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ESD与EOS（surge）防护器件选型
ESD保护能力等级评估： ESD选型重要参数： A：钳位电压：决定保护系统的能力。 注意：图中表的+6KV时候的钳位电压为11.5V，放在现在相当于+8KV的钳位电压。
1.9K20编辑于 2022-08-29 - 来自专栏云深之无迹
智能戒指器件选型-勇芯Chiplet芯片
可以看到层数变少了，也好焊接了，主要是器件少了，不怕拉不通线了 这个WLCSP是真的小，手焊就不大可能 他们给出了合封，其实就是SIP的哪一套： 可以看到有一些是不认识的 这个框图太眼熟了 Nordic Apollo系列采用亚阈值功率优化技术（SPOT）平台为基础，运行功耗可低至6uA/MHz，是全球同类产品中运行功耗最低的微控制器。
37510编辑于 2025-02-25 - 来自专栏单片机爱好者
一篇很完整的元器件选型指南
一、元器件选型基本原则 a、普遍性原则： 所选的元器件要是被广泛使用验证过的，尽量少使用冷门、偏门芯片，减少开发风险。 g、资源节约原则： 尽量用上元器件的全部功能和管脚。 芯片的选型过程是对各个维度考量的折衷。 ? 二、全流程关注芯片属性 1、我们在选型的时候，需要考虑试产的情况、同时需要考虑批量生产时的情况。 导致产品刚上量，就大量囤积库存芯片，并且寻找中国台湾的小厂进行器件替代。 所以在器件选型的时候，充分体现了“人无远虑必有近忧”。 3、除了考虑功能和实验室环境，还需要考虑整个生命周期的场景。 如果产品对芯片体积要求不严格，选型时最好选择QFP封装。 6.芯片的可延续性及技术的可继承性 目前，产品更新换代的速度很快，所以在选型时要考虑芯片的可升级性。 ARM器件的业界生态环境比较好，有多家芯片供应商可以提供ARM器件，选型必须经过多家对比分析和竞争评性评估。 本文转自网络。
1.6K30发布于 2020-06-29 - 来自专栏iRF射频前端产业观察
Skyworks:5G Sub6 射频前端器件的关键挑战
射频前端产业观察 针对Sub6, 5G的射频前端要做哪些优化工作？包括支持双连接、更宽带的PA和滤波器设计、集成的LNA和新的支持SRS的射频架构。Skyworks的白皮书为您一一道来。 本白皮书探讨了推出5G技术的切实可行的先行步骤，重点放在6 GHz以下频谱，因为毫米波应用标准尚未定义。 此外，我们的框架主要侧重于6 GHz范围以下的5G射频前端（RFFE）的实际解决方案。
61720编辑于 2022-05-16 - 来自专栏电子元器件
电子元器件分类
电子元器件有多种分类方式，应用于不同的领域和范围。 1．按制造行业划分——元件与器件 元件与器件的分类是按照元器件制造过程中是否改变材料分子组成与结构来区分的，是行业划分的概念。 例如有时说元件或器件时实际指的是元器件，而像半导体敏感元件实际按定义应该称为器件等。 分立器件与集成器件的本质区别是，分立器件只具有简单的电压电流转换或控制功能，不具备电路的系统功能；而集成器件则可以组成完全独立的电路或系统功能。 6．电子工艺关于元器件的分类 电子工艺对元器件的分类，既不按纯学术概念去划分，也不按行业分工划分，而是按元器件应用特点来划分。常用元器件分类。 黑 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 白 有效数字 - - - 0 1 2 3 4 5 6
2K20编辑于 2022-03-21 观海微电子--常用基础电子元器件_ESD防护器件
ESD防护器件瞬态电压最主要的特点有三个:超高压,瞬时态,高频次。超高压是指通常的瞬态电压尖峰，高出正常电路电压幅值的好几倍。 虽然有些微电子半导体芯片受到瞬态电压侵袭后,它的性能没有明显的下降，但是多次累积的侵袭会给芯片器件造成内伤而形成隐患。 瞬态电压对芯片器件造成的损伤难以与其它原因造成的损伤加以区别,从而不自觉地掩盖了失效的真正原因。由于微电子半导体芯片的精、细、结构,如要替换或修理需要使用高度精密仪器,是非常费财的。 压敏电阻抑制浪涌的器件主要有压敏电阻、TVS，下面是对它们的介绍压敏电阻：原理：当压敏电阻上面的电压超过一定的幅度的时候，电阻的阻值会降低，从而将浪涌能量泻放掉，并将浪涌电压的幅度限制在一定的幅度。 另外，一般TVS的寄生电容较大，如果在高速数据线上面使用，需要选择特制的低电容器件。价格较贵。
23010编辑于 2025-12-04- 来自专栏全栈程序员必看
贴片器件的识别
如果能辨别标识的含义，就不用将器件查下来量了。 如果眼神不好(或者原件实在太小了)，可以用工业显微镜拍下来，再识别原件上印刷的器件标识。 在显微镜下, 光滑好看的焊点，也变的那么粗糙:) 慢慢记录, 见到能用标识识别的器件，就记录一下。 然后去x宝上找IN4148, 果真店家说明上说是T4标记. 1N4007 自己买了料，这就知道具体器件的丝印了。 用倾斜工作台和工业显微镜配合，可以很清楚的看到器件丝印。 通过观测，结合器件丝印和datasheet, 可以看到，数据表上描述的引脚定义和封装丝印一致。 TVS二极管 / SMAJ15A 元件比较大，丝印和元器件名称完全一样。
1.5K30编辑于 2022-09-24 - 来自专栏电子元器件
什么是电子元器件 电子元件和电子器件的区别
电子元器件是元件和器件的总称。电子元件：指在工厂生产加工时不改变分子成分的成品。如电阻器、电容器、电感器。因为它本身不产生电子，它对电压、电流无控制和变换作用，所以又称无源器件。 简介 电子元器件是元件和器件的总称。电子元件：指在工厂生产加工时不改变分子成分的成品。如电阻器、电容器、电感器。因为它本身不产生电子，它对电压、电流无控制和变换作用，所以又称无源器件。 按分类标准，电子器件可分为12个大类，可归纳为真空电子器件和半导体器件两大块。电子元器件发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。 （又可称为被动元件PassiveComponents）（1）电路类器件：二极管，电阻器等等（2）连接类器件：连接器，插座，连接电缆，印刷电路板（PCB） 二、器件：工厂在生产加工时改变了分子结构的器件称为器件 器件分为： 1、主动器件，它的主要特点是：（1）自身消耗电能（2）还需要外界电源。
2.3K30编辑于 2022-03-21 - 来自专栏鸿蒙开发笔记
OpenHarmony开发——器件驱动移植
本章节讲解如何移植各类器件驱动。LCD驱动移植移植LCD驱动的主要工作是编写一个驱动，在驱动中生成模型的实例，并完成注册。 触摸屏的器件驱动被放置在源码目录//drivers/hdf_core/framework/model/input/driver/touchscreen中。 创建触摸屏器件驱动在上述touchscreen目录中创建名为touch_ic_name.c的文件。 .Init = HdfXXXXChipInit, }; HDF_INIT(g_touchXXXXChipEntry);其中ChipDevice中要实现如下方法：配置产品，加载器件驱动
42921编辑于 2024-08-06 - 来自专栏小鹏的专栏
工业器件检测和识别
有问题欢迎微信交流：lp9628 工业器件标定与识别（如下图所示）： ----> ----> 代码实现： 主要流程：直方图均衡化，去除噪声，二值化，查找轮廓，选出需要轮廓。
1.1K100发布于 2018-01-09 - 来自专栏OpenFPGA
MAX 10 FPGA器件gaishu
从Intel收购Altera后，中低端市场就很少见到Intel的FPGA了，今天就简单介绍一下Intel在14年发布的类FPGA的CPLD，由于排版匆促，相关文档在文后给出。
46510发布于 2021-02-26 企业ESB选型Checklist，这6个指标值得关注！
今天，我想从一线架构师的实战经验出发，梳理一份企业ESB集成平台选型评估Checklist，共6个关键指标。 ESB集成平台选型指标1：技术架构必备能力 分布式架构支持：是否采用去中心化架构，支持水平扩展 云原生兼容：是否支持Kubernetes部署和微服务架构 高可用保障：是否具备故障自动转移和恢复机制 信创适配 ：是否支持国产化芯片、操作系统和数据库 ESB集成平台选型指标2： 集成连接能力 协议支持完备性：是否支持HTTP/S、SOAP、REST、JMS、FTP、JDBC等主流协议 连接器丰富度：是否提供300 /SSL加密传输 身份认证：是否支持OAuth2、JWT等认证方式 访问控制：是否提供细粒度权限管理 合规性认证：是否满足等保2.0和行业监管要求 ESB集成平台选型指标6：成本与支持考量 许可模式：是否提供灵活的分级许可方案 集成平台不是“一次性采购”的硬件，而是持续支撑业务创新的基础设施，选型时多花点时间做调研、做评估，未来可能节省半年的运维痛苦。
36910编辑于 2025-09-17- 来自专栏全栈程序员必看
NAND FLASH_NAND器件
ID 列表,从而得知更详细的NAND Flash的信息,例如页(page)大小等,对EMIF做好相应的配置.DM368支持启动的NAND的ID信息可以在参考文档1(ARM子系统用户手册)里面找到.硬件选型时 headerPtr[1] = nandBoot->entryPoint; //Entry Point 5 headerPtr[2] = nandBoot->numPage; //Number of Pages 6 你可以看到下 面的定义,将入口地址放在boot的地方,而boot的运行地址就是 0x100. 1 -e boot //指定入口地址为 boot 2 … 3 MEMORY 4 { 5 … 6 1 #if defined(__TMS470__) 2 … 3 #pragma CODE_SECTION(boot,".boot"); 4 #endif 5 void boot(void) 6
94150编辑于 2022-09-21 - 来自专栏芯片工艺技术
GaN HEMT 器件制备工艺
主要工艺有：有源区隔离、源漏极欧姆接触制备，栅极肖特基接触 器件表面钝化、电极互连工艺。 2）光刻 大栅宽的多指栅器件是对光刻工艺水平的一个考验。线条的平直性、窗口拐角的直角。 3）器件隔离 有两种方法，一是离子注入形成高阻区，2是台面刻蚀。 6）钝化 PECVD沉积SiN膜。
2.4K20编辑于 2022-06-06 - 来自专栏AI电堂
小器件如何助力大国重器：本土功率半导体分立器件产业解析
▲ 全球功率半导体分立器厂商销售份额占比 从器件种类来看，以硅基功率MOSFET和IGBT为代表的场控型器件是国际功率半导体分立器件市场的主力军，其中IGBT器件的年平均增长率超过30%，远高于其它种类器件 、机电元件、印制电路板、敏感元件和传感器、频率器件、新型绿色电池、光电线缆、新型微特电机、电声器件、半导体功率器件、电力电子器件和真空电子器件。 2011年6月 国家发展改革委员会、科技部等五部委 《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南(2011年度)》 将集成电路电路、信息功能材料与器件、新型元器件等列入重点领域，其中包括中大功率高压绝缘栅双极晶体管 (IGBT)、快恢复二极管(FRD)芯片和模块，中小功率智能模块；高电压的金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)；大功率集成门极换流场效应管(IGCT)；6吋大功率场效应管。 在超大功率(电压3.3kV以上、容量1~45MW)领域，以晶闸管为代表的传统半控型器件的技术已经成熟，水平居世界前列，5~6英寸的晶闸管产品已广泛用于高压直流输电系统，并打入国际市场。
81320发布于 2021-11-19 PN学堂-《电子元器件》电感
然而，电感选型不当、布局不合理或调试方法错误，常导致电路出现振荡、噪声、发热甚至损坏等问题。本文将从选型、布局与调试三个维度，梳理电感应用中的关键注意事项，助你避开常见陷阱。 一、电感选型：避开“参数陷阱”1. 选型时需确保Isat > 电路最大峰值电流（如开关电源的峰值电感电流）。温升电流（Irms）：实际工作电流需低于Irms，避免长期高温导致电感寿命缩短或磁芯性能退化。 四、总结：电感应用的“黄金法则”选型三要素：电流、电感量、频率特性需与电路需求匹配，避免降额不足或过度设计。布局三原则：缩短高频回路、预留散热空间、远离敏感电路。 通过科学选型、合理布局与严谨调试，可大幅降低设计风险，提升产品可靠性。希望本文的避坑指南能成为你电路设计中的“防弹衣”，助你少走弯路，一次成功！
46710编辑于 2025-12-15- 来自专栏芯片工艺技术
什么是半导体功率器件
几乎全行业的电子化发展，势必大大增加了对功率半导体器件的需求。 功率半导体器件（Power Semiconductor Device）又称电力电子器件（Power Electronic Device），主要用于电力设备的电能变换和电路控制，是进行电能（功率）处理的核心器件 IGBT是目前最先进的功率器件技术，它的产业链包括了上游的 IC 设计，中游的制造和封装，下游则包括了工控、新能源、家电、电气高铁等领域； 高端功率器件如 IGBT 看重工程师经验，公司品牌和口碑需要持续的积累 SiC可以用来制造射频和微波功率器件，各种高频整流器，MESFETS、MOSFETS和JFETS等。SiC高频功率器件已在Motorola公司研发成功，并应用于微波和射频装置。 GE公司正在开发SiC功率器件和高温器件(包括用于喷气式引擎的传感器)。西屋公司已经制造出了在26GHz频率下工作的甚高频的MESFET。
2.4K11编辑于 2022-06-08 - 来自专栏FPGA开源工作室
Altera的Cyclone系列器件命名
Altera的Cyclone系列器件命名规则如下 器件系列 + 器件类型（是否含有高速串行收发器） + LE逻辑单元数量 + 封装类型 + 高速串行收发器的数量（没有则不写） + 引脚数目 + 器件正常使用的温度范围 + 器件的速度等级 + 后缀 下图为官方手册给出的信息 ? 以EP4CE10F17C8N芯片为例进行详细介绍： EP4C：Altera器件系列CycloneIV； E/GX：E表示普通逻辑资源丰富的器件，GX表示带有高速串行收发器的器件； 10 ：LE逻辑单元的数量 ，6约最大是500Mhz，7约最大是430Mhz，8约最大是400Mhz，可以看出在Altera的器件中数字越小表示速度越快，而在Xilinx的器件中数字越大表示速度越快；一般来讲，提高一个速度等级将带来 12%到15%的性能提升，但是器件的成本却增加了20%大30%。
99910发布于 2019-10-29 - 来自专栏亿源通科技HYC
TFF型WDM器件技术原理
多腔的效果如图6所示，FP干涉腔的数量越多，通带越平坦，而边缘陡降特性更好，这对DWDM系统中的应用非常有利。然而，多腔结构伴随着更多的“镜面”，意味着薄膜层数成倍增加。 未标题-5.jpg 未标题-6.jpg 薄膜滤波器的设计非常灵活，除了具有平顶的窄带滤波片，还可以实现许多其他滤波器，比如图7中的长波通滤波片（LP）, 图8中的增益平坦化滤波片（GFF）。 未标题-7.jpg 未标题-8.jpg WDM器件 TFF滤光片用于WDM器件中，图9所示为三端口WDM器件的结构，包括一个双光纤准直器、一个单光纤准直器和一个TFF滤光片，TFF滤光片粘贴在双光纤准直器的准直透镜的端面上 未标题-9.jpg 为了将所有波长解复用，需要将n个三端口器件串联起来，组成WDM模块，如图10所示，其中每个三端口器件中的TFF滤光片，其透射波长不同。 紧凑型WDM模块的典型尺寸为50×30×6mm3，比常规WDM模块的尺寸小得到。紧凑型DWDM和CWDM模块，通常又叫作CDWDM和CCWDM。
1.7K40发布于 2020-05-18 - 来自专栏电子工程师成长日记
小型元器件介绍：光敏电阻
光敏电阻器是利用半导体的光电导效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器，又称为光电导探测器。
68520编辑于 2022-07-21
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