引言在碳化硅衬底加工过程中,切割进给量是影响其厚度均匀性的关键工艺参数。深入探究二者的量化关系,并进行工艺优化,对提升碳化硅衬底质量、满足半导体器件制造需求具有重要意义。 量化关系分析切割机理对厚度均匀性的影响碳化硅硬度高、脆性大,切割过程中,切割进给量直接影响切割力大小与分布 。 当进给量较小时,切割工具与碳化硅衬底接触区域的切削力相对较小且稳定,材料去除过程较为均匀,有利于保证衬底厚度均匀性 。 理论模型构建基于切削力学理论,结合碳化硅材料特性,构建切割进给量与厚度均匀性的理论模型 。考虑切割力与进给量的非线性关系,以及材料去除率对厚度均匀性的影响,引入相关参数建立方程 。 对于不同规格或质量要求的碳化硅衬底,通过实验或模拟进一步优化进给量参数,实现个性化加工 。多参数协同优化考虑切割过程中各工艺参数的相互影响,开展切割进给量与切割速度、切割压力等参数的协同优化研究 。
#sort:对向量进行排序;返回排好序的内容 #order:返回排好序的内容的下标/多个排序标准 > x <- data.frame(v1=1:5,v2=c(10,7,9,6,8),v3=11:15,v4=c(1,1,2,2,1)) > sort(x$v2) [1] 6 7 8 9 10 > sort(x$v2,decreasing = TRUE) [1] 10 9 8 7 6 > order(x$v2) [1] 4 2 5 3 1 > x[order(x$v2),] v1 v
7月17日,日本股市盘后,日本晶圆切割机大厂DISCO公布了第一财季(2025年4-6月)财报,虽然用来反映客户投资意愿的出货额破纪录,但因预期日元升值,且DISCO对于第二财季(7-9月)财测低于市场预期 具体来说,因生成式AI相关需求持续强劲,带动使用于晶圆切割机(Dicer)、研磨机(Grinder)等半导体设备出货旺,DISCO上季合并营收较去年同期增长8.6%至899.14亿日元、合并营业利润增长
图片(1) 发现并分析问题——抽象成标准问题A品牌切割机工程师们通过分析进刀机构的动作可知,在空行程的时候,希望进刀速度加快,这样可以减少进刀时间,提升效率;而在工作行程的时候,又希望进刀速度减慢。 A品牌切割机工程师们根据分析,正好利用此原理解决进刀速度在不同时间需要不同速度的问题。对比时间分离原理中对应的12个创新原理,“快速原理”以最快的速度完成有害的操作,是12个创新原理中最有效的。 A品牌切割机引进减速油缸,在空行程动作时,油缸快速进油回油以便完成动作。到了工作行程时,油缸回油通过减速来降低工作行程的速度,以满足工艺需求。
个人认为注释还是要写,算是对代码的中文翻译,因为我们的英语水平,命名习惯各不相同。
3月31日消息,美国碳化硅衬底及器件大厂Wolfspeed因受到公司可能无法与债权人达成债务交换协议、以及美国“芯片法案”补贴案前景不明的冲击,当地时间周五(3月28日)股价暴跌51.86%,收于2.59
具体来说,得益于人工智能(AI)带动相关半导体需求持续增长,使得半导体制造商对于半导体切割机(Dicer)、研磨机(Grinder)等精密加工设备需求旺盛,DISCO第三财季营收同比增长16.8%至1,092.91 DISCO指出,第三季可用来反映客户投资意愿的出货金额较去年同期增长3%至1,136亿日圆,远优于DISCO原先(2025年10月)预估的1,016亿日元,也超越2025年4-6月的单季1,111亿日元
碳化硅衬底超薄化(<100μm)TTV 厚度测量的技术挑战与解决方案摘要本文聚焦碳化硅衬底超薄化(<100μm)进程中 TTV 厚度测量面临的难题,系统剖析技术挑战,并针对性地提出创新解决方案,为保障超薄碳化硅衬底 引言在第三代半导体产业高速发展的背景下,碳化硅衬底超薄化(<100μm)成为提升器件性能、降低功耗的关键技术路径。 然而,随着碳化硅衬底厚度不断减薄,TTV 测量面临诸多新挑战,亟需探索有效的解决策略,以满足产业发展需求。 各向异性影响加剧碳化硅晶体本身具有各向异性,超薄化后,这种特性对 TTV 测量的影响更为突出。 文章围绕题目阐述了碳化硅衬底超薄化 TTV 测量的挑战与对应方案。若你觉得某个部分还需补充案例或细化技术细节,欢迎随时提出。
近日, 碳化硅(SiC)技术大厂Wolfspeed宣布推出了一款用于 1500V 直流总线应用的 2300V 无铜底板碳化硅功率模块,采用 Wolfspeed 最先进的 200mm 碳化硅晶片开发和推出 “能源效率、可靠性和可扩展性是我们的客户(例如 EPC)的首要考虑因素,他们认识到 Wolfspeed 的碳化硅带来的巨大优势。” “碳化硅器件为逆变器性能和可靠性的飞跃打开了大门。 与类似的碳化硅模块相比,它们的电压裕量增加了 15%,动态性能得到改善,温度稳定性一致,并大幅减小了 EMI 滤波器尺寸。 Wolfspeed 的技术使 IGBT 的开关损耗降低了 77%,用于 1500V 应用的碳化硅器件的开关损耗降低了 2-3 倍。 延长系统寿命和耐用性 Wolfspeed 的 2300V 碳化硅模块将使客户能够进一步提高其系统的使用寿命和耐用性。
众所周知,对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说,高质量的衬底可以从外部购买得到,高质量的外延片也可以从外部购买到,可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础,高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求 我们可以把MOSFET(硅和碳化硅)根据它们的栅极结构分成两类:平面结构和沟槽结构。它们的示意图如图三所示。 如果从结构上来说硅和碳化硅MOSFET是一样的,但是从制造工艺和设计上来说,由于碳化硅材料和硅材料的特性导致它们要考虑的点大部分都不太一样。
美国碳化硅(SiC)材料龙头大厂Wolfspeed于当地时间5月8日美股盘后公布2025财年第三财季财报,不仅业绩不佳,市场更担心Wolfspeed无法与债权人达成协议,引发了其股价于5月8日的交易中暴跌 作为车用碳化硅行业的领导厂商,Wolfspeed近年来投入数十亿美元在美国建立SiC制造能力,但持续深陷亏损,今年来股价已腰斩,股价也惨跌至只剩个位数。 分析师也认为,Wolfspeed虽努力提升碳化硅生产能力,却难敌中国碳化硅衬底制造商的激烈竞争。
特斯拉下一代平台将减少75%的碳化硅,下一代电机将不需要任何稀土成分 特斯拉工程师介绍,特斯拉的下一代平台将减少75%的碳化硅,特斯拉下一代永磁电机还将完全不使用稀土材料,且不损失能效,总制造成本下降1000 对于为何下一代平台能减少75%的碳化硅使用量,特斯拉并没有展开介绍。有业内人士猜测认为,这可能是基于碳化硅工艺或器件的改进,使得在原有相同功率下碳化硅器的用量减少。 另有业内人士认为,这可能是得益于特斯拉下一代电机的全新设计,可能减小了电机的电流,这样将使得对于碳化硅器件的需求整体减少。 碳化硅概念股大跌 由于特斯拉在今天的投资者日上宣布,特斯拉下一代平台将减少75%的碳化硅用量,该消息直接使得A股碳化硅概念股纷纷大跌。
TensorFlow用于移动设备的框架TensorFlow Lite发布重大更新,支持开发者使用手机等移动设备的GPU来提高模型推断速度。
6月2日消息,据《日经新闻》近日报道,随着电动汽车市场增长放缓,以及中国碳化硅(SiC)厂商持续增产,导致了碳化硅市场供应过剩、价跌下跌,这也使得日本半导体大厂瑞萨电子(Renesas)可能将放弃生产面向电动汽车的碳化硅功率半导体 报道称,原先计划在2025年初期利用高崎工厂开始生产车用碳化硅功率半导体,但是现在瑞萨已经解散高崎工厂的碳化硅团队,且除了放弃生产车用碳化硅功率半导体之外,瑞萨也修正了硅基功率半导体的生产计划。 而瑞萨之所以放弃生产车用碳化硅功率半导体,主要是因为欧洲结束了补贴资金,导致电动汽车销售增长不及预期,与此同时,中国企业增产碳化硅功率半导体,使得市场供应出现过剩,碳化硅功率半导体的价格也在持续下滑。 此前的数据显示,由于中国碳化硅产能的持续扩大,碳化硅衬底的价格下滑速度远超过市场扩张的速度。 根据TrendForce的预测,进入2025年,碳化硅市场将持续面临需求疲软和供给过剩的双重压力。 不过,从长期趋势来看,随着碳化硅衬底和碳化硅器件的成本的持续降低,未来碳化硅的应用也将更为广泛。
Robotic Harvester 是一个有四个自由度的机器臂,还配有一个旋转式切割机(rotary cutter)作为末端执行器(end effector)。 包括电动切割机在内,Robotic Harvester 的总重量约 7 千克,总长度为 1 米。
虽然移动设备的处理能力和功率都有限。虽然TensorFlow Lite提供了不少的加速途径,比如将机器学习模型转换成定点模型,但总是会在模型的性能或精度上做出让步。
化工工程师们在日常工作中,想必常遇到激光切割机通信协议适配的难题。当Modbus与Profinet这两种不同协议的设备需要协同工作,怎样连接才能让激光切割机稳定、高效运行?下面就为大家揭晓答案。 主从站精准对接在Modbus转Profinet连接激光切割机的系统里,主从站分工明确。主站通常是PLC 或工控机,如同“大脑”,负责统筹规划、发出指令。 激光切割机作为从站,是“行动派”,接收主站指令后完成切割任务。通过专业的耐达讯自动化Modbus转Profinet网关,实现主从站的数据交互,让整个系统有序运转。 响应时间:数据响应时间小于10ms,保证激光切割机对指令的快速响应。 工作环境:可在 -25℃至70℃的温度范围、10% - 95%的湿度环境下稳定工作,适应化工复杂工况。 实际应用显成效某大型化工企业在引入该连接方案后,激光切割机的切割精度提高了35%,生产效率提升了40%。同时,设备故障停机时间减少了50%,大大降低了生产成本。
,大约为碳化硅和氮化镓禁带宽度的1/3,较高的禁带宽度可以保证碳化硅和氮化镓器件在高温条件下工作的可靠性。 同时,由于碳化硅拥有较高的禁带宽度,碳化硅器件可进行重掺杂,导通电阻可至少降低至原来的1/100。 并且,根据应用材料数据,由于碳化硅具有较高的能量转换效率,且不会随着频率的提高而降低,碳化硅器件的工作频率可以达到硅基器件的10倍,相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70% 图:国内SiC衬底技术指标进展 image.png (2)SiC外延 SiC外延方面,国内已实现4-6英寸商业化产品供给,可以满足3.3kV及以下功率器件制备需求,而超高压(>10kV)SiC功率器件所需的 碳化硅晶片需求旺盛,供给相对不足 随着新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网等行业加大应用碳化硅器件的投资,全球对碳化硅器件需求持续增长,国内碳化硅器件领域的投资也逐渐升温,对上游碳化硅晶片的需求持续
1月31日消息,为持续扩大碳化硅(SiC)产能,英飞凌宣布与Resonac (前身为昭和电工)签订多年期供应及合作协议,以补充并扩展双方在2021年的协议。 英飞凌正在加倍投资其碳化硅技术及产品组合,透过与Resonac 的伙伴关系将为英飞凌提供强大的助力。 Resonac计划将碳化硅外延晶圆的产量在2026年之前增至月产5万片(按6吋晶圆折算),增至目前的约5倍。到2025年还将开始量产8吋碳化硅基板,能切割出更多半导体芯片,生产效率将随之提高。
2022年9月13日消息 ,全球碳化硅(SiC)技术引领者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布,将投入数十亿美元在美国北卡罗来纳州查塔姆县(Chatham County)建造全新的、采用领先前沿技术的碳化硅(SiC)材料制造工厂。 这一投资计划提升 Wolfspeed 现有碳化硅产能超 10 倍,支持公司长期增长战略,加快碳化硅半导体在一系列终端市场的采用,开启能源效率新时代。 这座工厂将主要制造 200mm 碳化硅晶圆。200mm 晶圆的面积是 150mm 晶圆的 1.7 倍,这也意味着单片晶圆可制得的芯片数量将更多,也将最终有助于降低器件成本。 △Wolfspeed 位于北卡罗来纳州查塔姆县(Chatham County)碳化硅材料制造工厂的渲染图 该工厂的一期建设预计将于 2024 年完成,成本预计 13 亿美元。