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  • 切割进给量与碳化硅衬底厚度均匀性的量化关系及工艺优化

    引言在碳化硅衬底加工过程中,切割进给量是影响其厚度均匀性的关键工艺参数。深入探究二者的量化关系,并进行工艺优化,对提升碳化硅衬底质量、满足半导体器件制造需求具有重要意义。 量化关系分析切割机理对厚度均匀性的影响碳化硅硬度高、脆性大,切割过程中,切割进给量直接影响切割力大小与分布 。 当进给量较小时,切割工具与碳化硅衬底接触区域的切削力相对较小且稳定,材料去除过程较为均匀,有利于保证衬底厚度均匀性 。 理论模型构建基于切削力学理论,结合碳化硅材料特性,构建切割进给量与厚度均匀性的理论模型 。考虑切割力与进给量的非线性关系,以及材料去除率对厚度均匀性的影响,引入相关参数建立方程 。 对于不同规格或质量要求的碳化硅衬底,通过实验或模拟进一步优化进给量参数,实现个性化加工 。多参数协同优化考虑切割过程中各工艺参数的相互影响,开展切割进给量与切割速度、切割压力等参数的协同优化研究 。

    30510编辑于 2025-06-12
  • 来自专栏精益六西格玛资讯

    基于TRIZ理论解决切割机进刀调节难题

    图片(1) 发现并分析问题——抽象成标准问题A品牌切割机工程师们通过分析进刀机构的动作可知,在空行程的时候,希望进刀速度加快,这样可以减少进刀时间,提升效率;而在工作行程的时候,又希望进刀速度减慢。 A品牌切割机工程师们根据分析,正好利用此原理解决进刀速度在不同时间需要不同速度的问题。对比时间分离原理中对应的12个创新原理,“快速原理”以最快的速度完成有害的操作,是12个创新原理中最有效的。 A品牌切割机引进减速油缸,在空行程动作时,油缸快速进油回油以便完成动作。到了工作行程时,油缸回油通过减速来降低工作行程的速度,以满足工艺需求。

    48550编辑于 2023-04-04
  • 来自专栏科技版

    合肥世纪金芯年产3万片6英寸碳化硅单晶衬底项目投产

    2022年9月9日,合肥世纪金芯半导体有限公司年产3万片6英寸碳化硅单晶衬底项目投产仪式在合肥市高新区集成电路产业园隆重举行,该项目的顺利投产,标志着公司产业链源头自主可控能力升级,公司产业化进程迈入新篇章 这一仪式的成功举行,标志着合肥世纪金芯年产3万片6英寸碳化硅单晶衬底项目正式投产。 投产仪式上,世纪金光董事长李百泉在致辞中对关心支持世纪金芯6英寸碳化硅单晶衬底项目发展的合肥市委、市政府和高新区及市区两级职能部门、公司股东以及全体项目建设者表示衷心的感谢! 第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长赵静在仪式上对世纪金芯6英寸碳化硅单晶衬底项目成功投产表示热烈祝贺,并衷心希望第三代半导体在合肥这片独具特色的创新热土上,走出一条独具特色的产业生态之路。 据悉,该项目是世纪金光联合合肥市、高新区、合肥产投集团共同打造碳化硅功率半导体全产业链的一期项目,是碳化硅产业链的核心环节之一,该项目的顺利投产,可有效缓解国内大直径导电型碳化硅单晶衬底供应紧缺的局面,

    77130编辑于 2022-09-23
  • 碳化硅大厂Wolfspeed股价暴跌51.86%!

    3月31日消息,美国碳化硅衬底及器件大厂Wolfspeed因受到公司可能无法与债权人达成债务交换协议、以及美国“芯片法案”补贴案前景不明的冲击,当地时间周五(3月28日)股价暴跌51.86%,收于2.59

    24410编辑于 2026-03-19
  • 【新启航】《碳化硅衬底超薄化(

    碳化硅衬底超薄化(<100μm)TTV 厚度测量的技术挑战与解决方案摘要本文聚焦碳化硅衬底超薄化(<100μm)进程中 TTV 厚度测量面临的难题,系统剖析技术挑战,并针对性地提出创新解决方案,为保障超薄碳化硅衬底 引言在第三代半导体产业高速发展的背景下,碳化硅衬底超薄化(<100μm)成为提升器件性能、降低功耗的关键技术路径。 然而,随着碳化硅衬底厚度不断减薄,TTV 测量面临诸多新挑战,亟需探索有效的解决策略,以满足产业发展需求。 各向异性影响加剧碳化硅晶体本身具有各向异性,超薄化后,这种特性对 TTV 测量的影响更为突出。 文章围绕题目阐述了碳化硅衬底超薄化 TTV 测量的挑战与对应方案。若你觉得某个部分还需补充案例或细化技术细节,欢迎随时提出。

    49910编辑于 2025-08-13
  • 来自专栏芯智讯

    揭秘碳化硅芯片的设计和制造

    众所周知,对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说,高质量的衬底可以从外部购买得到,高质量的外延片也可以从外部购买到,可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础,高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求 我们可以把MOSFET(硅和碳化硅)根据它们的栅极结构分成两类:平面结构和沟槽结构。它们的示意图如图三所示。 如果从结构上来说硅和碳化硅MOSFET是一样的,但是从制造工艺和设计上来说,由于碳化硅材料和硅材料的特性导致它们要考虑的点大部分都不太一样。

    93220编辑于 2023-04-11
  • 来自专栏芯智讯

    Wolfspeed推出2300V碳化硅模块

    近日, 碳化硅(SiC)技术大厂Wolfspeed宣布推出了一款用于 1500V 直流总线应用的 2300V 无铜底板碳化硅功率模块,采用 Wolfspeed 最先进的 200mm 碳化硅晶片开发和推出 “能源效率、可靠性和可扩展性是我们的客户(例如 EPC)的首要考虑因素,他们认识到 Wolfspeed 的碳化硅带来的巨大优势。” “碳化硅器件为逆变器性能和可靠性的飞跃打开了大门。 与类似的碳化硅模块相比,它们的电压裕量增加了 15%,动态性能得到改善,温度稳定性一致,并大幅减小了 EMI 滤波器尺寸。 Wolfspeed 的技术使 IGBT 的开关损耗降低了 77%,用于 1500V 应用的碳化硅器件的开关损耗降低了 2-3 倍。 延长系统寿命和耐用性 Wolfspeed 的 2300V 碳化硅模块将使客户能够进一步提高其系统的使用寿命和耐用性。

    50610编辑于 2024-09-18
  • 碳化硅大厂Wolfspeed即将清盘?股价暴跌近26%!

    美国碳化硅(SiC)材料龙头大厂Wolfspeed于当地时间5月8日美股盘后公布2025财年第三财季财报,不仅业绩不佳,市场更担心Wolfspeed无法与债权人达成协议,引发了其股价于5月8日的交易中暴跌 作为车用碳化硅行业的领导厂商,Wolfspeed近年来投入数十亿美元在美国建立SiC制造能力,但持续深陷亏损,今年来股价已腰斩,股价也惨跌至只剩个位数。 分析师也认为,Wolfspeed虽努力提升碳化硅生产能力,却难敌中国碳化硅衬底制造商的激烈竞争。

    40310编辑于 2026-03-19
  • 来自专栏芯智讯

    下一代平台减少75%碳化硅用量!碳化硅概念股大跌

    特斯拉下一代平台将减少75%的碳化硅,下一代电机将不需要任何稀土成分 特斯拉工程师介绍,特斯拉的下一代平台将减少75%的碳化硅,特斯拉下一代永磁电机还将完全不使用稀土材料,且不损失能效,总制造成本下降1000 对于为何下一代平台能减少75%的碳化硅使用量,特斯拉并没有展开介绍。有业内人士猜测认为,这可能是基于碳化硅工艺或器件的改进,使得在原有相同功率下碳化硅器的用量减少。 另有业内人士认为,这可能是得益于特斯拉下一代电机的全新设计,可能减小了电机的电流,这样将使得对于碳化硅器件的需求整体减少。 碳化硅概念股大跌 由于特斯拉在今天的投资者日上宣布,特斯拉下一代平台将减少75%的碳化硅用量,该消息直接使得A股碳化硅概念股纷纷大跌。

    54020编辑于 2023-03-24
  • 来自专栏芯智讯

    晶盛机电宣布成功研发出8英寸N型SiC晶体

    不但成功解决了8英寸碳化硅晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题,同时还破解了碳化硅器件成本中衬底占比过高的难题,为大尺寸碳化硅衬底广泛应用打下基础。 目前碳化硅生长出来体积也相对比较小,所以大多数情况下都只能制备成直径100mm或150mm(4英寸或6英寸)晶圆。 而且,碳化硅属于硬度非常高(碳化硅单晶材料莫氏硬度分布在9.2~9.6之间,仅仅比金刚石的硬度低0.5左右)的脆性材料,因此,碳化硅晶圆的制备损耗非常高(通常损耗高达三分之二),良率也比较低。 相比6英寸的碳化硅晶圆,8英寸的碳化硅晶圆可用于制造集成电路的可用面积几乎扩大1 倍,使得产量和生产效率可以得到极大的提升。 不过,需要指出的是,目前碳化硅器件的生产线大都还是6英寸的产线,因此SiC晶圆升级到8英寸,还需要对制造设备和整体支持生态系统进行升级更换。

    52910编辑于 2022-08-17
  • 中国碳化硅太猛,安森美被迫裁员

    6月5日消息,美国功率半导体及图像传感器大厂安森美(onsemi)近期宣布,将裁减其位于捷克罗兹诺夫厂区约200至300名员工,主要集中在碳化硅晶圆制造部门。 此次安森美捷克工厂裁员的直接原因,是该工厂的碳化硅制造成本居高不下,与此同时,中国碳化硅供应商凭借显著的成本优势快速抢占全球市场,导致安森美的市场份额下滑。 广东天域半导体在港交所披露的招股书显示,中国碳化硅衬底各尺寸的平均价格近年来持续降低,并且4英寸和6英寸的价格一直是优于全球平均价格。 报告还显示,2025天岳先进6英寸产品全球市场占有率达27.5%,也首次超越Wolfspeed,并且在8英寸碳化硅衬底市场份额更是达到了惊人的51.3%,远超其他竞争对手。 市场研究机构数据显示,2025年第一季度,6英寸SiC衬底平均价格就同比下降了40%,从年初的4000—4500元/片降至2500—2800元/片,趋近部分厂商成本线。 不过,碳化硅市场并非全面衰退。

    49710编辑于 2026-06-08
  • Wolfspeed拟申请破产后,瑞萨解散碳化硅团队!

    6月2日消息,据《日经新闻》近日报道,随着电动汽车市场增长放缓,以及中国碳化硅(SiC)厂商持续增产,导致了碳化硅市场供应过剩、价跌下跌,这也使得日本半导体大厂瑞萨电子(Renesas)可能将放弃生产面向电动汽车的碳化硅功率半导体 报道称,原先计划在2025年初期利用高崎工厂开始生产车用碳化硅功率半导体,但是现在瑞萨已经解散高崎工厂的碳化硅团队,且除了放弃生产车用碳化硅功率半导体之外,瑞萨也修正了硅基功率半导体的生产计划。 此前的数据显示,由于中国碳化硅产能的持续扩大,碳化硅衬底的价格下滑速度远超过市场扩张的速度。 2024年下半年,6英寸碳化硅衬底价格已跌至500美元以下,接近生产成本线,相比2022年时的价格暴跌了超过90%。 根据TrendForce的预测,进入2025年,碳化硅市场将持续面临需求疲软和供给过剩的双重压力。 不过,从长期趋势来看,随着碳化硅衬底和碳化硅器件的成本的持续降低,未来碳化硅的应用也将更为广泛。

    46210编辑于 2026-03-19
  • 来自专栏芯智讯

    三安光电与意法半导体在重庆合资建8英寸碳化硅器件工厂

    6月7日晚间,三安光电发布公告称,其全资子公司已与汽车芯片大厂意法半导体签署协议,拟投入32亿美元在重庆共同建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造工厂。 同时,三安光电将在当地独资建立一个8英寸碳化硅衬底工厂作为配套。 三安光电独资在重庆设立的8 英寸碳化硅衬底工厂计划投资约70亿元,将利用自有的碳化硅衬底工艺单独建立和运营,以满足合资工厂的衬底需求,并与其签订长期供应协议。 为中国客户提供一个完全垂直整合的碳化硅价值链。此举也是我们继意大利和新加坡的持续重大投资外,进一步扩大全球碳化硅制造业务的重要一步。” 这也体现出三安光电的碳化硅业务已经得到国际客户的充分认可,是朝着国际碳化硅专业晶圆代工厂这一目标迈出的重要一步。随着新的合资工厂和衬底工厂建立,公司有信心继续在碳化硅晶圆代工市场占据优势地位。

    1.1K50编辑于 2023-08-09
  • 来自专栏机器之心

    八轮攀爬器+电动切割机,这个印度机器人替你爬树摘椰子

    Robotic Harvester 是一个有四个自由度的机器臂,还配有一个旋转式切割机(rotary cutter)作为末端执行器(end effector)。 包括电动切割机在内,Robotic Harvester 的总重量约 7 千克,总长度为 1 米。

    78320编辑于 2023-03-29
  • 来自专栏芯智讯

    国产碳化硅功率器件厂商「基本半导体」完成C4轮融资

    本轮融资将用于进一步加强碳化硅产业链关键环节的研发制造能力,提升产能规模,支撑碳化硅产品在新能源汽车、光伏储能等市场的大规模应用,全方位提升基本半导体在碳化硅功率半导体行业的核心竞争力。 「基本半导体」创立于2016年,研发方向是第三代半导体碳化硅功率芯片及模块,覆盖材料制备、芯片设计、封装测试、驱动应用等产业链关键环节,核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块、 碳化硅驱动芯片等。 他表示,碳化硅在新能源汽车领域替代硅基IGBT已成为必然趋势,汽车领域也成为碳化硅功率半导体最大的应用市场之一。 此外,在汽车级碳化硅功率模块方面,「基本半导体」的半桥MOSFET模块Pcore™2、三相全桥MOSFET模块Pcore™6、塑封半桥MOSFET模块Pcell™等产品采用银烧结技术,综合性能达到国际先进水平

    76820编辑于 2022-10-05
  • 来自专栏芯智讯

    瑞萨与Wolfspeed签订为期10年的碳化硅供应合约

    7月6日消息,碳化硅(SiC)材料大厂Wolfspeed与车用芯片大厂瑞萨电子(Renesas)于7月5日签订了价值20亿美元的供应合约,以确保10年的碳化硅裸片和外延晶圆供应。 据介绍,这项为期10年的供应协议,要求 Wolfspeed 自2025 年开始向瑞萨电子提供 150 毫米(6英寸)碳化硅裸片和外延晶圆。 该协议还预计Wolfspeed在最近宣布的 John Palmour 碳化硅制造中心(“JP”)全面投入运营后,开始向瑞萨电子提供 200mm(8英寸)碳化硅裸片和外延片。 该公司此前已宣布重启甲府工厂生产 IGBT,并在高崎工厂建立碳化硅生产线。 与传统的硅功率半导体相比,碳化硅器件具有更高的能源效率、更大的功率密度和更低的系统成本。 我们现在准备将自己提升为不断发展的碳化硅市场的关键参与者。”

    39920编辑于 2023-08-09
  • 来自专栏耐达讯通信技术

    化工激光切割通信迷雾:Modbus转Profinet暗藏何种玄机

    化工工程师们在日常工作中,想必常遇到激光切割机通信协议适配的难题。当Modbus与Profinet这两种不同协议的设备需要协同工作,怎样连接才能让激光切割机稳定、高效运行?下面就为大家揭晓答案。 主从站精准对接在Modbus转Profinet连接激光切割机的系统里,主从站分工明确。主站通常是PLC 或工控机,如同“大脑”,负责统筹规划、发出指令。 激光切割机作为从站,是“行动派”,接收主站指令后完成切割任务。通过专业的耐达讯自动化Modbus转Profinet网关,实现主从站的数据交互,让整个系统有序运转。 响应时间:数据响应时间小于10ms,保证激光切割机对指令的快速响应。 工作环境:可在 -25℃至70℃的温度范围、10% - 95%的湿度环境下稳定工作,适应化工复杂工况。 实际应用显成效某大型化工企业在引入该连接方案后,激光切割机的切割精度提高了35%,生产效率提升了40%。同时,设备故障停机时间减少了50%,大大降低了生产成本。

    25410编辑于 2025-10-22
  • 芯联集成59亿收购案获批

    该公司设立于2021年,主营产品是碳化硅(SiCMOSFET)。 2021年12月31日,芯联集成与滨海芯兴等15名股东签订了《中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司之投资协议》,共同投资设立芯联越州。 根据当时的修订稿显示,芯联越州已经实现车规级碳化硅功率器件的量产。芯联越州拥有一条6英寸和一条8英寸的碳化硅功率器件生产线。 其中,6英寸生产线的出货量位居国内第一,8英寸生产线于2024年4月试产下线,争取在2025年内实现量产。 6英寸碳化硅晶圆价格大幅下跌可能是芯联越州亏损的主要原因。2024年,6英寸碳化硅价格从6000元/片跌至1500元/片,碳化硅市场面临巨大的价格波动。

    47410编辑于 2026-03-19
  • 来自专栏芯智讯

    SiC需求旺盛,安森美已拿下30亿美元长期供货协议!业绩超预期!

    8月1日消息,功率半导体大厂安森美(ON Semiconductor)于7月31日美股盘前公布了截止6月底的二季度财报,营收由去年同期的20.85亿美元略增0.5%至20.9亿美元;毛利率为47.4% “仅在第二季度,我们就签署了价值超过30亿美元的新碳化硅 LTSA(长期服务协议)。” El-Khoury 表示,汽车行业已经是安森美公司最大的客户群之一,目前占 安森美碳化硅销售额的90%。 第二季度,安森美的碳化硅器件还拿下了包括Vitesco、博格华纳和麦格纳等新客户,它们都在针对电动汽车生产商的产品中使用它的碳化硅芯片。 显然,安森美预测的第三季营收优于市场预期,主要是得益于碳化硅(SiC)需求强劲,汽车业强烈的需求有望抵销半导体产业的疲软市况。 今年5月,安森美曾表示,考虑投资超过20亿美元扩充碳化硅产能。 与此同时,为特斯拉生产零部件的意法半导体也在扩大碳化硅 生产,并于今年1月份宣布该公司将在内部生产芯片。

    48820编辑于 2023-08-09
  • 来自专栏DrugOne

    . | 基于钥匙切割机理念的定制化结构肽设计

    计算蛋白质与肽的设计正成为一种能够精准操控结构与功能的变革性策略,在医学、生物技术与材料科学中展现出巨大潜力。然而,当前方法多依赖生成模型,这些模型训练成本高昂且难以针对新目标重新优化。研究人员提出了一种名为**Key-Cutting Machine(KCM)**的优化型平台,它通过结构预测与目标几何匹配的迭代优化实现定制化设计。KCM 仅需一块 GPU 即可运行,并允许在目标函数中灵活嵌入用户自定义约束,从而避免生成模型常见的高成本再训练。该方法采用分布估计算法(EDA),基于几何、理化与能量准则优化序列。研究人员在 α-螺旋、β-折叠及无序区域中进行了基准测试,结果显示其能够高精度地复现目标骨架几何。以抗菌肽为实例,KCM 成功生成了一种候选肽,对多种细菌株表现出显著体外抑菌活性,并在小鼠感染模型中展现疗效。KCM 为蛋白与肽的 de novo 设计 提供了一种灵活而高效的途径,能扩展现有模板的结构–功能关系。

    34510编辑于 2025-11-17
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