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无法停止usb大容量存储设备_大容量存储重启后就被禁用
需求：最近由于操作设置本机电脑组策略禁用可移动存储设备后，恢复不了 USB大容量存储设备禁用后恢复不了问题解决方案： 1：网上一大群所谓的知识分支提供了几乎拷贝的一致的答案：注册策略恢复设置
3K10编辑于 2022-11-08 - 来自专栏全栈程序员必看
弹出USB大容量存储设备时出问题_win10无usb大容量存储
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1.4K20编辑于 2022-11-08 - 来自专栏John Wong's Blog
Linux对大容量磁盘分区
起始结束按要求,然后Ignore忽略警告 ,,, 其中 结束点可以使用百分比, 比如100%,,来代表使用剩余的空间 注意, 分第一个分区时,最好使用分区对齐,否则会出现警告,对齐方法(可能会损失几M容量
3.8K20编辑于 2021-12-23 - 来自专栏存储公众号：王知鱼
【合集】深入理解大容量SSD设计
更进一步，文章着眼于大IU落地应用的生态环境，解析了NVMe、OCP等行业标准在推动大IU技术发展中的作用，以及主机操作系统层面为适配大IU SSD所做的努力。 尽管如此，对于大容量的固态硬盘，将存储空间划分为子驱动器并在其内部进行磨损管理，可以提供一种管理驱动器寿命的方法。 这种方法的主要目的是在单个驱动器内部更精细地管理磨损，尤其是在大容量固态硬盘中，避免某些区域过度使用。子驱动器的存在和管理通常对主机系统是透明的，固态硬盘控制器在内部处理数据的分配和映射。 数据管理职责 主要由固态硬盘控制器负责 部分数据管理（例如，空间回收策略）转移到主机端 标准化 通常是厂商特定的内部实现 是一个行业标准接口，旨在实现更好的主机和存储设备之间的协作 适用场景 主要用于优化大容量固态硬盘的内部管理 Cite Samsung 在大IU生态落地的创新，除了LBS 的设计，在之前整理的一篇文章中曾提出 大块内存的抽象管理 folio，可参考阅读下文： Samsung：从QLC应用生态来看大容量SSD前景
95510编辑于 2025-04-24 - 来自专栏QB杂货铺
nor flash之频率限制
背景 支持一款nor flash时，出于性能考虑，一般会查看其nor支持的最高频率以及主控端spi控制器的最高频率，以选择一个合适的运行频率。 主控端的最高频率，可以查看主控的规格书，本文主要说下nor的频率限制。 让我们带着问题出发，假设我们的主控端最高spi clk为100M，那该怎么识别nor的限制，驱动又可以怎么处理？ 正确识别频率限制 让我们打开nor的规格书，搜索 "freq", 很容易看到104M， 133M之类的字样 。 看来我应该把标题取成 “震惊，nor flash最慢的一条命令竟然是...” 那下面的fT和fQ标注的84M又是什么意思？ 多看几款规格书，我们就可以发现，READ并不孤单，有些nor flash，不止READ跑不到100M，读ID之类的命令也跑不到100M。
1.8K10发布于 2020-01-02 - 来自专栏QB杂货铺
nor flash之写保护
下主面要介绍下nor flash写保护，这个是可以在驱动层面做的。 nor写保护 写保护是nor提供的功能，即可以通过配置一些寄存器，将某些区域保护起来。 BP保护 大多数nor flash支持使用BP位来配置写保护，这种保护的特点是其保护的数据是成片的，一般是从flash头部开始的一片数据，或者从flash尾部开始的一片数据。 不同厂家的保护bit设置都不太一样，涉及到BP bit，SEC bit, CMP bit等，每适配一款新的nor，都得重新查下规格书才行。
3.1K10发布于 2020-02-12 - 来自专栏嵌入式与Linux那些事
17.NOR FLASH驱动
flash的物理基地址 .end = CONFIG_MTD_PHYSMAP_START + CONFIG_MTD_PHYSMAP_LEN - 1,//nor flash的容量长度 .flags map.phys = dev->resource->start;//物理基地址 info->map.size = dev->resource->end - dev->resource->start + 1;//容量长度 设置: 物理基地址(phys), 大小(size), 位宽(bankwidth), 虚拟基地址(virt) */ s3c_nor_map->name = "s3c_nor"; s3c_nor_map ->phys = 0; s3c_nor_map->size = 0x1000000; /* >= NOR的真正大小 */ s3c_nor_map->bankwidth = 2; s3c_nor_map ->virt = ioremap(s3c_nor_map->phys, s3c_nor_map->size); simple_map_init(s3c_nor_map); /* 3.
1.1K20发布于 2021-05-20 - 来自专栏IT技术精选文摘
高并发大容量NoSQL解决方案探索
到21世纪，DT时代让数据容量成为最棘手的问题，对此谷歌和亚马逊分别提出了自己的NoSQL解决方案，比如谷歌于2006年提出了Bigtable。 Replication能解决读的扩展性问题和HA（高可用），但是无法解决读和容量的扩展性。而Sharding可以解决读写和容量的扩展性。一般NoSQL解决方案都是将二者组合起来。 后来我们对它进行功能性补充，便没有遇到大的问题。 下图是个推运维平台。 ? 第一个是IT硬件资源平台，主要维护主机维度的物理信息。 grafana监控系统聚合了多个IDC数据，我们运维每天只需看一下大屏就够了。 Slatstack，用于实现自动化发布，实现标准化并提高工作效率。 Redis3主从重置的概率比Redis2大大减少，Redis4支持节点重启以后也能增量同步，这是Redis本身进行了很多改进。 ? 我们现在主要使用的是2.8.20,属于比较容易能产生主从重置。
1.1K30发布于 2018-06-22 - 来自专栏韦东山嵌入式
Linux NOR 开发指南
Linux NOR 开发指南 1 简介 编写目的 此文档描述Sunxi NOR 模块的使用方法，为相关人员调试提供指导 适用范围 boot0: 适用于brandy-2.0 u-boot: 适用于 Framework：这层主要是处理不同厂家的NOR 物理特色差异，初始化SPINOR的工作状态，如工作线宽（1 线、2 线、4 线、8 线）、有效地址位（16M 以上的NOR 需要使用4 地址模式）， 对应代码目录：drivers/mtd/spi-nor/spi-nor.c M25P80（generic SPI NOR controller driver）：这层主要对SPI NOR Framework //配置根据需求选择 All available flash: //flash类型，只区分nor和非nor方案，Android方案无此选项，默认非nor 0. default 1. nor Choice ├─spi-nor.c ---spi nor驱动代码 └──其他 ├── spi --spi的接口代码 └── makefile ---编译文件 版 3 接口描述 3.1 驱动物理层接口 3.1.1
1.6K20编辑于 2023-02-24 - 来自专栏全栈程序员必看
win10系统无法识别usb大容量移动硬盘_电脑没有usb大容量存储设备选项
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4.7K20编辑于 2022-11-10 - 来自专栏原创
高并发大容量NoSQL解决方案探索
到21世纪，DT时代让数据容量成为最棘手的问题，对此谷歌和亚马逊分别提出了自己的NoSQL解决方案，比如谷歌于2006年提出了Bigtable。 Replication能解决读的扩展性问题和HA（高可用），但是无法解决读和容量的扩展性。而Sharding可以解决读写和容量的扩展性。一般NoSQL解决方案都是将二者组合起来。 后来我们对它进行功能性补充，便没有遇到大的问题。 下图是个推运维平台。 ? 第一个是IT硬件资源平台，主要维护主机维度的物理信息。 grafana监控系统聚合了多个IDC数据，我们运维每天只需看一下大屏就够了。 Slatstack，用于实现自动化发布，实现标准化并提高工作效率。 Redis3主从重置的概率比Redis2大大减少，Redis4支持节点重启以后也能增量同步，这是Redis本身进行了很多改进。 ? 我们现在主要使用的是2.8.20,属于比较容易能产生主从重置。
1.2K80发布于 2018-06-20 - 来自专栏QB杂货铺
nor flash之擦除和写入
最近研究了下nor flash的掉电问题，对nor的掉电有了更多的认识。总结分享如下 擦除从0变1，写入从1变0 nor flash的物理特性是，写入之前需要先进行擦除。 多次写入的例子 在uboot中就有一个利用nor这个特性的例子。当使用了冗余env功能时，flash上会维护两份env，我们记为envA和envB吧。 对此uboot支持几种策略，其中一种可适用于nor的策略FLAG_BOOLEAN，uboot会在env的头部结构中，使用了一个字节flags来表示其是否有效。 写入过程掉电 对于nor来说，一次写入可以连续写256 bytes，那如果在中途发生了掉电，再次上电后读出来的数据会是什么样的呢？ 当写入一笔数据时，nor就是按顺序写入的，掉电后的数据特征为前面部分数据是正确数据，后面部分数据是0xFF。前后的交界点并未对齐到256 bytes。
5.6K20发布于 2020-02-18 - 来自专栏nginx
NAND NOR FLASH闪存产品概述
NAND NOR FLASH闪存产品概述 随着国内对集成电路，特别是存储芯片的重视，前来咨询我们关于NOR Flash，NAND Flash，SD NAND, eMMC, Raw NAND的客户越来越多了 E2PROM，NOR，NAND 3类，他们框架如下： 一，E2PROM 容量非常小，目前存在于一些MCU内部，遥控器，电风扇等小家电里。 主流是SPI NOR接口; 主流容量:1Mbit~128Mbit; 封装：SOP-8居多，也有更小的；尺寸也都比较小。 NOR Flash架构决定了它的容量不能做大，而且读取速度比较慢。 买笔记本是买256GB，还是512GB容量的硬盘呢？（目前电脑大部分采用了基于NAND Flash产品的固态硬盘）。 目前我们主流的消费类电子产品使用的大容量产品，基本都是TLC/QLC了。比如手机，笔记本里的固态硬盘。 3.2 生产工艺 目前主要有2D和3D。主流生产工艺已经升级到3D了。
32210编辑于 2025-11-14 - 来自专栏QB杂货铺
nor flash之写保护开销
之前有介绍过写保护，这里就不赘述了，可参考：https://www.cnblogs.com/zqb-all/p/12182920.html 但没有谈到开销，今天有同事问起，便记录一下 性能 不考虑写保护的nor
1.1K20发布于 2020-02-18 - 来自专栏量子位
磁带非但没被淘汰，容量还比硬盘大了？？？
IBM和富士胶片一项技术突破显示，他们已找到方法将单盒磁带容量提升到580TB。 这大约等同于12万张DVD存储量，放256GB的SD存储卡上，能装满2320张。 不少人印象中，磁带分AB面，得两部分加起来才存得下一张港台专辑，容量连CD也没法比，再加上速度慢体积大等缺点，相信很多00后都没见过（暴露年龄系列）。 怎么不仅没被淘汰，反而突然能存这么多数据了？ △ 现代磁带库 图源：spectrum.ieee.org 磁带另一大好处是耐操不易损坏，一盘磁带从高处落下不大影响其数据存储，相比之下，硬盘等介质的环境适应性较差。 即使近些年，磁带容量仍以大约每年33%速度增长，大约两到三年翻一倍，业内也有人将其称为磁带摩尔定律，背后都是这些公司在发力。 当然，蓝色巨人IBM在其中扮演了突出角色。
86520编辑于 2022-12-08 带你了解NAND NOR FLASH闪存
E2PROM，NOR，NAND 3类，他们框架如下： 一，E2PROM 容量非常小，目前存在于一些MCU内部，遥控器，电风扇等小家电里。 主流是SPI NOR接口; 主流容量:1Mbit~128Mbit; 封装：SOP-8居多，也有更小的；尺寸也都比较小。 NOR Flash架构决定了它的容量不能做大，而且读取速度比较慢。 目前我们主流的消费类电子产品使用的大容量产品，基本都是TLC/QLC了。比如手机，笔记本里的固态硬盘。 3.2 生产工艺 目前主要有2D和3D。主流生产工艺已经升级到3D了。 主流是SPI NOR接口; 主流容量:1Mbit~128Mbit; 封装：SOP-8居多，也有更小的；尺寸也都比较小。 NOR Flash架构决定了它的容量不能做大，而且读取速度比较慢。 目前我们主流的消费类电子产品使用的大容量产品，基本都是TLC/QLC了。比如手机，笔记本里的固态硬盘。 3.2 生产工艺 目前主要有2D和3D。主流生产工艺已经升级到3D了。
94501编辑于 2025-06-27- 来自专栏存储公众号：王知鱼
Samsung：大容量QLC-SSD 的若干问题
不同的容量点展示了不同形态的 SSD 产品，反映了技术的演进。 Cite 支撑SSD容量增长的技术 增加L2P表位数：通过增加逻辑到物理（L2P）表中每个条目的位数，可以直接扩大SSD支持的最大容量。 LBS 技术对大容量QLC-SSD的增益 图片对服务级别协议（SLA）进行了预测，特别关注大块大小（LBS）对重构时间（对可用性至关重要）的影响。 Cite • 《Samsung：大IU落地的应用生态（LBS实践）》 文章主要内容 • LBS技术背景：文章深入探讨了SSD架构设计中面临的挑战，特别是在逻辑块地址（LBA）与内部单元（IU）大小匹配问题上的权衡 • LBS技术原理：LBS技术通过在主机操作系统层面启用大块大小，更好地支持QLC和使用大IU的SSD。 #数据存储趋势 #大容量QLC 原文标题：Impact of High Capacity and QLC SSD Notice：Human's prompt, Datasets by Gemini-2.0
1.1K10编辑于 2025-05-06 - 来自专栏存储公众号：王知鱼
Samsung：从QLC应用生态来看大容量SSD前景
随着对大容量需求的增长（64TB、128TB、256TB），传统的4KB或512B LBA格式已不再能满足要求，因此提出了使用更大的Indirection Units（IUs）。 数据放置（Data Placement）提供灵活的存储解决方案，提升存储设备在QLC和高容量环境中的表现。 本文主要探讨大容量QLC存储实践过程的上述两个方向的最新进展。 对大容量存储（64TB、128TB、256TB）的需求推动更大的间接单元（IU） 垃圾回收（GC）可以在更大的粒度上工作 OCP智能健康日志页面 0xC0 SMART-21 记录了未对齐的IU写入 基于操作系统的运行时追踪 (2) 大 IU 对垃圾回收和磨损均衡的优化 较大的 IU 有助于垃圾回收（GC）在更大粒度上工作，从而减少 Block 擦除的频率。 (3) 高容量 SSD 的趋势 随着 SSD 容量的增加（如 64TB、128TB），传统的 4KB LBA 已无法满足性能和功耗需求： 更大的 IU（如 16KB 或 32KB）逐渐成为标准，以适应更高的容量和性能要求
85710编辑于 2025-02-11 - 来自专栏老张的求知思考世界
浅谈容量测试与容量规划
在性能测试中，需要根据具体的性能需求和系统架构等情况，采用不同的测试策略，其中最常见的策略就有容量测试。这篇文章，就来聊聊容量测试以及容量规划的一些内容。。。 一、什么是容量？如何理解？ 2、如何理解 ①、系统的容量（处理能力）是有限的； ②、容量是可度量的； 二、如何统计容量指标？ 三、容量测试 容量测试是性能测试里的一种测试方法，它的目的就是测量系统的最大容量，为系统扩容，性能优化提供参考，节省成本投入，提高资源利用率。 ，一般吞吐量和IO是比较关注的指标； 四、容量规划 1、为什么需要容量规划？ （比如双十一，大促，秒杀） ②、为了双 11 、促销、秒杀、渠道拓展引流等业务需求，需要扩充到什么数量级的服务，才能即保证系统的可用性、稳定性，又能节约成本？
4K10发布于 2019-12-02 - 来自专栏嵌入式开发圈
NAND FLASH 和NOR FLASH的区别
NOR的传输效率很高,在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。 应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。 NAND闪存的容量比较大，目前最大容量己经达到8G字节。 从使用角度来看，NOR闪存与NAND闪存是各有特点的：(1)NOR的存储密度低，所以存储一个字节的成本也较高，而NAND闪存的存储密度和存储容量均比较高； (2)NAND型闪存在擦、写文件（特别是连续的大文件 使用选择 一般的原则是：在大容量的多媒体应用中选用NAND型闪存，而在数据/程序存贮应用中选用NOR型闪存。
3.9K10发布于 2019-07-04
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