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- 来自专栏电子工程师成长日记
小型元器件介绍：排阻
排阻是将若干个参数完全相同的电阻集中封装在一起，组合制成的。它们的一个引脚都连到一起，作为公共引脚。其余引脚正常引出。 所以如果一个排阻是由n个电阻构成的，那么它就有n+1只引脚，一般来说，最左边的那个是公共引脚，它在排阻上一般用一个色点标出来。 排阻的识别方法 在三位数字中，从左至右的第一、第二位为有效数字，第三位表示前两位数字乘10的N次方（单位为Ω）。 如果阻值中有小数点，则用“R”表示，并占一位有效数字。 标示为“0”或…000”的排阻阻值为OΩ，这种排阻实际上是跳线（短路线）。 一些精密排阻采用四位数字加一个字母的标示方法（或者只有四位数字）。 如标示为“2341”的排阻的电阻为234×10=2340Ω。 排阻具有方向性，与色环电阻相比具有整齐、所占空间少的优势。 上拉排阻：上拉是相对下拉来说的。
83430编辑于 2022-07-21 - 来自专栏RocksDB学习
RocksDB阻写
RocksDB有一个广泛使用的功能就是当flush或compact速度小于外部数据写入速度的时候可以阻写。 可以通过以下方法来判断你的DB是否存在阻写问题： 查看LOG文件，看是否有阻写的log输出； 查看LOG文件的Compatction状态，如下图： [WX20190930-175300@2x.png] 以下原因可能会导致阻写： memtable太多。 有一点值得注意，虽然写限速/阻塞配置和预计compaction数据量大小配置在每个colum family中，但阻写是针对整个数据库的，换句话说就是如果一个column family触发了阻写，那么整个数据库就会阻写 ） 如果阻写是由于level-0层有太多的文件或是预计compaction数据量太大，或是compaction速度赶不上写入速度。
2.4K20发布于 2019-09-30 - 来自专栏电气技术
什么是水阻柜液阻柜水电阻液态电阻起动柜
什么是水阻柜液阻柜水电阻液态电阻起动柜 作者：孟工 一、水阻的由来 水阻，顾名思义，即水电阻由于电动机直接起动时，起动电流会达到电机额定电流的 例如电机在10MW，则水阻柜主体可能达到10米*2米*4米。 此运力的水阻，电机连续启动时，启动特性差别不会很大，但是伺服电机等部件造成水阻为维护量略上升。 水电阻目前已经做到10MW以上，所以在我们目前所涉及的功率范围以上两种与变频配合使用，问题都不大。 “水阻起动信号”： 现一般的水阻柜，都是采用PLC控制，其中，水阻柜起动信号，取的是对应的开关起动柜的“断路器合闸状态”，也就是说，当开关柜的断路器合闸以后，水阻柜的PLC接收到信号后，就开始起动，如极板开始下移 即工频时，水阻仍正常起动，若变频时，则水阻柜不起动。 3、 水阻柜短接信号 变频改造前，水阻柜短接信号接收的是“下限位行程开关信号”。
1.2K60编辑于 2022-07-30 - 来自专栏阻容感
光颉科技AS系列抗硫化网络排阻：高可靠性电子系统的关键防护
光颉科技AS系列抗硫化网络排阻是一种单封装器件，内部包含由均质电阻元件组成的网络。该系列专为在含硫环境中工作而设计，能够有效抵抗硫化作用，确保电阻性能的稳定。 当电路布局中需要多个相同电阻时，采用AS系列抗硫化网络排阻不仅能带来使用上的便利，还能节省空间，是提升电路设计性价比的理想选择。
16910编辑于 2025-10-15 - 来自专栏阻容感
光颉科技CN系列网络排阻：微型化电子设计的高可靠性方案
光颉科技CN系列厚膜网络排阻是一种包含同质电阻元件网络的单封装器件，在多个相同电阻器应用的布局中，能带来便利，同时节省空间。 CN系列结构：图片CN系列降额曲线：图片CN系列命名规则：图片CN系列电气规格：光颉科技CN系列厚膜网络排阻，以其精密的集成设计、灵活的尺寸选择、以及基于钌基材料的卓越性能，为工程师提供了应对空间压缩和可靠性挑战的强有力工具
21610编辑于 2025-09-30 - 来自专栏机械之心
PCB阻焊是什么？
在这个标准里1级产品的阻焊膜厚度不限；2级产品的阻焊膜最低厚度为10m；3级产品最低厚度应为18m。 PCB阻焊的厚度标准一般要求;线条中间位置阻焊厚度一般不低于10微米，线条两侧位置一般不低于5微米，以前IPC标准有规定，现在好像不再作要求！具体还要看客户要求! 8、如表面贴焊盘间距大于10mil且绿油桥宽(设计)大于4.0mil时，不允许有绿油桥断裂现象。若阻焊工序制作出现异常不能达到上述要求则以下情况允收：每排绿油桥断裂数量在其9%范围内。 问题：曝光不良原因1：抽真空不良改善措施：检查抽真空系统原因2：曝光能量不合适改善措施：调整合适的曝光能量原因3：曝光机温度过高改善措施：检查曝光机温度（低于26℃） 问题：油墨烤不干原因1：烤箱排风不好改善措施 ：检查烤箱排风状况原因2：烤箱温度不够改善措施：测定烤箱实际温度是否达到产品要求温度原因3：稀释剂放少改善措施：增加稀释剂，充分稀释原因4：稀释剂太慢干改善措施：使用相匹配的稀释剂原因5：油墨太厚改善措施
2.9K00编辑于 2023-04-24 - 来自专栏硅光技术分享
什么是忆阻器？
前两天听AI芯片的报告，有位教授提到了基于忆阻器的AI芯片，今早刚好DeepTech深科技里报道了密歇根大学在这方面的进展（基于忆阻器的AI芯片）。 借此机会，小豆芽搜集了下相关资料，深入了解下忆阻器。 忆阻器，英文名为memristor, 该单词由memory+resistor各取一半构成，其同时具备电阻和存储的性能。 忆阻器由于存在电荷记忆功能，因此受到了广泛关注。 典型的基于memristor的神经网络结构为crossbar结构，如下图所示， ? 通过配置忆阻器的阻值，crossbar结构可实现矩阵的乘法运算。 以上是对忆阻器的简单介绍，认识比较肤浅，欢迎大家指正！ ---- 参考文献： D. Status Solidi A 215, 1700875(2018) 刘东青，“忆阻器及其阻变机理研究进展”
3.4K21发布于 2020-08-13 - 来自专栏C++
【排序算法】堆排、快排、归并排、各种排
1、堆 2、快排 颜色分类 颜色分类 class Solution { public: void sortColors(vector<int>& nums) { int i = 排升序，找cur2之前有多少个数比我大。 +] = arr[b2++]; for (int i = l; i <= r; i++) arr[i] = tmp[i]; return ret; } }; 排降序 int b1 = l, b2 = mid + 1, i = l; while (b1 <= mid && b2 <= r) { // 排降序
24810编辑于 2025-04-04 - 来自专栏技术进阶之路
Win10 下 SQL Server 安装教程（排坑版）
按照老师发的不知道几百年前的教程安装的，果然凉凉，到最后安装进度都快完成的时候，弹出提示框，提示“is not a valid login or you do have permission”。
2.9K10发布于 2020-07-31 - 来自专栏Lcry个人博客
Win10 操作系统命令窗口 cmd 排坑
win10命令行有一个很大的坑，今日我是遇见了，包括看了几个网上授课的视频都是一样的遇到的这种情况，下面就带大家一起排坑，主要是我们很多程序做测试需要后台运行，比如java -jar xxx.jar ， 这样子直接后台跑一个web项目，然后你会很神奇的发现有时候项目就直接卡到不动了，网页也无法访问，其实是下面这个原因： 当你打开了win10 cmd 命令行窗口运行，不要去选中黑窗体内的内容，一旦选中，其实这个时候程序是暂停状态 窗口标题中有出现 ‘选择’ 开头的代表程序是暂停状态，下面对比一下： 这个时候你在命令行窗口右击一下鼠标，窗口 ‘选择’没有了，程序继续运行了 希望对大家有帮助吧，一般用得多命令行应该知道，主要是win10 关键字：win10命令窗口不运行 ，win10窗口暂停了，命令行选择暂停
54521编辑于 2022-11-29 - 来自专栏脑电信号科研科普
脑间同步：道阻且长
近年来，动态脑间耦合机制的研究在社会神经科学领域掀起了风暴。特别是，脑间同步(IBS)是一种假定的神经机制，据说可以通过使多个大脑的功能整合来促进社会互动。在这篇文章中，我认为这一研究受到三个普遍和相互关联的问题的困扰。首先，该领域缺乏一个被广泛接受的IBS定义。其次，IBS需要能够指导实验设计和解释的理论。第三，在测试假设时，大量的任务和经验方法允许不适当的灵活性。这些因素共同削弱了IBS作为一个理论建构。最后，我将推荐一些可以解决这些问题的措施。
60330编辑于 2022-08-04 - 来自专栏电路分析
忆阻器科普知识
早期，忆阻器理论还没有出现，忆阻器典型 I-V 特征曲线被科研人员在 Ti O2、SiO2 等薄膜制备的三明治结构中观测到，但是没人知道这是什么现象。 根据形成导电细丝的机制，可分为：氧空位细丝型忆阻器金属细丝型忆阻器垂直结构 ：这种结构通过将活性层垂直排列来提高集成度。例如，基于CH3NH3PbI3(MAPbI3或OHP)的垂直结构忆阻器。 光电忆阻器 ：这类特殊结构的忆阻器结合了光电效应和阻变效应，实现了光控阻值调节。例如，基于二氧化铪(HfO2)和ZnO1-x/AlOy异质结的光电忆阻器。 PCRAM的一个独特优势是其 出色的耐久性 ，可以承受高达10^12次以上的写入/擦除周期，远超传统闪存的寿命 。PCRAM的另一个重要特性是其 快速切换速度 。 该系统利用动态忆阻器阵列实现并行储备池层，通过非易失性忆阻器阵列实现读出层，展示了在实时处理时空信号方面的优势 。
2K23编辑于 2024-11-07 - 来自专栏CreateAMind
忆阻器玩Atari游戏
这种趋势被构建现代神经网络中大量突触（从10^6到10^14）所加剧。此外，控制ST-Hebb突触动态的操作是内存绑定的，因此受到由物理上分离的内存和处理单元所施加的著名冯·诺伊曼瓶颈的负面影响。 100µs长的脉冲导致电导率短期增加，即短期可塑性（图1b中的功能5），其幅度取决于脉冲电压（分别为2、2.5和3V，分别为3、5和10nS），然后衰减。 由于所有操作的运行时间非常短，为了提高准确性，我们测量相应核心的10,000至200,000次执行所消耗的能量。 我们报告了k = 1024的能量消耗，该能量效率最高，并将其缩小到原始网络的大小（请参阅补充图S10b）。 为了提高准确性，每次测量结合了10,000次核心执行。与之前一样，我们报告了100次多次执行的中值，并估计了99%的置信区间。
40110编辑于 2024-04-26 - 来自专栏阻容感
光颉科技CNF系列汽车级网络排阻解锁汽车电子的微型化与高可靠性密码
今天，我们以光颉科技的CNF系列汽车级厚膜阵列贴片电阻（网络排阻）为例，为您深度剖析如何在选型过程中避开暗礁，实现高效可靠的电路设计。 电阻范围覆盖1Ω至10MΩ，公差精度可达±1%，温度系数（TCR）控制在±200ppm/℃以内。这些参数指标不仅满足了汽车电路对精密电阻的需求，还为后续的生产一致性提供了保障。
16810编辑于 2025-11-17 - 来自专栏NewBeeNLP
召回 粗排 精排，如何各司其职？
精排-最纯粹 精排是最纯粹的排序，也是最纯粹的机器学习模块。它的目标只有一个，就是根据手头所有的信息输出最准的预测。我们也可以看到，关于精排的文章也是最多的。 精排也是整个环节中的霸主，你在召回上的一个改进点，精排没有get到，那你这个改进点就不能在实际环境中生效。前面的环节想要做出收益，都得精排“施舍”。 粗排-略显尴尬的定位 相比于召回和精排，粗排是定位比较尴尬的。在有的系统里，粗排可以很丝滑的平衡计算复杂度和候选数量的关系。但是在有的例子中，粗排可能只是精排甚至召回的一个影子。 所以，粗排的模型结构大多数情况下都很像精排或者召回。 粗排是一个非常容易照本宣科的地方，因为粗排不是必需的环节。 如果你的候选数量非常少，那连召回都不需要了；如果你的精排能吃的下召回的输出，那可以考虑实验对比是不是需要粗排。但是假如不加粗排，总感觉欠缺点什么。
2.6K10发布于 2021-10-20 - 来自专栏信创系统开发
龙芯新世界之路，道长且阻
在上一篇《龙芯迷你主机，用来办公怎么样？》中，我分享了用龙芯迷你主机搭配统信 UOS 进行日常办公的体验。这一体验，半年时间就过去了。半年下来，总体感觉差强人意，搭配统信 UOS 系统，日常文档编辑、网页浏览、在线视频会议等常见办公任务运行稳定。但是由于生态起步阶段，多数软件尚未提供 LoongArch 原生版本，阵容不仅不及 x86，甚至还落后于 ARM 平台。作为 Linux 生态的重要补充 Wine 应用，在龙芯上存在很多兼容问题。
1K00编辑于 2025-05-01 - 来自专栏嵌入式随笔
MDIO接口中的高阻态
本文介绍MDIO中的高阻态及其含义。 MDIO接口包括两根信号线：MDC和MDIO，通过它，MAC层芯片（或其它控制芯片）可以访问物理层芯片的寄存器（前面100M物理层芯片中介绍的寄存器组，但不仅限于100M物理层芯片，10M物理层芯片也可以拥有这些寄存器 OP：帧操作码，比特“10”表示此帧为一读操作帧，比特“01”表示此帧为一写操作帧。 TA：状态转换域，若为读操作，则第一比特时MDIO为高阻态，第二比特时由物理层芯片使MDIO置“0”。若为写操作，则MDIO仍由MAC层芯片控制，其连续输出“10”两个比特。 高阻态这是一个数字电路里常见的述语，指的是电路的一种输出状态，既不是高电平也不是低电平，如果高阻态再输入下一级电路的话，对下级电路无任何影响，和没接一样。 电路分析时高阻态可做开路理解。
1.4K42编辑于 2022-05-11 - 来自专栏硅光技术分享
跨阻放大器TIA简介
TIA的全称是Transimpedance amplifier, 即跨阻放大器。先从字面上理解下，amplifier比较好理解，就是放大器，例如对电压放大。 由于是将电流放大为电压，增益定义为输出电压除以输入电流，增益的单位是电阻，因此将这种类型的放大器称为跨阻放大器。
16K43发布于 2020-08-14 - 来自专栏司钰秘籍
存内领域前沿,基于忆阻器的存内计算----浅析忆阻存内计算
新型的忆阻器包括磁效应忆阻器 、相变效应忆 阻器和阻变效应忆阻器等。 其中 ，阻变效应忆阻器 包含了基于阴离子的氧空位通道型阻变忆阻器和基 于阳离子型的导电桥型忆阻器(conductive bridging RAM, CBRAM)两类。 二.忆阻器的分类 1.磁效应忆阻器 磁效应忆阻器是一种利用磁场对电阻状态进行控制的忆阻器。它通常由磁性材料和电极组成，通过改变磁场的强度或方向来改变忆阻器的电阻值。 对于阻变效应忆阻器导电细丝的生长和断裂是导致阻值发生变化的关键机制之一。刚制备好的阻变效应忆阻器处于初始阻态 ，一般是高阻态 ，还没有阻变特性。 两个器件来实现 ，其运算结果均直接存储在器件中 ，如 图 10 所 示 。
2.8K12编辑于 2024-04-04 - 来自专栏c/c++
数据结构——lesson10排序之插入排序
图解如下： 每次取一个数与前面的数比较，直到找到合适的位置 1.2代码实现如下 // 插入排序 void InsertSort(int* a, int n) { //排n-1趟 for (int
22210编辑于 2024-03-24
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