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- 来自专栏电子工程师成长日记
小型元器件介绍：排阻
排阻是将若干个参数完全相同的电阻集中封装在一起，组合制成的。它们的一个引脚都连到一起，作为公共引脚。其余引脚正常引出。 所以如果一个排阻是由n个电阻构成的，那么它就有n+1只引脚，一般来说，最左边的那个是公共引脚，它在排阻上一般用一个色点标出来。 标示为“0”或…000”的排阻阻值为OΩ，这种排阻实际上是跳线（短路线）。 一些精密排阻采用四位数字加一个字母的标示方法（或者只有四位数字）。 前三位数字分别表示阻值的百位、十位、个位数字，第四位数字表示前面三个数字乘10的N次方，单位为欧姆；数字后面的第一个英文字母代表误差（G=2%、F=1%、D=0.25%、B=O.1%、A或W=0.05% 如标示为“2341”的排阻的电阻为234×10=2340Ω。 排阻具有方向性，与色环电阻相比具有整齐、所占空间少的优势。 上拉排阻：上拉是相对下拉来说的。
83430编辑于 2022-07-21 - 来自专栏RocksDB学习
RocksDB阻写
RocksDB有一个广泛使用的功能就是当flush或compact速度小于外部数据写入速度的时候可以阻写。 可以通过以下方法来判断你的DB是否存在阻写问题： 查看LOG文件，看是否有阻写的log输出； 查看LOG文件的Compatction状态，如下图： [WX20190930-175300@2x.png] 以下原因可能会导致阻写： memtable太多。 有一点值得注意，虽然写限速/阻塞配置和预计compaction数据量大小配置在每个colum family中，但阻写是针对整个数据库的，换句话说就是如果一个column family触发了阻写，那么整个数据库就会阻写 增大write_buffer_size（增大memtable，降低写放大） 增大min_write_buffer_number_to_merge（多少个memtable才会触发一次flush，比如设置成2，
2.4K20发布于 2019-09-30 - 来自专栏电气技术
什么是水阻柜液阻柜水电阻液态电阻起动柜
2、 水阻柜主体：主要包括3个独立的水箱，水箱底部有一固定的铜极板，水箱 上部有一固定的铜极板，分别引出进出一次线。 例如电机在10MW，则水阻柜主体可能达到10米*2米*4米。 五、一些数据 一般水阻启动，起动电流倍数在2~3.5倍之间，网侧压降都能满足上一级变压器的容量要求。 2、 水阻柜起动信号 变频改造前，水阻柜起动信号接收的是“断路器常开点信号”。 若变频改造后，则一般需要在此起动回路里增加变频器“工频状态”信号。 2、水阻柜起动信号：增加变频器“工频信号”串入起动回路。 3、开关柜允许合闸信号： 将变频器“高压合闸允许”串入开关柜允许合闸回路。
1.2K60编辑于 2022-07-30 - 来自专栏阻容感
光颉科技AS系列抗硫化网络排阻：高可靠性电子系统的关键防护
光颉科技AS系列抗硫化网络排阻是一种单封装器件，内部包含由均质电阻元件组成的网络。该系列专为在含硫环境中工作而设计，能够有效抵抗硫化作用，确保电阻性能的稳定。 当电路布局中需要多个相同电阻时，采用AS系列抗硫化网络排阻不仅能带来使用上的便利，还能节省空间，是提升电路设计性价比的理想选择。 0201尺寸：采用扁平型设计，对于4P2R或8P4R的电路配置具有更高的可靠性。核心特性：卓越的抗硫化性能：采用特殊构造，能够在含硫环境中有效防止硫化反应的发生，保证电阻的长期稳定工作。
16910编辑于 2025-10-15 - 来自专栏阻容感
光颉科技CN系列网络排阻：微型化电子设计的高可靠性方案
光颉科技CN系列厚膜网络排阻是一种包含同质电阻元件网络的单封装器件，在多个相同电阻器应用的布局中，能带来便利，同时节省空间。 CN系列涵盖了多种常见尺寸，最常见的0603和0402尺寸提供凹形和或凸形端子；0201尺寸则采用平面型设计，在4P2R或 8P4R应用中具有高可靠性。 CN系列结构：图片CN系列降额曲线：图片CN系列命名规则：图片CN系列电气规格：光颉科技CN系列厚膜网络排阻，以其精密的集成设计、灵活的尺寸选择、以及基于钌基材料的卓越性能，为工程师提供了应对空间压缩和可靠性挑战的强有力工具
21610编辑于 2025-09-30 - 来自专栏机械之心
PCB阻焊是什么？
在这个标准里1级产品的阻焊膜厚度不限；2级产品的阻焊膜最低厚度为10m；3级产品最低厚度应为18m。 若阻焊工序制作出现异常不能达到上述要求则以下情况允收：每排绿油桥断裂数量在其9%范围内。9、星点露铜点直径应小于0.1mm，每面不超过2点。不允许有批量的定位点露铜。 PCB阻焊工序常见的品质问题及改善措施在PCB阻焊工序中，聪明如你也可能遇到各种各样的问题，常见如下： 问题：印刷有白点原因1：印刷有白点 改善措施：稀释剂不匹配 使用相匹配的稀释剂原因2： ：检查抽真空系统原因2：曝光能量不合适改善措施：调整合适的曝光能量原因3：曝光机温度过高改善措施：检查曝光机温度（低于26℃） 问题：油墨烤不干原因1：烤箱排风不好改善措施：检查烤箱排风状况原因2：烤箱温度不够改善措施 后烘烤溶剂污染改善措施：增加烤箱排风或喷锡前过机清洗 问题：后烘爆油原因1：没有分段烘烤改善措施：分段烘烤原因2：塞孔油墨粘度不够 改善措施：调整塞孔油墨粘度 问题：油墨哑光原因1：稀释剂不匹配改善措施
2.9K00编辑于 2023-04-24 - 来自专栏硅光技术分享
什么是忆阻器？
前两天听AI芯片的报告，有位教授提到了基于忆阻器的AI芯片，今早刚好DeepTech深科技里报道了密歇根大学在这方面的进展（基于忆阻器的AI芯片）。 对于四个常用的电路变量电压、电流、电荷与磁通量，彼此之间存在6个关系式，其中有5个关系式分别对应几种常用的电学元件与物理定律： 1）电阻，R=dV/dI 2）电容，C=dq/dU 3) 电感 ，L= 其器件结构如下图所示，是在两个电极中间为TiO2, 其中左半部分进行掺杂，右半部分未进行掺杂，是一个三明治结构。 ? （图片来自文献2） 横纵两个方向的两层金属纳米线构成网状结构，而忆阻器位于金属bar的交叉点，它的功能类似突触(synapse)，连接两个神经元。 Status Solidi A 215, 1700875(2018) 刘东青，“忆阻器及其阻变机理研究进展”
3.4K21发布于 2020-08-13 - 来自专栏叶子的开发者社区
DS内排—2-路归并排序
题目描述 输入一组字符串，用2-路归并排序按字典顺序进行降序排序。 输入 测试次数t 每组测试数据：数据个数n，后跟n个字符串，字符串不含空格。 输出 对每组测试数据，输出2-路归并排序的每一趟排序结果。每组测试数据的输出之间有1空行。 输入样例1 2 6 shenzhen beijing guangzhou futian nanshan baoan 10 apple pear peach grape cherry dew fig cin>>n; for(int i=0;i<n;i++) cin>>origin[i]; for(step=1;step<n;step*=2) { for(low=0;low<n;low+=2*step){ mid=low+step-1; if(mid>n)
31630编辑于 2023-07-30 - 来自专栏C++
【排序算法】堆排、快排、归并排、各种排
1、堆 2、快排 颜色分类 颜色分类 class Solution { public: void sortColors(vector<int>& nums) { int i = [b2] ? 排升序，找cur2之前有多少个数比我大。 ++) arr[i] = tmp[i]; return ret; } }; 排降序，找cur1之后有多少个数比我小。 = mid + 1, i = l; while (b1 <= mid && b2 <= r) { // 排降序，找b1之后有多少个数比我小
24810编辑于 2025-04-04 - 来自专栏全栈程序员必看
db2排序rownumber函数讨论
三、找到原因 db2有3个排序函数，rank如果出現两个相同的数据,那么后面的数据就会直接跳过这个排名,而dense_rank则不会,差別更大的是,row_number哪怕是两个数据完全相同,排名也会不一样 2、row_number Row_number 也执行一次排列，但是当碰到有结的情况时，结中的行要进行任意的（也就是说，不是确定的）排序。这在对有重复值的数据进行分析时很有用。
2.4K10编辑于 2022-09-06 - 来自专栏脑电信号科研科普
脑间同步：道阻且长
2. 定义问题第一个问题是IBS对不同的人有不同的含义。尽管图1A中描述的公式可能与一些研究人员对这一现象的直觉一致，但它也允许其他形式的脑间耦合，当这些细微差别未被阐明时，会造成混淆。 这导致了闭眼情况下比睁开情况下更大的阿尔法带IBS，即使是由随机配对的个体组成的两两组，他们从未真正交互过(图2)。 图2 一些脑间同步方法是不可信的5. 总结前面几节中讨论的任何一个问题本身就已经足够令人烦恼了，但它们加在一起就会协同破坏IBS作为一个理论建构的有效性。
60330编辑于 2022-08-04 - 来自专栏电路分析
忆阻器科普知识
早期，忆阻器理论还没有出现，忆阻器典型 I-V 特征曲线被科研人员在 Ti O2、SiO2 等薄膜制备的三明治结构中观测到，但是没人知道这是什么现象。 随后，全球范围内掀起了对忆阻器的研究热潮，推动了这一领域的快速进步。2.工作原理电阻变化机制在探究忆阻器的工作原理时，我们需要首先了解其核心机制——电阻变化机制。 在典型的离子型忆阻器中，如TiO2纳米线忆阻器，氧空位扮演着关键角色。当施加电压时，氧空位在电场作用下迁移，形成或断开导电细丝，从而改变器件的电阻状态。 例如，在VO2、SmNiO3及NiO等材料中，已观察到这种由电荷注入引起的相变现象 。 光电忆阻器 ：这类特殊结构的忆阻器结合了光电效应和阻变效应，实现了光控阻值调节。例如，基于二氧化铪(HfO2)和ZnO1-x/AlOy异质结的光电忆阻器。
2K23编辑于 2024-11-07 - 来自专栏CreateAMind
忆阻器玩Atari游戏
在这里，我们展示了基于SrTiO3的基于忆阻器纳米器件，这些器件天生模拟了所有这些突触功能。这些忆阻器工作在非丝状、低电导区域，这使得它们能够稳定且高效地运行。 2 单忆阻器中的多功能突触行为 我们在STO单晶衬底上制备了一个多功能忆阻器突触（见图1d）。首先，我们沉积了一个具有高功函数的接触层（Pt，下面带有一层Cr粘附层）。 图2a显示了我们的Cr/Pt-STO-Ti忆阻器（见图2b）的30个I-V特性周期。电压（-2V至2V）施加在Pt电极上，而Ti电极接地。 为了研究我们的STO忆阻器的电导率动态，我们向其施加不同电压和宽度的脉冲（图2c和2d）。 图2 多功能忆阻器突触的直流和动态行为。a) 制备的Cr/Pt-STO-Ti忆阻器的电导率与电压特性。黑色箭头表示逆时针切换方向。b) 设备堆栈的示意图及其基础切换机制。
40110编辑于 2024-04-26 - 来自专栏阻容感
光颉科技CNF系列汽车级网络排阻解锁汽车电子的微型化与高可靠性密码
今天，我们以光颉科技的CNF系列汽车级厚膜阵列贴片电阻（网络排阻）为例，为您深度剖析如何在选型过程中避开暗礁，实现高效可靠的电路设计。 其次，该系列电阻具备小型化与轻量化优势，0402x2、0402x4和0603x4三种封装尺寸能够有效节省PCB空间，为汽车电子控制单元的集成化设计提供更多可能性。
16810编辑于 2025-11-17 - 来自专栏NewBeeNLP
召回 粗排 精排，如何各司其职？
文 | 水哥 源 | 知乎 saying 1.AB测试几乎是系统改进的不二法则，算法做AB，开发做AB，产品做AB，运营更要做AB 2.召回有点像一个甩锅侠，我不管我给的准不准，我就管我把潜在的能投的都吃进来就行 这么做是为了观察组内的方差和组间的方差，假如两个对照组之间的观看时长差距有3%，对照组和实验组差距只有2%，那我们就无法说明这个实验是有正向的。 粗排-略显尴尬的定位 相比于召回和精排，粗排是定位比较尴尬的。在有的系统里，粗排可以很丝滑的平衡计算复杂度和候选数量的关系。但是在有的例子中，粗排可能只是精排甚至召回的一个影子。 所以，粗排的模型结构大多数情况下都很像精排或者召回。 粗排是一个非常容易照本宣科的地方，因为粗排不是必需的环节。 如果你的候选数量非常少，那连召回都不需要了；如果你的精排能吃的下召回的输出，那可以考虑实验对比是不是需要粗排。但是假如不加粗排，总感觉欠缺点什么。
2.6K10发布于 2021-10-20 - 来自专栏信创系统开发
龙芯新世界之路，道长且阻
found libm.so.6 => /lib/loongarch64-linux-gnu/libm.so.6 (0x00007fffe78a0000) libpcre2- 8.so.0 => /lib/loongarch64-linux-gnu/libpcre2-8.so.0 (0x00007fffe783c000) /lib64/ld.so.1 => / /libXext.so.6 (0x00007fffe7820000) libcap.so.2 => /lib/loongarch64-linux-gnu/libcap.so.2 (0x00007fffe7808000 so.1.0 => /lib/loongarch64-linux-gnu/libbz2.so.1.0 (0x00007fffe7598000) libpng16.so.16 => /lib [0429/133509.170592:ERROR:filesystem_posix.cc(63)] mkdir /home/uos/.xwechat/crashinfo: 没有那个文件或目录 (2)
1K00编辑于 2025-05-01 - 来自专栏嵌入式随笔
MDIO接口中的高阻态
本文介绍MDIO中的高阻态及其含义。 IDLE：帧结束后的空闲状态，此时MDIO无源驱动，处高阻状态，但一般用上拉电阻使其处在高电平，即MDIO引脚需要上拉电阻。 MDIO数据帧的时序关系如下： 其中TA根据是否为高阻态进行收发通信。 高阻态这是一个数字电路里常见的述语，指的是电路的一种输出状态，既不是高电平也不是低电平，如果高阻态再输入下一级电路的话，对下级电路无任何影响，和没接一样。 电路分析时高阻态可做开路理解。 也就是说理论上高阻态不是悬空，它是对地或对电源电阻极大的状态。而实际应用上与引脚的悬空几乎是一样的。
1.4K42编辑于 2022-05-11 - 来自专栏硅光技术分享
跨阻放大器TIA简介
TIA的全称是Transimpedance amplifier, 即跨阻放大器。先从字面上理解下，amplifier比较好理解，就是放大器，例如对电压放大。 由于是将电流放大为电压，增益定义为输出电压除以输入电流，增益的单位是电阻，因此将这种类型的放大器称为跨阻放大器。
16K43发布于 2020-08-14 - 来自专栏司钰秘籍
存内领域前沿,基于忆阻器的存内计算----浅析忆阻存内计算
X2 里。 当X1=0 时 ，X2 上的 压降为 Vset + ε > Vset ，无论当前X2 是哪个阻态 ，必将发 生 SET 阻变 ，X2 最终转变为低阻态 ，即输出Y=1;当X1=1时，X1和X2上的压降为 2×ε<Vset ，无法发生SET 阻变 ，X2阻态没有发生改变，此时输出Y=X2。 如图 6 所示 ，在运算前把忆阻器初始化为低阻态 ，当X1=X2 时 ，器件两端的压降为零 ，阻态保持低阻态不变 ，即 输出Y=1;当X1=1 且X2=0 时 ，器件两端的压降为正 极性 ，阻态翻转为高阻态 2. 利用模拟型忆阻器的模拟计算 除了利用高低阻态来实现布尔运算外 ，利用具有多级阻态的模拟型忆阻器可以实现在模拟域的乘法-加法运算。
2.8K12编辑于 2024-04-04 - 来自专栏AVAJ
快排
快速排序 思路：快速排序每次都是定位一个元素在数组中的绝对位置，简单说就是一个元素，在排好序后他的位置是一定的（当然快排是不稳定的），你每次选定一个元素，然后定位其排好序后的位置，再把这个元素从数组中去掉 最好的情况下就是每次选的元素都在最中间，这样就递归次数就少了（nlog2n），最坏情况就是每次都选在俩端（n^2）。
89250发布于 2019-10-13
腾讯云开发者
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