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切割进给量与碳化硅衬底厚度均匀性的量化关系及工艺优化
引言在碳化硅衬底加工过程中，切割进给量是影响其厚度均匀性的关键工艺参数。深入探究二者的量化关系，并进行工艺优化，对提升碳化硅衬底质量、满足半导体器件制造需求具有重要意义。 量化关系分析切割机理对厚度均匀性的影响碳化硅硬度高、脆性大，切割过程中，切割进给量直接影响切割力大小与分布 。 当进给量较小时，切割工具与碳化硅衬底接触区域的切削力相对较小且稳定，材料去除过程较为均匀，有利于保证衬底厚度均匀性 。 我们的数据和WAFERSIGHT2的数据测量对比,进一步验证了真值的再现性：（以上为新启航实测样品数据结果）该系统基于第三代可调谐扫频激光技术，相较传统双探头对射扫描，可一次完成所有平面度及厚度参数测量 运动控制灵活，适配2-12英寸方片和圆片测量。
30510编辑于 2025-06-12- 来自专栏精益六西格玛资讯
基于TRIZ理论解决切割机进刀调节难题
图片（1） 发现并分析问题——抽象成标准问题A品牌切割机工程师们通过分析进刀机构的动作可知，在空行程的时候，希望进刀速度加快，这样可以减少进刀时间，提升效率；而在工作行程的时候，又希望进刀速度减慢。 （2） 资源分析，找出矛盾TRIZ理论按照空间、时间、条件、系统级别概括为4种分离原理，分别是：空间分离、时间分离、条件分离、整体与部分分离。 A品牌切割机工程师们根据分析，正好利用此原理解决进刀速度在不同时间需要不同速度的问题。对比时间分离原理中对应的12个创新原理，“快速原理”以最快的速度完成有害的操作，是12个创新原理中最有效的。 A品牌切割机引进减速油缸，在空行程动作时，油缸快速进油回油以便完成动作。到了工作行程时，油缸回油通过减速来降低工作行程的速度，以满足工艺需求。
48450编辑于 2023-04-04 碳化硅大厂Wolfspeed股价暴跌51.86%！
3月31日消息，美国碳化硅衬底及器件大厂Wolfspeed因受到公司可能无法与债权人达成债务交换协议、以及美国“芯片法案”补贴案前景不明的冲击，当地时间周五（3月28日）股价暴跌51.86%，收于2.59
24410编辑于 2026-03-19【新启航】《碳化硅衬底超薄化（
碳化硅衬底超薄化（<100μm）TTV 厚度测量的技术挑战与解决方案摘要本文聚焦碳化硅衬底超薄化（<100μm）进程中 TTV 厚度测量面临的难题，系统剖析技术挑战，并针对性地提出创新解决方案，为保障超薄碳化硅衬底 然而，随着碳化硅衬底厚度不断减薄，TTV 测量面临诸多新挑战，亟需探索有效的解决策略，以满足产业发展需求。 各向异性影响加剧碳化硅晶体本身具有各向异性，超薄化后，这种特性对 TTV 测量的影响更为突出。 我们的数据和WAFERSIGHT2的数据测量对比,进一步验证了真值的再现性：（以上为新启航实测样品数据结果）该系统基于第三代可调谐扫频激光技术，相较传统双探头对射扫描，可一次完成所有平面度及厚度参数测量 运动控制灵活，适配2-12英寸方片和圆片测量。
49910编辑于 2025-08-13- 来自专栏芯智讯
揭秘碳化硅芯片的设计和制造
众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求 我们可以把MOSFET（硅和碳化硅）根据它们的栅极结构分成两类：平面结构和沟槽结构。它们的示意图如图三所示。 如果从结构上来说硅和碳化硅MOSFET是一样的，但是从制造工艺和设计上来说，由于碳化硅材料和硅材料的特性导致它们要考虑的点大部分都不太一样。 安森美用在汽车主驱逆变器里的SiC MOSFET的Rsp 从第一代M1的4.2 mΩ*cm2降低到M2的2.6 mΩ*cm2，目前的最新的M3e常温下的Rsp性能和友商的沟槽结构的SiC MOSFET的水平一致 2. 栅极氧化层厚度：栅极氧化层的厚度影响栅极电容，进而影响开关速度和Rdson。较薄的栅极氧化物可以提高开关速度，但也可能增加栅极漏电流，并增加氧化层击穿失效的风险。 3.
93120编辑于 2023-04-11 - 来自专栏芯智讯
Wolfspeed推出2300V碳化硅模块
近日， 碳化硅（SiC）技术大厂Wolfspeed宣布推出了一款用于 1500V 直流总线应用的 2300V 无铜底板碳化硅功率模块，采用 Wolfspeed 最先进的 200mm 碳化硅晶片开发和推出 “能源效率、可靠性和可扩展性是我们的客户（例如 EPC）的首要考虑因素，他们认识到 Wolfspeed 的碳化硅带来的巨大优势。” “碳化硅器件为逆变器性能和可靠性的飞跃打开了大门。 [2] Wolfspeed 的碳化硅解决方案有助于弥合这一关键差距，支持现代能源技术的下一个时代，同时加强美国清洁能源制造业的领导地位。 Wolfspeed 的技术使 IGBT 的开关损耗降低了 77%，用于 1500V 应用的碳化硅器件的开关损耗降低了 2-3 倍。 延长系统寿命和耐用性 Wolfspeed 的 2300V 碳化硅模块将使客户能够进一步提高其系统的使用寿命和耐用性。
50610编辑于 2024-09-18 碳化硅大厂Wolfspeed即将清盘？股价暴跌近26%！
美国碳化硅（SiC）材料龙头大厂Wolfspeed于当地时间5月8日美股盘后公布2025财年第三财季财报，不仅业绩不佳，市场更担心Wolfspeed无法与债权人达成协议，引发了其股价于5月8日的交易中暴跌 作为车用碳化硅行业的领导厂商，Wolfspeed近年来投入数十亿美元在美国建立SiC制造能力，但持续深陷亏损，今年来股价已腰斩，股价也惨跌至只剩个位数。 分析师也认为，Wolfspeed虽努力提升碳化硅生产能力，却难敌中国碳化硅衬底制造商的激烈竞争。
40310编辑于 2026-03-19- 来自专栏芯智讯
下一代平台减少75%碳化硅用量！碳化硅概念股大跌
北京时间3月2日早晨5点，特斯拉的投资者日活动在特斯拉得州Giga factory举行。特斯拉发布了主题为“我们的能源经济肮脏而浪费”的报告，称全球80%能源仍来自化石燃料。 1、用可再生能源重新为现有电网供电 2、转向电动汽车 马斯克简要介绍了特斯拉如何打造一支全球电动车队。他的假设是该电动车队将拥有约8500万辆汽车。 特斯拉下一代平台将减少75%的碳化硅，下一代电机将不需要任何稀土成分 特斯拉工程师介绍，特斯拉的下一代平台将减少75%的碳化硅，特斯拉下一代永磁电机还将完全不使用稀土材料，且不损失能效，总制造成本下降1000 对于为何下一代平台能减少75%的碳化硅使用量，特斯拉并没有展开介绍。有业内人士猜测认为，这可能是基于碳化硅工艺或器件的改进，使得在原有相同功率下碳化硅器的用量减少。 碳化硅概念股大跌 由于特斯拉在今天的投资者日上宣布，特斯拉下一代平台将减少75%的碳化硅用量，该消息直接使得A股碳化硅概念股纷纷大跌。
54020编辑于 2023-03-24 Wolfspeed拟申请破产后，瑞萨解散碳化硅团队！
6月2日消息，据《日经新闻》近日报道，随着电动汽车市场增长放缓，以及中国碳化硅（SiC）厂商持续增产，导致了碳化硅市场供应过剩、价跌下跌，这也使得日本半导体大厂瑞萨电子（Renesas）可能将放弃生产面向电动汽车的碳化硅功率半导体 报道称，原先计划在2025年初期利用高崎工厂开始生产车用碳化硅功率半导体，但是现在瑞萨已经解散高崎工厂的碳化硅团队，且除了放弃生产车用碳化硅功率半导体之外，瑞萨也修正了硅基功率半导体的生产计划。 这也进一步反应了碳化硅市场的竞争惨烈。 据调查公司富士经济指出，2024年碳化硅功率半导体市场规模同比增长18%至3,910亿日元，低于原先（2024年2月）预估的4,915亿日元。 此前的数据显示，由于中国碳化硅产能的持续扩大，碳化硅衬底的价格下滑速度远超过市场扩张的速度。 根据TrendForce的预测，进入2025年，碳化硅市场将持续面临需求疲软和供给过剩的双重压力。 不过，从长期趋势来看，随着碳化硅衬底和碳化硅器件的成本的持续降低，未来碳化硅的应用也将更为广泛。
46210编辑于 2026-03-19- 来自专栏机器之心
八轮攀爬器+电动切割机，这个印度机器人替你爬树摘椰子
Robotic Climber 的结构如下图 2 所示： 有了攀爬装置，Amaran 只实现了爬树的功能。 Robotic Harvester 是一个有四个自由度的机器臂，还配有一个旋转式切割机（rotary cutter）作为末端执行器（end effector）。 包括电动切割机在内，Robotic Harvester 的总重量约 7 千克，总长度为 1 米。
78220编辑于 2023-03-29 - 来自专栏耐达讯通信技术
化工激光切割通信迷雾：Modbus转Profinet暗藏何种玄机
化工工程师们在日常工作中，想必常遇到激光切割机通信协议适配的难题。当Modbus与Profinet这两种不同协议的设备需要协同工作，怎样连接才能让激光切割机稳定、高效运行？下面就为大家揭晓答案。 主从站精准对接在Modbus转Profinet连接激光切割机的系统里，主从站分工明确。主站通常是PLC 或工控机，如同“大脑”，负责统筹规划、发出指令。 激光切割机作为从站，是“行动派”，接收主站指令后完成切割任务。通过专业的耐达讯自动化Modbus转Profinet网关，实现主从站的数据交互，让整个系统有序运转。 响应时间：数据响应时间小于10ms，保证激光切割机对指令的快速响应。 工作环境：可在 -25℃至70℃的温度范围、10% - 95%的湿度环境下稳定工作，适应化工复杂工况。 实际应用显成效某大型化工企业在引入该连接方案后，激光切割机的切割精度提高了35%，生产效率提升了40%。同时，设备故障停机时间减少了50%，大大降低了生产成本。
25410编辑于 2025-10-22 - 来自专栏DrugOne
. | 基于钥匙切割机理念的定制化结构肽设计
部分肽（如 NE2、NG1）在对多重耐药菌（MRSA、VRE）中展现出与多粘菌素 B 或左氧氟沙星相当的效力。 动物模型验证 在小鼠皮肤感染模型与大腿深部感染模型中，NE2 与 NG1 以单次给药即可显著降低感染菌负荷（达两个数量级），疗效可与多粘菌素 B、左氧氟沙星相媲美，且未观察到明显体重下降或皮肤损伤。 https://doi.org/10.1038/s42256-025-01119-2 内容为【DrugOne】公众号原创｜转载请注明来源
34510编辑于 2025-11-17 - 来自专栏芯智讯
持续扩大碳化硅产能，英飞凌与Resonac签订长期供应协议
1月31日消息，为持续扩大碳化硅（SiC）产能，英飞凌宣布与Resonac （前身为昭和电工）签订多年期供应及合作协议，以补充并扩展双方在2021年的协议。 英飞凌正在加倍投资其碳化硅技术及产品组合，透过与Resonac 的伙伴关系将为英飞凌提供强大的助力。 Resonac计划将碳化硅外延晶圆的产量在2026年之前增至月产5万片（按6吋晶圆折算），增至目前的约5倍。到2025年还将开始量产8吋碳化硅基板，能切割出更多半导体芯片，生产效率将随之提高。
57210编辑于 2023-02-09 - 来自专栏芯智讯
Wolfspeed宣布将在美国建造全球最大碳化硅材料工厂
2022年9月13日消息 ，全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布，将投入数十亿美元在美国北卡罗来纳州查塔姆县（Chatham County）建造全新的、采用领先前沿技术的碳化硅（SiC）材料制造工厂。 这一投资计划提升 Wolfspeed 现有碳化硅产能超 10 倍，支持公司长期增长战略，加快碳化硅半导体在一系列终端市场的采用，开启能源效率新时代。 这座工厂将主要制造 200mm 碳化硅晶圆。200mm 晶圆的面积是 150mm 晶圆的 1.7 倍，这也意味着单片晶圆可制得的芯片数量将更多，也将最终有助于降低器件成本。 △Wolfspeed 位于北卡罗来纳州查塔姆县（Chatham County）碳化硅材料制造工厂的渲染图 该工厂的一期建设预计将于 2024 年完成，成本预计 13 亿美元。
56410编辑于 2022-09-20 AR智能眼镜在使用碳化硅材料的性能优势解析
1.光学性能优势：实现更真实的视觉体验高折射率拓展视场角碳化硅的折射率高达 2.6。在光波导系统中，更高的折射率可允许更大角度的入射光满足全反射条件，从而显著扩展可传输的光线角度范围。 2.物理特性优势：兼顾轻盈佩戴与结构可靠性超轻超薄设计单片碳化硅波导重量相比传统方案会更少，体积与质量约为传统方案的 1/3。 3.核心性能对比（碳化硅 vs 玻璃 vs 树脂）为直观呈现各类材料的技术差异，现从光学性能、物理特性和工艺与成本三个维度进行系统性对比：表格对比维度材料类型关键性能指标与特点光学性能碳化硅折射率高达 物理特性碳化硅硬度极高（仅次于金刚石），抗刮擦、耐高温；热导率高，散热性能优异；单片重量低，厚度薄，兼具轻薄与结构稳定性。 工艺与成本碳化硅支持超表面结构的规模化制造，但纳米级加工精度要求高，大面积均匀性控制难，前期设备与研发投入较大。
39410编辑于 2026-04-23中国碳化硅太猛，安森美被迫裁员
此次安森美捷克工厂裁员的直接原因，是该工厂的碳化硅制造成本居高不下，与此同时，中国碳化硅供应商凭借显著的成本优势快速抢占全球市场，导致安森美的市场份额下滑。 据捷克科技媒体E15报道，安森美管理层认为，继续自行生产碳化硅晶圆已不具备经济可行性。业界数据显示，欧洲厂商生产一片碳化硅晶圆的成本约为1200美元，而中国企业已将成本压低至约400美元。 碳化硅衬底市场竞争激烈，安森美收缩上游专注后端 安森美的困境并非孤例。2025年，曾为全球碳化硅龙头的Wolfspeed申请破产保护，这家市值一度达165亿美元的公司同样倒在了中国同行的价格战面前。 数据显示，2025年全球碳化硅衬底规划产能约400万片/年，而下游实际需求预测约为250万片，理论供给是需求的近2倍。 不过，碳化硅市场并非全面衰退。其中，8英寸碳化硅衬底及车规级器件仍处于供不应求状态。目前，中国的天岳先进正全力冲刺8英寸产能，公司已与博世、英飞凌等国际汽车芯片巨头达成长期合作。
49710编辑于 2026-06-08- 来自专栏芯智讯
国产碳化硅功率器件厂商「基本半导体」完成C4轮融资
本轮融资将用于进一步加强碳化硅产业链关键环节的研发制造能力，提升产能规模，支撑碳化硅产品在新能源汽车、光伏储能等市场的大规模应用，全方位提升基本半导体在碳化硅功率半导体行业的核心竞争力。 「基本半导体」创立于2016年，研发方向是第三代半导体碳化硅功率芯片及模块，覆盖材料制备、芯片设计、封装测试、驱动应用等产业链关键环节，核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块、 碳化硅驱动芯片等。 他表示，碳化硅在新能源汽车领域替代硅基IGBT已成为必然趋势，汽车领域也成为碳化硅功率半导体最大的应用市场之一。 此外，在汽车级碳化硅功率模块方面，「基本半导体」的半桥MOSFET模块Pcore™2、三相全桥MOSFET模块Pcore™6、塑封半桥MOSFET模块Pcell™等产品采用银烧结技术，综合性能达到国际先进水平
76820编辑于 2022-10-05 - 来自专栏iRF射频前端产业观察
蓬勃增长的碳化硅和氮化镓市场需求（STMicro & Infineon）
市场前景 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在电力电子领域越来越受欢迎，特别是在汽车应用中，随着体积的扩大，降低了成本，并增加了对设计、验证和测试这些宽带隙器件的更好工具的需求。 碳化硅在汽车应用中的部署也有助于解决工业领域的其他应用领域，同时帮助设计人员构思未来几代用于太空和航空电子应用的SiC和GaN产品，"Di Marco说。" 这些挑战促使我们开发MASTERGAN和STi2GAN产品，我们将驱动器、GaN功率器件和（可选）BIPOLAR/CMOS/DMOS逻辑控制结合在单个芯片或封装中。 图 1：汽车碳化硅 MOSFET。资料来源：英飞凌 然后，从设计工具的角度来看，SiC和GaN器件需要一些更新。 "由于硅MOSFET技术已经存在了很长时间，因此有更多的仿真模型可用，"他指出。" 碳化硅器件自然的控制方式与传统的MOSFET非常相似，因此如何驱动碳化硅可以非常相似，"Liang说。"但你仍然需要控制电压。
85120编辑于 2022-05-16 ETHERCAT转Modbus网关实现异构设备稳定通信
传统改造方案需对激光切割机硬件进行升级，成本较高且实施周期长。因此，需寻找一种经济高效的协议转换方案，在不改变现有设备结构的前提下实现无缝通信。 2. - 通过RS485接口连接激光切割机，以MODBUS协议传输数据。 - 实现数据格式与通信规则的动态映射，确保指令解析与响应的准确性。 具体实施中，通过配置网关内部参数，将PLC发送的ETHERCAT数据包转换为MODBUS寄存器读写操作，并遵循激光切割机的自由协议格式。同时，网关支持错误重传与信号隔离功能，提升了通信链路的可靠性。 应用效果系统投入运行后，实现了预期目标： - 实时性提升：激光切割机接收指令的延迟稳定在20ms以内，满足产线节拍要求。
50910编辑于 2025-10-11- 来自专栏芯智讯
晶盛机电宣布成功研发出8英寸N型SiC晶体
不但成功解决了8英寸碳化硅晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题，同时还破解了碳化硅器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸碳化硅衬底广泛应用打下基础。 目前，碳化硅半导体器件主要应用于高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域。 需要指出的是，而碳化硅材料的生长也效率非常低，并不像硅材料那样，可以相对容易的制备出数米长的晶棒。 而且，碳化硅属于硬度非常高（碳化硅单晶材料莫氏硬度分布在9.2～9.6之间，仅仅比金刚石的硬度低0.5左右）的脆性材料，因此，碳化硅晶圆的制备损耗非常高（通常损耗高达三分之二），良率也比较低。 相比6英寸的碳化硅晶圆，8英寸的碳化硅晶圆可用于制造集成电路的可用面积几乎扩大1 倍，使得产量和生产效率可以得到极大的提升。 早在2015年Wolfspeed、罗姆、II-VI就已展示了8英寸碳化硅衬底，其中Wolfspeed投入10亿美元建设新工厂，并在今年4月开始生产8英寸碳化硅等产品； 英飞凌在2020年9月宣布其8英寸碳化硅晶圆生产线已经建成
52810编辑于 2022-08-17
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