高管们指出,虽然这些数字可能看起来很大,但如果与全球经济相比,它们实际上并非如此,大约10万亿美元的投资用于建设可持续能源经济。 具体来看,储能240TWh,可再生电力30TWh,制造投资10万亿美元,能源要求不到燃料经济的一半。 马斯克还表示,特斯拉将发布一份白皮书,为地球使用可持续能源勾勒出一条清晰的道路。 对于为何下一代平台能减少75%的碳化硅使用量,特斯拉并没有展开介绍。有业内人士猜测认为,这可能是基于碳化硅工艺或器件的改进,使得在原有相同功率下碳化硅器的用量减少。 碳化硅概念股大跌 由于特斯拉在今天的投资者日上宣布,特斯拉下一代平台将减少75%的碳化硅用量,该消息直接使得A股碳化硅概念股纷纷大跌。 截至A股收盘,天岳先进下跌10.13%、东尼电子下跌10%、天富能源下跌7.86%、晶盛电机下跌5.21%、露笑科技下跌3.36%。 编辑:芯智讯-林子 综合自网络
7月6日消息,碳化硅(SiC)材料大厂Wolfspeed与车用芯片大厂瑞萨电子(Renesas)于7月5日签订了价值20亿美元的供应合约,以确保10年的碳化硅裸片和外延晶圆供应。 据介绍,这项为期10年的供应协议,要求 Wolfspeed 自2025 年开始向瑞萨电子提供 150 毫米(6英寸)碳化硅裸片和外延晶圆。 该协议还预计Wolfspeed在最近宣布的 John Palmour 碳化硅制造中心(“JP”)全面投入运营后,开始向瑞萨电子提供 200mm(8英寸)碳化硅裸片和外延片。 该公司此前已宣布重启甲府工厂生产 IGBT,并在高崎工厂建立碳化硅生产线。 与传统的硅功率半导体相比,碳化硅器件具有更高的能源效率、更大的功率密度和更低的系统成本。 这座耗资数十亿美元的最先进设施的目标是将 Wolfspeed 目前位于北卡罗来纳州达勒姆园区的碳化硅产能提高 10 倍以上。
3月31日消息,美国碳化硅衬底及器件大厂Wolfspeed因受到公司可能无法与债权人达成债务交换协议、以及美国“芯片法案”补贴案前景不明的冲击,当地时间周五(3月28日)股价暴跌51.86%,收于2.59 依据48D条款,Wolfspeed预料可获得总计10亿美元退税。该公司计划把这笔钱用于强化资本结构与一般营运需求。
近日, 碳化硅(SiC)技术大厂Wolfspeed宣布推出了一款用于 1500V 直流总线应用的 2300V 无铜底板碳化硅功率模块,采用 Wolfspeed 最先进的 200mm 碳化硅晶片开发和推出 “能源效率、可靠性和可扩展性是我们的客户(例如 EPC)的首要考虑因素,他们认识到 Wolfspeed 的碳化硅带来的巨大优势。” “碳化硅器件为逆变器性能和可靠性的飞跃打开了大门。 与类似的碳化硅模块相比,它们的电压裕量增加了 15%,动态性能得到改善,温度稳定性一致,并大幅减小了 EMI 滤波器尺寸。 Wolfspeed 的技术使 IGBT 的开关损耗降低了 77%,用于 1500V 应用的碳化硅器件的开关损耗降低了 2-3 倍。 延长系统寿命和耐用性 Wolfspeed 的 2300V 碳化硅模块将使客户能够进一步提高其系统的使用寿命和耐用性。
众所周知,对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说,高质量的衬底可以从外部购买得到,高质量的外延片也可以从外部购买到,可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础,高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求 我们可以把MOSFET(硅和碳化硅)根据它们的栅极结构分成两类:平面结构和沟槽结构。它们的示意图如图三所示。 如果从结构上来说硅和碳化硅MOSFET是一样的,但是从制造工艺和设计上来说,由于碳化硅材料和硅材料的特性导致它们要考虑的点大部分都不太一样。
碳化硅衬底超薄化(<100μm)TTV 厚度测量的技术挑战与解决方案摘要本文聚焦碳化硅衬底超薄化(<100μm)进程中 TTV 厚度测量面临的难题,系统剖析技术挑战,并针对性地提出创新解决方案,为保障超薄碳化硅衬底 引言在第三代半导体产业高速发展的背景下,碳化硅衬底超薄化(<100μm)成为提升器件性能、降低功耗的关键技术路径。 然而,随着碳化硅衬底厚度不断减薄,TTV 测量面临诸多新挑战,亟需探索有效的解决策略,以满足产业发展需求。 各向异性影响加剧碳化硅晶体本身具有各向异性,超薄化后,这种特性对 TTV 测量的影响更为突出。 文章围绕题目阐述了碳化硅衬底超薄化 TTV 测量的挑战与对应方案。若你觉得某个部分还需补充案例或细化技术细节,欢迎随时提出。
美国碳化硅(SiC)材料龙头大厂Wolfspeed于当地时间5月8日美股盘后公布2025财年第三财季财报,不仅业绩不佳,市场更担心Wolfspeed无法与债权人达成协议,引发了其股价于5月8日的交易中暴跌 作为车用碳化硅行业的领导厂商,Wolfspeed近年来投入数十亿美元在美国建立SiC制造能力,但持续深陷亏损,今年来股价已腰斩,股价也惨跌至只剩个位数。 Wolfspeed在财报电话会议上指出,债务谈判应不会对持份者造成重大影响,可能通过法庭内(in-court)或法庭外(out-of-court)方式进行谈判,公司将在下一份10-Q报告中加入“持续经营疑虑 分析师也认为,Wolfspeed虽努力提升碳化硅生产能力,却难敌中国碳化硅衬底制造商的激烈竞争。
近日,扬杰科技公告,公司拟在邗江区政府辖区投资新建6英寸碳化硅晶圆生产线项目,总投资约10亿元。 4月20日,扬杰科技公告,公司与扬州市邗江区政府签署《6英寸碳化硅晶圆项目进园框架合同》,公司拟在邗江区政府辖区投资新建6英寸碳化硅晶圆生产线项目,总投资约10亿元,分两期实施建设,项目投产后,形成碳化硅 扬杰科技表示,若本次合作框架合同能实施落地,有利于公司加速提升碳化硅产品的技术水平和实现产品升级,推动公司积极转型升级向高端制造业迈进,为功率器件国产化贡献力量。
6月2日消息,据《日经新闻》近日报道,随着电动汽车市场增长放缓,以及中国碳化硅(SiC)厂商持续增产,导致了碳化硅市场供应过剩、价跌下跌,这也使得日本半导体大厂瑞萨电子(Renesas)可能将放弃生产面向电动汽车的碳化硅功率半导体 报道称,原先计划在2025年初期利用高崎工厂开始生产车用碳化硅功率半导体,但是现在瑞萨已经解散高崎工厂的碳化硅团队,且除了放弃生产车用碳化硅功率半导体之外,瑞萨也修正了硅基功率半导体的生产计划。 而瑞萨之所以放弃生产车用碳化硅功率半导体,主要是因为欧洲结束了补贴资金,导致电动汽车销售增长不及预期,与此同时,中国企业增产碳化硅功率半导体,使得市场供应出现过剩,碳化硅功率半导体的价格也在持续下滑。 此前的数据显示,由于中国碳化硅产能的持续扩大,碳化硅衬底的价格下滑速度远超过市场扩张的速度。 根据TrendForce的预测,进入2025年,碳化硅市场将持续面临需求疲软和供给过剩的双重压力。 不过,从长期趋势来看,随着碳化硅衬底和碳化硅器件的成本的持续降低,未来碳化硅的应用也将更为广泛。
具体来说,安森美二季度车用芯片营收年增35%至超过10亿美元,工业用芯片营收年增5%至6.093亿美元。车用、工业用芯片营收合计占据安森美总营收的80%。 “仅在第二季度,我们就签署了价值超过30亿美元的新碳化硅 LTSA(长期服务协议)。” El-Khoury 表示,汽车行业已经是安森美公司最大的客户群之一,目前占 安森美碳化硅销售额的90%。 第二季度,安森美的碳化硅器件还拿下了包括Vitesco、博格华纳和麦格纳等新客户,它们都在针对电动汽车生产商的产品中使用它的碳化硅芯片。 显然,安森美预测的第三季营收优于市场预期,主要是得益于碳化硅(SiC)需求强劲,汽车业强烈的需求有望抵销半导体产业的疲软市况。 今年5月,安森美曾表示,考虑投资超过20亿美元扩充碳化硅产能。 与此同时,为特斯拉生产零部件的意法半导体也在扩大碳化硅 生产,并于今年1月份宣布该公司将在内部生产芯片。
根据该协议,天岳先进将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体的高质量并且有竞争力的150毫米碳化硅(SiC)衬底和晶棒,第一阶段将侧重于150毫米碳化硅材料,但天岳先进也将助力英飞凌向200毫米直径碳化硅晶圆过渡 英飞凌表示,该协议的供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额,这不仅有助于保证英飞凌供应链的稳定,让其碳化硅材料供应商体系多元化,还能够确保英飞凌获得更多具有竞争力的碳化硅材料供应。 尤其是满足中国市场在汽车、太阳能、充电桩及储能系统等领域对碳化硅半导体产品不断增长的需求,并将推动新兴半导体材料碳化硅的快速发展。 据悉,英飞凌正着力提升碳化硅产能,以实现在2030年之前占据全球30%市场份额的目标。预计到2027年,英飞凌的碳化硅产能将增长10倍。 天岳先进的加入,特别是上海工厂启动产品交付后,将有助于双方在碳化硅功率半导体领域继续加快发展进程,共同推动碳化硅半导体产业的长远发展。 编辑:芯智讯-林子 来源:天岳先进
不但成功解决了8英寸碳化硅晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题,同时还破解了碳化硅器件成本中衬底占比过高的难题,为大尺寸碳化硅衬底广泛应用打下基础。 目前,碳化硅半导体器件主要应用于高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域。 需要指出的是,而碳化硅材料的生长也效率非常低,并不像硅材料那样,可以相对容易的制备出数米长的晶棒。 而且,碳化硅属于硬度非常高(碳化硅单晶材料莫氏硬度分布在9.2~9.6之间,仅仅比金刚石的硬度低0.5左右)的脆性材料,因此,碳化硅晶圆的制备损耗非常高(通常损耗高达三分之二),良率也比较低。 相比6英寸的碳化硅晶圆,8英寸的碳化硅晶圆可用于制造集成电路的可用面积几乎扩大1 倍,使得产量和生产效率可以得到极大的提升。 早在2015年Wolfspeed、罗姆、II-VI就已展示了8英寸碳化硅衬底,其中Wolfspeed投入10亿美元建设新工厂,并在今年4月开始生产8英寸碳化硅等产品; 英飞凌在2020年9月宣布其8英寸碳化硅晶圆生产线已经建成
华为在《数字能源2030》文中指出在未来的技术应用趋势中,碳化硅将发挥巨大的应用。 特斯拉几年前已採用碳化硅电源控制芯片,来减少能源流失,让电动车有更多电力来增加续航力。 碳化硅因具有耐高温和耐高压等特性,被称为第三代半导体材料。 但专家认为车商面对最大挑战,是必须确保电动车电池配置碳化硅芯片后所节省的成本,能高于生产碳化硅芯片的成本。 尽管许多车商都在努力当中,但还要花数年时间的研发,才会令生产碳化硅芯片的成本,能接近硅芯片的生产成本。 国内碳化硅衬厂家 芯片商Wolfspeed计划明年初,启动其投资10亿美元打造的全球最大碳化硅工厂,然后在接下来几年为意法半导体供应价值逾8亿美元的碳化硅晶圆。
日前,在深圳举办的第10届 EEVIA年度中国硬科技媒体论坛暨产业链研创趋势展望研讨会上,英飞凌安全互联系统事业部,汽车级WiFi/BT及安全产品应用市场管理经理杨大稳表示英飞凌已经看到未来电动车市场的快速发展以及汽车数字化的加速到来 以英飞凌为例,它以电力驱动系统上的完整解决方案赋能汽车低碳化加速发展,特别是其用于核心驱动的功率器件,也是极具市场热度的第三代半导体——碳化硅产品。 据杨大稳介绍,英飞凌的碳化硅方案目前已经被全球绝大多数主机厂采用,而在中国迅猛发展的新能源车,英飞凌同样提供了相应碳化硅方案。 此外,为应对近两三年不断发生的半导体短缺、疫情等叠加影响,更是为了保证能够为可预见的未来10年电动车市场的高速发展提供稳定供应,据杨大稳透露,英飞凌从上游材料、自身产能、碳化硅技术迭代3个维度进行战略布局 : 上游材料:英飞凌宣布和上游碳化硅原材料的厂商建立战略关系,确保未来碳化硅材料的稳定供应; 自身产能:英飞凌不仅加大了现有工厂的碳化硅生产产线,例如6英寸、8英寸和12英寸所有产线完全投产,并在马来西亚投资新厂扩充产能
2022年9月13日消息 ,全球碳化硅(SiC)技术引领者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布,将投入数十亿美元在美国北卡罗来纳州查塔姆县(Chatham County)建造全新的、采用领先前沿技术的碳化硅(SiC)材料制造工厂。 这一投资计划提升 Wolfspeed 现有碳化硅产能超 10 倍,支持公司长期增长战略,加快碳化硅半导体在一系列终端市场的采用,开启能源效率新时代。 这座工厂将主要制造 200mm 碳化硅晶圆。200mm 晶圆的面积是 150mm 晶圆的 1.7 倍,这也意味着单片晶圆可制得的芯片数量将更多,也将最终有助于降低器件成本。 △Wolfspeed 位于北卡罗来纳州查塔姆县(Chatham County)碳化硅材料制造工厂的渲染图 该工厂的一期建设预计将于 2024 年完成,成本预计 13 亿美元。
摘要本文针对激光干涉法在碳化硅衬底 TTV 厚度测量中存在的精度问题,深入分析影响测量精度的因素,从设备优化、环境控制、数据处理等多个维度提出精度提升策略,旨在为提高碳化硅衬底 TTV 测量准确性提供理论与技术支持 引言随着碳化硅半导体产业的蓬勃发展,对碳化硅衬底质量要求日益严苛,晶圆总厚度变化(TTV)作为关键质量指标,其精确测量至关重要。 激光干涉法凭借非接触、测量速度快等优势,在碳化硅衬底 TTV 厚度测量中得到广泛应用。然而,受设备性能、环境因素、样品特性等影响,测量精度仍有待提高。 探索有效的精度提升策略,对保障碳化硅衬底生产质量、推动半导体产业发展具有重要意义。影响激光干涉法测量精度的因素分析设备自身因素激光干涉仪的光源稳定性、光学元件精度对测量精度影响显著。 升级信号采集与处理系统,提高分辨率和采样频率,例如将采样频率提升至 10kHz 以上,以更精确地捕捉干涉条纹变化。环境控制搭建恒温恒湿、防震的测量环境。
根据招股书显示,基本半导体由清华大学和剑桥大学博士团队创立于2016年,专注于碳化硅功率器件的研发、制造及销售。 作为该领域的先驱者,基本半导体是中国唯一一家整合了碳化硅芯片设计、晶圆制造、模块封装及栅极驱动设计与测试能力的碳化硅功率器件IDM企业,且所有环节均已实现量产。 完成后,公司将拥有国内领先的碳化硅功率模块封装产能。 目前,基本半导体构建了全面的产品组合,包括碳化硅分立器件、车规级和工业级碳化硅功率模块及功率半导体栅极驱动。 基本半导体也是国内首批大规模生产和交付应用于新能源汽车的碳化硅解决方案的企业之一。 鉴于碳化硅解决方案相关评估周期通常较长且更换成本较高,基本半导体已建立较高的进入门槛,与客户培养了长期合作关系并保持了获得10多家汽车制造商超50款车型的design-in的良好往绩记录。
1月31日消息,为持续扩大碳化硅(SiC)产能,英飞凌宣布与Resonac (前身为昭和电工)签订多年期供应及合作协议,以补充并扩展双方在2021年的协议。 新合约将深化双方在SiC 材料供应方面的长期合作,Resonac 将供应英飞凌未来10 年预估需求量中双位数份额的SiC晶圆。 英飞凌正在加倍投资其碳化硅技术及产品组合,透过与Resonac 的伙伴关系将为英飞凌提供强大的助力。 英飞凌SiC 的产能预计到2027 年将成长10 倍,而位于马来西亚居林(Kulim) 的新厂计划将于2024 年投产。 Resonac计划将碳化硅外延晶圆的产量在2026年之前增至月产5万片(按6吋晶圆折算),增至目前的约5倍。到2025年还将开始量产8吋碳化硅基板,能切割出更多半导体芯片,生产效率将随之提高。
10月13日,据“芯联集成”官方微信号消息,近日,芯联集成与理想汽车隆重举办了“理想&芯联集成合作伙伴交流会暨BAREDIE晶圆下线仪式”,这标志着双方在碳化硅产品领域的深度合作取得了重大阶段性成果。 自2024年3月芯联集成与理想汽车正式签署战略合作框架协议以来,两家公司在碳化硅技术上展开了全面且深入的合作。历经一年多的紧密协作,由理想汽车设计开发、芯联集成代工量产的碳化硅产品现已开启量产交付。 作为国内领先的一站式芯片系统代工企业,芯联集成在车规级碳化硅领域拥有深厚技术积累;而理想汽车作为新能源汽车市场的领军企业,近年来持续加码纯电赛道。 芯联集成表示,此次量产交付的碳化硅产品,标志着双方战略协同迈入新阶段,也是理想纯电战略落地的关键一环。未来,该产品将在理想i系列纯电车型上搭载。 该碳化硅产品在综合性能方面表现卓越,尤其是在导通电阻、应用结温等方面较市场主流产品展现出更大优势,有助于提升车辆补能效率及续航里程。
比如,比亚迪半导体推出的新一代碳化硅Mosfet已经进入第3代,第4代正在研发之中;扬杰科技已经拥有了4个SiC肖特基模块;华为投资的山东天岳,也已经实现宽禁带半导体碳化硅材料产业化,技术水平也已经达到了国际领先水平 但就性能来看,三种材料之中碳化硅材料的物理性能,明显好于前者。 据IMSResearch报告显示,碳化硅功率器件2017年市场份额在3亿美元左右,主要集中在光伏逆变器与电源领域。 结合功率半导体在整车中的能量损耗占比数据可以得出,仅仅是将IGBT替换为SiC,就可提高整车续航里程10%左右。 其次,从碳化硅行业本身来说,目前其仍存在不少难点有待突破。首先,是成本高的问题仍未得到有效解决。