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键合对准机
临时键合 （3）对准技术 对转技术可以分为与实时图像对准和预先存储的对准标记对准两类。 存在两种可以满足面对面式的3D晶圆级键合的对准方法： SUSS MicroTec的ISA技术，该方法采用在上、下晶圆之间插入光学镜头的方式进行成像对准 采用EV Group的SmartView对准系统 叠加投影技术已被用于晶圆熔融键合的高精度IR对准工艺流程。 6）键合质量检测 键合质量测试是指对对准精度、键合强度以及界面空隙的检测 对准精度 如果键合晶圆中有一个是透明的，可采用IR或BSA对准显微镜进行对准金固定测量 键合强度 Tong和Gosele 高分辨率的声学显微镜 键合界面空隙鉴别的方法包括： X射线断层扫描、破坏性切割分析及界面刻蚀表征空隙等
1.6K20编辑于 2022-06-08 - 来自专栏先进封装
绝缘涂层键合线第二焊点键合技术 *两段式Pro-Stitch键合*
采用两段键合的主要目的是为更好去除键合线的绝缘涂层，提高第二焊点Pull Stitch特别是针对BOSB(Bond-Stitch-On-Ball)改善Bump Ball 涂层粘附问题，提高Stitch Bond的拉力强度，有效改善StitchBond可键合性。 2nd 键合技术20µm绝缘涂层键合线第二焊点键合技术参数推荐2泰豐瑞電子绝缘涂层键合线2nd键合流程分解图
9500编辑于 2025-09-21 - 来自专栏芯片工艺技术
晶圆键合技术
为了达到良好的键合质量，通常需要对欲键合的晶片进行前期准备，主要通过表面处理、预键合及热处理三个过程。进行表面处理之前， 4.键合界面的性质 (1）键合界面的位错和空洞。 除了硅硅直接键合这种同质材料键合之外，大部分都是通过异质材料进行键合。而由于两个键合的材料不同，晶片之间必然存在着热失配及晶格失配等问题。 晶片的表面悬挂键越多，表面能越大，键合时两个晶片之间的原子越容易相互作用。而键合界面处随着原子的不断相互作用形成越来越多的共价键，键合晶片的界面越牢固，键合强度越大。 (4)键合界面的键合能公式表示为: 其中，x表示界面的表面能，n为成键密度，Eb为每根键的能量。同质材料的键合能为表面能的二倍，即2 }1;异质材料的键合能为键合晶片的平均表面能。 待键合晶圆精密对准 放置于后续键合所需的固定传输夹具中 在键合腔体中对准后进行键合 键合室实时监测温度、键合压力及气氛 对键合后的晶圆进行冷却 键合后质量检测 2.表面预处理——用于表面改性或清洗
1.9K20编辑于 2022-06-08 - 来自专栏芯智讯
SK海力士：HBM5将转向3D封装及混合键合技术！
9月3日，在SEMICON Taiwan 2024 展会期间的“异质整合国际高峰论坛”上，SK 海力士封装（PKG）研发副社长李康旭（Kangwook Lee）以“准备AI 时代的HBM和先进封装技术” 此外，到了HBM5 架构可能再次改变，SK 海力士目前正评估包括2.5D 和3D 系统级封装（SiP）在内的各种方案。 提到未来HBM 技术挑战，李康旭表示在封装、设计面临许多挑战，以封装来说是堆叠数限制，更希望直接结合逻辑芯片和HBM 堆叠，客户目前也对3D SIP 感兴趣，因此3D SIP、存储芯片带宽、结合客户需求和协作 两种封装路线：MR-MUF 和Hybrid Bonding SK 海力士目前的HBM 产品主要采用MR-MUF 封装技术，具有低压、低温键合和批量热处理的优势，在生产效率和可靠性优于TC-NCF 制程。 Advanced MR-MUF技术；明年下半年准备出货的12 层HBM4 同样采Advanced MR-MUF 技术；至于后续的16 层HBM4/ HBM4E 将同步采用Advanced MR-MUF 和混合键合
53910编辑于 2024-09-12 IGBT 芯片平整度差，引发键合线与芯片连接部位应力集中，键合失效
一、引言在 IGBT 模块的可靠性研究中，键合线失效是导致器件性能退化的重要因素。研究发现，芯片表面平整度与键合线连接可靠性存在紧密关联。 二、IGBT 键合结构与工作应力分析IGBT 模块的键合结构通常由键合线（多为金线或铝线）连接芯片电极与基板引线框架构成。 在芯片与基板的界面处，不平整的表面会导致键合线在连接点附近产生较大的弯曲变形，这种变形会在键合界面形成应力集中。 四、键合失效的典型模式与实验验证（一）键合界面开裂在应力集中作用下，键合线与芯片电极的连接界面易出现微裂纹。随着器件反复热循环，裂纹会逐步扩展，最终导致键合界面完全开裂。 扫描电镜（SEM）观察发现，失效样品的键合界面普遍存在明显的应力腐蚀痕迹。激光频率梳3D光学轮廓测量系统简介：20世纪80年代，飞秒锁模激光器取得重要进展。
32010编辑于 2025-09-02半导体先进封装技术深度解析：芯粒、异构集成、混合键合与逆向混合键合
IHB通过“先进行直接铜键合，再进行气相介电质填充”的逆向工艺流程，从根本上解决了传统混合键合的“颗粒物瓶颈”。 TSMC的CoWoS、InFO，以及Intel的EMIB、Foveros等2.5D/3D封装技术，正是这场革命的基石。 图4：混合键合工艺流程：先进行介电质键合，再通过退火完成铜互连。 4.1 支柱一：构建可靠的直接铜键合基础研究的第一步是确保能够实现高质量的铜-铜直接键合。 材料过硬：氧化铝的莫氏硬度高达9，填充后会使整个封装结构变得非常脆，反而可能在热应力下成为应力集中点，有损可靠性。
1.4K20编辑于 2025-10-09- 来自专栏python3
3D快捷键
快捷键 全局选项： Alt + 鼠标滚轮 上/下使窗口 透明/不透明 程序切换： Alt + Tab：在当前工作台中切换窗口 Ctrl + Alt + Tab：在所有工作台中切换窗口 点击一个窗口缩放它到前台） 右上角（关键区域）：当前工作台 显示桌面（看当前立体面的桌面）： 右下角（关键区域）：开/关 立方体旋转： Ctrl + Alt + 左/右方向键： 立体地切换桌面 Ctrl + Shift + Alt + 左/右方向键：把活动窗口移到左/右工作台 Ctrl + Alt + 鼠标左键并拖曳：手动旋转立方体 缩放： Win + 鼠标右键 鼠标左键：迅速移动窗口（会粘住边框） 调整窗口大小： Alt + 鼠标中键 水波效果： Ctrl + Win + 移动鼠标：关标在水上移动（默认无效） Shift + F9：
1.2K30发布于 2020-01-15 提高键合晶圆 TTV 质量的方法
关键词：键合晶圆；TTV 质量；晶圆预处理；键合工艺；检测机制一、引言在半导体制造领域，键合晶圆技术广泛应用于三维集成、传感器制造等领域。 二、提高键合晶圆 TTV 质量的方法2.1 键合前晶圆处理键合前对晶圆的处理是提高 TTV 质量的基础。 同时，可对晶圆进行预键合处理，通过低温等离子体活化等方式，改善晶圆表面活性，为高质量键合奠定基础 。2.2 键合工艺优化键合工艺参数对 TTV 质量影响显著。 优化键合温度，根据晶圆材质和键合材料特性，确定合适的温度范围。温度过高可能导致晶圆变形，增大 TTV；温度过低则键合强度不足 。 此外，优化键合时间，避免时间过长或过短，确保键合过程充分且稳定，减少因键合不充分或过度键合带来的 TTV 问题 。2.3 键合后检测与调整建立高效的键合后检测机制是保证 TTV 质量的关键。
33010编辑于 2025-05-26- 来自专栏硅光技术分享
光学引线键合技术 (photonic wire bonding)
https://www.quora.com/What-metals-are-generally-used-in-electrical-wires-cables） 借鉴金属打线的思路，人们提出了光学引线键合的方案 （图片来自文献1） 该方法与3d激光直写波导（可参看光芯片的材料体系比较）非常相似，区别在于所选取的材料，PWB的材料为光刻胶，形成波导后会清洗掉没有曝光的光刻胶，而激光直接波导通常所选取的材料为玻璃 以上是对光学引线键合方案的介绍，该方案的想法非常简单，但技术瓶颈较高，需要多年的工艺积累。
7.1K53发布于 2020-08-13 论金丝引线键合的影响因素
金丝引线键合的影响因素对整个键合过程进行研究分析，金丝引线键合有6个主要影响因素：劈刀选型、键合设备调试、超声、温度、压力、产品的可键合性。 2.4 温度对键合的影响温度是金丝引线键合过程中重要的外加能量驱动，加热台可以加热活化产品键合面，均有利于产品的键合。 在实际运用中经常犯的错误就是针对所有劈刀采用同样的固定键合压力，在键合过程中只是调节键合功率和键合时间的大小，此方法明显未考虑到不同材质的劈刀具有不同的键合特性。 键合生产过程中的管理问题键合要求高，难度大，属于关键控制工序，键合生产过程中的管理问题同样需要引起高度重视，主要体现在以下3个方面：操作人员缺乏对键合本质和键合设备原理的基础认知。 基于现实考量，键合设备往往是多人混用，很容易造成键合设备管理的混乱和失控，因此应设立键合设备专人专用专管制度。键合质量问题的处理措施。
65700编辑于 2024-07-01- 来自专栏WOLFRAM
Wolfram|Alpha 化学分步解答：结构与键合
本周我们带着更多化学知识回来，以探索分子结构以及与Wolfram|Alpha及其逐步化学产品的键合。阅读前几周有关化学反应和解决方案的更多信息，并在下周加入我们，进行量子化学的最后一部分！ 化学中的结构和键合是指分子中原子的位置以及将这些原子保持在一起的位置。分子通过组成分子的原子之间的化学键结合在一起。 理解分子结构与键合所涉及的电子之间的相互作用有助于新分子的设计，化学反应的控制以及对周围分子的更好理解。 为了掌握与结构和键合相关的计算，分步解决方案提供了逐步指导，可以一次查看一次，也可以一次查看全部。例如，继续阅读有关Lewis结构、氧化数和轨道杂化的问题。 化学结构 ? 使用所描述的Wolfram | Alpha工具测试您的问题解决能力，以解决这些有关结构和键合的单词问题。答案将在本系列的下一篇博客文章中提供。 1.氢化铝锂中氢的氧化态是什么？ 2.
88620发布于 2020-06-10 - 来自专栏等离子设备的应用
等离子清洗工艺在芯片键合前的应用
等离子清洗工艺在芯片键合前的应用等离子体清洗工艺在IC封装行业中的应用主要在以下几个方面：点胶装片前工件上如果存在污染物，在工件上点的银胶就生成圆球状，大大降低与芯片的粘结性，采用等离子清洗可以增加工件表面的亲水性 引线键合前封装芯片在引线框架工件上粘贴后，必须要经过高温固化。假如工件上面存在污染物，这些污染物会导致引线与芯片及工件之间焊接效果差或黏附性差，影响工件的键合强度。 等离子体清洗工艺运用在引线键合前，会明显提高其表面活性，从而提高工件的键合强度及键合引线的拉力均匀性等离子体清洗工艺参数对清洗效果的影响不同的工艺气体对清洗效果影响氩气物理等离子体清洗过程中，氩气产生的离子携带能量轰击工件表面 等离子清洗对芯片键合前清洗效果的影响经过等离子清洗后，对工件芯片进行接触角测试，试验检测得出：未进行等离子体清洗的工件样品接触角大约在45°~58°；对已经进行过化学等离子体清洗的工件芯片的接触角大约在
69400编辑于 2023-08-08 IGBT 封装底部与散热器贴合面平整度差，引发键合线与芯片连接部位应力集中，键合脆断
研究发现，贴合面平整度差不仅导致散热性能下降，还会通过力学传递路径引发键合线与芯片连接部位的应力集中，最终造成键合脆断失效。 这种压力差异通过基板 - 芯片 - 键合线的力学传递路径逐级放大：散热器施加的局部集中压力经 DBC 基板传导至芯片表面，使芯片产生非均匀形变；芯片形变进一步通过键合线弧度变化转化为连接部位的拉伸 / 四、键合脆断的失效模式与实验验证（一）界面脆性断裂在高应力集中区域，键合线与芯片电极的金属间化合物（IMC）层会优先产生微裂纹。 SEM 观察显示，失效界面存在明显的河流状花样，断裂源多位于键合球边缘应力集中区。（二）动态疲劳脆断在周期性热 - 力耦合作用下，键合线颈部发生循环塑性变形，位错堆积形成微孔洞。 激光频率梳3D光学轮廓测量系统简介：20世纪80年代，飞秒锁模激光器取得重要进展。
30410编辑于 2025-09-03瞄准先进封装市场，传ASML将开发混合键合设备
由于混合键合制程对超高精度对位有极高需求，因此这类技术正逐步导入混合键合设备中。 混合键合是一种用于芯片堆叠与连接的新一代封装技术，与热压键合（TC bonding）不同，混合键合不需使用微小金属凸块（ bumps ），而是直接将芯片间的铜表面进行接合。 在该制程中，键合头会拾取芯粒（die），移动至基板或晶圆上，并施加压力，使铜层之间形成直接键结。 产业分析师透露，ASML进入混合键合领域其实早在预期之中。 应用材料也早已进军先进封装领域，去年应用材料还与贝思半导体合作开发Kynex芯粒对晶圆（D2W）混合键合系统，并整合了贝思半导体Datacon 8800 Cameo Ultra Plus AC混合键合设备 另一位知情人士指出，ASML拥有全球最先进的超高精度控制技术之一，其混合键合技术可能大幅改变现有市场格局。 不过，ASML称，其目前并未推动混合键合业务。 编辑：芯智讯-浪客剑
14410编辑于 2026-03-19- 来自专栏先进封装
Au)绝缘涂层键合线通用性数据表
绝缘涂层键合线，通常用于电子元器件、集成电路（IC）封装、电力设备以及其他需要导电连接且同时要求电气隔离的应用中。 绝缘涂层键合线的主要组成部分1. 材料代码：Tfri11302. 物理特性3. 客户定制>10km绝缘涂层键合线平均击穿电压（BDV）与涂层厚度关系（客户定制）4. 材料代码：Tfri1130
7800编辑于 2025-09-21 - 来自专栏光芯前沿
ISSCC 2026：Nvidia展示7nm EIC＋65nm PIC混合键合的256Gbs DWDM 3D堆叠CPO光互连芯片
◆ 3D混合键合集成工艺：高密度低寄生的光电协同设计 链路采用3D堆叠集成工艺，将7nm FinFET工艺的电子集成电路（EIC）面对面堆叠在65nm SOI硅光子（SiPh）工艺的光子集成电路 （PIC）之上，二者通过混合键合技术实现互连，最大限度降低了光电接口的寄生参数，同时提升了接收机的信号灵敏度。 芯片布局采用光电通道一一对应的协同设计，混合键合焊盘的节距为9μm，通过将集成PD的微环精准布局在对应电通道的正下方，大幅缩短了TX驱动器到TX微环、RX PD到RX TIA的布线距离，从物理层面降低了互连寄生 单个TX物理层（PHY）包含9个数据/FWDCLK通道、1个TXPLL通道、1个TXPLL稳压器通道与1个去耦电容通道；单个RX PHY包含9个数据/FWDCLK通道、1个RXPLL通道、2个分别为TIA ◆ 总结 本次提出的半速率带通滤波时钟转发DWDM光链路，基于7nm EIC与65nm PIC的3D混合键合堆叠工艺，通过架构创新解决了传统转发时钟与嵌入式时钟方案的固有缺陷，实现了高速传输
45910编辑于 2026-03-02 - 来自专栏一“技”之长
iOS9系列专题一——3D Touch 原
新的触摸体验——iOS9的3D Touch 一、引言 在iphone6s问世之后，很多果粉都争先要体验3D Touch给用户带来的额外维度上的交互，这个设计之所以叫做3D Touch， 3.Force Properties iOS9为我们提供了一个新的交互参数:力度。我们可以检测某一交互的力度值，来做相应的交互处理。 五、Home Screen Quick Action使用与相关api详解 iOS9为我们提供了两种屏幕标签，分别是静态标签和动态标签。 UIMutableApplicationShortcutItem 创建可变的3DTouch标签的类 UIApplicationShortcutIcon 创建标签中图片Icon的类 因为这些类是iOS9中新增加的类 NSDictionary *)launchOptions; 也需要进行一下判断，在launchOptions中有UIApplicationLaunchOptionsShortcutItemKey这样一个键，
79420发布于 2018-08-16 - 来自专栏先进封装
绝缘涂层键合铜线的互联技术及工艺制程的改进与验证
三、绝缘涂层键合铜线SSB键合的影响因素及工艺控制1. 芯片表面质量对SSB键合的影响！芯斤表面的质量状况对绝缘涂层键合铜线 SSB 键合有着关键影响。 图 2: 芯片的表面质量及键合异常通过对绝缘涂层键合铜线键合工艺的研究,总结绝缘涂层键合铜线的SSB 互联键合的焊盘尺寸和允许线径的匹配要求。 表1: 绝缘涂层键合铜线 SSB 键合的焊盘尺寸和要求的芯片铝层厚度2 . 绝缘涂层键合铜线键合工艺对SSB键合的影响！ 焊接界面处的金属存在着相互渗透和扩散的情况,使界面的厚度随时间而增长,从而影响焊接界面的稳定性经过高温的铜铝界面上产生了 Cu9Al4和 CuA1 等金属间化合物,因此控制好金属间化合物的结合面,才能保证整体的焊接质量 在使用绝缘涂层键合铜线时需注意在氮气柜中保存，要求温度为20~25℃，相对湿度小于50%。绝缘涂层键合铜线的使用期限通常为6个月,打开真空包装后应在 9 天内用完。
79300编辑于 2024-11-12 - 来自专栏芯智讯
发力先进封装，三星在韩国设混合键合产线
报道称，目前应用材料和贝思半导体正在三星韩国天安园区安装混合键合设备，天安园区也是三星先进封装生产基地。韩国产业官员也表示，目前是在建设一条生产线，设备是用于非內存芯片的封装。 据了解，混合键合与现有键合方法相比，可提高I/O和布线长度。三星最新投资是为了加强先进封装能力，推出采用混合键合的X-Cube。 业界猜测，混合键合也可应用于三星今年开始推出的SAINT（三星先进互连技术）平台，包括三种3D堆叠技术，即SAINT S、SAINT L和SAINT D。 据了解，晶圆代工龙头台积电的SoIC（系统整合芯片）也是提供混合键合的3D封装服务，设备同样也是由应用材料和贝思半导体共同提供。 英特尔也将混合键结技术应用在其3D封装技术Foveros Direct，并于去年商业化。
29310编辑于 2024-02-06 - 来自专栏AI模型部署实践
HAI - 腾讯混元3D模型一键部署
一、环境介绍 腾讯混元 3D 模型是一款先进的大规模 3D 资产创作系统，它可以用于生成带有高分辨率纹理贴图的高保真度 3D 模型。 等待 AI 生成完成，即可获得 3D 资产。
4.3K11编辑于 2025-05-13
腾讯云开发者
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