IPB107N20N3G-ASEMI代理英飞凌中低压MOS管IPB107N20N3G

编辑：llIPB107N20N3G-ASEMI代理英飞凌中低压MOS管IPB107N20N3G型号：IPB107N20N3G品牌：Infineon(英飞凌)封装：TO-263最大漏源电流：88A漏源击穿电压 200VRDS（ON）Max：10.7mΩ引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间：5ns芯片材质：封装尺寸：如图特性：高压MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~175℃IPB107N20N3G 场效应管IPB107N20N3G的电性参数：最大漏源电流88A；漏源击穿电压200VIPB107N20N3G应用：适用于高频开关和同步整流、适配器、照明、服务器.图片图片图片