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Block RAM与Distributed RAM
Block RAM与Distributed RAM，简称为BRAM与DRAM， 要搞清楚两者的区别首先要了解FPGA的结构： FPGA=CLB + IOB+Block RAM CLB 一个CLB中包含 Xilinx的FPGA中包含Distributed RAM和Block RAM两种寄存器，Distributed RAM需要使用SliceM，所以要占用CLB中的逻辑资源，而Block RAM是单独的存储单元 用户申请资源时，FPGA先提供Block RAM，当Block RAM不够时再提供分布式RAM进行补充。 Block RAM是单独的RAM资源，一定需要时钟，而Distributed RAM可以是组合逻辑，即给出地址马上给出数据，也可以加上register变成有时钟的RAM，而Block RAM一定是有时钟的 4、 如果要产生较大的FIFO或timing要求较高就用bram，否则，就可以用dram。
3.9K20发布于 2020-06-30 - 来自专栏数字积木
简单双端口RAM设计（带下载链接）
1，设计需求 设计一个双端口的RAM，具有独立的读写时钟，独立读写地址和数据端口，具有复位功能，并具有读和写的使能信号。 2，端口设计 写通道（write） Wrclk 输入端口 写通道的时钟信号 Aclear 输入端口 RAM复位信号 Wren 输入端口 RAM写使能信号 Wraddr[…] 输入端口 RAM写数据的地址端口 4，代码设计 （1）参数定义 数据宽度和地址宽度 ? （2）输入输出端口 各个信号的含义如第二小节所示。 ? （4）在写时钟的驱动下，双端口RAM写数据以及复位功能设计 在本写时钟下给出写地址和写数据，在下一个写时钟周期，数据被写入到RAM中。 ? （5）再读时钟的驱动下，双端口RAM读数据的功能设计 本读时钟给出读地址信息，在下一个读时钟信号，输出对应地址的数据。 ? 5，功能仿真（仿真代码） （1）信号初始化，并复位 ?
92510发布于 2021-04-15 - 来自专栏瓜大三哥
FPGA block RAM和distributed RAM区别
区别之2 dram使用根灵活方便些 区别之3 bram有较大的存储空间，dram浪费LUT资源 1.物理上看，bram是fpga中定制的ram资源，dram就是用逻辑单元拼出来的。 2.较大的存储应用，建议用bram；零星的小ram，一般就用dram。但这只是个一般原则，具体的使用得看整个设计中资源的冗余度和性能要求。 3.dram可以是纯组合逻辑，即给出地址马上出数据，也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 4.较大的存储应用，建议用bram；零星的小ram，一般就用dram。 但这只是个一般原则，具体的使用得看整个设计中资源的冗余度和性能要求。 5.dram可以是纯组合逻辑，即给出地址马上出数据，也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 否则，就可以用Distributed RAM。
2.5K110发布于 2018-02-26 - 来自专栏FPGA技术江湖
FPGA零基础学习：IP CORE 之 RAM设计
IP CORE 之 RAM 设计 作者：郝旭帅 校对：陆辉 本篇实现基于叁芯智能科技的SANXIN -B01 FPGA开发板，以下为配套的教程，如有入手开发板，可以登录官方淘宝店购买，还有配套的学习视频 设计要求 设计一个深度为256，宽度为8的RAM。不需要初始化内容。 设计原理 RAM，此种存储器支持写操作，支持读操作。在存储器建造时，可以进行初始化数据，也可以不进行初始化数据。 RAM的初始化文件也是mif文件，原理和ROM类似。 本次设计RAM是利用FPGA片内嵌入的M9K构成的。 由于设计RAM深度为256，故而地址的宽度为8位。 架构设计和信号说明 此模块命名为ram_test。ram_my为ip core。 ? ? 调用 ip core 之 RAM 建立好工程，打开tools -> ip catalog。 顶层设计 顶层负责调用ram_my，例化文件在ip core -> ram_my -> ram_my_inst.v中。
52420发布于 2020-12-30 - 来自专栏FPGA技术江湖
基于FPGA的乒乓ram控制系统设计
今天给大侠带来基于FPGA的乒乓ram设计，话不多说，上货。 ? 三、乒乓ram控制的FPGA设计 当保存数据到ram时，在输入数据时同时要产生相应的地址，这样ram才会把数据与地址一一对应，按顺序存取。 四、乒乓ram的设计流程 乒乓ram的输入数据流宽度是16位，ram深度是1024位。其主要外围接口包括输入、控制和输出几个部分，采用verilog DHL进行编写。 图3 乒乓ram设计流程图 其中，ram是调用IP核产生的，这可以直接选择FPGA自带的ram器件，从而极大的减少了寄存器组的使用，提高了FPGA的利用率。 ? disp_3 =in_data%32'd100000000/32'd10000000+8'h30; //1001 1000 1001 0110 1000 0000 assign disp_4
1.6K31发布于 2020-12-30 - 来自专栏FPGA技术江湖
FPGA设计中，RAM的两种实现方法
今天给大侠带来FPGA设计中的RAM的两种实现方法，话不多说，上货。 RAM是用来在程序运行中存放随机变量的数据空间，使用时可以利用QuartusII的LPM功能实现RAM的定制。 前面的推荐的软件的使用方法以及mif文件生成完毕后，开始接下来的设计。 2）设置存储深度为128，数据宽度为8bit、选择嵌入式M4K RAM实现、使用单时钟方案： ? 3）取消选择“数据输出锁存”，不需要时钟使能端： ? 4）使用mif初始化该RAM块、允许“在系统(In System)存储器读写”，并将此RAM的ID设置为RAM1： * 载入前面生成的存储器初始化文件：TEST1.mif； * 4、对该RAM块进行仿真，以便了解端口的特性： ?
1K20发布于 2020-12-29 - 来自专栏瓜大三哥
单口RAM
单口RAM 只有一套数据总线、地址总线和读写控制线，因此当多个外设需要访问同一块单口RAM 时，需要通过仲裁电路来判断。 单口RAM，只有一套地址总线，读和写是分开（至少不能在同一个周期内完成）。 下面给出一个8× 8 位RAM 的设计实例。 module ram_single( clk,addm,cs_n,we_n,din,dout ); input clk; input [2:0]addm; input cs_n; input we_n; input [7:0]din; output [7:0]dout; reg [7:0]dout; reg [7:0]ram_s[7:0]; always @( posedge clk ) begin if(cs_n) dout<=8'b0000_0000; else if(we_n)//read dout<=ram_s[addm]; else//write ram_s[addm]
2.9K70发布于 2018-02-24 - 来自专栏FPGA技术江湖
FPGA零基础学习：IP CORE 之 RAM设计
FPGA零基础学习：IP CORE 之 RAM设计 本系列将带来FPGA的系统性学习，从最基本的数字电路基础开始，最详细操作步骤，最直白的言语描述，手把手的“傻瓜式”讲解，让电子、信息、通信类专业学生、 设计要求 设计一个深度为256，宽度为8的RAM。不需要初始化内容。 设计原理 RAM，此种存储器支持写操作，支持读操作。在存储器建造时，可以进行初始化数据，也可以不进行初始化数据。 RAM的初始化文件也是mif文件，原理和ROM类似。 本次设计RAM是利用FPGA片内嵌入的M9K构成的。 由于设计RAM深度为256，故而地址的宽度为8位。 架构设计和信号说明 此模块命名为ram_test。ram_my为ip core。 调用 ip core 之 RAM 建立好工程，打开tools -> ip catalog。 顶层设计 顶层负责调用ram_my，例化文件在ip core -> ram_my -> ram_my_inst.v中。
76200发布于 2021-03-22 - 来自专栏FPGA技术江湖
IP CORE 之 RAM 设计- ISE 操作工具
IP CORE 之 RAM 设计 - ISE操作工具 作者：李西锐 校对：陆辉 本篇实现基于叁芯智能科技的SANXIN -B02 FPGA开发板，如有入手开发板，可以登录官方淘宝店购买，还有配套的学习视频 设计要求 设计一个深度为256，宽度为8的RAM。不需要初始化内容。 设计原理 RAM，此种存储器支持写操作，支持读操作。在存储器建造时，可以进行初始化数据，也可以不进行初始化数据。 RAM的初始化文件也是coe文件，原理和ROM类似。 由于设计RAM深度为256，故而地址的宽度为8位。 架构设计和信号说明 此模块命名为ram_test。my_ram为ip core。 ? ? 调用 ip core 之 RAM 建好工程之后，右键点击工程，选择New Source，新建IP核。 ? 顶层设计 顶层负责调用my_ram，例化文件在ipcore_dir -> my_ram.veo中。
1.1K10发布于 2020-12-30 - 来自专栏ADAS性能优化
Understanding RAM Timings
RAM latency is CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD latency. CAS Latency (CL) Impact on RAM Speed As previously mentioned, CAS Latency (CL) is the best known memory clock cycle can be easily calculated through the formula: T = 1 / f RAS to CAS Delay (tRCD) Impact on RAM RAS Precharge (tRP) Impact on RAM Speed After data is gathered from the memory, a command called Precharge Other Parameters Impacting RAM Timings Let’s take a better look at the other two parameters, Active to
2.2K30编辑于 2022-05-13 - 来自专栏数字IC经典电路设计
如何实现一个RAM？（单端口RAM、伪双端口RAM、真双端口RAM|verilog代码|Testbench|仿真结果）
图片 数字IC经典电路设计 经典电路设计是数字IC设计里基础中的基础，盖大房子的第一部是打造结实可靠的地基，每一篇笔者都会分门别类给出设计原理、设计方法、verilog代码、Testbench、仿真波形 然而实际的数字IC设计过程中考虑的问题远多于此，通过本系列希望大家对数字IC中一些经典电路的设计有初步入门了解。能力有限，纰漏难免，欢迎大家交流指正。 本文将会从4位宽、16深度的三种存储器为例展开设计。 二、单端口 2.1 原理 输入只有一组数据线和一组地址线，读写共用地址线，输出只有一个端口。 //深度为16、位宽为4的端端口RAM module ram_single_port#( parameter DATA_WIDTH = 4,//RAM数据位宽 parameter //深度为16、位宽为4的真双端口RAM module ram_true_dual_port #( parameter DATA_WIDTH = 4,//RAM数据位宽 parameter
10.3K40编辑于 2023-05-31 - 来自专栏CreateAMind
SQN算法效果及代码: Breakout-ram-v4 打砖块
最后Breakout-ram-v4的效果（通关无压力。。。） 可以看下面视频最后打完无砖块，可以看到864分即最高分。 ? 视频内容 ?
1.7K10发布于 2019-04-28 - 来自专栏区块链入门
IBO的金融原理和应用方向分析1 EOS RAM 扩容代码更新细节2 BM：EOSIO RAM Market & BancorAlgorithm3 EOSPark杂谈：RAM篇——基本概念4 EOS
公式4 image 公式5 image 公式6 image 公式4与公式5的推导，由公式1-3得出，好学的同学可参考Formulas for Bancor System，（传送门: https://drive.google.com 回顾这套IBO发行体系，其宗旨在于为Dapp的应用类通证提供服务，在协议设计中参考了RAM的Bancor relay机制，同时优化掉了CW而选择基础货币基储量作为一个价格曲线的调节器。 /src/eosio.system.cpp#L79 2 BM：EOSIO RAM Market & BancorAlgorithm https://medium.com/@bytemaster/eosio-ram-market-Bancor-algorithm-b8e8d4e20c73 3 EOSPark杂谈：RAM篇——基本概念 https://eospark.com/ram.html 4 EOS RAM 代码层计算公式 https://github.com/EOSIO/eos/blob /v1.0.5/contracts/eosio.system/exchange_state.cpp#L4 5 Github上关于RAM公式F值变动的讨论 https://github.com/EOSIO
1.2K20发布于 2018-10-22 - 来自专栏FPGA技术江湖
FPGA设计中，RAM的两种实现方法详解
今天给大侠带来在FPGA设计中的RAM的两种实现方法详解，话不多说，上货。 这里也超链接有关RAM设计的其他篇幅，仅供参考。 FPGA零基础学习：IP CORE 之 RAM设计 IP CORE 之 RAM 设计- ISE 操作工具 RAM是用来在程序运行中存放随机变量的数据空间，使用时可以利用 Quartus II 的LPM功能实现 2）设置存储深度为128，数据宽度为8bit、选择嵌入式M4K RAM实现、使用单时钟方案； ? 3）取消选择“数据输出锁存”，不需要时钟使能端； ? 4）使用mif初始化该RAM块、允许“在系统(In System)存储器读写”，并将此RAM的ID设置为RAM1； * 载入前面生成的存储器初始化文件：TEST1.mif； * ID主要用于多RAM系统时 4、对该RAM块进行仿真 对该RAM块进行仿真，以便了解端口的特性： ?
2.1K10发布于 2020-12-30 - 来自专栏全栈程序员必看
ram和rom的区别_RAM和ROM各有什么特点
4、DRAM（Dynamic RAM）动态RAM 5、DDR SDRAM （Double Date-Rate Synchronous RAM ) 双倍速率 同步动态RAM 6、NOR FLASH 这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素： ● NOR的读速度比NAND稍快一些。 ● NAND的写入速度比NOR快很多。 4、可靠性和耐用性: 采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。 向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。 的I/O接口与SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。
3.5K20编辑于 2022-09-16 - 来自专栏用户画像
RAM刷新周期问题
RAM刷新有三种: 1、集中式刷新在一个刷新周期内（2ms），先让存储器读写，然后集中刷新，这样就存在死区问题，如果是存取周期为2us的话，这样对于64*64的存储矩阵来说，集中刷新为128us，死区时间也为 2、分散式刷新，将存储周期分为两部分，第一部分为存储器读写，第二部分为刷新，假如都为2us，这样，存取周期也就是4us，即把每行的刷新加到了存取周期中，因为系统是可以连续进行存储操作的（存取周期是相连无裂隙的
2.2K20发布于 2018-08-24 - 来自专栏这里只有VxWorks
Utility之Ram Disk
Ram Disk，顾名思义，就是在Ram里创建的Disk。 优点 读写速度快。当然了，比IDE、Flash不知要快多少倍 不依赖外存。什么本地存储、网络存储，都可以没有。 尤其VxWorks自己在运行时，本来就不依赖文件系统，因此没有其它物理存储介质的情景还是很多的 反正VxWorks的Ram闲着也是闲着，别让它偷懒了 缺点 数据易失。掉电就什么都没有了。 Ram本来就不会很大，而且32位VxWorks的能够留给用户的Ram也就3GB左右 有了Disk，它还只是一个Device，一般在使用时，还要在Disk上创建块设备，并将这个块设备格式化。
1.9K20发布于 2020-03-26 - 来自专栏瓜大三哥
双口同步RAM
下面给出一个128× 8 位双口RAM 的Verilog HDL 设计实例。 module ram_double( q,addr_in,addr_out,d,we,clk1,clk2 ); output [7:0]q; input [7:0]d; input [6:
1.8K90发布于 2018-02-24 - 来自专栏Lauren的FPGA
Block RAM的基本结构
（图片来源：ug573,figure 1-5） 这两个18Kb的Block RAM可形成如下图所示的4种配置方式。 ? 可通过IP Core (Block Memory Generator)或者XPM_MEMORY的方式使用BlockRAM，但无论通过哪种方式，都需要注意对Block RAM的输出要做寄存处理，尤其是在高速设计中 （图片来源ds923,table 28） 在综合后的网表中，选中设计中的Block RAM，在其Property窗口中，查看DOA_REG和DOB_REG，若其为0，则说明未使用Embedded Registers 当设计要求Latency为2时，Primitives Output Register和Core Output Register选取其一即可。 Output Register，因为该寄存器的Tco小于Primitives Output Register的Tco，同时CoreOutput Register的布局可兼顾下级时序路径的时序要求；若当前设计触发器利用率较高
4.1K41发布于 2019-10-31 - 来自专栏嵌入式Linux系统开发
ROM与RAM的区别
ROM和RAM指的都是半导体存储器。ROM是Read OnlyMemory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。 ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 RAM RAM 有两大类。 另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快。 DDR RAM（Double-Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM，和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。 在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 ROM ROM：只读存储器的总称。
3.8K30发布于 2021-05-28
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