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合肥世纪金芯年产3万片6英寸碳化硅单晶衬底项目投产
2022年9月9日，合肥世纪金芯半导体有限公司年产3万片6英寸碳化硅单晶衬底项目投产仪式在合肥市高新区集成电路产业园隆重举行，该项目的顺利投产，标志着公司产业链源头自主可控能力升级，公司产业化进程迈入新篇章 这一仪式的成功举行，标志着合肥世纪金芯年产3万片6英寸碳化硅单晶衬底项目正式投产。 投产仪式上，世纪金光董事长李百泉在致辞中对关心支持世纪金芯6英寸碳化硅单晶衬底项目发展的合肥市委、市政府和高新区及市区两级职能部门、公司股东以及全体项目建设者表示衷心的感谢！ 第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长赵静在仪式上对世纪金芯6英寸碳化硅单晶衬底项目成功投产表示热烈祝贺，并衷心希望第三代半导体在合肥这片独具特色的创新热土上，走出一条独具特色的产业生态之路。 据悉，该项目是世纪金光联合合肥市、高新区、合肥产投集团共同打造碳化硅功率半导体全产业链的一期项目，是碳化硅产业链的核心环节之一，该项目的顺利投产，可有效缓解国内大直径导电型碳化硅单晶衬底供应紧缺的局面，
62730编辑于 2022-09-23 碳化硅大厂Wolfspeed股价暴跌51.86%！
3月31日消息，美国碳化硅衬底及器件大厂Wolfspeed因受到公司可能无法与债权人达成债务交换协议、以及美国“芯片法案”补贴案前景不明的冲击，当地时间周五（3月28日）股价暴跌51.86%，收于2.59
10710编辑于 2026-03-19- 来自专栏芯智讯
Wolfspeed推出2300V碳化硅模块
近日， 碳化硅（SiC）技术大厂Wolfspeed宣布推出了一款用于 1500V 直流总线应用的 2300V 无铜底板碳化硅功率模块，采用 Wolfspeed 最先进的 200mm 碳化硅晶片开发和推出 “能源效率、可靠性和可扩展性是我们的客户（例如 EPC）的首要考虑因素，他们认识到 Wolfspeed 的碳化硅带来的巨大优势。” “碳化硅器件为逆变器性能和可靠性的飞跃打开了大门。 与类似的碳化硅模块相比，它们的电压裕量增加了 15%，动态性能得到改善，温度稳定性一致，并大幅减小了 EMI 滤波器尺寸。 Wolfspeed 的技术使 IGBT 的开关损耗降低了 77%，用于 1500V 应用的碳化硅器件的开关损耗降低了 2-3 倍。 延长系统寿命和耐用性 Wolfspeed 的 2300V 碳化硅模块将使客户能够进一步提高其系统的使用寿命和耐用性。
32710编辑于 2024-09-18 - 来自专栏芯智讯
揭秘碳化硅芯片的设计和制造
众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求 我们可以把MOSFET（硅和碳化硅）根据它们的栅极结构分成两类：平面结构和沟槽结构。它们的示意图如图三所示。 如果从结构上来说硅和碳化硅MOSFET是一样的，但是从制造工艺和设计上来说，由于碳化硅材料和硅材料的特性导致它们要考虑的点大部分都不太一样。
67220编辑于 2023-04-11 【新启航】《碳化硅衬底超薄化（
碳化硅衬底超薄化（<100μm）TTV 厚度测量的技术挑战与解决方案摘要本文聚焦碳化硅衬底超薄化（<100μm）进程中 TTV 厚度测量面临的难题，系统剖析技术挑战，并针对性地提出创新解决方案，为保障超薄碳化硅衬底 引言在第三代半导体产业高速发展的背景下，碳化硅衬底超薄化（<100μm）成为提升器件性能、降低功耗的关键技术路径。 然而，随着碳化硅衬底厚度不断减薄，TTV 测量面临诸多新挑战，亟需探索有效的解决策略，以满足产业发展需求。 各向异性影响加剧碳化硅晶体本身具有各向异性，超薄化后，这种特性对 TTV 测量的影响更为突出。 文章围绕题目阐述了碳化硅衬底超薄化 TTV 测量的挑战与对应方案。若你觉得某个部分还需补充案例或细化技术细节，欢迎随时提出。
33010编辑于 2025-08-13碳化硅大厂Wolfspeed即将清盘？股价暴跌近26%！
美国碳化硅（SiC）材料龙头大厂Wolfspeed于当地时间5月8日美股盘后公布2025财年第三财季财报，不仅业绩不佳，市场更担心Wolfspeed无法与债权人达成协议，引发了其股价于5月8日的交易中暴跌 作为车用碳化硅行业的领导厂商，Wolfspeed近年来投入数十亿美元在美国建立SiC制造能力，但持续深陷亏损，今年来股价已腰斩，股价也惨跌至只剩个位数。 分析师也认为，Wolfspeed虽努力提升碳化硅生产能力，却难敌中国碳化硅衬底制造商的激烈竞争。
18510编辑于 2026-03-19- 来自专栏芯智讯
下一代平台减少75%碳化硅用量！碳化硅概念股大跌
特斯拉下一代平台将减少75%的碳化硅，下一代电机将不需要任何稀土成分 特斯拉工程师介绍，特斯拉的下一代平台将减少75%的碳化硅，特斯拉下一代永磁电机还将完全不使用稀土材料，且不损失能效，总制造成本下降1000 对于为何下一代平台能减少75%的碳化硅使用量，特斯拉并没有展开介绍。有业内人士猜测认为，这可能是基于碳化硅工艺或器件的改进，使得在原有相同功率下碳化硅器的用量减少。 另有业内人士认为，这可能是得益于特斯拉下一代电机的全新设计，可能减小了电机的电流，这样将使得对于碳化硅器件的需求整体减少。 碳化硅概念股大跌 由于特斯拉在今天的投资者日上宣布，特斯拉下一代平台将减少75%的碳化硅用量，该消息直接使得A股碳化硅概念股纷纷大跌。
41320编辑于 2023-03-24 - 来自专栏芯智讯
晶盛机电宣布成功研发出8英寸N型SiC晶体
不但成功解决了8英寸碳化硅晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题，同时还破解了碳化硅器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸碳化硅衬底广泛应用打下基础。 目前碳化硅生长出来体积也相对比较小，所以大多数情况下都只能制备成直径100mm或150mm（4英寸或6英寸）晶圆。 而且，碳化硅属于硬度非常高（碳化硅单晶材料莫氏硬度分布在9.2～9.6之间，仅仅比金刚石的硬度低0.5左右）的脆性材料，因此，碳化硅晶圆的制备损耗非常高（通常损耗高达三分之二），良率也比较低。 相比6英寸的碳化硅晶圆，8英寸的碳化硅晶圆可用于制造集成电路的可用面积几乎扩大1 倍，使得产量和生产效率可以得到极大的提升。 不过，需要指出的是，目前碳化硅器件的生产线大都还是6英寸的产线，因此SiC晶圆升级到8英寸，还需要对制造设备和整体支持生态系统进行升级更换。
42810编辑于 2022-08-17 Wolfspeed拟申请破产后，瑞萨解散碳化硅团队！
6月2日消息，据《日经新闻》近日报道，随着电动汽车市场增长放缓，以及中国碳化硅（SiC）厂商持续增产，导致了碳化硅市场供应过剩、价跌下跌，这也使得日本半导体大厂瑞萨电子（Renesas）可能将放弃生产面向电动汽车的碳化硅功率半导体 报道称，原先计划在2025年初期利用高崎工厂开始生产车用碳化硅功率半导体，但是现在瑞萨已经解散高崎工厂的碳化硅团队，且除了放弃生产车用碳化硅功率半导体之外，瑞萨也修正了硅基功率半导体的生产计划。 此前的数据显示，由于中国碳化硅产能的持续扩大，碳化硅衬底的价格下滑速度远超过市场扩张的速度。 2024年下半年，6英寸碳化硅衬底价格已跌至500美元以下，接近生产成本线，相比2022年时的价格暴跌了超过90%。 根据TrendForce的预测，进入2025年，碳化硅市场将持续面临需求疲软和供给过剩的双重压力。 不过，从长期趋势来看，随着碳化硅衬底和碳化硅器件的成本的持续降低，未来碳化硅的应用也将更为广泛。
16410编辑于 2026-03-19- 来自专栏芯智讯
SiC需求旺盛，安森美已拿下30亿美元长期供货协议！业绩超预期！
8月1日消息，功率半导体大厂安森美（ON Semiconductor）于7月31日美股盘前公布了截止6月底的二季度财报，营收由去年同期的20.85亿美元略增0.5%至20.9亿美元；毛利率为47.4% “仅在第二季度，我们就签署了价值超过30亿美元的新碳化硅 LTSA（长期服务协议）。” El-Khoury 表示，汽车行业已经是安森美公司最大的客户群之一，目前占 安森美碳化硅销售额的90%。 第二季度，安森美的碳化硅器件还拿下了包括Vitesco、博格华纳和麦格纳等新客户，它们都在针对电动汽车生产商的产品中使用它的碳化硅芯片。 显然，安森美预测的第三季营收优于市场预期，主要是得益于碳化硅（SiC）需求强劲，汽车业强烈的需求有望抵销半导体产业的疲软市况。 今年5月，安森美曾表示，考虑投资超过20亿美元扩充碳化硅产能。 与此同时，为特斯拉生产零部件的意法半导体也在扩大碳化硅 生产，并于今年1月份宣布该公司将在内部生产芯片。
35020编辑于 2023-08-09 - 来自专栏芯智讯
三安光电与意法半导体在重庆合资建8英寸碳化硅器件工厂
6月7日晚间，三安光电发布公告称，其全资子公司已与汽车芯片大厂意法半导体签署协议，拟投入32亿美元在重庆共同建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造工厂。 同时，三安光电将在当地独资建立一个8英寸碳化硅衬底工厂作为配套。 三安光电独资在重庆设立的8 英寸碳化硅衬底工厂计划投资约70亿元，将利用自有的碳化硅衬底工艺单独建立和运营，以满足合资工厂的衬底需求，并与其签订长期供应协议。 为中国客户提供一个完全垂直整合的碳化硅价值链。此举也是我们继意大利和新加坡的持续重大投资外，进一步扩大全球碳化硅制造业务的重要一步。” 这也体现出三安光电的碳化硅业务已经得到国际客户的充分认可，是朝着国际碳化硅专业晶圆代工厂这一目标迈出的重要一步。随着新的合资工厂和衬底工厂建立，公司有信心继续在碳化硅晶圆代工市场占据优势地位。
64350编辑于 2023-08-09 - 来自专栏芯智讯
瑞萨与Wolfspeed签订为期10年的碳化硅供应合约
7月6日消息，碳化硅（SiC）材料大厂Wolfspeed与车用芯片大厂瑞萨电子（Renesas）于7月5日签订了价值20亿美元的供应合约，以确保10年的碳化硅裸片和外延晶圆供应。 据介绍，这项为期10年的供应协议，要求 Wolfspeed 自2025 年开始向瑞萨电子提供 150 毫米（6英寸）碳化硅裸片和外延晶圆。 该协议还预计Wolfspeed在最近宣布的 John Palmour 碳化硅制造中心（“JP”）全面投入运营后，开始向瑞萨电子提供 200mm（8英寸）碳化硅裸片和外延片。 该公司此前已宣布重启甲府工厂生产 IGBT，并在高崎工厂建立碳化硅生产线。 与传统的硅功率半导体相比，碳化硅器件具有更高的能源效率、更大的功率密度和更低的系统成本。 我们现在准备将自己提升为不断发展的碳化硅市场的关键参与者。”
25620编辑于 2023-08-09 - 来自专栏芯智讯
国产碳化硅功率器件厂商「基本半导体」完成C4轮融资
本轮融资将用于进一步加强碳化硅产业链关键环节的研发制造能力，提升产能规模，支撑碳化硅产品在新能源汽车、光伏储能等市场的大规模应用，全方位提升基本半导体在碳化硅功率半导体行业的核心竞争力。 「基本半导体」创立于2016年，研发方向是第三代半导体碳化硅功率芯片及模块，覆盖材料制备、芯片设计、封装测试、驱动应用等产业链关键环节，核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块、 碳化硅驱动芯片等。 他表示，碳化硅在新能源汽车领域替代硅基IGBT已成为必然趋势，汽车领域也成为碳化硅功率半导体最大的应用市场之一。 此外，在汽车级碳化硅功率模块方面，「基本半导体」的半桥MOSFET模块Pcore™2、三相全桥MOSFET模块Pcore™6、塑封半桥MOSFET模块Pcell™等产品采用银烧结技术，综合性能达到国际先进水平
55520编辑于 2022-10-05 【新启航】碳化硅 TTV 厚度测量中的各向异性效应及其修正算法
一、引言碳化硅（SiC）凭借优异的物理化学性能，成为功率半导体器件的核心材料。总厚度偏差（TTV）作为衡量 SiC 衬底质量的关键指标，其精确测量对器件性能和可靠性至关重要。 然而，碳化硅独特的晶体结构赋予其显著的各向异性，在 TTV 厚度测量过程中，各向异性效应会导致测量数据偏差，影响测量准确性。 深入研究各向异性效应并探寻有效的修正算法，是提升碳化硅 TTV 厚度测量精度的关键。 二、碳化硅各向异性效应的产生与表现2.1 晶体结构与各向异性的关联碳化硅存在多种晶体结构，如 4H-SiC、6H-SiC 等，其晶体内部原子排列在不同晶向上存在差异 。 三、各向异性效应的修正算法3.1 基于晶向补偿的算法通过对碳化硅衬底晶向的精确识别，建立不同晶向与测量误差之间的关系模型 。
25310编辑于 2025-09-16芯联集成59亿收购案获批
该公司设立于2021年，主营产品是碳化硅（SiCMOSFET）。 2021年12月31日，芯联集成与滨海芯兴等15名股东签订了《中芯越州集成电路制造（绍兴）有限公司之投资协议》，共同投资设立芯联越州。 根据当时的修订稿显示，芯联越州已经实现车规级碳化硅功率器件的量产。芯联越州拥有一条6英寸和一条8英寸的碳化硅功率器件生产线。 其中，6英寸生产线的出货量位居国内第一，8英寸生产线于2024年4月试产下线，争取在2025年内实现量产。 6英寸碳化硅晶圆价格大幅下跌可能是芯联越州亏损的主要原因。2024年，6英寸碳化硅价格从6000元/片跌至1500元/片，碳化硅市场面临巨大的价格波动。
26310编辑于 2026-03-19- 来自专栏芯片工艺技术
汽车行业为啥选择重金砸向碳化硅芯片
华为在《数字能源2030》文中指出在未来的技术应用趋势中，碳化硅将发挥巨大的应用。 特斯拉几年前已採用碳化硅电源控制芯片，来减少能源流失，让电动车有更多电力来增加续航力。 碳化硅因具有耐高温和耐高压等特性，被称为第三代半导体材料。 但专家认为车商面对最大挑战，是必须确保电动车电池配置碳化硅芯片后所节省的成本，能高于生产碳化硅芯片的成本。 尽管许多车商都在努力当中，但还要花数年时间的研发，才会令生产碳化硅芯片的成本，能接近硅芯片的生产成本。 国内碳化硅衬厂家 芯片商Wolfspeed计划明年初，启动其投资10亿美元打造的全球最大碳化硅工厂，然后在接下来几年为意法半导体供应价值逾8亿美元的碳化硅晶圆。
35620编辑于 2022-06-08 - 来自专栏芯智讯
Wolfspeed宣布将在美国建造全球最大碳化硅材料工厂
2022年9月13日消息 ，全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布，将投入数十亿美元在美国北卡罗来纳州查塔姆县（Chatham County）建造全新的、采用领先前沿技术的碳化硅（SiC）材料制造工厂。 这一投资计划提升 Wolfspeed 现有碳化硅产能超 10 倍，支持公司长期增长战略，加快碳化硅半导体在一系列终端市场的采用，开启能源效率新时代。 这座工厂将主要制造 200mm 碳化硅晶圆。200mm 晶圆的面积是 150mm 晶圆的 1.7 倍，这也意味着单片晶圆可制得的芯片数量将更多，也将最终有助于降低器件成本。 △Wolfspeed 位于北卡罗来纳州查塔姆县（Chatham County）碳化硅材料制造工厂的渲染图 该工厂的一期建设预计将于 2024 年完成，成本预计 13 亿美元。
42210编辑于 2022-09-20 - 来自专栏芯智讯
持续扩大碳化硅产能，英飞凌与Resonac签订长期供应协议
1月31日消息，为持续扩大碳化硅（SiC）产能，英飞凌宣布与Resonac （前身为昭和电工）签订多年期供应及合作协议，以补充并扩展双方在2021年的协议。 英飞凌正在加倍投资其碳化硅技术及产品组合，透过与Resonac 的伙伴关系将为英飞凌提供强大的助力。 据悉，Resonac 将先供应6 吋的SiC 晶圆，并将于合约期间过渡至8 吋SiC晶圆，英飞凌也将提供Resonac 关于SiC 材料技术的IP；双方的合作将有助于供应链稳定，并为新兴半导体材料SiC Resonac计划将碳化硅外延晶圆的产量在2026年之前增至月产5万片（按6吋晶圆折算），增至目前的约5倍。到2025年还将开始量产8吋碳化硅基板，能切割出更多半导体芯片，生产效率将随之提高。
40310编辑于 2023-02-09 - 来自专栏芯智讯
扬杰科技拟投10亿加码碳化硅，全球化战略显效净利四连增
近日，扬杰科技公告，公司拟在邗江区政府辖区投资新建6英寸碳化硅晶圆生产线项目，总投资约10亿元。 4月20日，扬杰科技公告，公司与扬州市邗江区政府签署《6英寸碳化硅晶圆项目进园框架合同》，公司拟在邗江区政府辖区投资新建6英寸碳化硅晶圆生产线项目，总投资约10亿元，分两期实施建设，项目投产后，形成碳化硅 6英寸晶圆产能5000片/月。 扬杰科技表示，若本次合作框架合同能实施落地，有利于公司加速提升碳化硅产品的技术水平和实现产品升级，推动公司积极转型升级向高端制造业迈进，为功率器件国产化贡献力量。 2022年6月，公司以2.95亿元收购楚微半导体40%股权；2023年2月，公司宣布拟受让楚微半导体30%股权进一步深化半导体芯片生产线布局，受让底价为2.94亿元，目前楚微半导体已实现8英寸线的规模化生产
30820编辑于 2023-05-09 - 来自专栏AI电堂
低碳+数字化重塑未来汽车价值链，英飞凌详解三大细分技术域赛道布局
以英飞凌为例，它以电力驱动系统上的完整解决方案赋能汽车低碳化加速发展，特别是其用于核心驱动的功率器件，也是极具市场热度的第三代半导体——碳化硅产品。 众所周知，IGBT受材料本身局限，较难工作在200℃以上，碳化硅半导体控制器将极大提升电控性能，助力新能源汽车实现更高的电池电压、更长续航以及更短的充电时间。 据杨大稳介绍，英飞凌的碳化硅方案目前已经被全球绝大多数主机厂采用，而在中国迅猛发展的新能源车，英飞凌同样提供了相应碳化硅方案。 ： 上游材料：英飞凌宣布和上游碳化硅原材料的厂商建立战略关系，确保未来碳化硅材料的稳定供应； 自身产能：英飞凌不仅加大了现有工厂的碳化硅生产产线，例如6英寸、8英寸和12英寸所有产线完全投产，并在马来西亚投资新厂扩充产能 英飞凌从上游材料、自身产能以及未来技术3个维度持续投资碳化硅领域 自动驾驶的信任感来自于系统的可靠性，英飞凌从三大版块器件角度力保落地 和电动化并驾齐驱的另一个话题，就是自动驾驶。
41820编辑于 2022-12-08
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