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3D 硅光芯片
加州Davis分校研究组所提出的基于硅光的3D PIC，整体结构如下， ? （图片来自文献1） 右图中的小方格是一个结构单元，每个cell由两层硅光PIC芯片和一层EIC芯片构成。 这三个芯片放置在基于SiN光波导系统的垫片(interposer)上。最上层的PIC由光栅阵列构成，中间一层的PIC主要包含分光器（光芯片中的分束器）和相位调制器。 更详细的芯片结构如下图所示， ? （图片来自文献1） 研究人员在40微米厚的SiO2包覆层中加工出3D的S型波导。将S型波导与SiN基片进行耦合，实验测得的插损是2.8dB。主要损耗来源于两个芯片间的空气隙。 该文献没有给出整个3D PIC最终的工作性能，仅贴出了芯片的结构图，如下图所示， ? （图片来自文献1） 期待整个3D LIDAR系统进一步的实验结果。 几点看法： 目前2D 硅光芯片的集成度其实还没有那么高，对器件密度提高的需求不是主要矛盾。虽然3D PIC的想法很好，有很好的前瞻性，但从应用需求和加工难度来看，还是实用性不够强。
2K30发布于 2020-08-13 3D芯片堆叠技术----越看压力越大
3D芯片堆叠是一种通过垂直堆叠多层芯片并将其互连，以克服传统2D集成电路的局限性。和最近华为提出的韬（τ）定律有几分相似的。都是通过多层堆叠，只不过一个是在封装阶段，一个是在晶圆前道阶段。 今天我们就聊聊封装阶段的芯片堆叠方案，为什么最近这个3D堆叠会受到重视。说实话，我也是最近碰到这个需求，需要把光芯片键合到一个coms芯片上，比如InP材料的芯片如何键合到硅基的芯片上。 基本的方案有wafer to wafer和die to wafer，但是如何让二者的芯片连通导电，就用到垂直互联技术。就进入了3D封装的工艺了。 传统3D封装可能会叠加更多的die进行堆叠。 3D封装里面有3个主要的工艺演变。 现状：对于传统的Microbump（间距20-40μm）和大多数逻辑芯片的3D堆叠，Underfill仍然是必不可少的，因为直接键合的良率和成本目前尚无法完全替代。
46210编辑于 2026-05-29垂直堆叠3D芯片突破AI算力瓶颈
研究人员创造了一种新型的3D计算机芯片，该芯片将存储和计算元件垂直堆叠，极大地加快了芯片内部的数据移动速度。与传统平面设计不同，这种方法避免了制约当前AI硬件的“交通拥堵”问题。 凭借创纪录数量的垂直连接以及将存储和计算单元紧密放置的紧凑布局，该设计避免了限制平面芯片发展的速度瓶颈。在硬件测试和模拟中，这款3D芯片的性能比2D芯片高出一个数量级。 研究人员之前在学术实验室中制造过实验性3D芯片，但该团队表示，这是第一次在商业代工厂中生产出性能明显提升的芯片。 单片式3D芯片的制造方式许多早期的3D芯片尝试采用了一种更简单的方法，即堆叠独立的芯片。这可能有所帮助，但层与层之间的连接通常比较粗糙、数量有限，并且可能成为新的瓶颈。该团队采用了不同的方法。 通过证明单片式3D芯片可以在美国制造，他们认为这为本土硬件创新的新时期提供了一个蓝图，在这个新时期，最先进的芯片可以在美国本土设计和制造。
38810编辑于 2026-03-26无硅衬底的高楼式3D芯片堆叠技术
研究人员现在可以制造出一种3D芯片，其中交替的半导体材料层直接生长在彼此之上。该方法去除了各层之间的厚硅衬底，从而实现更好、更快的计算，适用于构建更高效的人工智能硬件。 电子行业正在逼近将晶体管封装到计算机芯片表面的数量极限。因此，芯片制造商正寻求“向上”而非“向外”构建。 这种多层芯片能够处理的数据量呈指数级增长，并执行比当今电子产品复杂得多的功能。然而，一个重大障碍是芯片构建的平台。目前，笨重的硅晶圆是生长高质量单晶半导体元件的主要支架。 “我们的技术实现的产品不仅是3D逻辑芯片，还有3D存储芯片以及它们的组合，”Kim说，“通过我们基于生长的单片3D方法，你可以直接在彼此之上生长数十到数百个逻辑和存储层，它们将能够很好地通信。” “传统的3D芯片是通过在硅晶圆之间钻孔的方式制造的，这一过程限制了堆叠层数、垂直对准分辨率和良率，”第一作者Kiseok Kim补充道，“我们基于生长的方法一次性解决了所有这些问题。”
24310编辑于 2026-04-07- 来自专栏电源管理IC
九齐单片机 MCU芯片 NY8A051G SOP8 九齐芯片 内置晶振
九齐单片机 MCU芯片 NY8A051G SOP8 九齐芯片 内置晶振一、九齐单片机MCU芯片概述九齐单片机MCU芯片是一款适用于多种应用领域的芯片，其型号为NY8A051G SOP8，内置晶振，具有高效 该芯片采用先进的CMOS技术，具有高可靠性和稳定性，适用于各种环境条件。此外，九齐单片机MCU芯片还具有可编程特性，用户可以通过编程来实现所需的功能，极大地提高了芯片的灵活性和可扩展性。 二、九齐单片机MCU芯片特点1.高效性：九齐单片机MCU芯片采用CMOS技术，具有低功耗的优点，适用于各种应用场景。2.高速性：该芯片具有高速处理能力，可以满足各种复杂控制算法的需求。 5.低成本：该芯片具有较低的价格，可以降低整个产品的成本。三、九齐单片机MCU芯片应用领域1.智能家居：九齐单片机MCU芯片可以用于智能家居控制系统中，实现家居电器的智能化控制和管理。 五、九齐单片机MCU芯片使用注意事项1.在使用九齐单片机MCU芯片时，需要按照芯片手册提供的引脚配置和程序代码来进行开发和调试。
78810编辑于 2023-11-27 - 来自专栏全志嵌入式那些事
8月全志芯片开源项目分享合集
T113环境温湿度采集与监控板 作者：lin_xiaoyan 本项目的基本原理是由下位机采集温湿度信息到监控端，并由T113读取SHT30高精度温湿度芯片，UI采用高仿HomeAssistant的样式显示室内温湿度情况
53810编辑于 2024-09-08 - 来自专栏hightopo
WebGL 3D on iOS8 正式版
今天iOS8终于正式发布了，升级了手头设备后对我来说最重要的就是测试WebGL的3D是否真的能跑苹果的系统了，跑了多个HT for Web的3D例子都非常流畅，比Android刚支持WebGL时好太多了 以下是跑HT for Web的3D网络空间拓扑图在iphone5上的截图和视频操作效果，自然不如PC上流畅，但iOS8第一步就能让WebGL达到这样的效果和性能我已经很知足了，感谢苹果！
40610发布于 2018-07-09 PD快充电压诱骗芯片，QC快充电压诱骗IC，8脚芯片FS313B封装CPC8
而在快充技术中，PD快充电压诱骗芯片和QC快充电压诱骗IC是两种常见的芯片，它们被广泛应用于各种快充设备中。本文将对这两种芯片进行详细的介绍和比较，帮助读者更好地了解它们的特性和应用场景。 输入电压范围：3.3V~24V，D+,D-和CC1/CC2耐压24V保护支持AFC 受电端协议支持PD Sink协议支持QC2.0受电端协议集成 USB C UFP 协议支持动态功率调配封装形式: CPC8应用电动工具无线充电器路由器小家电典型电路图 PIN ASSIGNMENT/DESCRIPTIONCPC8封装测试：FS313B的6脚R3用15K，5脚的R4是NC悬空，R3=15，对应诱骗20V输出电压1：FS313B使用C口的 PD快充 20W 100W，甚至更大， PW6606的5脚就是限PD功率的电流脚，如18W(12V1.5A)是 R3=4.7K R4= NC悬空， 如30W（15V2A）是R3=10k,R4=1K2，封装小封装信息CPC8 （比MSOP8的MOS管封装小一点点）
2.3K10编辑于 2024-01-16- 来自专栏新智元
华为研究混合3D芯片堆叠技术，或可绕过美国技术制裁
然而，是否存在代工公司，使用华为的专利技术，为其生产3D芯片封装，目前并不清楚。 但至少华为拥有一种独特的廉价3D堆叠技术，可以帮助它在不使用最新节点的情况下保持竞争力。 2.5D和3D混合堆叠 未来几年，芯片封装创新和多芯片互连技术将成为前沿处理器的关键。 因此，当下所有主要芯片开发商和制造商，都拥有自己专有的芯片封装和互连方法。 华为专家设计的这个方案，本质上是2.5D和3D堆叠的混合体。 这样，两个小芯片在封装内相互重叠，能大大地节省空间，不像经典3D封装那样完全叠放。 重叠 华为的方法是用小芯片的重叠部分来建立逻辑互连。 而好消息是，一个芯片的再分配层可以用来连接内存，从而节省存储空间。 可以说，华为的混合3D堆叠比其它公司传统的2.5D和3D封装技术应用更普遍。 因此，华为在开发他们自己的2.5D和3D芯片堆叠技术和互连方法。
2.3K30编辑于 2022-05-05 2026年，3D新架构将让国产AI芯片“弯道超车”
随着芯片产业走向“后摩尔定律”时代，3D集成技术正悄然成为突破计算芯片制造架构瓶颈的关键选项。 在12月20日举行的“第四届HiPi Chiplet论坛” 3D IC分论坛上，清微智能联合创始人兼首席技术官欧阳鹏表示，国产高端AI芯片有望在2026年通过3D可重构架构技术，实现对国际主流高端AI芯片的超越 国产AI芯片“弯道超车”主战场：3D可重构架构技术 不仅是学术层面，如今，3D可重构架构技术已经商业落地，并有望成为中国AI芯片“弯道超车”的主战场。 国内市场方面，国产AI芯片有望在2026年采用3D可重构新架构。 早在2019年，清微智能和清华大学团队就开展了3D可重构AI架构相关研究，自2023年1月开始，清微智能在中美进行3D芯片相关的大量专利布局。
98410编辑于 2026-03-20- 来自专栏KT148A
KT148A-SOP8 芯片：从 OTP 痛点到 Flash 革新的语音芯片选型指南
SOP8 封装的语音芯片作为行业经典形态，长期占据消费电子语音提示场景的主流市场。其技术源头可追溯至台系原厂的早期布局，佑华、九齐、硕呈等厂商凭借 4 位机技术在玩具语音领域奠定基础。 行业应用共识上述功能定义已形成市场通用标准，极大降低了开发门槛，推动 SOP8 芯片在医疗、安防、智能家居等领域的规模化应用。 （二）传统 OTP 芯片的核心痛点 生产风险高OTP（一次性可编程）特性导致芯片烧录后无法修改，批量生产中若程序出错将直接报废，增加品质管控压力。 Flash 技术革新：KT148A-SOP8 芯片解决方案 针对传统 OTP 芯片的痛点，KT148A 采用 Flash 存储架构，实现从 "一次性使用" 到 "可重复迭代" 的技术突破，其核心优势与技术参数如下 大容量成本优势在 40 秒以上语音场景中，Flash 架构成本显著低于传统 OTP 芯片。KT148A 最大支持 420 秒语音存储（8kHz 采样），满足复杂语音提示需求。
53400编辑于 2025-06-29 - 来自专栏机器之心
在芯片上培养脑细胞，还能用来测试新药，LLNL实验室开发出3D「芯片大脑」
在一篇发表在 Lab on a Chip 期刊的论文中，LLNL 实验室研究人员表示，他们创建的 3D 微电极阵列（3DMEA）平台能够维持数十万人类神经元存活，并使它们在 3D gel 中连接和沟通。 LLNL 实验室致力于在芯片设备上复制人体系统，而该研究正是其系列工作的一小部分。其目标是随着相关技术的不断发展，研发的芯片设备更适用于人类，甚至取代动物测试。 Fischer 表示，这项 3D 芯片大脑研究的最终目的是：开发出一个提供人类相关数据的实验平台，通过简化、易复现、中肯的模型系统，更好地理解不同类型的药物和治疗方案对人脑功能的影响。 Fischer 解释称：「为了促进这种 3D 芯片大脑的发展，我们需要设计一种能够从三个维度实际监测神经元功能的芯片，但项目伊始，我们并不具备相应技术，所以必须从内部开发。 该团队正在寻求外部资金支持，以使用 3D 芯片大脑来筛选治疗方法，并创建更多用于创伤性脑损伤等疾病和障碍的神经元模型。 最后，Fischer 表示：「这些项目将永远不会结束。
50310编辑于 2023-03-29 白光干涉仪在芯片晶圆沟槽的 3D 轮廓测量
摘要：本文研究白光干涉仪在芯片晶圆沟槽 3D 轮廓测量中的应用，分析其工作原理及适配沟槽结构的技术优势，通过实际案例验证其测量精度，为芯片晶圆沟槽制造的质量控制与工艺优化提供技术支持。 关键词：白光干涉仪；芯片晶圆；沟槽；3D 轮廓测量一、引言芯片晶圆沟槽是集成电路中的关键结构，承担着信号传输、散热等重要功能，其 3D 轮廓参数（如深度、宽度、侧壁垂直度、底部平整度）直接影响芯片的电学性能与可靠性 白光干涉仪凭借非接触、高分辨率及三维重构能力，成为芯片晶圆沟槽 3D 轮廓测量的核心技术手段。二、白光干涉仪工作原理白光干涉仪基于低相干干涉技术实现三维形貌重构。 3.3 高效全域表征支持最大 2mm×2mm 的单次扫描范围，结合快速图像拼接技术，可在 5 分钟内完成整片 8 英寸晶圆的沟槽阵列测量，同步获取沟槽的分布均匀性、局部缺陷（如侧壁凹陷、底部凸起）等全域数据 五、结语白光干涉仪在芯片晶圆沟槽 3D 轮廓测量中展现出显著优势，其对沟槽结构的适配性、高精度参数检测能力及高效全域表征特性，为芯片晶圆沟槽的工艺优化与质量管控提供了可靠技术支撑，助力提升集成电路的制造精度与性能稳定性
31710编辑于 2025-10-18- 来自专栏深度学习
【深度学习】 Python 和 NumPy 系列教程（廿二）：Matplotlib详解：2、3d绘图类型（8）3D饼图（3D Pie Chart）
spm=1001.2014.3001.5501 2. 3D散点图（3D Scatter Plot） 3d绘图类型（2）3D散点图（3D Scatter Plot）_QomolangmaH的博客-CSDN spm=1001.2014.3001.5501 3. 3D条形图（3D Bar Plot） 3d绘图类型（3）3D条形图（3D Bar Plot）_QomolangmaH的博客-CSDN博客编辑https spm=1001.2014.3001.5502 4. 3D曲面图（3D Surface Plot） 3d绘图类型（4）3D曲面图（3D Surface Plot）_QomolangmaH的博客-CSDN spm=1001.2014.3001.5501 7. 3D表面投影图（3D Surface Projection Plot） 3d绘图类型（7）3D表面投影图（3D Surface Projection spm=1001.2014.3001.5501 8. 3D饼图（3D Pie Chart） import matplotlib.pyplot as plt labels = ['A', 'B', 'C
63110编辑于 2024-07-29 - 来自专栏ATYUN订阅号
英特尔公布了全新3D堆叠技术，10纳米芯片即将推出
英特尔公开了新的3D封装技术Foveros，可以让芯片制造商捆绑各种垂直芯片组件，从而提高设备的速度，而无需等待新的芯片制造工艺成熟。 换句话说，通过Foveros，英特尔将能够将各种芯片叠加在一起，包括CPU，内存和其他芯片，而无需担心各自的底层制造技术。 3D堆叠 堆叠的重要性不仅仅是节省空间，尽管这肯定是它的重要组成部分。 业界其他公司已经开始研究混合和匹配晶体管的好处，投资“小芯片”，它们几乎可以像微观互锁拼图一样使用。但这一切仍然是发生在同一平面上，而英特尔的3D堆叠技术像是乐高积木一样的解决方案，提供了更多选择。 几十年来，一种成功的3D封装技术一直受到追捧，但却被电力，热量和价格所限制。 而且因为我们在这些芯片之间具有非常高的带宽，所以它们的功能就像它们是单个芯片一样。” 从长远来看，这种可定制性也应该有助于英特尔的发展。
65940发布于 2018-12-27 美国首颗单片式3D芯片问世：能效有望提升1000倍
芯片，可能为未来设备带来高达1,000 倍能效提升。 报道称，该3D芯片通过将DRAM内存和逻辑单元直接叠加在一个连续的制造过程中，完全区别于传统的2D芯片布局。 原型3D芯片在SkyWater 的200毫米晶圆生产线上采用成熟的90nm至130nm工艺制造。 虽然学术实验室之前已经展示了实验性的3D芯片，但该团队强调，这项工作的不同之处在于它是在商业铸造环境中建造的，而不是在定制的研究生产线中建造的。 参与该项目的SkyWater高管称，这一努力证明了单片3D架构可以转移到国内制造流程中，而不是局限于大学的洁净室。
23010编辑于 2026-03-20- 来自专栏新智元
权威报告：2021年芯片只能向3D转型
报告认为，届时半导体厂商将面积缩小、放下更多晶体管的做法已经在经济上不划算，此后，半导体厂商将关注3D芯片等其他新的技术增强计算力。 不过，该报告发布并非意味着“摩尔定律”将在5年内死亡——通过使用3D堆叠等新的技术，短期内芯片的晶体管密度将继续提高。 不再自己制造尖端芯片的半导体公司，靠的是工厂为其芯片提供先进技术。Gargini还说，芯片购买方和设计方，如苹果、谷歌和高通，越来越能决定未来芯片的要求。 如果有哪一家公司愿意，它在2020年后也可以继续缩小晶体管的尺寸，只不过使用三维芯片要更划算——这就是报告想传达的信息。 换句话说，通过使用3D堆叠等新的技术，短期内芯片的晶体管密度将继续提高。 在FinFET的架构中，栅门成类似鱼鳍的叉状3D架构，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。
1.6K60发布于 2018-03-23 白光干涉仪在芯片刻蚀工艺后的 3D 轮廓测量
芯片刻蚀后测量的核心需求芯片刻蚀后测量需满足三项关键指标：一是多维度参数同步表征，需同时获取刻蚀深度（误差 <±1nm）、线宽（偏差 <±0.5nm）、侧壁倾角（精度 <±0.1°）、底部粗糙度（Ra< 典型应用案例在 5nm 逻辑芯片的 FinFET 刻蚀测量中，白光干涉仪检测出边缘区域鳍片高度比中心低 8nm（设计高度 120nm），侧壁倾角偏差 1.2°，追溯为刻蚀气体边缘流量不足，调整喷淋头分布后高度均匀性提升至 大视野 3D 白光干涉仪：纳米级测量全域解决方案突破传统局限，定义测量新范式！大视野 3D 白光干涉仪凭借创新技术，一机解锁纳米级全场景测量，重新诠释精密测量的高效精密。 2）超大视野 + 超高精度：搭载 0.6 倍镜头，拥有 15mm 单幅超大视野，结合 0.1nm 级测量精度，既能满足纳米级微观结构的精细检测，又能无缝完成 8 寸晶圆 FULL MAPPING 扫描， 分层膜厚无损检测：采用非接触、非破坏测量方式，对多层薄膜进行 3D 形貌重构，精准分析各层膜厚分布，为薄膜材料研究提供无损检测新方案。新启航半导体，专业提供综合光学3D测量解决方案！
37710编辑于 2025-09-26- 来自专栏芯智讯
AMD最大芯片发布：集成13个小芯片，1460亿个晶体管，AI性能提升8倍！
具体来说，Instinct MI300由13个小芯片整合而成，其中许多基于3D堆叠的，拥有24个Zen4 CPU 内核，并融合了CDNA 3 图形引擎，以及共享的统一内存池，包括 Infinity Cache 高速缓存和8个HBM共享内存设计。 这9个小芯片是通过3D封装堆叠在4个6nm小芯片上，这些芯片不仅仅是无源中介层——这些芯片是有源的，可以处理I/O和各种其他功能。 3D堆叠设计允许CPU、GPU 和内存芯片之间实现令人难以置信的数据吞吐量，同时还允许 CPU 和 GPU 同时处理内存中的相同数据（零拷贝），从而节省功耗、提高性能并简化编程。 AMD声称MI300提供的AI性能和每瓦性能是Instinct MI250的8倍和5倍（使用稀疏性FP8基准测试）。
67820编辑于 2023-02-09 - 来自专栏python3
ZAM 3D入门教程(8)：Zam3D中
概述 在Zam 3D是世界里，我们使用材质来描述颜色。不同于二维世界中的矢量图形，在Zam 3D中，我们可以使用灯光、是否平滑等来控制我们的对象的表面。 WPF材质限制 1. 在WPF中，所有的3D材质都是以笔刷的形式实现的。Zam 3D 2. 尽管微软支持模糊（Diffuse）材质、放射（Emissive）材质和漫反射（Sepcalar）材质。 但是在目前的Zam 3D版本中只支持模糊（Diffuse）材质和漫反射材质。 3. 位图纹理。在拷贝Zam 3D代码的时候，位图等是不会被拷贝的 材质库 ?
70810发布于 2020-01-14
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