- 综合排序
- 最热优先
- 最新优先
- 来自专栏计算机工具
一、什么是射频识别?二、射频识别系统组成及工作原理三、射频识别系统分类四、RFID与物联网
二、射频识别系统组成及工作原理 1、射频识别系统组成 射频识别系统主要由三部分组成：标签、天线、阅读器。此外，还需要专门的应用系统对阅读器识别做相应处理。 3)天线：标签与阅读器之间传输数据的发射、接收装置。 图2 阅读器获得读写指令 图3 阅读器射频调制器将信号发送到天线 图4 天线询问标签 图5 天线将获得的标签信息回传 此外，按照读写器与标签之间射频信号的耦合方式，可以把它们之间的通信分为：电感耦合和电磁反向散射耦合 2、高频射频标签 高频段射频标签的工作频率一般为3MHz～30MHz。典型工作频率为13.56MHz。 3、UHF、微波射频标签 超高频与微波频段的射频标签简称为微波射频标签，其典型工作频率有433.92MHz、862(902)MHz～928MHz、2.45GHz、5.8GHz。
4.3K10编辑于 2024-12-17 - 来自专栏JNing的专栏
硬件: RFID (射频识别)
Introduction 本节摘自Wikipedia-射频识别： 射频识别（英语：Radio Frequency IDentification，缩写：RFID）是一种无线通信技术，可以通过无线电讯号识别特定目标并读写相关数据 ，而无需识别系统与特定目标之间建立机械或者光学接触。 与条形码不同的是，射频标签不需要处在识别器视线之内，也可以嵌入被追踪物体之内。 许多行业都运用了射频识别技术。将标签附着在一辆正在生产中的汽车，厂方便可以追踪此车在生产线上的进度。 射频识别的身份识别卡可以使员工得以进入建筑锁住的部分，汽车上的射频应答器也可以用来征收收费路段与停车场的费用。 某些射频标签附在衣物、个人财物上，甚至于植入人体之内。 应用范围 本节摘自射频识别技术： 射频门禁 电子溯源 食品溯源 产品防伪 ---- [1] Wikipedia-射频识别 [2] 射频识别技术
1.2K20发布于 2018-09-27 - 来自专栏iRF射频前端产业观察
射频半导体 （MMIC） 入门
除了用于计算技术的微处理器外，它们还用于几乎所有有源无线通信系统，包括手机信号塔、手机、雷达和卫星等。Mini-Circuits设计和生产用于许多此类应用的基于半导体（MMIC）的组件。 相比之下，金属没有带隙，在绝缘体中，它被任意定义为大于3至4eV。 例如，横截面为50μm x 100 μm的3mm长晶体上的1μA电流所需的电压为1.38kV，这太高了。 与金属相比，硅在室温下的自由电子为1.5 x 10^(5)/ cm3，而金属为10^(28)/ cm3，低许多数量级。 化合物半导体可以通过组合第3族（三价电子）和第5族（五价电子）形成，从而平均每个原子产生4个价电子。
2.9K10编辑于 2022-05-16 什么是无线射频检测？
无线射频（RF）检测通过无线电和电子通讯设备检测，确保设备对无线频谱的有效使用，不会干扰到其他用户使用无线频谱。 无线射频测试技术包括Wi-Fi、Zigbee、集群通信（PMR）无线电、无线射频识别（RFID）、近场通讯（NFC）、全球定位系统（GPS）、移动电话技术等。 通常还需要进行其他检测，以验证您的设备符合当地的电磁兼容性(EMC)电气安全以及无线射频暴露的法规要求。 无线射频检测为何如此重要？ 在大多数国际市场，包括欧盟、美国、加拿大、澳大利亚和日本等国家，无线射频合规是一项强制性要求。若您生产无线设备或将无线设备集成到您的终端产品中，须遵守目标市场的规定，否则您的产品将无法合法销售。 无线射频测试还可以早期检测问题，帮助品牌避免昂贵返工并快速进入全球市场。
30510编辑于 2024-11-20- 来自专栏物联网思考
ble 40个射频通道
射频通道，编号0-39，每个2M，分为广播通道和数据通道，广播通道是37,38,39，其余都是数据通道。 ——————END——————
69120发布于 2021-10-09 - 来自专栏iRF射频前端产业观察
《破局射频前端》之一:射频架构简史和价值量分析
前言 前作《5G射频前端的挑战和商业机会》，主要演绎了射频前端各种不同半导体工艺和产品类别的故事。详情请参考iRF射频前端产业观察公众号。 从2G、3G、4G到5G 射频架构 为了简单起见，上图忽略了史前时代，分立的GSM PA的架构，同时在2014年4G初期的MMMB PA+ASM架构也做了省略。 实例分析 这款三星3G手机，采用高通骁龙MSM8260/8660处理器，发布于2012年。上图介绍说明支持LTE，应该是笔误。同款处理器，应该也被雷布斯的初代小米采用。 这部诺基亚N8 3G手机发布于2010年，是当年街头最靓的仔。图中蓝色和紫色部分，就是所有的射频前端了。非常简洁。 射频架构 中高端5G手机射频架构 中低端5G手机射频架构 实例分析 5G中高端射频架构赏析 5G中低端架构赏析（图片来自ewisetech） 价值量分析 单机价值量趋势 相同制式手机的射频单机价值量
1.2K20编辑于 2022-05-16 - 来自专栏集成电路IC测试座案例合计
射频IC测试：射频变压器工作原理及测试座解决方案
应用场景射频变压器广泛应用于电子电路中，主要用于：1. 阻抗匹配：实现最大功率传输并抑制信号反射；2. 电压/电流变换：信号放大或衰减；3. Z2=Z3=N2Z12Z_2=Z_3=\frac{N^2Z_1}{2}Z2=Z3=2N2Z1时，可实现理想的功率分配。 Figure 1c Transformer with Center-tapped Secondary鸿怡电子的射频芯片测试座在此类测试中可提供：· 精准阻抗匹配：支持50Ω/75Ω系统校准，确保测试结果可靠性 射频变压器的性能依赖精密设计与严格测试。鸿怡电子的射频芯片测试座通过以下技术优势，成为工程师的理想选择：1. 宽频带覆盖：DC-18GHz兼容主流通信标准；2. 高稳定性：温度漂移<0.1dB（-40℃~85℃）；3. 自动化集成：支持ATE系统对接，提升产线效率。如需进一步了解射频芯片测试解决方案，可访问鸿怡电子官网获取技术白皮书。
40210编辑于 2025-06-03 - 来自专栏ElecDeveloper
射频&天线设计-802.11初识
中心频率范围2.412-2.484GHz 每个信道有效带宽20MHz，实际带宽22MHz，2MHz为隔离频带 相邻信道中心频点间隔5MHz(14信道除外),相邻的多个信道存在频率重叠，互不干扰的信道每组只能找到3个
1.6K30发布于 2021-08-18 TDK收购QEI射频功率业务
QEI 设计和制造先进的射频发生器和阻抗匹配网络，用于半导体生产中的关键等离子体处理。 通过此次资产收购，TDK 巩固了其在快速增长的半导体设备市场（数字化转型的关键推动力）中的地位，并增强了其对整个 AI 生态系统的贡献。 通过添加 QEI 的射频功率解决方案，TDK 为沉积和刻蚀等工艺增加了客户的价值。 “我们很高兴欢迎 QEI 才华横溢的射频团队加入 TDK，”TDK-Lambda Americas 总裁兼首席执行官 Jeff Boylan 说。 “QEI 灵活的射频技术与我们领先的直流产品相结合，使我们能够为半导体等离子应用提供先进、高质量的电源解决方案，为这个超过10亿美元的射频市场打开大门。
7400编辑于 2026-03-19- 来自专栏FreeBuf
射频技术（RFID）的安全协议
3）当阅读器收到metaID后通过计算机网络传输给后台应用系统。 4）因为后台应用系统的数据库存储了合法标签的ID、metaID、key，metaID也是由hash（key）得来。 3）阅读器向后台应用系统数据库发送获得存储的所有标签IDj的请求。 4）后台应用系统接收到阅读器的请求后将数据库中存储的所有标签ID（all IDj）都传输给阅读器。 3）阅读器收到电子标签发送来的H（kt，1）继而转发给后台应用系统。 3）阅读器接到电子标签发送过来的H（ID），H（TID*ID）、△TID，继而发送给后台应用系统。 3）阅读器电子标签发送过来的数据（RT，a）转发给后台应用系统。
3.5K90发布于 2018-02-02 - 来自专栏ElecDeveloper
射频&天线设计-dB知多少
在调试射频输出功率时经常听到“相差多少dB”，刚入门的话听得一脸懵逼，当然这种通俗单位别人也懒得跟你解释。 射频相关工作中常遇到W、mW、dB、dBm、dBW、dBc、dBi、dBd，总结如下： 1、dBm是一个表征功率绝对值的值，以1mW作为基准单位： 当发射功率P1=1mW，则换算为0dBm。 需要记住几个特殊值： 30dBm = 1W = 0dBW +3dB，功率乘2倍；-3dB，功率乘1/2。 3dB统称半功率点 +10dB，功率乘10倍；-10dB，功率乘1/10 dBm和W转换简单记忆公式：以0dBm = 0.001W为基准，左边+10=右边X10，左边+3=右边X2。 3、dBc一般相对于载波功率来说，用来度量和载波功率的相对值。用来度量干扰（同频干扰、互调干扰、交调干扰、带外干扰等以及耦合、杂散等的相对量值。
1.1K20发布于 2021-08-19 - 来自专栏全栈程序员必看
3分钟学习下射频放大器基础知识
射频放大器，根本上是我们射频系统中的正反馈系统，一般位于发射链路上。由于考虑无线传输的链路衰减，发射端需要辐射足够大的功率才能获得比较远的通信距离。 因此，射频放大器主要负责将功率放大到足够大后馈送到天线上辐射出去，是通信系统中的核心器件。 那么对于如此重要的器件来说，射频放大器又有哪些主要类型呢？ 3）按电流导通角分类 按照电流导通角，射频功率放大器可以分为A类、AB类、B类、C类、D类、E类等。这些类别区别大家可以参见如下的表格 放大器的分类中，我们经常说的还是按导通角分的A到E类的放大器。 因此功放的效率对于整个系统的效率来讲极为重要。 功率效率是功放的射频输出功率与供给晶体管的直流功率之比。 三阶交调截止点（IP3） 图2中基波信号输出功率延长线与三阶交调延长线的交点称为三阶交调截止点，用符号IP3表示。 IP3也是功放非线性的重要指标。
1.1K20编辑于 2022-07-22 - 来自专栏iRF射频前端产业观察
战略分析：射频前端市场放缓
战略分析：射频前端市场放缓 战略分析新闻稿 Strategy Analytics今日表示，2018年和2019年，射频（RF）前端组件市场保持平稳，2020年将保持平稳，尽管公司和分析师经常宣称 ，4G和5G的射频技术将实现无节制的增长。 战略分析射频和无线组件报告“功率放大器和射频前端市场份额和预测更新”表明，智能手机销售放缓、原始设备制造商抵制更高的材料账单、贸易紧张局势和中国经济放缓一起阻止用于移动电话和其他移动用户设备的射频前端组件的销售增长 除此之外，射频组件供应商还必须继续提高性能，开发新产品以支持5G设备更高的频带和更高的射频复杂度。 我们仍然乐观地认为，随着5G移动设备的快速增长，以及新射频组件的生产成本随着产量的增加而开始下降，增长将恢复。”
37710编辑于 2022-05-16 - 来自专栏iRF射频前端产业观察
5G射频前端架构
原文参考www.skyworksinc.com
27310编辑于 2022-05-16 - 来自专栏ElecDeveloper
射频&天线设计-Г、RL、VSWR、S
3、部分反射：传输线终端接其他负载时，部分传播信号被反射回入射端，传输线上形成行驻波。反映在史密斯圆图上就是偏离原点的某个点： ? 对于阻抗匹配的解说可以查看《射频&天线设计-阻抗匹配》。 六、S参数 S参数是建立在入射波和反射波关系基础上的网络参数，用于微波射频电路的分析，以器件端口的反射信号以及从该端口传向另一端口的信号来描述微波网络，具体定义如下： S11 = 输入端反射系数（输入匹配 ρ = (VSWR-1)/(VSWR+1) 关系速查表： VSWR 反射系数 回波损耗 反射功率 1 0 +∞ 0 1.5 0.2 14.0 4% 2 0.33 9.5 11.1% 3
3.1K30发布于 2021-08-18 - 来自专栏ElecDeveloper
射频&天线设计-Smith应用实例
一、前言 关于Smith圆图的由来及知识点总结和软件获取请查阅《射频&天线设计-Smith圆图》。 通常都是使用“Keyboard”输入阻抗点，如果要插入某个串并联器件，直接点击如下位置就行： 三、举个栗子 假设要求系统工作在2.4GHz，50Ω阻抗匹配条件下，且源端阻抗Zs=25-j15，负载端阻抗 有幸与村田和顺络的伙伴进行线下合作交流，让他们把自己的主推高频射频电感电容汇列成表给我，后面整理好可以分享出来。
1.5K20发布于 2021-08-19 - 来自专栏iRF射频前端产业观察
DSMBGA让射频前端更多创新
随着 5G 的推出，蜂窝频段显著增加，需要创新的解决方案来包装用于智能手机和其他支持 5G 的设备的射频前端模块。双面成型球格栅阵列 （DSMBGA） 是此类解决方案的一个最佳示例。 应用领先的 3D 组件放置和双面成型设计规则，以及顺从和隔间屏蔽以及在线 RF 测试，在高产量制造工艺中以小形式因素提供一流的集成水平。 1 Yole技术与市场分析师安托万•邦纳贝尔（Antoine Bonnabel）表示："随着5G的到来，频率发生了变化，在FR1中增加了3GHz以上的频率波段，在FR2中增加了毫米波。 集成使用系统在包（SiP）允许客户设计，调整和测试RF子系统，允许减少设计迭代和加速上市时间。 双面包装技术提高了智能手机和其他移动设备中使用的 RF 前端模块的集成水平。 https://amkor.com/dsmbga 引用： 5G智能手机包装趋势2021年报告，约尔·德维洛普，2021年 移动手机手机手机RF前端技术2021年报告，约勒Développment，2021年 射频前端产业观察
81810编辑于 2022-05-16 - 来自专栏ElecDeveloper
射频&天线设计-阻抗匹配
直流电阻(DCR)：匹配不希望引入损耗，所以选择寄生电阻小的电感 3. 精度：精度选择越高越好，否则在大批量生产时设计容差性能不好 4.
3.8K41发布于 2021-08-18 - 来自专栏ElecDeveloper
射频&天线设计-Smith圆图
一、Smith Chart 史密斯圆图是Phillip Smith发明的用于简化各种系统和电路的阻抗匹配电路计算的一种图形化工具，其建立在反射系数复平面（Гr，Гi）上，由阻抗圆图、导纳圆图和等反射系数圆叠加而成 史密斯圆图所表示的阻抗是把实际阻抗相对于系统的特性阻抗Z0进行归一化处理后得到的归一化阻抗和归一化导纳。
3.9K31发布于 2021-08-19 - 来自专栏全栈程序员必看
射频资料型号：RC522_RFID射频模块资料原厂代码PCB相关参考资料
发布者：全栈程序员栈长，转载请注明出处：https://javaforall.cn/159366.html原文链接：https://javaforall.cn
27410编辑于 2022-09-14
腾讯云开发者
Copyright © 2013 - 2026 Tencent Cloud. All Rights Reserved. 腾讯云 版权所有
深圳市腾讯计算机系统有限公司 ICP备案/许可证号：粤B2-20090059 
粤公网安备44030502008569号
腾讯云计算（北京）有限责任公司 京ICP证150476号 | 京ICP备11018762号