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碳化硅大厂Wolfspeed股价暴跌51.86%！
3月31日消息，美国碳化硅衬底及器件大厂Wolfspeed因受到公司可能无法与债权人达成债务交换协议、以及美国“芯片法案”补贴案前景不明的冲击，当地时间周五（3月28日）股价暴跌51.86%，收于2.59 Wolfspeed预计，2026会计年度资本支出将达1.5~2.0亿美元，2027会计年度资本支出则会达到3,000~5,000万美元。 值得一提的是，Wolfspeed还在3月27日提名了芯片业老将Robert Feurle接任首席执行官，将于5月1日生效。 编辑：芯智讯-浪客剑
10710编辑于 2026-03-19【新启航】《碳化硅衬底超薄化（
碳化硅衬底超薄化（<100μm）TTV 厚度测量的技术挑战与解决方案摘要本文聚焦碳化硅衬底超薄化（<100μm）进程中 TTV 厚度测量面临的难题，系统剖析技术挑战，并针对性地提出创新解决方案，为保障超薄碳化硅衬底 引言在第三代半导体产业高速发展的背景下，碳化硅衬底超薄化（<100μm）成为提升器件性能、降低功耗的关键技术路径。 然而，随着碳化硅衬底厚度不断减薄，TTV 测量面临诸多新挑战，亟需探索有效的解决策略，以满足产业发展需求。 各向异性影响加剧碳化硅晶体本身具有各向异性，超薄化后，这种特性对 TTV 测量的影响更为突出。 文章围绕题目阐述了碳化硅衬底超薄化 TTV 测量的挑战与对应方案。若你觉得某个部分还需补充案例或细化技术细节，欢迎随时提出。
33010编辑于 2025-08-13- 来自专栏芯智讯
Wolfspeed推出2300V碳化硅模块
近日， 碳化硅（SiC）技术大厂Wolfspeed宣布推出了一款用于 1500V 直流总线应用的 2300V 无铜底板碳化硅功率模块，采用 Wolfspeed 最先进的 200mm 碳化硅晶片开发和推出 “能源效率、可靠性和可扩展性是我们的客户（例如 EPC）的首要考虑因素，他们认识到 Wolfspeed 的碳化硅带来的巨大优势。” “碳化硅器件为逆变器性能和可靠性的飞跃打开了大门。 与类似的碳化硅模块相比，它们的电压裕量增加了 15%，动态性能得到改善，温度稳定性一致，并大幅减小了 EMI 滤波器尺寸。 Wolfspeed 的技术使 IGBT 的开关损耗降低了 77%，用于 1500V 应用的碳化硅器件的开关损耗降低了 2-3 倍。 延长系统寿命和耐用性 Wolfspeed 的 2300V 碳化硅模块将使客户能够进一步提高其系统的使用寿命和耐用性。
32710编辑于 2024-09-18 - 来自专栏芯智讯
揭秘碳化硅芯片的设计和制造
众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求 我们可以把MOSFET（硅和碳化硅）根据它们的栅极结构分成两类：平面结构和沟槽结构。它们的示意图如图三所示。 如果从结构上来说硅和碳化硅MOSFET是一样的，但是从制造工艺和设计上来说，由于碳化硅材料和硅材料的特性导致它们要考虑的点大部分都不太一样。
67220编辑于 2023-04-11 碳化硅大厂Wolfspeed即将清盘？股价暴跌近26%！
美国碳化硅（SiC）材料龙头大厂Wolfspeed于当地时间5月8日美股盘后公布2025财年第三财季财报，不仅业绩不佳，市场更担心Wolfspeed无法与债权人达成协议，引发了其股价于5月8日的交易中暴跌 作为车用碳化硅行业的领导厂商，Wolfspeed近年来投入数十亿美元在美国建立SiC制造能力，但持续深陷亏损，今年来股价已腰斩，股价也惨跌至只剩个位数。 分析师也认为，Wolfspeed虽努力提升碳化硅生产能力，却难敌中国碳化硅衬底制造商的激烈竞争。
18510编辑于 2026-03-19- 来自专栏芯智讯
下一代平台减少75%碳化硅用量！碳化硅概念股大跌
北京时间3月2日早晨5点，特斯拉的投资者日活动在特斯拉得州Giga factory举行。特斯拉发布了主题为“我们的能源经济肮脏而浪费”的报告，称全球80%能源仍来自化石燃料。 3、在家庭、企业和工业中转向用热泵 4、高温热输送和氢气 5、为飞机和船只提供可持续燃料 马斯克：没有任何一个国家能够垄断锂矿 马斯克表示，新能源电池生产过程中的关键限制来自于提纯锂元素的产能，而不是发现锂矿资源 特斯拉下一代平台将减少75%的碳化硅，下一代电机将不需要任何稀土成分 特斯拉工程师介绍，特斯拉的下一代平台将减少75%的碳化硅，特斯拉下一代永磁电机还将完全不使用稀土材料，且不损失能效，总制造成本下降1000 对于为何下一代平台能减少75%的碳化硅使用量，特斯拉并没有展开介绍。有业内人士猜测认为，这可能是基于碳化硅工艺或器件的改进，使得在原有相同功率下碳化硅器的用量减少。 碳化硅概念股大跌 由于特斯拉在今天的投资者日上宣布，特斯拉下一代平台将减少75%的碳化硅用量，该消息直接使得A股碳化硅概念股纷纷大跌。
41320编辑于 2023-03-24 - 来自专栏芯智讯
晶盛机电宣布成功研发出8英寸N型SiC晶体
不但成功解决了8英寸碳化硅晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题，同时还破解了碳化硅器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸碳化硅衬底广泛应用打下基础。 而且，碳化硅属于硬度非常高（碳化硅单晶材料莫氏硬度分布在9.2～9.6之间，仅仅比金刚石的硬度低0.5左右）的脆性材料，因此，碳化硅晶圆的制备损耗非常高（通常损耗高达三分之二），良率也比较低。 相比6英寸的碳化硅晶圆，8英寸的碳化硅晶圆可用于制造集成电路的可用面积几乎扩大1 倍，使得产量和生产效率可以得到极大的提升。 意法半导体表示，其首批8英寸碳化硅晶圆片质量上乘，影响芯片良率和晶体位错的缺陷非常少。 Soitec在2022年5月发布了8英寸碳化硅衬底产品，其还在2022年3月启动新晶圆厂建设计划。 今年5月，法国Soitec半导体公司也发布了其首款8英寸碳化硅 SmartSiC 晶圆。
42810编辑于 2022-08-17 Wolfspeed拟申请破产后，瑞萨解散碳化硅团队！
6月2日消息，据《日经新闻》近日报道，随着电动汽车市场增长放缓，以及中国碳化硅（SiC）厂商持续增产，导致了碳化硅市场供应过剩、价跌下跌，这也使得日本半导体大厂瑞萨电子（Renesas）可能将放弃生产面向电动汽车的碳化硅功率半导体 报道称，原先计划在2025年初期利用高崎工厂开始生产车用碳化硅功率半导体，但是现在瑞萨已经解散高崎工厂的碳化硅团队，且除了放弃生产车用碳化硅功率半导体之外，瑞萨也修正了硅基功率半导体的生产计划。 而瑞萨之所以放弃生产车用碳化硅功率半导体，主要是因为欧洲结束了补贴资金，导致电动汽车销售增长不及预期，与此同时，中国企业增产碳化硅功率半导体，使得市场供应出现过剩，碳化硅功率半导体的价格也在持续下滑。 此前的数据显示，由于中国碳化硅产能的持续扩大，碳化硅衬底的价格下滑速度远超过市场扩张的速度。 根据TrendForce的预测，进入2025年，碳化硅市场将持续面临需求疲软和供给过剩的双重压力。 不过，从长期趋势来看，随着碳化硅衬底和碳化硅器件的成本的持续降低，未来碳化硅的应用也将更为广泛。
16410编辑于 2026-03-19- 来自专栏芯智讯
SiC需求旺盛，安森美已拿下30亿美元长期供货协议！业绩超预期！
具体来说，安森美二季度车用芯片营收年增35%至超过10亿美元，工业用芯片营收年增5%至6.093亿美元。车用、工业用芯片营收合计占据安森美总营收的80%。 “仅在第二季度，我们就签署了价值超过30亿美元的新碳化硅 LTSA（长期服务协议）。” El-Khoury 表示，汽车行业已经是安森美公司最大的客户群之一，目前占 安森美碳化硅销售额的90%。 第二季度，安森美的碳化硅器件还拿下了包括Vitesco、博格华纳和麦格纳等新客户，它们都在针对电动汽车生产商的产品中使用它的碳化硅芯片。 显然，安森美预测的第三季营收优于市场预期，主要是得益于碳化硅（SiC）需求强劲，汽车业强烈的需求有望抵销半导体产业的疲软市况。 今年5月，安森美曾表示，考虑投资超过20亿美元扩充碳化硅产能。 与此同时，为特斯拉生产零部件的意法半导体也在扩大碳化硅 生产，并于今年1月份宣布该公司将在内部生产芯片。
35020编辑于 2023-08-09 - 来自专栏芯智讯
天岳先进与英飞凌签订供货协议，将供应150毫米碳化硅衬底和晶棒
5月3日，山东天岳先进科技股份有限公司（以下简称“天岳先进”）通过官方公众号宣布，公司已与德国半导体制造商英飞凌科技股份公司（以下简称“英飞凌”）签订了一项新的衬底和晶棒供应协议。 根据该协议，天岳先进将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体的高质量并且有竞争力的150毫米碳化硅（SiC）衬底和晶棒，第一阶段将侧重于150毫米碳化硅材料，但天岳先进也将助力英飞凌向200毫米直径碳化硅晶圆过渡 英飞凌表示，该协议的供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额，这不仅有助于保证英飞凌供应链的稳定，让其碳化硅材料供应商体系多元化，还能够确保英飞凌获得更多具有竞争力的碳化硅材料供应。 尤其是满足中国市场在汽车、太阳能、充电桩及储能系统等领域对碳化硅半导体产品不断增长的需求，并将推动新兴半导体材料碳化硅的快速发展。 据悉，英飞凌正着力提升碳化硅产能，以实现在2030年之前占据全球30%市场份额的目标。预计到2027年，英飞凌的碳化硅产能将增长10倍。
23010编辑于 2023-05-09 - 来自专栏镁客网
ST与罗姆旗下SiCrystal签署协议，确保150mm SiC晶片产能
随着新能源汽车的大规模商用和5G时代的来临，市场对碳化硅（SiC）功率器件需求日益增长。 策划&撰写：Lynn 伴随着电动汽车和5G的普及，碳化硅（SiC）材料的需求也在日益增长。 1月16日，意法半导体与罗姆集团旗下的SiCrystal公司签署一了份碳化硅（SiC）晶圆长期供应协议，协议规定， SiCrystal将向意法半导体提供总价超过1.2亿美元的先进的150mm碳化硅晶片， 满足时下市场对碳化硅功率器件日益增长的需求。 我们很荣幸与长期客户ST签订此供应协议，未来将不断增加晶圆产量，并始终提供质量可靠的产品，支持我们的合作伙伴扩大碳化硅业务。” 不得不说，随着新能源汽车的大规模商用和5G时代的来临，产品市场对碳化硅（SiC）材料的需求已经开始呈现了前所未有的增长趋势。
62640发布于 2020-02-14 碳化硅衬底 TTV 厚度测量技术的最新发展趋势与未来展望
而 TTV 厚度作为衡量碳化硅衬底质量的核心指标之一，其精确测量对于保障器件性能、提高生产良率至关重要。 激光干涉测量技术通过优化光路设计和信号处理算法，能够实现亚纳米级的测量精度，有效捕捉碳化硅衬底细微的厚度变化 。 通过建立数据模型，预测碳化硅衬底 TTV 厚度的变化趋势，提前发现潜在的质量问题，为工艺调整提供决策依据。 未来展望在新兴应用领域的拓展随着 5G 通信、新能源汽车、人工智能等新兴产业的快速发展，对碳化硅器件的需求持续增长，TTV 厚度测量技术将在这些新兴应用领域发挥重要作用 。 在 5G 基站建设中，高性能碳化硅射频器件对衬底 TTV 厚度精度要求极高，测量技术的进步将助力提高射频器件的性能与稳定性，保障 5G 通信质量。
34310编辑于 2025-09-01【新启航】碳化硅衬底 TTV 厚度测量技术的最新发展趋势与未来展望
而 TTV 厚度作为衡量碳化硅衬底质量的核心指标之一，其精确测量对于保障器件性能、提高生产良率至关重要。 激光干涉测量技术通过优化光路设计和信号处理算法，能够实现亚纳米级的测量精度，有效捕捉碳化硅衬底细微的厚度变化 。 通过建立数据模型，预测碳化硅衬底 TTV 厚度的变化趋势，提前发现潜在的质量问题，为工艺调整提供决策依据。 未来展望在新兴应用领域的拓展随着 5G 通信、新能源汽车、人工智能等新兴产业的快速发展，对碳化硅器件的需求持续增长，TTV 厚度测量技术将在这些新兴应用领域发挥重要作用 。 在 5G 基站建设中，高性能碳化硅射频器件对衬底 TTV 厚度精度要求极高，测量技术的进步将助力提高射频器件的性能与稳定性，保障 5G 通信质量。
28310编辑于 2025-09-03- 来自专栏芯智讯
罗姆宣布12月量产SiC器件：提高用电效率、增加电动车续航里程
11月26日消息，据日本共同社日前报道，日本电子零部件巨头罗姆（ROHM）将于今年12月量产下一代功率半导体，以碳化硅（SiC）为原材料。 据悉，罗姆花费约20年推进研发碳化硅半导体。 公开资料显示，碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅是主要由硅元素和碳元素组合而成的一种化合物半导体材料。 与前两代半导体材料相比最大的优势是较宽的禁带宽度，保证了其可击穿更高的电场强度，适合制备耐高压、高频的功率器件，是电动汽车、5G 基站、卫星等新兴领域的理想材料。 其中，电动车逆变器市场碳化硅功率器件应用最多，碳化硅模块的使用使得整车的能耗更低、尺寸更小、行驶里程更长。 目前，国内外车企均积极布局碳化硅器件应用，以优化电动汽车性能，特斯拉、比亚迪、丰田等车企均开始采用碳化硅器件。 随着碳化硅功率器件的生产成本降低，碳化硅在充电桩领域的应用也将逐步深入。
33810编辑于 2022-12-09 碳化硅IDM大厂基本半导体递表港交所
5月27日，据港交所官网显示，中国碳化硅功率器件厂商——深圳基本半导体股份有限公司（简称“基本半导体”）正式向港交所递交了上市申请表，中信证券、国金证券(香港)有限公司、中银国际为其联席保荐人。 根据招股书显示，基本半导体由清华大学和剑桥大学博士团队创立于2016年，专注于碳化硅功率器件的研发、制造及销售。 作为该领域的先驱者，基本半导体是中国唯一一家整合了碳化硅芯片设计、晶圆制造、模块封装及栅极驱动设计与测试能力的碳化硅功率器件IDM企业，且所有环节均已实现量产。 完成后，公司将拥有国内领先的碳化硅功率模块封装产能。 目前，基本半导体构建了全面的产品组合，包括碳化硅分立器件、车规级和工业级碳化硅功率模块及功率半导体栅极驱动。 基本半导体也是国内首批大规模生产和交付应用于新能源汽车的碳化硅解决方案的企业之一。
39110编辑于 2026-03-19碳化硅衬底厚度测量中探头温漂的热传导模型与实验验证
引言在碳化硅衬底厚度测量过程中，探头温漂会严重影响测量精度。构建探头温漂的热传导模型并进行实验验证，有助于深入理解探头温漂的产生机理，为提高测量准确性提供理论依据与技术支持。 实验验证实验设计搭建实验平台，包括温度可控的环境箱、高精度碳化硅衬底样品、待测试的测量探头以及温度采集系统 。 将探头与碳化硅衬底置于环境箱内，设定不同的环境温度梯度（如从 20℃以 5℃为间隔逐步升温至 50℃），在每个温度点稳定一段时间后，利用温度采集系统实时记录探头不同部位的温度变化数据，同时使用高精度厚度测量仪器测量碳化硅衬底厚度 分析不同温度条件下探头温漂对碳化硅衬底厚度测量误差的影响规律，验证热传导模型对探头温漂预测的有效性 。若实验数据与模型计算结果存在较大偏差，进一步分析误差来源，对模型进行修正和优化 。 ；通过偏振效应补偿，增强低反射碳化硅、铌酸锂晶圆测量信噪比；（以上为新启航实测样品数据结果）支持绝缘体上硅和MEMS多层结构测量，覆盖μm级到数百μm级厚度范围，还可测量薄至4μm、精度达1nm的薄膜
14400编辑于 2025-06-04- 来自专栏芯智讯
瑞萨与Wolfspeed签订为期10年的碳化硅供应合约
7月6日消息，碳化硅（SiC）材料大厂Wolfspeed与车用芯片大厂瑞萨电子（Renesas）于7月5日签订了价值20亿美元的供应合约，以确保10年的碳化硅裸片和外延晶圆供应。 该协议还预计Wolfspeed在最近宣布的 John Palmour 碳化硅制造中心（“JP”）全面投入运营后，开始向瑞萨电子提供 200mm（8英寸）碳化硅裸片和外延片。 该公司此前已宣布重启甲府工厂生产 IGBT，并在高崎工厂建立碳化硅生产线。 与传统的硅功率半导体相比，碳化硅器件具有更高的能源效率、更大的功率密度和更低的系统成本。 我们现在准备将自己提升为不断发展的碳化硅市场的关键参与者。” Wolfspeed总裁兼首席执行官Gregg Lowe 表示：“随着汽车、工业和能源领域对碳化硅的需求不断增长，我们拥有像瑞萨电子这样的一流功率半导体客户来帮助引领全球从硅到碳化硅的过渡至关重要，超过
25620编辑于 2023-08-09 - 来自专栏刘旷专栏
巨头混战SiC市场
比如，比亚迪半导体推出的新一代碳化硅Mosfet已经进入第3代，第4代正在研发之中；扬杰科技已经拥有了4个SiC肖特基模块；华为投资的山东天岳，也已经实现宽禁带半导体碳化硅材料产业化，技术水平也已经达到了国际领先水平 但就性能来看，三种材料之中碳化硅材料的物理性能，明显好于前者。 从应用范围来看，目前其凭借多方面的优秀性能，在特高压、5G、轨道交通、新能源汽车等诸多领域均得到了广泛应用。 另外，相比过去碳化硅功率器件，仅被应用于二极管产品来说，如今其产品结构已经扩大到了分离器、晶片IC等诸多领域，应用日趋广泛。而随着新能源汽车、5G等技术的发展，其产品结构还在进一步丰富。 另外，在《中国制造2025》中，国家对5G通信、高效能源管理中的国产化率也提出了具体目标，目标要求到2025年，要使先进半导体材料的国产化率达到50%。
43700发布于 2021-01-17 - 来自专栏芯智讯
Wolfspeed宣布将在美国建造全球最大碳化硅材料工厂
2022年9月13日消息 ，全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布，将投入数十亿美元在美国北卡罗来纳州查塔姆县（Chatham County）建造全新的、采用领先前沿技术的碳化硅（SiC）材料制造工厂。 这一投资计划提升 Wolfspeed 现有碳化硅产能超 10 倍，支持公司长期增长战略，加快碳化硅半导体在一系列终端市场的采用，开启能源效率新时代。 这座工厂将主要制造 200mm 碳化硅晶圆。200mm 晶圆的面积是 150mm 晶圆的 1.7 倍，这也意味着单片晶圆可制得的芯片数量将更多，也将最终有助于降低器件成本。 △Wolfspeed 位于北卡罗来纳州查塔姆县（Chatham County）碳化硅材料制造工厂的渲染图 该工厂的一期建设预计将于 2024 年完成，成本预计 13 亿美元。
42210编辑于 2022-09-20 - 来自专栏芯智讯
持续扩大碳化硅产能，英飞凌与Resonac签订长期供应协议
1月31日消息，为持续扩大碳化硅（SiC）产能，英飞凌宣布与Resonac （前身为昭和电工）签订多年期供应及合作协议，以补充并扩展双方在2021年的协议。 英飞凌正在加倍投资其碳化硅技术及产品组合，透过与Resonac 的伙伴关系将为英飞凌提供强大的助力。 Resonac计划将碳化硅外延晶圆的产量在2026年之前增至月产5万片（按6吋晶圆折算），增至目前的约5倍。到2025年还将开始量产8吋碳化硅基板，能切割出更多半导体芯片，生产效率将随之提高。
40310编辑于 2023-02-09
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