- 综合排序
- 最热优先
- 最新优先
- 来自专栏硬件分享
电容器的ESR、ESL，会有什么影响
电容器的ESR、ESL 电容器的等效电路与RLC串联电路相同 ESR：等效电阻 ESL：等效电感 串联时的阻抗如何变化？ 串联时的阻抗 不同元件时的阻抗 在谐振点，电容器与ESL不存在阻抗，仅ESR存在阻抗在谐振点的频率由电容器和ESL决定，各元件成分决定阻抗的特性。 由频率引起的ESR变化，多种电容器的不同频率特性 RLC串联模式→ESR不随频率变动，RCL随电容器的材质，构造及尺寸的不同而变动。 频率特性 各种电容器的特性比较 波动电流（交流电流） 通过电容器时产生热量。 热量将缩短 电容器的。 在相同的热量下，多层电容器的ESR较低，能够较多地通过波动电流。
3.5K40编辑于 2022-11-18 - 来自专栏单片机爱好者
干货｜详解消灭EMC的三大利器：电容器电感磁珠
滤波电容器、共模电感、磁珠在EMC设计电路中是常见的身影，也是消灭电磁干扰的三大利器。 对于这三者在电路中的作用，相信还有很多工程师搞不清楚，文章从设计中详细分析了消灭EMC三大利器的原理。 ?
1.2K20发布于 2020-08-04 - 来自专栏IDC杂谈
电解电容器如何失效？预防技巧整理
要制作非极化或双极钽电容器，需要将两个钽电容器串联，并且它们的阳极方向相为什么钽电容会失效？图片不利的故障模式是钽电容器的主要缺点之一，钽电容器的故障模式分为三大类。 高漏电流当电容器受到高漏电流时，它会损坏电容器。这是因为流过电容器的电流导致电介质材料发热，这反过来会导致进一步的泄漏电流和更多的热量。该过程一直持续到介电材料完全降解，此时电容器将失效。 为避免此类损坏，处理钽电容器时务必小心谨慎，并注意高漏电流的可能性。如果保养不当，它们很容易损坏。低电容钽电容器的低电容会以两种方式损坏电容器。首先，它会导致等效串联电阻(ESR) 增加。 发生这种情况是因为电容器的电抗随着电容的减小而减小。当电容器的电抗减小时，通过电容器的电流增加。增加的电流会导致电介质上的 IR 压降增加，从而增加 ESR。其次，低电容会导致电介质击穿的可能性增加。 钽电容器和陶瓷电容器的用途相似，但它们使用不同的材料制成，性能也大不相同。在性能方面，钽电容器和陶瓷电容器之间存在一些关键差异：范围钽电容陶瓷电容器老化不要老化他们随着时间变老类型它们是极化电容器。
69020编辑于 2023-01-29 - 来自专栏前沿安全技术
CapSpeaker：基于电容器的麦克风声音注入攻击
本质上，由于逆压电效应，电容器会发出声学噪声，即改变电容器两端的电压会使其振动，从而发出声学噪声。 众所周知，MLC 电容器会产生烦人但良性的高音噪音，但没有人通过此类电容器产生声音。 一个问题是“电容器如何产生声音？”潜在的物理原理表明，由于陶瓷材料的逆压电效应，电容器会发出声学噪声，即电容器两端的电压导致电容器以与电压信号相同的频率振动。 发现 MLC 电容器的声音强度和频率直接由电容器两端电压变化的幅度和频率决定，但几乎不受电容或电容器组老化类型的影响。 电容器电容和封装。在实际实验中评估了具有各种电容和封装的电容器，电容器两端电压的峰峰值幅度为 Δ = 20 V。有以下观察结果。 1) 对于电容器电容，上图（左）表明 SPL 与电容值几乎保持不变。
1.8K31编辑于 2023-03-13 - 来自专栏工程监测
DC电源模块关于电容器的电解液位置
在DC电源模块中使用的电容器通常是电解型电容器，而这些电解型电容器中的电解液位置是一个非常关键的因素。图片首先，我们需要了解电解型电容器的结构。电解型电容器由两个电极板和一个介质电解液组成。 当电压施加在电容器上时，由于电解液的特性，钴或锡电极会被氧化形成一个保护层，这个保护层就是电解液。在电解型电容器中，电解液的位置非常重要。 如果电解液不充分地润湿电极表面，那么电容器的电容量就会下降，甚至导致电容器失效。因此，制造电解型电容器时，需要确保电解液能够充分地润湿电极表面。此外，电解液的位置还决定了电解型电容器的极性。 如果电解液的位置不正确，那么电容器就可能失效，导致输出端的电压波动或噪声。图片总结，在DC电源模块中，电解型电容器的电解液位置是非常关键的，它直接影响到电容器的电容量、性能和寿命。 在制造和使用电解型电容器时，需要特别注意电解液的位置，以确保电容器能够正常工作并提供稳定的电源电压。
27010编辑于 2023-10-16 - 来自专栏机器之心
新型超晶格材料使电容器体积缩小至1100
Choi 机器之心编译 编辑：陈萍 研究人员希望人造反铁电体电容器有助于进一步小型化电子产品。 目前，缩小电子产品的一个主要障碍是其电容器的尺寸相对较大。 不过，现在科学家们已经开发出新的超晶格 (Superlattice)，可能会使制造的电容器尺寸仅为传统电容器的百分之一。 这项研究发表在近期的《Science Advances》上。 电池通常具有比电容器更高的能量密度，因而存储的能量更多。然而，电容器通常比电池具有更大的功率密度，因而充电和放电速度更快。 但是，由于电容器的能量密度相对较低，因此很难小型化。 「由反铁电体制成的电容器可能比传统电容器小得多，这将有助于小型化电子电路，」卢森堡科学技术研究所（Luxembourg Institute of Science and Technology，LIST） Aramberri 表示：「传统电容器的能量存储密度是我们人造反铁电材料的能量存储密度的 1/100，这意味着我们的超晶格可能用于制造体积小 100 倍的电容器。」
43230编辑于 2022-08-31 - 来自专栏防止网络攻击
CMOS电源稳压器LDO
TX6213芯片输出电容器必须满足以下规定的要求：推荐电容表、应用条件。最小值、稳定性和正确操作的电容是0.6μF。电容公差应为超过工作温度±30%或更高范围。 推荐的电容器类型为X7R以满足整个设备温度规范。介绍了电容器的应用条件，包括直流偏压、频率和温度。如果电容低于最小指定值（请参见下一节电容器特性）。TX6213设计用于非常小的陶瓷输出电容器。 1.0μF电容器（X7R型），ESR类型介于0和400mΩ适用于各种应用场合。X5R型可以使用电容器，但电容器的温度范围。 用这些和其他的电容器类型（Y5V，Z6U）可以使用，选择取决于操作范围a的条件和温度范围指定的应用程序。
35310编辑于 2023-12-19 - 来自专栏全栈程序员必看
XR和XS哪个好_苹果XR用起来怎么样啊
电容是电子电路中经常使用的器件，其具体分类如下： （1）COG 此类介质材料的电容器为I类电容器，包括常规、中高压COG产品，其电性能稳定，几乎不随温度、电压和时间的变化而变化。 （2）XR、X5R和X7R 此类介质材料的电容器为II类电容器，具有较高的介电常数，容量比I类电容器高，具有较稳定的温度特性，适用于容量范围广，稳定性要求不高的电路中，如隔直、耦合、旁路、鉴频电路等，其中 X7R相对于X5R更稳定，对环境等条件敏感性低。 （3）Y5V 此类介质材料的电容器为II类电容器，是所有电容器中介电常数最大的电容器，其容量稳定性较差，对温度、电压等条件较敏感，适用于要求大容量，温度变化不大的电路中。
44730编辑于 2022-09-23 - 来自专栏石开之旅
硬件笔记(2)----贴片电容材质NPO与X7R、X5R、Y5V、Z5U的区别
1、NPO与X7R、X5R、Y5V、Z5U的区别： NPO属于Ⅰ类陶瓷电容器，X7R、X5R、Y5V、Z5U属于Ⅱ类陶瓷电容器。 Ⅰ类陶瓷电容器（ClassⅠceramic capacitor），过去称高频陶瓷电容器（High-frequency ceramic capacitor），介质采用非铁电（顺电）配方，以TiO2为主要成分 Ⅱ类陶瓷电容器（Class Ⅱ ceramic capacitor）过去称为为低频陶瓷电容器（Low frequency ceramic capacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容器，因此也称铁电陶瓷电容器 这类电容器的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中。其中Ⅱ类陶瓷电容器又分为稳定级和可用级。 X5R、X7R属于Ⅱ类陶瓷的稳定级，而Y5V和Z5U属于可用级。 2、X5R、X7R、Y5V、Z5U之间的区别是什么？ 区别主要还在于温度范围和容值随温度的变化特性上。
6.8K40发布于 2019-03-21 观海微电子--常用电子元器件--电容
"通过"电容器的道理。 ●2类陶瓷介质MLCC（X7R、X5R、Y5V）很高的比体积电容量，电气性能较稳定，在温度，电压与时间改变时性能的变化并不显著，适用于隔直，偶合、旁路与对容量稳定性要求不太高的鉴频电路及10兆以下的中频场合 由于X7R是一种强电介质，因而能造出容量比NPO介质更大的电容器。在DC—DC（AC）变换器和开关电源滤波电路正逐步替代钽质、铝质电解电容器。 目前使用得较多的是X7R、X5R电容钽电容、电解电容爆炸：钽电容、电解电容有正负极区分，MLCC电容无极性。 额定电压是一个重要参数，在使用中如果工作电压大于电容器的额定电压，电容器是要损坏的。【电容的温度系数】一般情况下，电容器的电容量是随温度变化而变化的，电容器的这一特性用温度系数来表示。
62710编辑于 2025-12-04- 来自专栏电路分析
电容科普知识
充放电过程电容器的充放电过程是其最基本的功能之一，体现了电容器储存和释放电能的独特能力。这一过程不仅是电容器工作的核心机制，也是理解和应用电容器的关键所在。 理解电容器的充放电过程对于正确使用和设计包含电容器的电路至关重要。通过合理选择电容器的参数和电路配置，可以充分发挥电容器的优势，满足各种复杂的应用需求。 例如：类型工作温度范围电容变化X7R-55°C ~ +125°C±15%Y5V-30°C ~ +85°C-82% ~ +22%这种温度特性差异使得工程师可以根据具体应用需求选择最适合的陶瓷电容器类型。 电解电容器电解电容器则是另一类重要的固定电容器。它们的特点如下：单位体积电容量极大耐压范围广电解电容器主要分为两类：铝电解电容器 ：成本较低，适用于大容量、低频应用。 例如：电容类型最高工作温度容值变化X7R125°C±15%Y5V85°C-82%~+22%等效串联电阻(ESR) ：ESR影响电容器的能量损耗和高频性能。
1.2K22编辑于 2024-11-07 - 来自专栏电子工程师成长日记
小型元器件介绍：瓷片电容
瓷片电容(ceramic capacitor)是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。 通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。 具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。 低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合。 这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。 按瓷介电容电介质又分：1类电介质(NP0、C0G)，2类电介质(X7R、2X1)和3类电介质(Y5V、2F4)瓷介电容器。 高压瓷片电容就是以陶瓷材料为介质的圆板电容器，在“瓷片”电容器中一般DC50v以下叫低压，DC100V-500V为中高压，DC1000v-6000v为高压，DC6000v以上为超高压 。
95230编辑于 2022-07-21 - 来自专栏嵌入式硬件可靠性设计
电容选型应用中的可靠性问题
电容选型应用中的可靠性问题关键词：电容 选型 陶瓷电容 电解电容 钽电容 可靠性 案例分享一、电容的定义电容器所带电量Q与电容器两极间的电压U的比值，叫电容器的电容。 7、金属化聚酯薄膜电容：以金属化聚酯薄膜为介质，制成的具有较高的频率特性和稳定性的电容器。8、有机电容：以导电有机材料制成电容器，具有小体积、大容量、高频率特性的优点。 7、温度系数：温度的变化会引起电容器容量微小的变化，常用温度系数来表示这种变化的程度。 当流过交流大电流时，大的等效串联电阻会使电容器消耗更多的功率。9、等效串联电感（ESL）：电容器的等效串联电感是由电容器的引脚电感与电容器两个极板的等效电感串联构成的。 有长线缆供电的设备的电源入口（品质因数，谐振峰，ESR）6、PCB存在变形的场合（机械性能不行，华为手机PCB大于0805不用，其他板子大于 1210不用）市面上有柔性端子的电容，可解决机械应力和压电效应的问题7、
61710编辑于 2024-03-19 - 来自专栏剑指工控
变频器谐波污染及治理（1）
电力电容器： 高次谐波由于频率增大，电容器对高次谐波阻抗减小，因过电流而导致温度升高过热、甚至损坏电容器；电容器与系统中的感性负荷构成的并联或串联电路，还有可能发生谐波共振，放大谐波电流或电压加重谐波的危害 反谐振措施 谐波对连接在功率因数电路中的电容器是非常危险的。电容器的电容与电网的电感形成了一个谐振电路，通常这个谐振电路的自谐振频率一般位于250和500Hz之间，即在5次和7次谐波范围内。 由电容器和电抗器串联组成的非调谐滤波电容器组，可以在基波频率段补偿无功功率，同时解调谐振电路的自谐振频率。 调谐滤波电容器组，由数段电容器及调谐电抗器组合而成，每段形成串联共振回路，使共振频率低于最低之谐波频率。 当系统中的变频器是以三相六脉动全波整流为主时，根据公式谐波次数K=6N±1，谐波以5、7次为主，通常采用并联式5次和7次单调谐滤波器。
1.1K20发布于 2021-11-09 - 来自专栏全栈程序员必看
典型的电容有_电容的容量
瓷介电容器又分 1 类电介质（NPO、CCG）；2 类电介质（X7R、2X1）和 3 类电介质（Y5V、2F4）瓷介电容器。 2.特点 1类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。 五、独石电容器 【硬见小百科】二十种电容分类详解！ 1.结构 独石电容器是用钛酸钡为主的陶瓷材料烧结制成的多层叠片状超小型电容器。 2.优点 稳定性好、分布电感小、精度高、损耗小、绝缘电阻大、温度特性及频率特性好、工作电压高（50 V~7 kV）等优点 。 3.用途 一般在高频电路中作信号耦合、旁路、调谐等使用。 有的密封双连或密封四连可变电容器上自带薄膜微调电容器，将微调电容器安装在外壳顶部，使用和调整就更方便了。 1.优点 体积小，重量轻，可反复调节，使用方便。 （１２）的转子（７）螺纹电连接外瓷环（８）一端和结头（６）固接，另一端和底座（１０）固接，引出线（１１）一端和内瓷环（９）同心固接后与底座（１０）紧配固接。
98920编辑于 2022-09-23 - 来自专栏硬件工程师
电容（capacitor）
图片 在我们选择无极性电容式，不知道大家是否有注意到电容的X5R，X7R，Y5V，COG等等看上去很奇怪的参数，有些摸不着头脑？ -X7R（高介电常数）电容器是温度稳定型陶瓷电容器，使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中 -Z5U电容器特点是小尺寸和低成本，尤其适合应用于去耦电路 -Y5V（半导体类）电容器温度特性最差 ------------------------------------------ 平行板电容器公式：C=Q/U C=εS/4πkd 介电常数真空εr=1，k为静电力常量，S为两板正对面积，d为两板间距离 含义就是电容器所能耐受纹波电流/电压值。纹波电压等于纹波电流与ESR的乘积。） （规格书目通常会提供一个在特定温度条件下各温度等级电容所能够承受的最大纹波电流。 独石电容器（多层陶瓷电容器）：monolithic cera mic capacitor或multi-layer ceramic capacitor, 简称MLCC。
1.1K20编辑于 2022-08-29 - 来自专栏帅云霓的技术小屋
软硬件融合技术内幕 终极篇 (7) —— 节约成本的高招
(中)》里面提到过RAM对外的输入和输出信号特点： 如图，CPU向A0-A14引脚发出地址信号后，如发出的是写信号，则RAM芯片从I/O0-I/O7上接受数据并执行写入，如发出的是读信号，则RAM芯片读出存储单元的内容 ，并从I/O0-I/O7上送回CPU。 DRAM的每个Cell只有一个晶体管和一个电容器。 如图，在Wordline为高电平时，在bitline上可以读取电容器的状态（充电或放电），而Wordline为低电平时，bitline的状态可以决定电容器的状态。 但是，DRAM也有一些问题: 读取电容器状态需要从电容器中取走一些电荷，读取的次数如足够多，会使得电容器的电压低于0/1的数字信号阈值； 电容器本身也会有一定的漏电流； 如何解决这些问题呢？
86521编辑于 2023-02-25 - 来自专栏防止网络攻击
LDO产品的基础知识解析
根据此温度范围，X5R 或 X7R 电容器是理想选择。 如图 3 所示，温度对电容的影响远小于直流偏置降额所产生的影响，直流偏置降额可使电容值降低 90%。 在本例中，我们使用 10µF X7R 陶瓷电容器，0603 封装。0603 封装是指电容器的尺寸：0.06in x 0.03in。 我们来确定一下此应用中上述电容器的实际电容值： a、直流偏置降额：从制造商提供的电容器直流偏置特性图表（图2）可以看出，直流偏置电压为 1.8V 时，电容值为 7µF。 b、温度降额：基于 X7R 编码，如果在 125°C 的环境温度下应用此电容器，电容值会另外下降 15%，此时的新电容值为 5.5µF。 电池电压在电池充电时会发生变化，TPS7A16 等 LDO 有助于将恒定电流保持在限值 (I)。
68510编辑于 2024-07-01 - 来自专栏防止网络攻击
噪声-降噪引脚如何提高系统性能
图2描绘了1A低噪声LDO TPS7A94的输出噪声。 图 2：TPS7A94 的噪声频谱密度与频率和VOUT的关系 从各条曲线可以看出，以微伏/平方根赫兹 (μV/√Hz) 表示的输出噪声集中在频谱的低端。 这些技术涉及使用降噪和前馈电容器，在“LDO基础知识：噪声 - 前馈电容器如何提高系统性能”一文中进行了讨论。 降噪电容器 TI 产品组合中的许多低噪声LDO都具有指定为“NR/SS”的特殊引脚。 图4显示了该电容器对输出噪声的影响。 图 4：TPS7A91的噪声频谱密度与频率和CNR/SS的关系 如图 4 所示，较大的CNR/SS值会产生更好的噪声系数。在某个时刻，增大电容将不再降低噪声。 幸好，CNR/SS有助于实现后者，如图 5 所示的TPS7A85相关内容。
35910编辑于 2024-07-01 - 来自专栏全栈程序员必看
电容分类和作用_电容的识别
陶瓷电容又有很多种材质，NP0、C0G、Y5V、X5R、X7R等，不同的陶瓷材质。主要区别在温飘不同。NP0和C0G的电容容值几乎不会随着温度变化而变化。 三、主要特性 钽电容的特性_钽电容器具有非常高的工作电场强度，并较任何类型电容器都大，以此保证它的小型化。 钽电容的特性_钽电容器具有单向导电性，即所谓有“极性”，应用时应按电源的正、负方向接入电流，电容器的阳极(正极)接电源“+”极，阴极(负极)接电源的“-”极如果接错不仅电容器发挥不了作用，而且漏电流很大 特点： 微小体积、小容量、高耐压、无极性、低ESR、高频特性好、价格适中 缺点：过压失效，焊接变形失效、温度特性不稳定 注：陶瓷电容材质选择（性能由好–>差） COG->Film->AI->X7R ->X5R->TA->Y5V 一般选择X7R或者X5R可以满足基本的需求 发布者：全栈程序员栈长，转载请注明出处：https://javaforall.cn/172157.html原文链接：https
4.4K21编辑于 2022-09-23
腾讯云开发者
Copyright © 2013 - 2026 Tencent Cloud. All Rights Reserved. 腾讯云 版权所有
深圳市腾讯计算机系统有限公司 ICP备案/许可证号：粤B2-20090059 
粤公网安备44030502008569号
腾讯云计算（北京）有限责任公司 京ICP证150476号 | 京ICP备11018762号