首页
学习
活动
专区
圈层
工具
发布
    • 综合排序
    • 最热优先
    • 最新优先
    时间不限
  • 切割进给量与碳化硅衬底厚度均匀性的量化关系及工艺优化

    引言在碳化硅衬底加工过程中,切割进给量是影响其厚度均匀性的关键工艺参数。深入探究二者的量化关系,并进行工艺优化,对提升碳化硅衬底质量、满足半导体器件制造需求具有重要意义。 量化关系分析切割机理对厚度均匀性的影响碳化硅硬度高、脆性大,切割过程中,切割进给量直接影响切割力大小与分布 。 当进给量较小时,切割工具与碳化硅衬底接触区域的切削力相对较小且稳定,材料去除过程较为均匀,有利于保证衬底厚度均匀性 。 理论模型构建基于切削力学理论,结合碳化硅材料特性,构建切割进给量与厚度均匀性的理论模型 。考虑切割力与进给量的非线性关系,以及材料去除率对厚度均匀性的影响,引入相关参数建立方程 。 对于不同规格或质量要求的碳化硅衬底,通过实验或模拟进一步优化进给量参数,实现个性化加工 。多参数协同优化考虑切割过程中各工艺参数的相互影响,开展切割进给量与切割速度、切割压力等参数的协同优化研究 。

    26110编辑于 2025-06-12
  • 浙江晶瑞年产60万片8英寸碳化硅加速投产

    5月21日,晶盛机电子公司浙江晶瑞电子材料有限公司(以下简称“浙江晶瑞”,英文名“SuperSiC”)宣布,公司年产60万片8英寸碳化硅(SiC)衬底项目正在加速投产,并已启动新一期基础设施建设,以迎接 AI、AR等新兴产业对碳化硅材料的爆发式需求。 碳化硅作为第三代半导体核心材料,正在经历一场由新能源汽车、光伏、工业电源、AI数据中心等多点需求共振驱动的产业升级。 行业正从“规模扩张”阶段转向“成本与技术”深度竞争阶段,而8英寸衬底被视为降低单颗芯片成本、实现规模化量产的关键路径。 全球主要SiC器件厂商——包括意法半导体、英飞凌、安森美等——均已明确向8英寸产线过渡的路线图。浙江晶瑞此次加速投产的60万片8英寸SiC衬底项目,正是瞄准了这一产业升级窗口。

    21810编辑于 2026-05-26
  • 来自专栏精益六西格玛资讯

    基于TRIZ理论解决切割机进刀调节难题

    图片(1) 发现并分析问题——抽象成标准问题A品牌切割机工程师们通过分析进刀机构的动作可知,在空行程的时候,希望进刀速度加快,这样可以减少进刀时间,提升效率;而在工作行程的时候,又希望进刀速度减慢。 A品牌切割机工程师们根据分析,正好利用此原理解决进刀速度在不同时间需要不同速度的问题。对比时间分离原理中对应的12个创新原理,“快速原理”以最快的速度完成有害的操作,是12个创新原理中最有效的。 A品牌切割机引进减速油缸,在空行程动作时,油缸快速进油回油以便完成动作。到了工作行程时,油缸回油通过减速来降低工作行程的速度,以满足工艺需求。

    43650编辑于 2023-04-04
  • 来自专栏芯智讯

    投资超20亿欧元,Wolfspeed宣布在德国建8碳化硅晶圆厂

    2月2日消息,美国第三代半导体大厂制造大厂Wolfspeed于当地时间2 月1 日宣布,计划投资超过20亿元在德国萨尔建造一座8碳化硅(SiC) 晶圆厂,这也将是Wolfspeed在欧洲的首座晶圆厂 Wolfspeed 表示,该晶圆厂将成为全球最大的 8碳化硅晶圆厂,占地 35 英亩,将采用创新性制造技术来生产下一代碳化硅晶圆,预计最快 2023 年上半年动工。 另外,汽车制造集团 ZF Group 也将参与Wolfspeed 在德国兴建 8碳化硅晶圆厂的计划,并与 Wolfspeed 达成战略合作,还将提供投资以支持新晶圆厂建设。 Wolfspeed表示,这座欧洲的新晶圆厂将与另外的一座8吋晶圆零件工厂、John Palmour 碳化硅制造中心一同成为该公司投资 65 亿美元产能扩张大计划的重要组成部分,该晶圆厂也预计将增加当地约

    35330编辑于 2023-02-09
  • 来自专栏芯智讯

    博世收购TSI半导体,2026年生产8碳化硅晶圆

    BOSCH)已经同意收购总部位于美国加利福尼亚州罗斯维尔(Roseville)的芯片制造商TSI半导体(TSI Semiconductors)的关键资产,并宣布再投资15亿美元扩大其在美国的电动汽车用碳化硅芯片的产能 博世还将投资15亿美元改建工厂,并计划于2026年在其1万平方英尺的无尘室生产8碳化硅晶圆。 博世并未公布收购金额,同时强调,实际的后续投资金额将视美国芯片法案补助额决定。 资料显示,TSI半导体在美国加州 Roseville 有座 8 吋晶圆厂,员工有 250 人,为客制化 (ASIC) 芯片的专业代工商。 TSI罗斯维尔工厂生产的碳化硅芯片可以为电动汽车提供更长的续航里程,充电速度更快,因此在电动汽车领域的需求将日益增长。根据博世的说法,市场对碳化硅半导体的需求正以每年30%的速度增长。

    60430编辑于 2023-05-09
  • 碳化硅大厂Wolfspeed股价暴跌51.86%!

    3月31日消息,美国碳化硅衬底及器件大厂Wolfspeed因受到公司可能无法与债权人达成债务交换协议、以及美国“芯片法案”补贴案前景不明的冲击,当地时间周五(3月28日)股价暴跌51.86%,收于2.59

    19510编辑于 2026-03-19
  • 【新启航】《碳化硅衬底超薄化(

    碳化硅衬底超薄化(<100μm)TTV 厚度测量的技术挑战与解决方案摘要本文聚焦碳化硅衬底超薄化(<100μm)进程中 TTV 厚度测量面临的难题,系统剖析技术挑战,并针对性地提出创新解决方案,为保障超薄碳化硅衬底 引言在第三代半导体产业高速发展的背景下,碳化硅衬底超薄化(<100μm)成为提升器件性能、降低功耗的关键技术路径。 然而,随着碳化硅衬底厚度不断减薄,TTV 测量面临诸多新挑战,亟需探索有效的解决策略,以满足产业发展需求。 各向异性影响加剧碳化硅晶体本身具有各向异性,超薄化后,这种特性对 TTV 测量的影响更为突出。 文章围绕题目阐述了碳化硅衬底超薄化 TTV 测量的挑战与对应方案。若你觉得某个部分还需补充案例或细化技术细节,欢迎随时提出。

    43610编辑于 2025-08-13
  • 来自专栏芯智讯

    Wolfspeed推出2300V碳化硅模块

    近日, 碳化硅(SiC)技术大厂Wolfspeed宣布推出了一款用于 1500V 直流总线应用的 2300V 无铜底板碳化硅功率模块,采用 Wolfspeed 最先进的 200mm 碳化硅晶片开发和推出 “能源效率、可靠性和可扩展性是我们的客户(例如 EPC)的首要考虑因素,他们认识到 Wolfspeed 的碳化硅带来的巨大优势。” “碳化硅器件为逆变器性能和可靠性的飞跃打开了大门。 与类似的碳化硅模块相比,它们的电压裕量增加了 15%,动态性能得到改善,温度稳定性一致,并大幅减小了 EMI 滤波器尺寸。 Wolfspeed 的技术使 IGBT 的开关损耗降低了 77%,用于 1500V 应用的碳化硅器件的开关损耗降低了 2-3 倍。 延长系统寿命和耐用性 Wolfspeed 的 2300V 碳化硅模块将使客户能够进一步提高其系统的使用寿命和耐用性。

    43210编辑于 2024-09-18
  • 来自专栏芯智讯

    揭秘碳化硅芯片的设计和制造

    众所周知,对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说,高质量的衬底可以从外部购买得到,高质量的外延片也可以从外部购买到,可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础,高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求 我们可以把MOSFET(硅和碳化硅)根据它们的栅极结构分成两类:平面结构和沟槽结构。它们的示意图如图三所示。 如果从结构上来说硅和碳化硅MOSFET是一样的,但是从制造工艺和设计上来说,由于碳化硅材料和硅材料的特性导致它们要考虑的点大部分都不太一样。

    81120编辑于 2023-04-11
  • 3年亏损超8亿元!碳化硅IDM大厂基本半导体递表港交所

    根据招股书显示,基本半导体由清华大学和剑桥大学博士团队创立于2016年,专注于碳化硅功率器件的研发、制造及销售。 作为该领域的先驱者,基本半导体是中国唯一一家整合了碳化硅芯片设计、晶圆制造、模块封装及栅极驱动设计与测试能力的碳化硅功率器件IDM企业,且所有环节均已实现量产。 完成后,公司将拥有国内领先的碳化硅功率模块封装产能。 目前,基本半导体构建了全面的产品组合,包括碳化硅分立器件、车规级和工业级碳化硅功率模块及功率半导体栅极驱动。 基本半导体也是国内首批大规模生产和交付应用于新能源汽车的碳化硅解决方案的企业之一。 碳化硅在全球功率器件市场的渗透率亦大幅提高,从2020年的1.4%升至2024年的6.5%,且预计到2029年将达到20.1%。

    74910编辑于 2026-03-19
  • 碳化硅大厂Wolfspeed即将清盘?股价暴跌近26%!

    美国碳化硅(SiC)材料龙头大厂Wolfspeed于当地时间5月8日美股盘后公布2025财年第三财季财报,不仅业绩不佳,市场更担心Wolfspeed无法与债权人达成协议,引发了其股价于5月8日的交易中暴跌 作为车用碳化硅行业的领导厂商,Wolfspeed近年来投入数十亿美元在美国建立SiC制造能力,但持续深陷亏损,今年来股价已腰斩,股价也惨跌至只剩个位数。 分析师也认为,Wolfspeed虽努力提升碳化硅生产能力,却难敌中国碳化硅衬底制造商的激烈竞争。 其中天科合达是中国本土功率电子市场最大的SiC衬底供应商,而天岳先进则在8英寸晶圆市场中占据领先地位。

    33110编辑于 2026-03-19
  • 来自专栏芯智讯

    晶盛机电宣布成功研发出8英寸N型SiC晶体

    8月15日消息,近日,晶盛机电通过官方微信公众号宣布,经过晶体实验室研发团队半年多的技术攻关,8月12日,首颗8英寸(200mm)N型SiC(碳化硅)晶体成功出炉,晶盛第三代半导体材料SiC研发自此迈入 不过,随着技术的推进,头部的一些大厂也开始陆续推动8英寸的碳化硅晶圆的量产。 早在2015年Wolfspeed、罗姆、II-VI就已展示了8英寸碳化硅衬底,其中Wolfspeed投入10亿美元建设新工厂,并在今年4月开始生产8英寸碳化硅等产品; 英飞凌在2020年9月宣布其8英寸碳化硅晶圆生产线已经建成 ; 罗姆旗下SiCrystal公司预计2023年左右开始量产8英寸衬底; 2021年7月,意法半导体率先宣布成功制造出首批8英寸碳化硅晶圆片。 意法半导体表示,其首批8英寸碳化硅晶圆片质量上乘,影响芯片良率和晶体位错的缺陷非常少。 Soitec在2022年5月发布了8英寸碳化硅衬底产品,其还在2022年3月启动新晶圆厂建设计划。

    48310编辑于 2022-08-17
  • 来自专栏芯智讯

    下一代平台减少75%碳化硅用量!碳化硅概念股大跌

    特斯拉下一代平台将减少75%的碳化硅,下一代电机将不需要任何稀土成分 特斯拉工程师介绍,特斯拉的下一代平台将减少75%的碳化硅,特斯拉下一代永磁电机还将完全不使用稀土材料,且不损失能效,总制造成本下降1000 对于为何下一代平台能减少75%的碳化硅使用量,特斯拉并没有展开介绍。有业内人士猜测认为,这可能是基于碳化硅工艺或器件的改进,使得在原有相同功率下碳化硅器的用量减少。 另有业内人士认为,这可能是得益于特斯拉下一代电机的全新设计,可能减小了电机的电流,这样将使得对于碳化硅器件的需求整体减少。 碳化硅概念股大跌 由于特斯拉在今天的投资者日上宣布,特斯拉下一代平台将减少75%的碳化硅用量,该消息直接使得A股碳化硅概念股纷纷大跌。

    49420编辑于 2023-03-24
  • 总投资120亿元,厦门士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片产线封顶

    2月28日上午,功率半导体大厂士兰微旗下厦门士兰集宏半导体有限公司的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目(一期)工程顺利封顶。 资料显示,厦门士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目总投资120亿元。其中,一期项目总投资70亿元,达产后将年产42万片8英寸碳化硅功率器件芯片,预计年产值达67亿元。 两期项目建成投产后,将形成年产72万片8英寸碳化硅功率器件芯片的生产能力,为厦门抢占未来产业赛道、加快产业转型升级、发展新质生产力提供有力支撑。 士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目总用地面积13.63万平方米,总建筑面积23.97万平方米,分两期建设。 2024年6月18日,厦门士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目正式在厦门市海沧区开工。

    48910编辑于 2026-03-19
  • 来自专栏芯智讯

    三安光电与意法半导体在重庆合资建8英寸碳化硅器件工厂

    6月7日晚间,三安光电发布公告称,其全资子公司已与汽车芯片大厂意法半导体签署协议,拟投入32亿美元在重庆共同建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造工厂。 同时,三安光电将在当地独资建立一个8英寸碳化硅衬底工厂作为配套。 项目预计投资总额达32 亿美元,待监管部门批准后即开工建设,计划于2025 年第四季度开始生产,预计将于 2028年全面落成,将采用意法半导体的碳化硅专利制造工艺技术,达产后可生产8碳化硅晶圆10000 三安光电独资在重庆设立的8 英寸碳化硅衬底工厂计划投资约70亿元,将利用自有的碳化硅衬底工艺单独建立和运营,以满足合资工厂的衬底需求,并与其签订长期供应协议。 这也体现出三安光电的碳化硅业务已经得到国际客户的充分认可,是朝着国际碳化硅专业晶圆代工厂这一目标迈出的重要一步。随着新的合资工厂和衬底工厂建立,公司有信心继续在碳化硅晶圆代工市场占据优势地位。

    98350编辑于 2023-08-09
  • 中国碳化硅太猛,安森美被迫裁员

    此次安森美捷克工厂裁员的直接原因,是该工厂的碳化硅制造成本居高不下,与此同时,中国碳化硅供应商凭借显著的成本优势快速抢占全球市场,导致安森美的市场份额下滑。 即便是最新的8英寸碳化硅衬底,自2025年以来,也已经是由于全球平均价格。 报告还显示,2025天岳先进6英寸产品全球市场占有率达27.5%,也首次超越Wolfspeed,并且在8英寸碳化硅衬底市场份额更是达到了惊人的51.3%,远超其他竞争对手。 不过,碳化硅市场并非全面衰退。其中,8英寸碳化硅衬底及车规级器件仍处于供不应求状态。目前,中国的天岳先进正全力冲刺8英寸产能,公司已与博世、英飞凌等国际汽车芯片巨头达成长期合作。 分析人士指出,碳化硅行业竞争正从“技术”转向“效率”。中国企业在衬底环节的全球份额已超过50%,尤其在8英寸方向上已从技术展示迈向规模化阶段,成本优势凸显。

    30010编辑于 2026-06-08
  • Wolfspeed拟申请破产后,瑞萨解散碳化硅团队!

    报道称,原先计划在2025年初期利用高崎工厂开始生产车用碳化硅功率半导体,但是现在瑞萨已经解散高崎工厂的碳化硅团队,且除了放弃生产车用碳化硅功率半导体之外,瑞萨也修正了硅基功率半导体的生产计划。 此前的数据显示,由于中国碳化硅产能的持续扩大,碳化硅衬底的价格下滑速度远超过市场扩张的速度。 其中天科合达是中国本土功率半导体市场最大的谈话衬底供应商,而天岳先进则在8英寸碳化硅晶圆市场中占据领先地位。 此外,士兰微旗下的厦门士兰集宏、意法半导体与三安光电在华合资的安意法半导体都在大力发展8英寸碳化硅。 根据TrendForce的预测,进入2025年,碳化硅市场将持续面临需求疲软和供给过剩的双重压力。 不过,从长期趋势来看,随着碳化硅衬底和碳化硅器件的成本的持续降低,未来碳化硅的应用也将更为广泛。

    33910编辑于 2026-03-19
  • 来自专栏芯智讯

    SiC需求旺盛,安森美已拿下30亿美元长期供货协议!业绩超预期!

    8月1日消息,功率半导体大厂安森美(ON Semiconductor)于7月31日美股盘前公布了截止6月底的二季度财报,营收由去年同期的20.85亿美元略增0.5%至20.9亿美元;毛利率为47.4% “仅在第二季度,我们就签署了价值超过30亿美元的新碳化硅 LTSA(长期服务协议)。” El-Khoury 表示,汽车行业已经是安森美公司最大的客户群之一,目前占 安森美碳化硅销售额的90%。 第二季度,安森美的碳化硅器件还拿下了包括Vitesco、博格华纳和麦格纳等新客户,它们都在针对电动汽车生产商的产品中使用它的碳化硅芯片。 显然,安森美预测的第三季营收优于市场预期,主要是得益于碳化硅(SiC)需求强劲,汽车业强烈的需求有望抵销半导体产业的疲软市况。 今年5月,安森美曾表示,考虑投资超过20亿美元扩充碳化硅产能。 与此同时,为特斯拉生产零部件的意法半导体也在扩大碳化硅 生产,并于今年1月份宣布该公司将在内部生产芯片。

    45220编辑于 2023-08-09
  • 来自专栏机器之心

    八轮攀爬器+电动切割机,这个印度机器人替你爬树摘椰子

    Robotic Harvester 是一个有四个自由度的机器臂,还配有一个旋转式切割机(rotary cutter)作为末端执行器(end effector)。 包括电动切割机在内,Robotic Harvester 的总重量约 7 千克,总长度为 1 米。

    70420编辑于 2023-03-29
  • 来自专栏耐达讯通信技术

    化工激光切割通信迷雾:Modbus转Profinet暗藏何种玄机

    化工工程师们在日常工作中,想必常遇到激光切割机通信协议适配的难题。当Modbus与Profinet这两种不同协议的设备需要协同工作,怎样连接才能让激光切割机稳定、高效运行?下面就为大家揭晓答案。 主从站精准对接在Modbus转Profinet连接激光切割机的系统里,主从站分工明确。主站通常是PLC 或工控机,如同“大脑”,负责统筹规划、发出指令。 激光切割机作为从站,是“行动派”,接收主站指令后完成切割任务。通过专业的耐达讯自动化Modbus转Profinet网关,实现主从站的数据交互,让整个系统有序运转。 响应时间:数据响应时间小于10ms,保证激光切割机对指令的快速响应。 工作环境:可在 -25℃至70℃的温度范围、10% - 95%的湿度环境下稳定工作,适应化工复杂工况。 实际应用显成效某大型化工企业在引入该连接方案后,激光切割机的切割精度提高了35%,生产效率提升了40%。同时,设备故障停机时间减少了50%,大大降低了生产成本。

    20710编辑于 2025-10-22
领券