- 综合排序
- 最热优先
- 最新优先
- 来自专栏电子工程师成长日记
小型元器件介绍：排阻
排阻是将若干个参数完全相同的电阻集中封装在一起，组合制成的。它们的一个引脚都连到一起，作为公共引脚。其余引脚正常引出。 所以如果一个排阻是由n个电阻构成的，那么它就有n+1只引脚，一般来说，最左边的那个是公共引脚，它在排阻上一般用一个色点标出来。 排阻的识别方法 在三位数字中，从左至右的第一、第二位为有效数字，第三位表示前两位数字乘10的N次方（单位为Ω）。 如果阻值中有小数点，则用“R”表示，并占一位有效数字。 标示为“0”或…000”的排阻阻值为OΩ，这种排阻实际上是跳线（短路线）。 一些精密排阻采用四位数字加一个字母的标示方法（或者只有四位数字）。 如标示为“2341”的排阻的电阻为234×10=2340Ω。 排阻具有方向性，与色环电阻相比具有整齐、所占空间少的优势。 上拉排阻：上拉是相对下拉来说的。
83430编辑于 2022-07-21 - 来自专栏RocksDB学习
RocksDB阻写
RocksDB有一个广泛使用的功能就是当flush或compact速度小于外部数据写入速度的时候可以阻写。 可以通过以下方法来判断你的DB是否存在阻写问题： 查看LOG文件，看是否有阻写的log输出； 查看LOG文件的Compatction状态，如下图： [WX20190930-175300@2x.png] 以下原因可能会导致阻写： memtable太多。 有一点值得注意，虽然写限速/阻塞配置和预计compaction数据量大小配置在每个colum family中，但阻写是针对整个数据库的，换句话说就是如果一个column family触发了阻写，那么整个数据库就会阻写 ） 如果阻写是由于level-0层有太多的文件或是预计compaction数据量太大，或是compaction速度赶不上写入速度。
2.4K20发布于 2019-09-30 - 来自专栏电气技术
什么是水阻柜液阻柜水电阻液态电阻起动柜
什么是水阻柜液阻柜水电阻液态电阻起动柜 作者：孟工 一、水阻的由来 水阻，顾名思义，即水电阻由于电动机直接起动时，起动电流会达到电机额定电流的 7~8倍，一般上一级变压器的容量都承受不了，特别是大功率的电机，必须加装起动设备，否则会造成变压器局部下跳闸。 二、水阻的分类 按照电机的不同，分为两种水阻： 一种是转子串水阻，即电机属于绕线式电机，即转子回路未短接。此时通过改变起动过程中转子回路的电阻值来逐步实现软起动。 “水阻起动信号”： 现一般的水阻柜，都是采用PLC控制，其中，水阻柜起动信号，取的是对应的开关起动柜的“断路器合闸状态”，也就是说，当开关柜的断路器合闸以后，水阻柜的PLC接收到信号后，就开始起动，如极板开始下移 即工频时，水阻仍正常起动，若变频时，则水阻柜不起动。 3、 水阻柜短接信号 变频改造前，水阻柜短接信号接收的是“下限位行程开关信号”。
1.2K60编辑于 2022-07-30 - 来自专栏阻容感
光颉科技AS系列抗硫化网络排阻：高可靠性电子系统的关键防护
光颉科技AS系列抗硫化网络排阻是一种单封装器件，内部包含由均质电阻元件组成的网络。该系列专为在含硫环境中工作而设计，能够有效抵抗硫化作用，确保电阻性能的稳定。 当电路布局中需要多个相同电阻时，采用AS系列抗硫化网络排阻不仅能带来使用上的便利，还能节省空间，是提升电路设计性价比的理想选择。 0201尺寸：采用扁平型设计，对于4P2R或8P4R的电路配置具有更高的可靠性。核心特性：卓越的抗硫化性能：采用特殊构造，能够在含硫环境中有效防止硫化反应的发生，保证电阻的长期稳定工作。
16910编辑于 2025-10-15 - 来自专栏阻容感
光颉科技CN系列网络排阻：微型化电子设计的高可靠性方案
光颉科技CN系列厚膜网络排阻是一种包含同质电阻元件网络的单封装器件，在多个相同电阻器应用的布局中，能带来便利，同时节省空间。 CN系列涵盖了多种常见尺寸，最常见的0603和0402尺寸提供凹形和或凸形端子；0201尺寸则采用平面型设计，在4P2R或 8P4R应用中具有高可靠性。 CN系列结构：图片CN系列降额曲线：图片CN系列命名规则：图片CN系列电气规格：光颉科技CN系列厚膜网络排阻，以其精密的集成设计、灵活的尺寸选择、以及基于钌基材料的卓越性能，为工程师提供了应对空间压缩和可靠性挑战的强有力工具
21610编辑于 2025-09-30 - 来自专栏机械之心
PCB阻焊是什么？
8、在SMT贴片加工时，上锡、贴片以及AOI校验这些步骤，都需要光学定位校准，绿色的底板仪器识别时更为友好。9、绿色的PCB还比较环保，废弃板进行高温回收处理时，不会释放有毒气体。 8、如表面贴焊盘间距大于10mil且绿油桥宽(设计)大于4.0mil时，不允许有绿油桥断裂现象。若阻焊工序制作出现异常不能达到上述要求则以下情况允收：每排绿油桥断裂数量在其9%范围内。 问题：曝光不良原因1：抽真空不良改善措施：检查抽真空系统原因2：曝光能量不合适改善措施：调整合适的曝光能量原因3：曝光机温度过高改善措施：检查曝光机温度（低于26℃） 问题：油墨烤不干原因1：烤箱排风不好改善措施 ：检查烤箱排风状况原因2：烤箱温度不够改善措施：测定烤箱实际温度是否达到产品要求温度原因3：稀释剂放少改善措施：增加稀释剂，充分稀释原因4：稀释剂太慢干改善措施：使用相匹配的稀释剂原因5：油墨太厚改善措施 检查药水浓度、温度原因4：显影时间太短改善措施：延长显影时间原因5：曝光能量太高改善措施：调整曝光能量原因6：油墨烘烤过度改善措施：调整烘烤参数，不能烤死原因7：油墨搅拌不均匀改善措施：印刷前将油墨搅拌均匀原因8：
2.9K00编辑于 2023-04-24 - 来自专栏硅光技术分享
什么是忆阻器？
前两天听AI芯片的报告，有位教授提到了基于忆阻器的AI芯片，今早刚好DeepTech深科技里报道了密歇根大学在这方面的进展（基于忆阻器的AI芯片）。 借此机会，小豆芽搜集了下相关资料，深入了解下忆阻器。 忆阻器，英文名为memristor, 该单词由memory+resistor各取一半构成，其同时具备电阻和存储的性能。 （图片来自https://zh.wikipedia.org/wiki/%E6%86%B6%E9%98%BB%E5%99%A8） 据此，蔡教授提出了忆阻值的概念，定义式为 ? 通过配置忆阻器的阻值，crossbar结构可实现矩阵的乘法运算。 以上是对忆阻器的简单介绍，认识比较肤浅，欢迎大家指正！ ---- 参考文献： D. Status Solidi A 215, 1700875(2018) 刘东青，“忆阻器及其阻变机理研究进展”
3.4K21发布于 2020-08-13 - 来自专栏C++
【排序算法】堆排、快排、归并排、各种排
1、堆 2、快排 颜色分类 颜色分类 class Solution { public: void sortColors(vector<int>& nums) { int i = 排升序，找cur2之前有多少个数比我大。 +] = arr[b2++]; for (int i = l; i <= r; i++) arr[i] = tmp[i]; return ret; } }; 排降序 int b1 = l, b2 = mid + 1, i = l; while (b1 <= mid && b2 <= r) { // 排降序
24810编辑于 2025-04-04 - 来自专栏用户7721898的专栏
人生苦短，我用k8s--------------k8s实战排障思路
K8S是一个开源的，用于管理云平台中多个主机上的容器化应用，Kubernetes的目标是让部署容器化变得简单并且高效 文章目录 1、排障基本命令 2、处于Pending状态 2、Pod 一直处于 状态 3、Pod 处于 ImagePullBackOff 状态 4、Pod 一直处于 CrashLoopBackOff 状态 5、Pod 处于 Error 状态 6、集群处于 NotReady状态 1、排障基本命令 kubectl get nodes #查看node的状态，确认其本身是否Ready kubectl describe node kubectl logs -n kube-system #查看k8s
2.4K31发布于 2020-12-25 - 来自专栏脑电信号科研科普
脑间同步：道阻且长
近年来，动态脑间耦合机制的研究在社会神经科学领域掀起了风暴。特别是，脑间同步(IBS)是一种假定的神经机制，据说可以通过使多个大脑的功能整合来促进社会互动。在这篇文章中，我认为这一研究受到三个普遍和相互关联的问题的困扰。首先，该领域缺乏一个被广泛接受的IBS定义。其次，IBS需要能够指导实验设计和解释的理论。第三，在测试假设时，大量的任务和经验方法允许不适当的灵活性。这些因素共同削弱了IBS作为一个理论建构。最后，我将推荐一些可以解决这些问题的措施。
60330编辑于 2022-08-04 - 来自专栏电路分析
忆阻器科普知识
根据形成导电细丝的机制，可分为：氧空位细丝型忆阻器金属细丝型忆阻器垂直结构 ：这种结构通过将活性层垂直排列来提高集成度。例如，基于CH3NH3PbI3(MAPbI3或OHP)的垂直结构忆阻器。 光电忆阻器 ：这类特殊结构的忆阻器结合了光电效应和阻变效应，实现了光控阻值调节。例如，基于二氧化铪(HfO2)和ZnO1-x/AlOy异质结的光电忆阻器。 例如，一个8级RRAM单元可以存储3比特的信息，这比传统的单级单元提高了3倍的存储密度 。 例如，一个8级的忆阻器单元可以存储3比特的信息，这相当于传统单级单元存储容量的3倍。非破坏性读取 ：与传统闪存不同，忆阻器的读取操作不会改变存储状态。 该系统利用动态忆阻器阵列实现并行储备池层，通过非易失性忆阻器阵列实现读出层，展示了在实时处理时空信号方面的优势 。
2K23编辑于 2024-11-07 - 来自专栏CreateAMind
忆阻器玩Atari游戏
在这里，我们展示了基于SrTiO3的基于忆阻器纳米器件，这些器件天生模拟了所有这些突触功能。这些忆阻器工作在非丝状、低电导区域，这使得它们能够稳定且高效地运行。 关键词：STO忆阻器、非丝状、忆阻器动态、多功能突触、短期可塑性、长期可塑性、生物启发式计算 1 简介 生物神经网络（BNNs）已被用作当今最成功的人工神经网络（ANNs）的灵感来源。 2 单忆阻器中的多功能突触行为 我们在STO单晶衬底上制备了一个多功能忆阻器突触（见图1d）。首先，我们沉积了一个具有高功函数的接触层（Pt，下面带有一层Cr粘附层）。 图2 多功能忆阻器突触的直流和动态行为。a) 制备的Cr/Pt-STO-Ti忆阻器的电导率与电压特性。黑色箭头表示逆时针切换方向。b) 设备堆栈的示意图及其基础切换机制。 在整个乒乓球游戏过程中，带有和不带有非理想性的所有突触的∆F的直方图见补充材料第S8节。（4）将衰减时间常数Λ的范围限制在我们设备可以达到的值范围内（[0.08, 0.92]）。
40110编辑于 2024-04-26 - 来自专栏devops_k8s
K8s 服务异常排障过程全解密
K8s 让应用发布更加快速安全，让应用部署也更加灵活，但在带来这些便利性的同时，也给应用排障增加了 K8s 平台层面的复杂度，本篇文章将以常见的服务异常入手，来详细拆解 K8s 服务访问方式，以及如何利用现有的可观测体系来对 k8s 平台和应用服务进行快速排障。 2 服务的访问方式 开启 K8s 服务异常排障过程前，须对 K8s 服务的访问路径有一个全面的了解，下面我们先介绍目前常用的 K8s 服务访问方式（不同云原生平台实现方式可能基于部署方案、性能优化等情况会存在一些差异 ，但是如要运维 K8s 服务，则需要在一开始就对访问方式有一个了解）。 了解服务的访问方式后，在遇到服务异常时，基于一套整体的排障思路来开展工作，更能事半功倍，接下来详细聊聊如何进行排障。
1K20编辑于 2023-06-03 - 来自专栏阻容感
光颉科技CNF系列汽车级网络排阻解锁汽车电子的微型化与高可靠性密码
今天，我们以光颉科技的CNF系列汽车级厚膜阵列贴片电阻（网络排阻）为例，为您深度剖析如何在选型过程中避开暗礁，实现高效可靠的电路设计。
16810编辑于 2025-11-17 - 来自专栏NewBeeNLP
召回 粗排 精排，如何各司其职？
精排-最纯粹 精排是最纯粹的排序，也是最纯粹的机器学习模块。它的目标只有一个，就是根据手头所有的信息输出最准的预测。我们也可以看到，关于精排的文章也是最多的。 精排也是整个环节中的霸主，你在召回上的一个改进点，精排没有get到，那你这个改进点就不能在实际环境中生效。前面的环节想要做出收益，都得精排“施舍”。 粗排-略显尴尬的定位 相比于召回和精排，粗排是定位比较尴尬的。在有的系统里，粗排可以很丝滑的平衡计算复杂度和候选数量的关系。但是在有的例子中，粗排可能只是精排甚至召回的一个影子。 所以，粗排的模型结构大多数情况下都很像精排或者召回。 粗排是一个非常容易照本宣科的地方，因为粗排不是必需的环节。 如果你的候选数量非常少，那连召回都不需要了；如果你的精排能吃的下召回的输出，那可以考虑实验对比是不是需要粗排。但是假如不加粗排，总感觉欠缺点什么。
2.6K10发布于 2021-10-20 - 来自专栏信创系统开发
龙芯新世界之路，道长且阻
0x00007fffe7e9c000) libxkbcommon-x11.so.0 => /lib/loongarch64-linux-gnu/libxkbcommon-x11.so.0 (0x00007fffe7e8c000 found libm.so.6 => /lib/loongarch64-linux-gnu/libm.so.6 (0x00007fffe78a0000) libpcre2-8. so.0 => /lib/loongarch64-linux-gnu/libpcre2-8.so.0 (0x00007fffe783c000) /lib64/ld.so.1 => /lib64
1K00编辑于 2025-05-01 - 来自专栏嵌入式随笔
MDIO接口中的高阻态
本文介绍MDIO中的高阻态及其含义。 IDLE：帧结束后的空闲状态，此时MDIO无源驱动，处高阻状态，但一般用上拉电阻使其处在高电平，即MDIO引脚需要上拉电阻。 MDIO数据帧的时序关系如下： 其中TA根据是否为高阻态进行收发通信。 高阻态这是一个数字电路里常见的述语，指的是电路的一种输出状态，既不是高电平也不是低电平，如果高阻态再输入下一级电路的话，对下级电路无任何影响，和没接一样。 电路分析时高阻态可做开路理解。 也就是说理论上高阻态不是悬空，它是对地或对电源电阻极大的状态。而实际应用上与引脚的悬空几乎是一样的。
1.4K42编辑于 2022-05-11 - 来自专栏硅光技术分享
跨阻放大器TIA简介
TIA的全称是Transimpedance amplifier, 即跨阻放大器。先从字面上理解下，amplifier比较好理解，就是放大器，例如对电压放大。 由于是将电流放大为电压，增益定义为输出电压除以输入电流，增益的单位是电阻，因此将这种类型的放大器称为跨阻放大器。
16K43发布于 2020-08-14 - 来自专栏司钰秘籍
存内领域前沿,基于忆阻器的存内计算----浅析忆阻存内计算
新型的忆阻器包括磁效应忆阻器 、相变效应忆 阻器和阻变效应忆阻器等。 其中 ，阻变效应忆阻器 包含了基于阴离子的氧空位通道型阻变忆阻器和基 于阳离子型的导电桥型忆阻器(conductive bridging RAM, CBRAM)两类。 对于阻变效应忆阻器导电细丝的生长和断裂是导致阻值发生变化的关键机制之一。刚制备好的阻变效应忆阻器处于初始阻态 ，一般是高阻态 ，还没有阻变特性。 如图 8 所示 ，模拟型交叉结构阵列有行列两个正交互连线 ，互连线的每个结点处夹着1个忆阻器件。电压 Vj 是施加在第j 列的电压值 ，根据欧姆定律和基尔霍夫定律 ，可以得到第i行的总电流值。 如 图 8 所示是 3×3 的交叉阵列 ，列线与行线分别代表神 经网络中的输入神经元和输出神经元 ，忆阻器的电导值为神经元之间相互连接的突触权重值 ，利用反 向传播等学习算法可以通过 SET/RESET
2.8K12编辑于 2024-04-04 - 来自专栏机器学习与统计学
最容易找到工作的8种编程语言，Python排第2
2023 年 Ruby 工作需求按月分布： 8、GO Go 是由 Google 在 12 年前创建的一种年轻语言。 下面这张图展示了 2023 年每个月对最抢手的 8 种编程语言的需求情况。 数据覆盖了从 2022 年 1 月到 2023 年 5 月的时间范围。 参考链接：https://www.devjobsscanner.com/blog/top-8-most-demanded-programming-languages/
40010编辑于 2024-08-20
腾讯云开发者
Copyright © 2013 - 2026 Tencent Cloud. All Rights Reserved. 腾讯云 版权所有
深圳市腾讯计算机系统有限公司 ICP备案/许可证号：粤B2-20090059 
粤公网安备44030502008569号
腾讯云计算（北京）有限责任公司 京ICP证150476号 | 京ICP备11018762号