SYN3307型GNSS驯服晶振模块产品概述SYN3307型GNSS驯服晶振模块是由西安同步电子科技有限公司精心设计、自行研发生产的一款模块化高精度的时间频率标准产品,内装高精度授时型GNSS接收机和OCX0 恒温晶体振荡器,使用智能驯服锁相技术,在驯服晶振过程中不断计算学习恒温晶振的温度及老化等特性,在北斗GPS丢失后自动复现该驯服学习过程,对恒温晶振的温度特性和老化率等指标进行补偿,继续提供高可靠性的时间和频率基准信息输出 产品功能1) 提供10MHz/100MHz或者其它频点信号;2) 提供1路任意可设置xPPS脉冲信号;3) 提供1路1PPS脉冲信号;4) 提供1路RS232时间信号。 典型应用1) 无人机,干扰器,雷达系统;2) 卫星通讯终端,航空制导系统;3) GNSS初始的水下系统;4) HiFi音响时钟源、精密仪器参考、基站、时钟分配基准等。 RS422/485电平输出选件01210MHz输出可选3.3V TTL方波输出或者其他电平选件013PCB板不需要外壳,提供内部PCB模块,尺寸76.2mm*95mm*25mm选件014内部时基高稳低相噪恒温晶振选件
故障诊断:在电路调试或维修中,快速定位晶体故障(如晶体停振、频率偏移过大),区分是晶体本身问题还是外围电路问题。 )负载电容(CL)串联谐振频率Fs±1000ppm(默认±400ppm) 测量精度:±5ppm负载谐振频率FL±5ppm+时基误差+0.5pF*频率牵引力 Ts串联谐振电阻Fr10kΩ~300kΩ (2± RL)负载电容(CL)串联谐振频率Fs±1000ppm(默认±400ppm) 测量精度:±5ppm负载谐振频率FL±5ppm+时基误差+0.5pF*频率牵引力 Ts串联谐振电阻Fr1Ω~1000Ω (2± 供电电源交流 220V±10%, 50Hz±5%,功率小于15W机箱尺寸便携式机箱320mm(宽)x280(深)x140mm(高)选件说明选件号内容01贴片式100Ω π网络测试座02插件式1000kΩ表晶测试座 03贴片式1000kΩ表晶测试座04插件式陶瓷晶振测试座05贴片适配套件06校准件07SYN5305型晶振测试仪配套晶振测试工装
频偏稳定度可达±0.5ppm,部分型号温度特性为±2ppm,十年频率老化3.5ppm,具备优异的长期稳定性。 2.宽温与电压适应性工作温度范围覆盖-40℃至+85℃,可适应工业环境、户外设备等的温度条件。工作电压支持1.7V至3.63V,兼容1.8V、2.8V、3.3V等不同电路的电压需求,适配性较强。 2.卫星导航领域应用于北斗/GPS双模接收设备,作为射频前端的参考时钟,为内部电路及ADC采样提供稳定时序,保障接收机射频性能,助力定位与授时功能精准实现。
目录 1、无源晶振 2、 有源晶振 3、有源晶振和无源晶振的区别 ---- 晶振从材质可以分为石英晶振和陶瓷晶振两大类,而从属性晶振可以分为无源晶振:crystal(晶体)和有源晶振:oscillator 1、无源晶振 无源晶振是有2个引脚的无极性元件,需要借助于时钟电路才能产生振荡信号,自身无法振荡起来。 ? 2、 有源晶振 有源晶振有4个引脚,是一个完整的振荡器,其中除了石英晶体外,还有晶体管和阻容元件,因此体积较大,只需要电源,就可输出比较好的波形。 2、无源晶振最高精度为5ppm,而有源晶振的精度则可以达到0.1ppm。精度越高,频率稳定性也更好。 4、无源晶振有2个引脚,需要借助于外部的时钟电路(接到主IC内部的震荡电路)才能产生振荡信号,自身无法振荡。 ---- 整理来源:互联网
8038贴片陶瓷晶振规格为8.0×3.8mm,属于KHz频率范围的时钟晶体。其具备小型封装、高性能特点,耐热性优良且符合工业级温度标准,同时满足RoHS环保要求。 EPSON/爱普生的MC-306晶振就是一款8.0*3.8mm的32.768k无源晶振,四脚贴片晶振,工作温度-40℃至+85℃,具有小体积轻薄型,耐热性及耐环境特性特点,被广泛用于计时(时间基准),钟表电智能手机 MC-306晶振技术特性: 1.精准频率输出MC-306标准频率为32.768 kHz(典型值),覆盖32 kHz至120 kHz范围,频差精度达±20 PPM,年老化率仅±3 PPM,确保长期稳定性, 2.工业级耐温性能支持-40℃至+85℃宽温工作范围,适应严苛的工业环境与极端气候,保障汽车电子、户外设备等场景的可靠性。 MC-306晶振推荐焊盘尺寸:
OCXO恒温晶振,可选高稳晶振和铷钟。 该晶振测试仪集合有源和无源晶振测试,多种贴片和直插封装,1.8V/2.5V/3.3V/5V等多种晶振供电电压,涵盖大多数电子产品晶体测试,广泛应用于邮电、通信、广播电视、学校、研究所及工矿企业对于晶振的验证或筛选 产品功能1) PPM测量,上下限测量;2) 频率测量范围高达6GHz;3) 频率测量分辨率高达12位/s;4) 多种晶振测试工装,满足常规测试应用。 晶振测试工装频率范围(可选其它频点)20kHz~50MHz (无源)DC~350MHz (有源)匹配电容5pF~20pF可测封装(可选其它封装)5032(2P/4P)/3215(2P)/3225(4P) 选件说明选件号项目内容选件001通道1、2频率0.1mHz~400MHz选件002通道3最大频率3GHz选件003通道3最大频率6GHz选件004内部时基高稳恒温晶振选件005内部时基高精度铷钟选件006
在对相位噪声要求极高的应用领域,高精度晶振更是不可或缺。本篇文章我们将深度解析超低相位噪声晶振的工作原理与应用,着重探讨其在Hi-Fi音频系统中的作用,详细介绍封装形式及测试要求。 超低相位噪声晶振的定义与核心工作原理晶振,即晶体振荡器,是一种能提供高精度频率输出的装置,其工作原理基于石英晶体的压电效应。 超低相位噪声晶振在这方面的应用得到了广泛认可。 每一个晶振在出厂前都需要经过这一过程,以确保其达到我们的长期可靠性标准。 超低相位噪声晶振测试座(Socket)的重要作用在测试和验证超低相位噪声晶振时,测试座(Socket)的选用显得十分重要。 同时,其适配性良好的接触设计能减少晶振脚插入时的应力,保护晶振本身的焊接点免受物理损坏。这些细节上的考量都体现了对超低相位噪声晶振严苛测试环境的适应能力。
传统晶振的抗干扰能力不足,可能导致雷达目标跟踪误差扩大、导弹制导精度下降。 二、SYN3627L 解决方案:重新定义恒温晶振性能边界针对上述行业痛点,SYN3627L 型 100MHz 恒温晶振以 “精准核心、紧凑设计、全域适应”为理念,通过四大核心优势,为各领域提供定制化频率解决方案 2. 2. 2. 恒温槽优化:动态响应与功耗的平衡传统恒温晶振的恒温槽存在升温时间长、功耗高的缺点。
在电子设备的 “心脏”—— 石英晶振的生产、研发与质量管控环节,石英晶振测试仪扮演着至关重要的角色。 在研发领域,工程师借助测试仪对晶振的各项参数进行精细测量与分析,为新型晶振的设计优化、性能提升提供数据支撑,推动石英晶振技术不断进步。 二、晶振测试仪器的关键功能与原理(一)频率测量频率是石英晶振最核心的参数,它决定了电子设备的时钟基准。石英晶振测试仪通过高精度的频率计来测量晶振输出信号的频率。 例如SYN5305型晶振测试仪支持无源晶振和有源晶振测试,包括大多数常用贴片和直插封装,多种晶振供电电压0.6V-28VDC连续可调,涵盖大多数电子产品晶体测试,广泛应用于邮电、通信、广播电视、学校、研究所及工矿企业对于晶振的验证或筛选 2、功能拓展性考虑测试仪是否能根据未来需求进行功能扩展。比如随着生产规模扩大或产品类型增加,可能需要测试更多特殊参数,如晶振的老化特性、抗电磁干扰能力等。
本文主要解决以下几个问题: 1)晶振选型有哪些考虑? 2)稳定度、准确度和长期稳定度的区别是什么? 3)晶振摆放在什么位置最好? 4)晶振的PCB布局&布线有哪些考虑? 5)晶振供电有哪些考虑? 1.1 频率稳定度的考虑 1.2 稳定时间的考虑 1.3 启动功耗和静态功耗的考虑 1.4 相噪的考虑 2. 稳定度、准确度和长期稳定度的区别是什么? 3. 晶振摆放在什么位置最好? 4. 1)由于晶振对温度比较敏感,所以不要放在温度变化大的部件(如风扇)。 2)远离射频大功率器件(如功放)。 4. 晶振的PCB布局&布线有哪些考虑? 1)晶振尽量采用SMD,而非DIP。 2)高频信号尽量远离敏感的模拟电路器件。 3)数字地和模拟地由一点短接在一起。 5. 晶振的PCB布线有哪些考虑? 1)晶振的输入信号和输出信号避免相邻平行,以免产生反射干扰。 图 6‑2 O.60.805758-LF的供电规格 无论是采用电流或功率,可以看出,启动功率或电流都是要大于稳定后的功率或电流的。 7. 晶振供电有哪些考虑?
SYN3627型恒温晶振典型应用a) 电力,电信,广电,5G,智能驾控,物联网,轨道交通,机场运营,智慧城市指挥管理;b) 北斗卫星通信,卫星授时,导航系统,雷达,电子对抗,海洋开发,石油勘探,地质勘探 SYN3627型恒温晶振OCXO是由西安同步电子科技有限公司自主研发生产的系列恒温晶体震荡器,采用SC切型石英晶体和专有的恒温槽设计,输出频率范围包括32.768kHz~200MHz,可选正弦和方波输出 该恒温晶振OCXO广泛用于通信基站、智能电网、测试及量测设备,以及雷达、制导等军事和宇航等领域。产品特点1) 小体积,高性价比;2) 低相噪、高稳定度;3) 高可靠性。 (电源电压变化±5%)负载特性≤±2ppb(负载变化±10%)开机特性≤±0.01ppm(@25℃)相位噪声@10MHz≤-80dBc/Hz @1Hz≤-115dBc/Hz @10Hz≤-133dBc/ Hz @100Hz≤-145dBc/Hz @1KHz≤-150dBc/Hz @10KHz压控电压范围2V±2V频率牵引范围≥±0.5ppm,正斜率压控线性度≤±10%压控输入阻抗≥100kΩ参考电压4V
无源晶振并联一个1MΩ电阻电路图 问题描述: 在一些方案中,晶振并联1MΩ电阻时,程序运行正常,而在没有1MΩ电阻的情况下,程序运行有滞后及无法运行现象发生。 原因分析: 在无源晶振应用方案中,两个外接电容能够微调晶振产生的时钟频率。而并联1MΩ电阻可以帮助晶振起振。因此,当发生程序启动慢或不运行时,建议给晶振并联1MΩ的电阻。 简而言之,并联1M电阻增加了电路中的负性阻抗(-R),即提升了增益,缩短了晶振起振时间,达到了晶振起振更容易之目的。 换一种说法,假设电路中无任何的扰动信号,晶振不可能起振。 需要指出的是,在低温环境下振荡电路阻抗也会发生变化,当阻抗增加到一定程度时,晶振就会发生起振困难或不起振现象。 这时,我们也需要给晶振并联1MΩ电阻,建议为了增加振荡电路稳定性,给晶振同时串联一个100Ω的电阻,这样可以减少晶振的频率偏移程度。 注:并联电阻不能太小,串联电阻不能太大。
Q:石英或陶瓷晶振。 Rf:内部反馈电阻(译注:它的存在使反相器工作在线性区, 从而使其获得增益,作用等同于放大器)。 RExt:外部限流电阻。 CL1和CL2:两个外部负载电容。 不同频率对应的反馈电阻参考值: 负载电容CL 负载电容指连接到晶振上的终端电容,该终端电容包括:外部电容CL1和CL2、印刷电路板上的杂散电容(Cs)。 = gm / gmcrit 其中,gmcrit = 4 x ESR x (2πF)² x (C0 + CL)²,ESR、C0、CL都可以从晶振规格书中获取,gm从芯片规格书中获得; 驱动级别DL 当你能耐心看到这里,对于晶振设计的基础概念、计算已经都了解过,接下来,可以搬上我们最终的晶振设计步骤: 第一步:增益余量的计算 gmcrit = 4 x ESR x (2πF)² x (C0 + CL) ; 若gmargin>5,进行第二步; 第二步:外部负载电容计算 CL=(CL1//CL2)+CS 即:CL=[(CL1xCL2)/(CL1+CL2)]+CS CL为晶振规格书给出的负载电容,CL1,
我们在设计的时候经常会看见MCU的管脚有OSC1和OSC2,一般会连两个电容CL1和CL2,CL1和CL2是否就是负载电容呢? 其实它们只是负载电容的一部分,而且大家要注意到,CL1和CL2从晶振来看它们是串联的,只不过它们之间有一个公共点接地。 真正的负载是CL1和CL2,MCU OSC1/OSC2这两个管脚自身对地的寄生电容COSC1,COSC2,MCUOSC1/OSC2这两个管脚之间的杂散电容CS,还有一个是晶振本身的C0,这几部分共同组成了真正的负载 ▲ 晶振电路负载电容示意 并联COSC1,COSC2一般在3~5pf,CS 有1~5pf(和PCB制造相关),C0也有1~2pf,也就是说,即使不连接CL1和CL2晶振电路的拓扑也是完整的,而且已经有了一定的电容负载 ,这也就是用户会发现即使没有连接CL1和CL2,电路往往也是能起振的原因。
晶振在布局时,一般是不能放置在PCB边缘的,今天以一个实际案例讲解。 通过排除法,发现去掉摄像头后,超标点依然存在,而通过屏蔽12MHz晶体,超标点有降低,由此判断144MHz超标点与晶体有关,PCB布局如下: 图2:PCB布局图 2、辐射产生原理 从PCB布局可以看出 而寄生电容实质就是晶体与参考地之间的电场分布,当两者之间电压恒定时,两者之间电场分布越多,两者之间电场强度就越大,寄生电容也会越大,晶体在PCB边缘与在PCB中间时电场分布如下: 图3:PCB边缘的晶振与参考接地板之间的电场分布示意图 图4:PCB中间的晶振与参考接地板之间的电场分布示意图 从图中可以看出,当晶振布置在PCB中间,或离PCB边缘较远时,由于PCB中工作地(GND)平面的存在,使大部分的电场控制在晶振与工作地之间,即在 3、处理措施 将晶振内移,使其离PCB边缘至少1cm以上的距离,并在PCB表层离晶振1cm的范围内敷铜,同时把表层的铜通过过孔与PCB地平面相连。
以前有写过一篇文章“晶振”简单介绍了晶振的一些简单参数,今天我们来说下无源晶振的匹配电容计算方法: 如上图,是常见的的无源晶振常见接法,而今天来说到就是这种常见电路的电容计算方法,有两种: A,知道晶振的负载电容 Cload,需要计算Ce1与Ce2; B,某些IC有推荐Ce1与Ce2,那么需要去求晶振的Cload,然后再去找对应的物料。 方法A: 如上图:Ce1=Ce2=2*[Cl-(Cs+Ci)] 其中,Ce1,Ce2为晶振外部的负载电容,也即是匹配电容 Cl为晶振规格书的负载电容 Cs为PCB板的走线、IC PAD的寄生电容的和 方法B: C1,C2为晶振的外部匹配电容 Cstray为trace,pad and chip的寄生电容 Cl则为我们需要的晶振参数。 则可以拿着参数去找对应的晶振型号。 总结:上面两种方法,一种是先确定了晶振的参数,然后对应去算匹配电容范围,简单方便。另外一种是根据平台推荐的匹配电容,去算晶振的参数,然后去选择对应的型号。
一、石英晶振工作原理石英晶振的核心是利用石英晶体的压电效应实现稳定频率输出,其工作过程可分为三个关键阶段:压电转换:石英晶体(SiO₂)具有各向异性的晶体结构,当外部施加交变电场(来自驱动电路)时,晶体会产生周期性机械振动 (如发动机舱附近晶振需高温老化筛选早期失效品);工业控制:PLC、传感器、变频器,工作环境温度常达 85℃~105℃,高温老化可避免设备在生产线或现场运行中因晶振失效停机;航空航天:卫星通信、导航设备, :150℃/1000 小时,高温工作:125℃/500 小时,频率老化率≤±2ppm卫星、航空设备六、谷易电子晶振老化测试座的关键作用谷易电子晶振老化测试座是高温老化测试的 “核心载体”,其设计直接决定测试精度 信号完整性优化座体内部采用 “短路径布线”,寄生电感≤5nH、寄生电容≤2pF,避免高频信号(如 300MHz 晶振)在传输过程中产生相位偏移,确保频率稳定性测试误差≤±0.1ppm;独立接地设计,隔离高温箱内电磁干扰 随着石英晶振向 “小型化、高频化、高稳定性” 演进(如 SMD-1210 封装、1GHz 以上高频晶振),高温老化测试面临两大挑战:一是微型化晶振的接触可靠性要求更高(探针间距需≤0.3mm),二是高频信号的寄生参数影响更显著
图片来源: 致远超声设备 晶振是频率元器件, 1. 若超声波工作频率与晶振的晶片产生共振效应,极其易碎的晶片就很可能被震碎,造成晶振停振; 晶振在受到足够激励功率的电流时,晶片就会有规律震动,这是水晶的物理特性。 晶片越薄,晶振的振动频率就越高,越厚,振动频率越低。 图片来源:晶诺威科技 2. 晶片与基座上的弹片通过导电胶连接,在超声波高频震荡下,导电胶可能被震裂,导致晶片与基座之间出现断路,不再起振。 图片来源:晶诺威科技 警惕超声波工艺对晶振造成的损伤 1. 确保晶振与产品外壳之间有一定空间,尽量避开超声区域; 2. 降低超声仪运行功率; 3. 提前做样品验证测试,检查超声工艺适用性; 4. 对于导电胶裂开问题,可以考虑选型高强度导电胶处理的晶振,包括晶片固着点特殊处理(当然,这也会导致晶振的参数变动,如ESR等)
晶振能输出频率稳定的电信号(如12MHz、24MHz),确保电路中各模块按统一节奏工作。 3、实现工业与消费电子的功能稳定在工业控制(如PLC、传感器采集)中,晶振决定了数据采样的时间间隔精度,若频率不稳定会导致采集数据失真,影响生产线精度;在消费电子(如智能手表、相机)中,晶振控制屏幕刷新频率 二、晶体性能测试指标的判别晶振的核心性能指标决定其适用场景,需通过专用设备检测,关键指标与对应设备如下:测试晶振的频率准确度和稳定度,我们可以采用SYN5305型晶振测试仪,它可以测得平均值、标准偏差、 以上毫米波晶振的验证场景。 3、成本优化与本地化服务优势SYN5305晶振频率测试仪通过精准的市场定位和技术优化,构建了显著的成本竞争优势。
前言 关于STM32的学习,初学者很容易被晶振这个东西给坑了。要在一个新平台上开发,先要把晶振搞定。 本文作者twowinter,转载请注明作者:http://blog.csdn.net/iotisan/ 举例说明 查看介绍SensorNode例程的晶振是12MHz, SK和另一个都是16MHz。 下面实例讲解下如何调整到16MHz,看下晶振如何设置。 1. \src\boards\SensorNode\cmsis\stm32l1xx_hal_conf.h #if ! < Value of the External oscillator in Hz */ #endif 2.