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国产碳化硅功率器件厂商「基本半导体」完成C4轮融资
近日，深圳基本半导体有限公司宣布完成C4轮融资。该轮融资由新股东德载厚资本、国华投资、新高地等机构联合投资，现有股东屹唐长厚、中美绿色基金等机构继续追加投资。 本轮融资将用于进一步加强碳化硅产业链关键环节的研发制造能力，提升产能规模，支撑碳化硅产品在新能源汽车、光伏储能等市场的大规模应用，全方位提升基本半导体在碳化硅功率半导体行业的核心竞争力。 「基本半导体」创立于2016年，研发方向是第三代半导体碳化硅功率芯片及模块，覆盖材料制备、芯片设计、封装测试、驱动应用等产业链关键环节，核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块、 碳化硅驱动芯片等。 他表示，碳化硅在新能源汽车领域替代硅基IGBT已成为必然趋势，汽车领域也成为碳化硅功率半导体最大的应用市场之一。
55520编辑于 2022-10-05 碳化硅大厂Wolfspeed股价暴跌51.86%！
3月31日消息，美国碳化硅衬底及器件大厂Wolfspeed因受到公司可能无法与债权人达成债务交换协议、以及美国“芯片法案”补贴案前景不明的冲击，当地时间周五（3月28日）股价暴跌51.86%，收于2.59 美元/股，创1997年4月22日以来收盘新低。
10710编辑于 2026-03-19【新启航】《碳化硅衬底超薄化（
碳化硅衬底超薄化（<100μm）TTV 厚度测量的技术挑战与解决方案摘要本文聚焦碳化硅衬底超薄化（<100μm）进程中 TTV 厚度测量面临的难题，系统剖析技术挑战，并针对性地提出创新解决方案，为保障超薄碳化硅衬底 引言在第三代半导体产业高速发展的背景下，碳化硅衬底超薄化（<100μm）成为提升器件性能、降低功耗的关键技术路径。 然而，随着碳化硅衬底厚度不断减薄，TTV 测量面临诸多新挑战，亟需探索有效的解决策略，以满足产业发展需求。 各向异性影响加剧碳化硅晶体本身具有各向异性，超薄化后，这种特性对 TTV 测量的影响更为突出。 ；通过偏振效应补偿，增强低反射碳化硅、铌酸锂晶圆测量信噪比；（以上为新启航实测样品数据结果）支持绝缘体上硅和MEMS多层结构测量，覆盖μm级到数百μm级厚度范围，还可测量薄至4μm、精度达1nm的薄膜
33010编辑于 2025-08-13- 来自专栏芯智讯
Wolfspeed推出2300V碳化硅模块
近日， 碳化硅（SiC）技术大厂Wolfspeed宣布推出了一款用于 1500V 直流总线应用的 2300V 无铜底板碳化硅功率模块，采用 Wolfspeed 最先进的 200mm 碳化硅晶片开发和推出 “能源效率、可靠性和可扩展性是我们的客户（例如 EPC）的首要考虑因素，他们认识到 Wolfspeed 的碳化硅带来的巨大优势。” “碳化硅器件为逆变器性能和可靠性的飞跃打开了大门。 与类似的碳化硅模块相比，它们的电压裕量增加了 15%，动态性能得到改善，温度稳定性一致，并大幅减小了 EMI 滤波器尺寸。 Wolfspeed 的技术使 IGBT 的开关损耗降低了 77%，用于 1500V 应用的碳化硅器件的开关损耗降低了 2-3 倍。 延长系统寿命和耐用性 Wolfspeed 的 2300V 碳化硅模块将使客户能够进一步提高其系统的使用寿命和耐用性。
32710编辑于 2024-09-18 - 来自专栏芯智讯
揭秘碳化硅芯片的设计和制造
众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求 4. 热设计：SiC JTE器件可以在比其Si对应物更高的温度下工作。但是，高温也可能降低器件性能和可靠性。因此，在SiC JTE设计过程中应考虑热设计，如散热和热应力。 我们可以把MOSFET（硅和碳化硅）根据它们的栅极结构分成两类：平面结构和沟槽结构。它们的示意图如图三所示。 如果从结构上来说硅和碳化硅MOSFET是一样的，但是从制造工艺和设计上来说，由于碳化硅材料和硅材料的特性导致它们要考虑的点大部分都不太一样。
67220编辑于 2023-04-11 碳化硅大厂Wolfspeed即将清盘？股价暴跌近26%！
美国碳化硅（SiC）材料龙头大厂Wolfspeed于当地时间5月8日美股盘后公布2025财年第三财季财报，不仅业绩不佳，市场更担心Wolfspeed无法与债权人达成协议，引发了其股价于5月8日的交易中暴跌 作为车用碳化硅行业的领导厂商，Wolfspeed近年来投入数十亿美元在美国建立SiC制造能力，但持续深陷亏损，今年来股价已腰斩，股价也惨跌至只剩个位数。 分析师也认为，Wolfspeed虽努力提升碳化硅生产能力，却难敌中国碳化硅衬底制造商的激烈竞争。
18510编辑于 2026-03-19- 来自专栏芯智讯
下一代平台减少75%碳化硅用量！碳化硅概念股大跌
3、在家庭、企业和工业中转向用热泵 4、高温热输送和氢气 5、为飞机和船只提供可持续燃料 马斯克：没有任何一个国家能够垄断锂矿 马斯克表示，新能源电池生产过程中的关键限制来自于提纯锂元素的产能，而不是发现锂矿资源 特斯拉下一代平台将减少75%的碳化硅，下一代电机将不需要任何稀土成分 特斯拉工程师介绍，特斯拉的下一代平台将减少75%的碳化硅，特斯拉下一代永磁电机还将完全不使用稀土材料，且不损失能效，总制造成本下降1000 对于为何下一代平台能减少75%的碳化硅使用量，特斯拉并没有展开介绍。有业内人士猜测认为，这可能是基于碳化硅工艺或器件的改进，使得在原有相同功率下碳化硅器的用量减少。 另有业内人士认为，这可能是得益于特斯拉下一代电机的全新设计，可能减小了电机的电流，这样将使得对于碳化硅器件的需求整体减少。 碳化硅概念股大跌 由于特斯拉在今天的投资者日上宣布，特斯拉下一代平台将减少75%的碳化硅用量，该消息直接使得A股碳化硅概念股纷纷大跌。
41320编辑于 2023-03-24 - 来自专栏芯智讯
晶盛机电宣布成功研发出8英寸N型SiC晶体
不但成功解决了8英寸碳化硅晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题，同时还破解了碳化硅器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸碳化硅衬底广泛应用打下基础。 目前碳化硅生长出来体积也相对比较小，所以大多数情况下都只能制备成直径100mm或150mm（4英寸或6英寸）晶圆。 而且，碳化硅属于硬度非常高（碳化硅单晶材料莫氏硬度分布在9.2～9.6之间，仅仅比金刚石的硬度低0.5左右）的脆性材料，因此，碳化硅晶圆的制备损耗非常高（通常损耗高达三分之二），良率也比较低。 相比6英寸的碳化硅晶圆，8英寸的碳化硅晶圆可用于制造集成电路的可用面积几乎扩大1 倍，使得产量和生产效率可以得到极大的提升。 早在2015年Wolfspeed、罗姆、II-VI就已展示了8英寸碳化硅衬底，其中Wolfspeed投入10亿美元建设新工厂，并在今年4月开始生产8英寸碳化硅等产品； 英飞凌在2020年9月宣布其8英寸碳化硅晶圆生产线已经建成
42810编辑于 2022-08-17 Wolfspeed拟申请破产后，瑞萨解散碳化硅团队！
6月2日消息，据《日经新闻》近日报道，随着电动汽车市场增长放缓，以及中国碳化硅（SiC）厂商持续增产，导致了碳化硅市场供应过剩、价跌下跌，这也使得日本半导体大厂瑞萨电子（Renesas）可能将放弃生产面向电动汽车的碳化硅功率半导体 报道称，原先计划在2025年初期利用高崎工厂开始生产车用碳化硅功率半导体，但是现在瑞萨已经解散高崎工厂的碳化硅团队，且除了放弃生产车用碳化硅功率半导体之外，瑞萨也修正了硅基功率半导体的生产计划。 这也进一步反应了碳化硅市场的竞争惨烈。 据调查公司富士经济指出，2024年碳化硅功率半导体市场规模同比增长18%至3,910亿日元，低于原先（2024年2月）预估的4,915亿日元。 此前的数据显示，由于中国碳化硅产能的持续扩大，碳化硅衬底的价格下滑速度远超过市场扩张的速度。 根据TrendForce的预测，进入2025年，碳化硅市场将持续面临需求疲软和供给过剩的双重压力。 不过，从长期趋势来看，随着碳化硅衬底和碳化硅器件的成本的持续降低，未来碳化硅的应用也将更为广泛。
16410编辑于 2026-03-19- 来自专栏芯智讯
SiC需求旺盛，安森美已拿下30亿美元长期供货协议！业绩超预期！
尽管二季度的整体销售额相比去年同期仅增长了不到几百万美元，但是安森美表示，其第二季度来自碳化硅（SiC）零部件的收入相比去年同期增长了4倍。 “仅在第二季度，我们就签署了价值超过30亿美元的新碳化硅 LTSA（长期服务协议）。” El-Khoury 表示，汽车行业已经是安森美公司最大的客户群之一，目前占 安森美碳化硅销售额的90%。 第二季度，安森美的碳化硅器件还拿下了包括Vitesco、博格华纳和麦格纳等新客户，它们都在针对电动汽车生产商的产品中使用它的碳化硅芯片。 显然，安森美预测的第三季营收优于市场预期，主要是得益于碳化硅（SiC）需求强劲，汽车业强烈的需求有望抵销半导体产业的疲软市况。 今年5月，安森美曾表示，考虑投资超过20亿美元扩充碳化硅产能。 今年4月份，德国制造巨头博世就透露了收购总部位于加州的 TSI 半导体公司的计划。
35020编辑于 2023-08-09 【新启航】如何解决碳化硅衬底 TTV 厚度测量中的各向异性干扰问题
摘要本文针对碳化硅衬底 TTV 厚度测量中各向异性带来的干扰问题展开研究，深入分析干扰产生的机理，提出多种解决策略，旨在提高碳化硅衬底 TTV 厚度测量的准确性与可靠性，为碳化硅半导体制造工艺提供精确的测量技术支持 引言碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，凭借其优异的物理化学性能，在高功率、高频电子器件领域展现出巨大的应用潜力。 晶圆总厚度变化（TTV）是衡量碳化硅衬底质量的关键指标之一，精准测量 TTV 对于保障器件性能和良率至关重要。 因此，研究解决碳化硅衬底 TTV 厚度测量中的各向异性干扰问题具有重要的现实意义。各向异性干扰产生的原因碳化硅晶体的各向异性主要源于其独特的晶体结构。 ；通过偏振效应补偿，增强低反射碳化硅、铌酸锂晶圆测量信噪比；（以上为新启航实测样品数据结果）支持绝缘体上硅和MEMS多层结构测量，覆盖μm级到数百μm级厚度范围，还可测量薄至4μm、精度达1nm的薄膜
28110编辑于 2025-08-08【新启航】碳化硅 TTV 厚度测量中的各向异性效应及其修正算法
然而，碳化硅独特的晶体结构赋予其显著的各向异性，在 TTV 厚度测量过程中，各向异性效应会导致测量数据偏差，影响测量准确性。 深入研究各向异性效应并探寻有效的修正算法，是提升碳化硅 TTV 厚度测量精度的关键。 二、碳化硅各向异性效应的产生与表现2.1 晶体结构与各向异性的关联碳化硅存在多种晶体结构，如 4H-SiC、6H-SiC 等，其晶体内部原子排列在不同晶向上存在差异 。 三、各向异性效应的修正算法3.1 基于晶向补偿的算法通过对碳化硅衬底晶向的精确识别，建立不同晶向与测量误差之间的关系模型 。 ；通过偏振效应补偿，增强低反射碳化硅、铌酸锂晶圆测量信噪比；（以上为新启航实测样品数据结果）支持绝缘体上硅和MEMS多层结构测量，覆盖μm级到数百μm级厚度范围，还可测量薄至4μm、精度达1nm的薄膜
25310编辑于 2025-09-16- 来自专栏芯智讯
Wolfspeed宣布将在美国建造全球最大碳化硅材料工厂
2022年9月13日消息 ，全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布，将投入数十亿美元在美国北卡罗来纳州查塔姆县（Chatham County）建造全新的、采用领先前沿技术的碳化硅（SiC）材料制造工厂。 这一投资计划提升 Wolfspeed 现有碳化硅产能超 10 倍，支持公司长期增长战略，加快碳化硅半导体在一系列终端市场的采用，开启能源效率新时代。 这座工厂将主要制造 200mm 碳化硅晶圆。200mm 晶圆的面积是 150mm 晶圆的 1.7 倍，这也意味着单片晶圆可制得的芯片数量将更多，也将最终有助于降低器件成本。 △Wolfspeed 位于北卡罗来纳州查塔姆县（Chatham County）碳化硅材料制造工厂的渲染图 该工厂的一期建设预计将于 2024 年完成，成本预计 13 亿美元。
42210编辑于 2022-09-20 - 来自专栏芯智讯
持续扩大碳化硅产能，英飞凌与Resonac签订长期供应协议
1月31日消息，为持续扩大碳化硅（SiC）产能，英飞凌宣布与Resonac （前身为昭和电工）签订多年期供应及合作协议，以补充并扩展双方在2021年的协议。 英飞凌正在加倍投资其碳化硅技术及产品组合，透过与Resonac 的伙伴关系将为英飞凌提供强大的助力。 Resonac计划将碳化硅外延晶圆的产量在2026年之前增至月产5万片（按6吋晶圆折算），增至目前的约5倍。到2025年还将开始量产8吋碳化硅基板，能切割出更多半导体芯片，生产效率将随之提高。
40310编辑于 2023-02-09 - 来自专栏芯片工艺技术
汽车行业为啥选择重金砸向碳化硅芯片
华为在《数字能源2030》文中指出在未来的技术应用趋势中，碳化硅将发挥巨大的应用。 特斯拉几年前已採用碳化硅电源控制芯片，来减少能源流失，让电动车有更多电力来增加续航力。 碳化硅因具有耐高温和耐高压等特性，被称为第三代半导体材料。 但专家认为车商面对最大挑战，是必须确保电动车电池配置碳化硅芯片后所节省的成本，能高于生产碳化硅芯片的成本。 尽管许多车商都在努力当中，但还要花数年时间的研发，才会令生产碳化硅芯片的成本，能接近硅芯片的生产成本。 国内碳化硅衬厂家 芯片商Wolfspeed计划明年初，启动其投资10亿美元打造的全球最大碳化硅工厂，然后在接下来几年为意法半导体供应价值逾8亿美元的碳化硅晶圆。
35620编辑于 2022-06-08 碳化硅衬底厚度测量中探头温漂的热传导模型与实验验证
引言在碳化硅衬底厚度测量过程中，探头温漂会严重影响测量精度。构建探头温漂的热传导模型并进行实验验证，有助于深入理解探头温漂的产生机理，为提高测量准确性提供理论依据与技术支持。 实验验证实验设计搭建实验平台，包括温度可控的环境箱、高精度碳化硅衬底样品、待测试的测量探头以及温度采集系统 。 将探头与碳化硅衬底置于环境箱内，设定不同的环境温度梯度（如从 20℃以 5℃为间隔逐步升温至 50℃），在每个温度点稳定一段时间后，利用温度采集系统实时记录探头不同部位的温度变化数据，同时使用高精度厚度测量仪器测量碳化硅衬底厚度 分析不同温度条件下探头温漂对碳化硅衬底厚度测量误差的影响规律，验证热传导模型对探头温漂预测的有效性 。若实验数据与模型计算结果存在较大偏差，进一步分析误差来源，对模型进行修正和优化 。 ；通过偏振效应补偿，增强低反射碳化硅、铌酸锂晶圆测量信噪比；（以上为新启航实测样品数据结果）支持绝缘体上硅和MEMS多层结构测量，覆盖μm级到数百μm级厚度范围，还可测量薄至4μm、精度达1nm的薄膜
14400编辑于 2025-06-04碳化硅衬底 TTV 厚度测量技术的最新发展趋势与未来展望
引言在半导体制造领域，碳化硅衬底凭借其优异的物理特性，如高击穿电场、高热导率等，成为制造高性能功率器件和射频器件的关键材料。 而 TTV 厚度作为衡量碳化硅衬底质量的核心指标之一，其精确测量对于保障器件性能、提高生产良率至关重要。 激光干涉测量技术通过优化光路设计和信号处理算法，能够实现亚纳米级的测量精度，有效捕捉碳化硅衬底细微的厚度变化 。 通过建立数据模型，预测碳化硅衬底 TTV 厚度的变化趋势，提前发现潜在的质量问题，为工艺调整提供决策依据。 ；通过偏振效应补偿，增强低反射碳化硅、铌酸锂晶圆测量信噪比；（以上为新启航实测样品数据结果）支持绝缘体上硅和MEMS多层结构测量，覆盖μm级到数百μm级厚度范围，还可测量薄至4μm、精度达1nm的薄膜
34310编辑于 2025-09-01【新启航】碳化硅衬底 TTV 厚度测量技术的最新发展趋势与未来展望
引言在半导体制造领域，碳化硅衬底凭借其优异的物理特性，如高击穿电场、高热导率等，成为制造高性能功率器件和射频器件的关键材料。 而 TTV 厚度作为衡量碳化硅衬底质量的核心指标之一，其精确测量对于保障器件性能、提高生产良率至关重要。 激光干涉测量技术通过优化光路设计和信号处理算法，能够实现亚纳米级的测量精度，有效捕捉碳化硅衬底细微的厚度变化 。 通过建立数据模型，预测碳化硅衬底 TTV 厚度的变化趋势，提前发现潜在的质量问题，为工艺调整提供决策依据。 ；通过偏振效应补偿，增强低反射碳化硅、铌酸锂晶圆测量信噪比；（以上为新启航实测样品数据结果）支持绝缘体上硅和MEMS多层结构测量，覆盖μm级到数百μm级厚度范围，还可测量薄至4μm、精度达1nm的薄膜
28310编辑于 2025-09-03- 来自专栏芯智讯
三安光电与意法半导体在重庆合资建8英寸碳化硅器件工厂
同时，三安光电将在当地独资建立一个8英寸碳化硅衬底工厂作为配套。 三安光电独资在重庆设立的8 英寸碳化硅衬底工厂计划投资约70亿元，将利用自有的碳化硅衬底工艺单独建立和运营，以满足合资工厂的衬底需求，并与其签订长期供应协议。 三安光电总经理林科闯表示：“本次合资工厂的建立，将为中国碳化硅市场注入新的力量，我们将充分发挥各自优势，扩大产能供给，有力推动碳化硅器件在市场上的广泛应用，助推新能源汽车行业快速发展。 为中国客户提供一个完全垂直整合的碳化硅价值链。此举也是我们继意大利和新加坡的持续重大投资外，进一步扩大全球碳化硅制造业务的重要一步。” 这也体现出三安光电的碳化硅业务已经得到国际客户的充分认可，是朝着国际碳化硅专业晶圆代工厂这一目标迈出的重要一步。随着新的合资工厂和衬底工厂建立，公司有信心继续在碳化硅晶圆代工市场占据优势地位。
64350编辑于 2023-08-09 - 来自专栏芯智讯
天岳先进与英飞凌签订供货协议，将供应150毫米碳化硅衬底和晶棒
根据该协议，天岳先进将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体的高质量并且有竞争力的150毫米碳化硅（SiC）衬底和晶棒，第一阶段将侧重于150毫米碳化硅材料，但天岳先进也将助力英飞凌向200毫米直径碳化硅晶圆过渡 英飞凌表示，该协议的供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额，这不仅有助于保证英飞凌供应链的稳定，让其碳化硅材料供应商体系多元化，还能够确保英飞凌获得更多具有竞争力的碳化硅材料供应。 尤其是满足中国市场在汽车、太阳能、充电桩及储能系统等领域对碳化硅半导体产品不断增长的需求，并将推动新兴半导体材料碳化硅的快速发展。 据悉，英飞凌正着力提升碳化硅产能，以实现在2030年之前占据全球30%市场份额的目标。预计到2027年，英飞凌的碳化硅产能将增长10倍。 天岳先进的加入，特别是上海工厂启动产品交付后，将有助于双方在碳化硅功率半导体领域继续加快发展进程，共同推动碳化硅半导体产业的长远发展。 编辑：芯智讯-林子 来源：天岳先进
23010编辑于 2023-05-09
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