dBc频率准确度≤±0.01ppm(出厂校准,@25℃)≤±0.03ppm 分钟,@25℃)短期稳定度≤0.01ppb/s年老化≤±0.05ppm日老化率≤±0.5ppb(30天后)温度特性≤±0.01ppm(-30℃~+70℃相对于25℃)电压特性≤±2ppb(电源电压变化±5%
无源晶振并联一个1MΩ电阻电路图 问题描述: 在一些方案中,晶振并联1MΩ电阻时,程序运行正常,而在没有1MΩ电阻的情况下,程序运行有滞后及无法运行现象发生。 原因分析: 在无源晶振应用方案中,两个外接电容能够微调晶振产生的时钟频率。而并联1MΩ电阻可以帮助晶振起振。因此,当发生程序启动慢或不运行时,建议给晶振并联1MΩ的电阻。 简而言之,并联1M电阻增加了电路中的负性阻抗(-R),即提升了增益,缩短了晶振起振时间,达到了晶振起振更容易之目的。 换一种说法,假设电路中无任何的扰动信号,晶振不可能起振。 需要指出的是,在低温环境下振荡电路阻抗也会发生变化,当阻抗增加到一定程度时,晶振就会发生起振困难或不起振现象。 这时,我们也需要给晶振并联1MΩ电阻,建议为了增加振荡电路稳定性,给晶振同时串联一个100Ω的电阻,这样可以减少晶振的频率偏移程度。 注:并联电阻不能太小,串联电阻不能太大。
几乎所有使用MCU的产品,外围电路都离不开晶振电路设计,大多数电子设计人员从入门开始都会接触到晶振电路,但实际上,很少有人真正了解晶振电路是如何工作的,在晶振出现问题之前,多数人不会付出太多精力去关注振荡器电路设计是否合理 早在1988年, Eric Vittoz发表了晶振RLC动态等效电路的相关理论研究,基于前人的理论,反相器跨导gm必须大于gmcrit才能满足起振条件,为保证可靠性,还必须满足至少5倍的关系;即:gmargin ²,ESR、C0、CL都可以从晶振规格书中获取,gm从芯片规格书中获得;gmargin = gm / gmcrit , 若gmargin<5,说明这不是一个合格的晶振,你该去挑选一个更低ESR或CL值的晶振 ; 若gmargin>5,进行第二步; 第二步:外部负载电容计算 CL=(CL1//CL2)+CS 即:CL=[(CL1xCL2)/(CL1+CL2)]+CS CL为晶振规格书给出的负载电容,CL1, 此时,由于需要串联Rext,晶振模型的ESR已经发生了改变,因此你需要回到第一步计算gmarin,如果gmarin>5,那么你找到了合适的晶振,如果gmarin<5,那么重新挑选另外一个晶振,重新回到第一步吧
在单片机中晶振是普遍存在的。晶振为什么如此必要,原因在于单片机能否正常工作的必要条件之一就是时钟电路。晶振好比单片机的心脏,如果没有心脏起跳,单片机无法工作。 当在晶振极板间施加交变电压时,就会迫使晶振产生机械变形振动,同时晶振的机械变形振动又会反过来产生交变电场。 ▲ 晶振电路负载电容示意 并联COSC1,COSC2一般在3~5pf,CS 有1~5pf(和PCB制造相关),C0也有1~2pf,也就是说,即使不连接CL1和CL2晶振电路的拓扑也是完整的,而且已经有了一定的电容负载 在晶振支路上串联一个电阻,这个阻值的大小一般为3到5倍的晶振内阻(如果是医疗或汽车级别的应用,这个阻值应为5到10倍的晶振内阻),当加入这个负载电阻后,如果整个晶振电路还是可以正常起振,我们就基本上可以判定这个晶振拓扑是稳定的 还有一个方法是在晶振的放大器输出管脚上串一个电阻。这个电阻一般有两个作用,一个作用是用来做选频,另一个作用是限制晶振驱动电路的输出电流,保证晶振工作在一个稳定的频点上,不会把晶振烧坏。
晶振在布局时,一般是不能放置在PCB边缘的,今天以一个实际案例讲解。 而寄生电容实质就是晶体与参考地之间的电场分布,当两者之间电压恒定时,两者之间电场分布越多,两者之间电场强度就越大,寄生电容也会越大,晶体在PCB边缘与在PCB中间时电场分布如下: 图3:PCB边缘的晶振与参考接地板之间的电场分布示意图 图4:PCB中间的晶振与参考接地板之间的电场分布示意图 从图中可以看出,当晶振布置在PCB中间,或离PCB边缘较远时,由于PCB中工作地(GND)平面的存在,使大部分的电场控制在晶振与工作地之间,即在 3、处理措施 将晶振内移,使其离PCB边缘至少1cm以上的距离,并在PCB表层离晶振1cm的范围内敷铜,同时把表层的铜通过过孔与PCB地平面相连。
以前有写过一篇文章“晶振”简单介绍了晶振的一些简单参数,今天我们来说下无源晶振的匹配电容计算方法: 如上图,是常见的的无源晶振常见接法,而今天来说到就是这种常见电路的电容计算方法,有两种: A,知道晶振的负载电容 Cload,需要计算Ce1与Ce2; B,某些IC有推荐Ce1与Ce2,那么需要去求晶振的Cload,然后再去找对应的物料。 方法A: 如上图:Ce1=Ce2=2*[Cl-(Cs+Ci)] 其中,Ce1,Ce2为晶振外部的负载电容,也即是匹配电容 Cl为晶振规格书的负载电容 Cs为PCB板的走线、IC PAD的寄生电容的和 方法B: C1,C2为晶振的外部匹配电容 Cstray为trace,pad and chip的寄生电容 Cl则为我们需要的晶振参数。 则可以拿着参数去找对应的晶振型号。 总结:上面两种方法,一种是先确定了晶振的参数,然后对应去算匹配电容范围,简单方便。另外一种是根据平台推荐的匹配电容,去算晶振的参数,然后去选择对应的型号。
(二)关键测试方法高温老化流程预处理:将晶振在 25℃±5℃、50%±10% RH 环境下放置 24 小时,消除前期环境影响;高温暴露:放入高温箱,按标准升温(速率≤5℃/min)至目标温度(如 85℃ 接触可靠性保障探针采用 “双触点弹性结构”,接触压力可调(5~15gf),适配 HC-49U、SMD-3225~1612 全系列晶振,定位精度达 ±0.05mm,避免因接触不良导致的频率测量偏差;触点镀金处理 信号完整性优化座体内部采用 “短路径布线”,寄生电感≤5nH、寄生电容≤2pF,避免高频信号(如 300MHz 晶振)在传输过程中产生相位偏移,确保频率稳定性测试误差≤±0.1ppm;独立接地设计,隔离高温箱内电磁干扰 操作便捷性与耐用性采用 “抽屉式结构”,晶振拆装无需工具,单颗更换时间≤10 秒,降低测试人员操作强度;探针插拔寿命≥10 万次,座体使用寿命≥5 年,长期使用后仍保持稳定接触性能,降低测试成本。 随着石英晶振向 “小型化、高频化、高稳定性” 演进(如 SMD-1210 封装、1GHz 以上高频晶振),高温老化测试面临两大挑战:一是微型化晶振的接触可靠性要求更高(探针间距需≤0.3mm),二是高频信号的寄生参数影响更显著
图片来源: 致远超声设备 晶振是频率元器件, 1. 若超声波工作频率与晶振的晶片产生共振效应,极其易碎的晶片就很可能被震碎,造成晶振停振; 晶振在受到足够激励功率的电流时,晶片就会有规律震动,这是水晶的物理特性。 晶片越薄,晶振的振动频率就越高,越厚,振动频率越低。 图片来源:晶诺威科技 2. 晶片与基座上的弹片通过导电胶连接,在超声波高频震荡下,导电胶可能被震裂,导致晶片与基座之间出现断路,不再起振。 图片来源:晶诺威科技 警惕超声波工艺对晶振造成的损伤 1. 确保晶振与产品外壳之间有一定空间,尽量避开超声区域; 2. 降低超声仪运行功率; 3. 提前做样品验证测试,检查超声工艺适用性; 4. 对于导电胶裂开问题,可以考虑选型高强度导电胶处理的晶振,包括晶片固着点特殊处理(当然,这也会导致晶振的参数变动,如ESR等)
晶振能输出频率稳定的电信号(如12MHz、24MHz),确保电路中各模块按统一节奏工作。 3、实现工业与消费电子的功能稳定在工业控制(如PLC、传感器采集)中,晶振决定了数据采样的时间间隔精度,若频率不稳定会导致采集数据失真,影响生产线精度;在消费电子(如智能手表、相机)中,晶振控制屏幕刷新频率 二、晶体性能测试指标的判别晶振的核心性能指标决定其适用场景,需通过专用设备检测,关键指标与对应设备如下:测试晶振的频率准确度和稳定度,我们可以采用SYN5305型晶振测试仪,它可以测得平均值、标准偏差、 其基础配置即覆盖1mHz至350MHz的测量范围,通过选件扩展可支持高达60GHz的微波频段测试,这一指标不仅满足消费电子领域常用的12MHz-24MHz晶振测试需求,更能覆盖5G 通信设备中30GHz 以上毫米波晶振的验证场景。
前言 关于STM32的学习,初学者很容易被晶振这个东西给坑了。要在一个新平台上开发,先要把晶振搞定。 本文作者twowinter,转载请注明作者:http://blog.csdn.net/iotisan/ 举例说明 查看介绍SensorNode例程的晶振是12MHz, SK和另一个都是16MHz。 下面实例讲解下如何调整到16MHz,看下晶振如何设置。 1. \src\boards\SensorNode\cmsis\stm32l1xx_hal_conf.h #if !