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  • 切割进给量与碳化硅衬底厚度均匀性的量化关系及工艺优化

    引言在碳化硅衬底加工过程中,切割进给量是影响其厚度均匀性的关键工艺参数。深入探究二者的量化关系,并进行工艺优化,对提升碳化硅衬底质量、满足半导体器件制造需求具有重要意义。 量化关系分析切割机理对厚度均匀性的影响碳化硅硬度高、脆性大,切割过程中,切割进给量直接影响切割力大小与分布 。 当进给量较小时,切割工具与碳化硅衬底接触区域的切削力相对较小且稳定,材料去除过程较为均匀,有利于保证衬底厚度均匀性 。 理论模型构建基于切削力学理论,结合碳化硅材料特性,构建切割进给量与厚度均匀性的理论模型 。考虑切割力与进给量的非线性关系,以及材料去除率对厚度均匀性的影响,引入相关参数建立方程 。 对于不同规格或质量要求的碳化硅衬底,通过实验或模拟进一步优化进给量参数,实现个性化加工 。多参数协同优化考虑切割过程中各工艺参数的相互影响,开展切割进给量与切割速度、切割压力等参数的协同优化研究 。

    26110编辑于 2025-06-12
  • 来自专栏芯智讯

    特斯拉10万亿美元宏图计划揭晓!下一代平台减少75%碳化硅用量!碳化硅概念股大跌

    高管们指出,虽然这些数字可能看起来很大,但如果与全球经济相比,它们实际上并非如此,大约10万亿美元的投资用于建设可持续能源经济。 具体来看,储能240TWh,可再生电力30TWh,制造投资10万亿美元,能源要求不到燃料经济的一半。 马斯克还表示,特斯拉将发布一份白皮书,为地球使用可持续能源勾勒出一条清晰的道路。 对于为何下一代平台能减少75%的碳化硅使用量,特斯拉并没有展开介绍。有业内人士猜测认为,这可能是基于碳化硅工艺或器件的改进,使得在原有相同功率下碳化硅器的用量减少。 碳化硅概念股大跌 由于特斯拉在今天的投资者日上宣布,特斯拉下一代平台将减少75%的碳化硅用量,该消息直接使得A股碳化硅概念股纷纷大跌。 截至A股收盘,天岳先进下跌10.13%、东尼电子下跌10%、天富能源下跌7.86%、晶盛电机下跌5.21%、露笑科技下跌3.36%。 编辑:芯智讯-林子 综合自网络

    49420编辑于 2023-03-24
  • 来自专栏精益六西格玛资讯

    基于TRIZ理论解决切割机进刀调节难题

    图片(1) 发现并分析问题——抽象成标准问题A品牌切割机工程师们通过分析进刀机构的动作可知,在空行程的时候,希望进刀速度加快,这样可以减少进刀时间,提升效率;而在工作行程的时候,又希望进刀速度减慢。 A品牌切割机工程师们根据分析,正好利用此原理解决进刀速度在不同时间需要不同速度的问题。对比时间分离原理中对应的12个创新原理,“快速原理”以最快的速度完成有害的操作,是12个创新原理中最有效的。 A品牌切割机引进减速油缸,在空行程动作时,油缸快速进油回油以便完成动作。到了工作行程时,油缸回油通过减速来降低工作行程的速度,以满足工艺需求。

    43650编辑于 2023-04-04
  • 来自专栏芯智讯

    瑞萨与Wolfspeed签订为期10年的碳化硅供应合约

    7月6日消息,碳化硅(SiC)材料大厂Wolfspeed与车用芯片大厂瑞萨电子(Renesas)于7月5日签订了价值20亿美元的供应合约,以确保10年的碳化硅裸片和外延晶圆供应。 据介绍,这项为期10年的供应协议,要求 Wolfspeed 自2025 年开始向瑞萨电子提供 150 毫米(6英寸)碳化硅裸片和外延晶圆。 该协议还预计Wolfspeed在最近宣布的 John Palmour 碳化硅制造中心(“JP”)全面投入运营后,开始向瑞萨电子提供 200mm(8英寸)碳化硅裸片和外延片。 该公司此前已宣布重启甲府工厂生产 IGBT,并在高崎工厂建立碳化硅生产线。 与传统的硅功率半导体相比,碳化硅器件具有更高的能源效率、更大的功率密度和更低的系统成本。 这座耗资数十亿美元的最先进设施的目标是将 Wolfspeed 目前位于北卡罗来纳州达勒姆园区的碳化硅产能提高 10 倍以上。

    35220编辑于 2023-08-09
  • 碳化硅大厂Wolfspeed股价暴跌51.86%!

    3月31日消息,美国碳化硅衬底及器件大厂Wolfspeed因受到公司可能无法与债权人达成债务交换协议、以及美国“芯片法案”补贴案前景不明的冲击,当地时间周五(3月28日)股价暴跌51.86%,收于2.59 依据48D条款,Wolfspeed预料可获得总计10亿美元退税。该公司计划把这笔钱用于强化资本结构与一般营运需求。

    19510编辑于 2026-03-19
  • 【新启航】《碳化硅衬底超薄化(

    碳化硅衬底超薄化(<100μm)TTV 厚度测量的技术挑战与解决方案摘要本文聚焦碳化硅衬底超薄化(<100μm)进程中 TTV 厚度测量面临的难题,系统剖析技术挑战,并针对性地提出创新解决方案,为保障超薄碳化硅衬底 引言在第三代半导体产业高速发展的背景下,碳化硅衬底超薄化(<100μm)成为提升器件性能、降低功耗的关键技术路径。 然而,随着碳化硅衬底厚度不断减薄,TTV 测量面临诸多新挑战,亟需探索有效的解决策略,以满足产业发展需求。 各向异性影响加剧碳化硅晶体本身具有各向异性,超薄化后,这种特性对 TTV 测量的影响更为突出。 文章围绕题目阐述了碳化硅衬底超薄化 TTV 测量的挑战与对应方案。若你觉得某个部分还需补充案例或细化技术细节,欢迎随时提出。

    43610编辑于 2025-08-13
  • 来自专栏芯智讯

    揭秘碳化硅芯片的设计和制造

    众所周知,对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说,高质量的衬底可以从外部购买得到,高质量的外延片也可以从外部购买到,可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础,高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求 我们可以把MOSFET(硅和碳化硅)根据它们的栅极结构分成两类:平面结构和沟槽结构。它们的示意图如图三所示。 如果从结构上来说硅和碳化硅MOSFET是一样的,但是从制造工艺和设计上来说,由于碳化硅材料和硅材料的特性导致它们要考虑的点大部分都不太一样。

    81120编辑于 2023-04-11
  • 来自专栏芯智讯

    Wolfspeed推出2300V碳化硅模块

    近日, 碳化硅(SiC)技术大厂Wolfspeed宣布推出了一款用于 1500V 直流总线应用的 2300V 无铜底板碳化硅功率模块,采用 Wolfspeed 最先进的 200mm 碳化硅晶片开发和推出 “能源效率、可靠性和可扩展性是我们的客户(例如 EPC)的首要考虑因素,他们认识到 Wolfspeed 的碳化硅带来的巨大优势。” “碳化硅器件为逆变器性能和可靠性的飞跃打开了大门。 与类似的碳化硅模块相比,它们的电压裕量增加了 15%,动态性能得到改善,温度稳定性一致,并大幅减小了 EMI 滤波器尺寸。 Wolfspeed 的技术使 IGBT 的开关损耗降低了 77%,用于 1500V 应用的碳化硅器件的开关损耗降低了 2-3 倍。 延长系统寿命和耐用性 Wolfspeed 的 2300V 碳化硅模块将使客户能够进一步提高其系统的使用寿命和耐用性。

    43210编辑于 2024-09-18
  • 碳化硅大厂Wolfspeed即将清盘?股价暴跌近26%!

    美国碳化硅(SiC)材料龙头大厂Wolfspeed于当地时间5月8日美股盘后公布2025财年第三财季财报,不仅业绩不佳,市场更担心Wolfspeed无法与债权人达成协议,引发了其股价于5月8日的交易中暴跌 作为车用碳化硅行业的领导厂商,Wolfspeed近年来投入数十亿美元在美国建立SiC制造能力,但持续深陷亏损,今年来股价已腰斩,股价也惨跌至只剩个位数。 Wolfspeed在财报电话会议上指出,债务谈判应不会对持份者造成重大影响,可能通过法庭内(in-court)或法庭外(out-of-court)方式进行谈判,公司将在下一份10-Q报告中加入“持续经营疑虑 分析师也认为,Wolfspeed虽努力提升碳化硅生产能力,却难敌中国碳化硅衬底制造商的激烈竞争。

    33110编辑于 2026-03-19
  • 来自专栏耐达讯通信技术

    化工激光切割通信迷雾:Modbus转Profinet暗藏何种玄机

    化工工程师们在日常工作中,想必常遇到激光切割机通信协议适配的难题。当Modbus与Profinet这两种不同协议的设备需要协同工作,怎样连接才能让激光切割机稳定、高效运行?下面就为大家揭晓答案。 主从站精准对接在Modbus转Profinet连接激光切割机的系统里,主从站分工明确。主站通常是PLC 或工控机,如同“大脑”,负责统筹规划、发出指令。 激光切割机作为从站,是“行动派”,接收主站指令后完成切割任务。通过专业的耐达讯自动化Modbus转Profinet网关,实现主从站的数据交互,让整个系统有序运转。 响应时间:数据响应时间小于10ms,保证激光切割机对指令的快速响应。 工作环境:可在 -25℃至70℃的温度范围、10% - 95%的湿度环境下稳定工作,适应化工复杂工况。 实际应用显成效某大型化工企业在引入该连接方案后,激光切割机的切割精度提高了35%,生产效率提升了40%。同时,设备故障停机时间减少了50%,大大降低了生产成本。

    20610编辑于 2025-10-22
  • 来自专栏芯智讯

    扬杰科技拟投10亿加码碳化硅,全球化战略显效净利四连增

    近日,扬杰科技公告,公司拟在邗江区政府辖区投资新建6英寸碳化硅晶圆生产线项目,总投资约10亿元。 4月20日,扬杰科技公告,公司与扬州市邗江区政府签署《6英寸碳化硅晶圆项目进园框架合同》,公司拟在邗江区政府辖区投资新建6英寸碳化硅晶圆生产线项目,总投资约10亿元,分两期实施建设,项目投产后,形成碳化硅 扬杰科技表示,若本次合作框架合同能实施落地,有利于公司加速提升碳化硅产品的技术水平和实现产品升级,推动公司积极转型升级向高端制造业迈进,为功率器件国产化贡献力量。

    41720编辑于 2023-05-09
  • 来自专栏芯智讯

    天岳先进与英飞凌签订供货协议,将供应150毫米碳化硅衬底和晶棒

    根据该协议,天岳先进将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体的高质量并且有竞争力的150毫米碳化硅(SiC)衬底和晶棒,第一阶段将侧重于150毫米碳化硅材料,但天岳先进也将助力英飞凌向200毫米直径碳化硅晶圆过渡 英飞凌表示,该协议的供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额,这不仅有助于保证英飞凌供应链的稳定,让其碳化硅材料供应商体系多元化,还能够确保英飞凌获得更多具有竞争力的碳化硅材料供应。 尤其是满足中国市场在汽车、太阳能、充电桩及储能系统等领域对碳化硅半导体产品不断增长的需求,并将推动新兴半导体材料碳化硅的快速发展。 据悉,英飞凌正着力提升碳化硅产能,以实现在2030年之前占据全球30%市场份额的目标。预计到2027年,英飞凌的碳化硅产能将增长10倍。 天岳先进的加入,特别是上海工厂启动产品交付后,将有助于双方在碳化硅功率半导体领域继续加快发展进程,共同推动碳化硅半导体产业的长远发展。 编辑:芯智讯-林子 来源:天岳先进

    34010编辑于 2023-05-09
  • 来自专栏芯智讯

    晶盛机电宣布成功研发出8英寸N型SiC晶体

    不但成功解决了8英寸碳化硅晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题,同时还破解了碳化硅器件成本中衬底占比过高的难题,为大尺寸碳化硅衬底广泛应用打下基础。 目前,碳化硅半导体器件主要应用于高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域。 需要指出的是,而碳化硅材料的生长也效率非常低,并不像硅材料那样,可以相对容易的制备出数米长的晶棒。 而且,碳化硅属于硬度非常高(碳化硅单晶材料莫氏硬度分布在9.2~9.6之间,仅仅比金刚石的硬度低0.5左右)的脆性材料,因此,碳化硅晶圆的制备损耗非常高(通常损耗高达三分之二),良率也比较低。 相比6英寸的碳化硅晶圆,8英寸的碳化硅晶圆可用于制造集成电路的可用面积几乎扩大1 倍,使得产量和生产效率可以得到极大的提升。 早在2015年Wolfspeed、罗姆、II-VI就已展示了8英寸碳化硅衬底,其中Wolfspeed投入10亿美元建设新工厂,并在今年4月开始生产8英寸碳化硅等产品; 英飞凌在2020年9月宣布其8英寸碳化硅晶圆生产线已经建成

    48310编辑于 2022-08-17
  • Wolfspeed拟申请破产后,瑞萨解散碳化硅团队!

    6月2日消息,据《日经新闻》近日报道,随着电动汽车市场增长放缓,以及中国碳化硅(SiC)厂商持续增产,导致了碳化硅市场供应过剩、价跌下跌,这也使得日本半导体大厂瑞萨电子(Renesas)可能将放弃生产面向电动汽车的碳化硅功率半导体 报道称,原先计划在2025年初期利用高崎工厂开始生产车用碳化硅功率半导体,但是现在瑞萨已经解散高崎工厂的碳化硅团队,且除了放弃生产车用碳化硅功率半导体之外,瑞萨也修正了硅基功率半导体的生产计划。 而瑞萨之所以放弃生产车用碳化硅功率半导体,主要是因为欧洲结束了补贴资金,导致电动汽车销售增长不及预期,与此同时,中国企业增产碳化硅功率半导体,使得市场供应出现过剩,碳化硅功率半导体的价格也在持续下滑。 此前的数据显示,由于中国碳化硅产能的持续扩大,碳化硅衬底的价格下滑速度远超过市场扩张的速度。 根据TrendForce的预测,进入2025年,碳化硅市场将持续面临需求疲软和供给过剩的双重压力。 不过,从长期趋势来看,随着碳化硅衬底和碳化硅器件的成本的持续降低,未来碳化硅的应用也将更为广泛。

    33910编辑于 2026-03-19
  • 来自专栏芯智讯

    SiC需求旺盛,安森美已拿下30亿美元长期供货协议!业绩超预期!

    具体来说,安森美二季度车用芯片营收年增35%至超过10亿美元,工业用芯片营收年增5%至6.093亿美元。车用、工业用芯片营收合计占据安森美总营收的80%。 “仅在第二季度,我们就签署了价值超过30亿美元的新碳化硅 LTSA(长期服务协议)。” El-Khoury 表示,汽车行业已经是安森美公司最大的客户群之一,目前占 安森美碳化硅销售额的90%。 第二季度,安森美的碳化硅器件还拿下了包括Vitesco、博格华纳和麦格纳等新客户,它们都在针对电动汽车生产商的产品中使用它的碳化硅芯片。 显然,安森美预测的第三季营收优于市场预期,主要是得益于碳化硅(SiC)需求强劲,汽车业强烈的需求有望抵销半导体产业的疲软市况。 今年5月,安森美曾表示,考虑投资超过20亿美元扩充碳化硅产能。 与此同时,为特斯拉生产零部件的意法半导体也在扩大碳化硅 生产,并于今年1月份宣布该公司将在内部生产芯片。

    45220编辑于 2023-08-09
  • 来自专栏机器之心

    八轮攀爬器+电动切割机,这个印度机器人替你爬树摘椰子

    Robotic Harvester 是一个有四个自由度的机器臂,还配有一个旋转式切割机(rotary cutter)作为末端执行器(end effector)。 包括电动切割机在内,Robotic Harvester 的总重量约 7 千克,总长度为 1 米。

    70420编辑于 2023-03-29
  • 来自专栏芯智讯

    Wolfspeed宣布将在美国建造全球最大碳化硅材料工厂

    2022年9月13日消息 ,全球碳化硅(SiC)技术引领者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布,将投入数十亿美元在美国北卡罗来纳州查塔姆县(Chatham County)建造全新的、采用领先前沿技术的碳化硅(SiC)材料制造工厂。 这一投资计划提升 Wolfspeed 现有碳化硅产能超 10 倍,支持公司长期增长战略,加快碳化硅半导体在一系列终端市场的采用,开启能源效率新时代。 这座工厂将主要制造 200mm 碳化硅晶圆。200mm 晶圆的面积是 150mm 晶圆的 1.7 倍,这也意味着单片晶圆可制得的芯片数量将更多,也将最终有助于降低器件成本。 △Wolfspeed 位于北卡罗来纳州查塔姆县(Chatham County)碳化硅材料制造工厂的渲染图 该工厂的一期建设预计将于 2024 年完成,成本预计 13 亿美元。

    50310编辑于 2022-09-20
  • 碳化硅IDM大厂基本半导体递表港交所

    根据招股书显示,基本半导体由清华大学和剑桥大学博士团队创立于2016年,专注于碳化硅功率器件的研发、制造及销售。 作为该领域的先驱者,基本半导体是中国唯一一家整合了碳化硅芯片设计、晶圆制造、模块封装及栅极驱动设计与测试能力的碳化硅功率器件IDM企业,且所有环节均已实现量产。 完成后,公司将拥有国内领先的碳化硅功率模块封装产能。 目前,基本半导体构建了全面的产品组合,包括碳化硅分立器件、车规级和工业级碳化硅功率模块及功率半导体栅极驱动。 基本半导体也是国内首批大规模生产和交付应用于新能源汽车的碳化硅解决方案的企业之一。 鉴于碳化硅解决方案相关评估周期通常较长且更换成本较高,基本半导体已建立较高的进入门槛,与客户培养了长期合作关系并保持了获得10多家汽车制造商超50款车型的design-in的良好往绩记录。

    74810编辑于 2026-03-19
  • 芯联集成代工,理想汽车碳化硅晶圆正式量产交付

    10月13日,据“芯联集成”官方微信号消息,近日,芯联集成与理想汽车隆重举办了“理想&芯联集成合作伙伴交流会暨BAREDIE晶圆下线仪式”,这标志着双方在碳化硅产品领域的深度合作取得了重大阶段性成果。 自2024年3月芯联集成与理想汽车正式签署战略合作框架协议以来,两家公司在碳化硅技术上展开了全面且深入的合作。历经一年多的紧密协作,由理想汽车设计开发、芯联集成代工量产的碳化硅产品现已开启量产交付。 作为国内领先的一站式芯片系统代工企业,芯联集成在车规级碳化硅领域拥有深厚技术积累;而理想汽车作为新能源汽车市场的领军企业,近年来持续加码纯电赛道。 芯联集成表示,此次量产交付的碳化硅产品,标志着双方战略协同迈入新阶段,也是理想纯电战略落地的关键一环。未来,该产品将在理想i系列纯电车型上搭载。 该碳化硅产品在综合性能方面表现卓越,尤其是在导通电阻、应用结温等方面较市场主流产品展现出更大优势,有助于提升车辆补能效率及续航里程。

    26310编辑于 2026-03-19
  • AR智能眼镜在使用碳化硅材料的性能优势解析

    1.光学性能优势:实现更真实的视觉体验高折射率拓展视场角碳化硅的折射率高达 2.6。在光波导系统中,更高的折射率可允许更大角度的入射光满足全反射条件,从而显著扩展可传输的光线角度范围。 2.物理特性优势:兼顾轻盈佩戴与结构可靠性超轻超薄设计单片碳化硅波导重量相比传统方案会更少,体积与质量约为传统方案的 1/3。 3.核心性能对比(碳化硅 vs 玻璃 vs 树脂)为直观呈现各类材料的技术差异,现从光学性能、物理特性和工艺与成本三个维度进行系统性对比:表格对比维度材料类型关键性能指标与特点光学性能碳化硅折射率高达 物理特性碳化硅硬度极高(仅次于金刚石),抗刮擦、耐高温;热导率高,散热性能优异;单片重量低,厚度薄,兼具轻薄与结构稳定性。 工艺与成本碳化硅支持超表面结构的规模化制造,但纳米级加工精度要求高,大面积均匀性控制难,前期设备与研发投入较大。

    28410编辑于 2026-04-23
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