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  • 来自专栏全栈程序员必看

    保护(2)_保护值和欠压保护

    Maxim的MAX4838-MAX4842系列保护控制器设计用于为电路提供、欠压保护IC内部集成了电压监视电路和高端N沟道MOSFET驱动器,正好可以借用它来实现上述控制。 3、是否有更好的保护电路方案? 5V 20mA用三极管就可以了,保护: 1.压断开(三极管,MOS管,继电器), 2.压吸收(稳压管,三极管,MOS管,压敏电阻), 3.压转换(电压高了自动转换到合适的电压给后级)。 LTC4360-1) 采用纤巧型 8 引脚 SC70 封装 描述 LTC®4360 保护控制器可保护 2.5V 至 5.5V 系统免遭电源压的损坏。 8 引脚 ThinSOTTM 封装和 8 引脚 (2mm x 2mm) DFN 封装 描述 LTC®4361 压 / 保护控制器可保护 2.5V 至 5.5V 系统免遭输入电源压的损坏。

    2.4K20编辑于 2022-09-20
  • 来自专栏极安御信安全研究院

    淹没虚函数地址GS保护(关闭DEP保护

    如果我们在有GS保护的程序中使用栈溢出淹没返回地址EBP+4的位置,势必会破坏EBP-4的值,在函数返回之前经过Security check,会直接导致我们栈溢出淹没返回值失败,本篇通过调用c++虚函数在 GS检查函数之前的特征,通过淹没虚函数地址,让虚函数地址指向我们的shellcode,达到绕过GS保护成功溢出的目的。 详细了解GS保护机制可以参考《0day安全》这本书。 ->多线程调试(/MTd);第二步:打开项目属性-->配置属性-->C/C++-->代码生成-->缓冲区安全检查(GS)-->是;第三步:打开项目属性-->配置属性-->链接器-->高级-->数据执行保护 \x50"       "\x53\xFF\x57\xFC\x53\xFF\x57\xF8“/*这段是我们一个弹窗shellcode,效果是弹出一个框,如果程序弹框,证明我们栈溢出成功,并成功绕过GS保护

    1.9K10编辑于 2022-08-25
  • 来自专栏AIoT技术交流、分享

    如何设计保护电路?

    本篇博文将从省钱省心的TVS管和可靠高效电路设计两个方法介绍如何快速设计保护电路。 TVS用于防止保护的工作原理 如下图所示是RS485的保护电路,RS485芯片的工作电压一般是5V,能够承受的极限电压一般是12V。 TVS管专门用于瞬间保护,无法应付长时间的压,不到0.5STVS就会因过热烧毁,后级电路就会失去保护。 ? 1.4、总结 TVS用于保护存在两个局限性:小信号和低速。 老宇哥手把手教你分析保护电路设计,你GET到精髓了吗? 【干货分享】TVS用于常规保护 MOS管防反接防压电路

    2.2K30发布于 2021-01-20
  • 来自专栏工程师看海

    电池保护1:锂电池保护原理UVP

    这篇文章的起因是前一段时间购买了一个某东的电子书阅读器来支持国产,但是吃灰一段时间后发现充不进去电了,网上很多用户有同样的反馈,这应该是电池放死掉了,保护没做好,所以写了这篇文章,普及下锂电池保护的基本原理 电池保护的一般逻辑是在过放或流等异常状态下,及时关断FET,停止放电回路,进而保护电芯,当异常状态消失时,再打开FET,使得电池继续工作。 、充的状态。 当电池放时,Vbat电压会降低,当电池电压低于放检测电压Vuvp一段时间后,DOUT输出低电平,关闭放电MOS ,防止电池进一步放电,如果保留上图中蓝色V-的路径,电芯还是会继续放电,此时保护IC通过内部上拉电阻 以上就是电池保护的基本过程,后续会持续介绍电池各种异常状态的保护策略。

    1.6K10编辑于 2022-06-23
  • 来自专栏电路知识分享

    打嗝式保护电路剖析

    保护模式一般可分为打嗝模式(自恢复)和直接切断模式(自锁)。 (1)若处于打嗝模式,流时马上切断负载,延时后又给负载供电,如此反复。只有负载异常条件移除,才可以自动恢复正常工作。 本内容主要描述打嗝式保护,又被称为自恢复保护,其电路原理如下图1.1 所示。 处于流状态的波形如下图1.6。 较为简单的打嗝式保护电路: 当流过电阻Rshunt 的电流足以使 Q1 的 be 两端电压达到 -0.6V 左右时,Q1三极管就会导通,促使 Q2 截止。 相关原文件移步:保护电路Multisim仿真_打嗝保护资源-CSDN下载。 如若喜欢这篇文章,不妨留下您宝贵的点赞,这将是对我莫大的鼓励。也可以前往公众号获取更多资料,全网同号。

    72611编辑于 2025-08-10
  • 来自专栏工程师看海

    电池保护2:锂电池放电保护原理OCD

    锂电池的使用越来越普及,市面上大部分电子产品都使用的是锂电池,锂电池有4种基本保护,分别是过度充电(OVP)、过度放电(UVP)、充电流(OCC)、放电流(OCD)(负载短路)。 其中过度充电、过度放电一般是针对电压,充电流和放电流一般是针对电流。 我们通常见到的设备上的电池包,是由电芯(CELL)和保护板两部分构成的。保护功能由保护板实现。 过度放电保护逻辑以前曾经介绍,今天介绍放电流的保护原理。 同时,需要注意的是,如果在放电保护状态下进行充电,保护IC也会退出OCD状态,因为充电时的回路和放电回路相反,见下图,在放电时V-电压高于VSS,充电时相反,V-电压降低,这就满足了退出放电流的条件 以上就是电池放电流的保护原理。

    3.4K21编辑于 2022-06-23
  • 来自专栏Eureka的技术时光轴

    TP保护的最佳方法(最新整理)

    https://wenku.baidu.com/view/eecc906148d7c1c708a145aa.html

    2K30发布于 2019-12-20
  • 来自专栏工程监测

    DC电源模块保护功能介绍

    DC电源模块通常具有多种保护功能,其中保护是其中一项重要的保护功能。图片保护是指当DC电源模块输出电压高于预设值时,系统会自动进行保护操作,以避免对电子设备造成压损坏。 保护通常都是在电源模块的输出端进行的,因为这是直接给电子设备供电的地方。如果电源模块的输出电压超过了预设值,保护的操作通常有以下几种:1. 图片以上三种保护方式都可以有效地避免电子设备因压而造成的损坏,而且这些保护功能通常是内置在电源模块中的,不需要用户自行设置。 除了以上这些保护功能外,电源模块还有其他的保护功能,比如保护、过热保护等等,这些保护功能能够保护电源模块本身以及给电子设备供电的稳定性和安全性。 DC电源模块的保护功能是非常重要的一项保护措施,它能够有效地避免电子设备因为压而造成的损坏,保证设备的正常运行。因此,在选购电源模块时,要选择具有多种保护功能的产品,以确保电子设备的稳定供电。

    43330编辑于 2023-09-06
  • 来自专栏工程监测

    关于DC电源模块的保护功能说明

    BOSHIDA 关于DC电源模块的保护功能说明DC电源模块是一种常见的电源供应模块,广泛应用于各种电子设备和系统中。为了确保电源模块的安全和可靠性,通常会设置保护功能。 保护功能是指当电源模块输出电流超过额定电流时,会自动切断输出,以避免电源模块损坏或设备损坏。下面我们来详细介绍一下DC电源模块的保护功能。 其次,为了确保保护功能的准确性和可靠性,电源模块中还会设置一些保护措施,如延时保护、硬件保护和软件保护等。 其中,延时保护是指在电源模块输出电流超过额定电流后,系统会进行一定的延时操作,以确保保护的准确性和稳定性。 同时,还应定期对电源模块进行检查和维护,确保保护功能的正常运行和可靠性。保护保护DC电源模块和设备安全运行地重要功能。

    50020编辑于 2023-09-04
  • 南京观海微电子-----短路(流)保护电路详细工作解析

    短路保护电路就是在电源输出中一旦发生短路,短路保护电路工作中断电源输出,来保护电源电路免受损坏。下面来具体分析一个实际短路保护电路的工作过程。 TIP42CPNP三极管发射极e、集电极c变为截止,电源电路停止输出,完成对电源电路的保护。ZD1的选型根据输出电压大小的不同而不同。

    39310编辑于 2025-12-12
  • 来自专栏算法之名

    OAuth2.0通token获取受保护资源的解析

    { "access_token": "ffb71ed0-5e48-44bc-b4aa-16ee0ba24b01", "token_type": "bearer", "refresh_token": "70220a36-3419-4c48-a60e-2d80b0f1774f", "expires_in": 28799, "scope": "app" }

    1.5K20发布于 2019-08-20
  • 来自专栏以终为始

    7-8 Left-pad (20 分)

    7-8 Left-pad (20 分) 根据新浪微博上的消息,有一位开发者不满NPM(Node Package Manager)的做法,收回了自己的开源代码,其中包括一个叫left-pad的模块,就是这个模块把

    51610编辑于 2023-03-09
  • day 7-8 GEO数据挖掘

    上到下五条线对应: 最大值 75% 中位数 25% 最小值 线段外侧为离群值 散点图就箱线图均用于组件比较 3、多基因差异分析—>火山图(含有log FC 和p值) 重点: 芯片分析的起点是一个取log 左上角及右上角为最有差异的基因 在火山图上标记差异基因:https://cloud.tencent.com/developer/article/1486128 4、主成分分析(PCA) 4.1通该分析图片表达的信息为 log2 2、异常样本:单个表达值均值明显低或高于其他样本 3、中位数在0附近,是不正常的zscore/scale标准划的数据且不能逆转(不能用于差异基因分析,但是可以做PCA/机器学习/热图) 4、没取log 且有负值:提示错误数据(建议换一个数据或处理原始数据) 5、取1og,有少量的负数,但是4<中位数<15 这种数据正常 3、优先找靠谱正常数据 降低难度 4、代码需要修代的地方:修改GSE名;判断是否需要

    52010编辑于 2025-08-15
  • 来自专栏刷题笔记

    7-8 阅览室 (20 分)

    本文链接:https://blog.csdn.net/shiliang97/article/details/99688636 7-8 阅览室 (20 分) 天梯图书阅览室请你编写一个简单的图书借阅统计程序

    67510发布于 2019-11-08
  • 来自专栏萌海无涯

    centos 7-8重置root密码

    引导至GRUB菜单并进入编辑模式。使用箭头导航至通常从中引导 Centos 7 Linux系统的菜单项。按下e以开始编辑所选菜单项。

    1.8K10发布于 2021-02-24
  • 来自专栏刷题笔记

    7-8 堆栈模拟队列 (25 分)

    本文链接:https://blog.csdn.net/shiliang97/article/details/97869472 7-8 堆栈模拟队列 (25 分) 设已知有两个堆栈S1和S2,请用这两个堆栈模拟出一个队列

    1.2K20发布于 2019-11-08
  • OVP保护芯片:为什么需要它?作用是什么?如何正确使用?

    OVP 保护芯片 OVP 保护 IC: 为了保护后级电路, 平芯微早早推出了系列 OVP 保护芯片产品, 很多客户对于 OVP 保护芯片的功能和使用仍然存在一些误解。 这次我们平芯微就针对 OVP 保护芯片功能使用做详细的描述和介绍。 首先我们需要先看下芯片规格书的描述(如下图) , 有一定了解后, 我们再往下给大家讲解。 , 不受高压的危险, 导致损坏后级电路,所以要求 OVP 保护芯片需要要过快的响应时间, 平芯微的以下 4 款 OVP 保护产品,都具有极快的 OVP 响应时间 0.05uS, 在 OVP 阈值达到时 也可以加 PW2609A 起到过压保护作用。 如: 快充充电器, 市面上快充充电器产品质量的参差不齐, 也需要平芯微的保护芯片提高安全性和质量可靠性。 如: TWS 耳机, 电子烟这种靠近人头部使用产品, 更需要平芯微的保护芯片提高安全性和质量可靠性。

    1.8K10编辑于 2024-03-06
  • 来自专栏ReganYue's Blog

    【PTA】7-8 到底有多二 (15分)

    一个整数“犯二的程度”定义为该数字中包含2的个数与其位数的比值。如果这个数是负数,则程度增加0.5倍;如果还是个偶数,则再增加1倍。例如数字-13142223336是个11位数,其中有3个2,并且是负数,也是偶数,则它的犯二程度计算为:3/11×1.5×2×100%,约为81.82%。本题就请你计算一个给定整数到底有多二。

    75830发布于 2021-09-16
  • 来自专栏生物信息云

    基因表达——融合基因表达

    因为融合基因表达载体的构建与一般的克隆载体构建流程是一样的,只是在PCR引物设计上有所不同!所以这篇文章只说融合基因表达引物设计,其他的与文章[基因克隆有这篇文章就够了]描述的相同。 2.融合基因表达简介 融合表达(fusion expression),指将外源蛋白基因与另一基因的3'端构建成融合基因进行表达,可使克隆化基因表达为融合蛋白的一部分。 5.总结 总之,融合基因表达的流程和一般的克隆表达一样!唯一不同的就是引物设计,就是在上游或者下游引物的酶切位点前添加碱基修补读框 (选择酶切位点旁边的碱基就近修补) ,核心思想就是防止移码 ?

    6.8K31发布于 2019-08-07
  • 来自专栏刷题笔记

    【未完成】7-8 最长有效括号串 (20 分)13分

    本文链接:https://blog.csdn.net/shiliang97/article/details/101473397 7-8 最长有效括号串 (20 分) 给定一个只含左右小括号的括号串序列

    48030发布于 2019-11-08
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