- 综合排序
- 最热优先
- 最新优先
- 来自专栏硬件工程师
ESD与EOS（surge）防护器件选型
ESD保护能力等级评估： ESD选型重要参数： A：钳位电压：决定保护系统的能力。 注意：图中表的+6KV时候的钳位电压为11.5V，放在现在相当于+8KV的钳位电压。
1.9K20编辑于 2022-08-29 - 来自专栏云深之无迹
智能戒指器件选型-勇芯Chiplet芯片
可以看到层数变少了，也好焊接了，主要是器件少了，不怕拉不通线了 这个WLCSP是真的小，手焊就不大可能 他们给出了合封，其实就是SIP的哪一套： 可以看到有一些是不认识的 这个框图太眼熟了 Nordic 原来是M4的 3mm，太小了 他是装成了长条形，LGA34（4×6.8mm） 为了缩小体积，直接把这些传感器都装进去了 红色的地方 智能戒指首先知道一点：他们是一次性的。
37510编辑于 2025-02-25 - 来自专栏单片机爱好者
一篇很完整的元器件选型指南
一、元器件选型基本原则 a、普遍性原则： 所选的元器件要是被广泛使用验证过的，尽量少使用冷门、偏门芯片，减少开发风险。 g、资源节约原则： 尽量用上元器件的全部功能和管脚。 芯片的选型过程是对各个维度考量的折衷。 ? 二、全流程关注芯片属性 1、我们在选型的时候，需要考虑试产的情况、同时需要考虑批量生产时的情况。 导致产品刚上量，就大量囤积库存芯片，并且寻找中国台湾的小厂进行器件替代。 所以在器件选型的时候，充分体现了“人无远虑必有近忧”。 3、除了考虑功能和实验室环境，还需要考虑整个生命周期的场景。 3.可扩展资源 硬件平台要支持OS、RAM和ROM，对资源的要求就比较高。芯片一般都有内置RAM和ROM，但其容量一般都很小，内置512KB就算很大了，但是运行OS一般都是兆级以上。 ARM器件的业界生态环境比较好，有多家芯片供应商可以提供ARM器件，选型必须经过多家对比分析和竞争评性评估。 本文转自网络。
1.6K30发布于 2020-06-29 - 来自专栏电子元器件
电子元器件分类
3．按工作机制划分——无源与有源 无源元件与有源元件，也称为无源器件与有源器件，是根据元器件工作机制来划分的，一般用于电路原理讨论。 电容的标注方法与电阻的标注方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10μF/16V。 3．电感的特性及分类 电感是根据电磁感应原理工作的元件，一般是用漆包线或纱包线等绝缘表层导线绕制而成，不带磁芯或铁芯绕制的电感称为空心电感，带有磁芯或铁芯绕制的电感称为磁芯或铁芯电感。 (3)分布电容线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩问、线圈与底版问存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。 3．柔性化 元器件的柔性化是近年出现的新趋势，也是元器件这种硬件产品软化的新概念。
2K20编辑于 2022-03-21 选型踩雷3次后，我们总结了这份AllData选型清单
官方手册：https://www.yuque.com/aolingdata/product✨AllData正式环境：http://43.138.156.44:5173/ui_moat《 AllData选型清单
16921编辑于 2025-10-10观海微电子--常用基础电子元器件_ESD防护器件
ESD防护器件瞬态电压最主要的特点有三个:超高压,瞬时态,高频次。超高压是指通常的瞬态电压尖峰，高出正常电路电压幅值的好几倍。 人的神经所能感受到的静电是阶于2,000v至3,000v。可是只需要30v的静电电压就足以损坏现在所生产的精、细、IC。 虽然有些微电子半导体芯片受到瞬态电压侵袭后,它的性能没有明显的下降，但是多次累积的侵袭会给芯片器件造成内伤而形成隐患。 瞬态电压对芯片器件造成的损伤难以与其它原因造成的损伤加以区别,从而不自觉地掩盖了失效的真正原因。由于微电子半导体芯片的精、细、结构,如要替换或修理需要使用高度精密仪器,是非常费财的。 另外，一般TVS的寄生电容较大，如果在高速数据线上面使用，需要选择特制的低电容器件。价格较贵。
23010编辑于 2025-12-04- 来自专栏全栈程序员必看
贴片器件的识别
如果能辨别标识的含义，就不用将器件查下来量了。 如果眼神不好(或者原件实在太小了)，可以用工业显微镜拍下来，再识别原件上印刷的器件标识。 在显微镜下, 光滑好看的焊点，也变的那么粗糙:) 慢慢记录, 见到能用标识识别的器件，就记录一下。 然后去x宝上找IN4148, 果真店家说明上说是T4标记. 1N4007 自己买了料，这就知道具体器件的丝印了。 用倾斜工作台和工业显微镜配合，可以很清楚的看到器件丝印。 通过观测，结合器件丝印和datasheet, 可以看到，数据表上描述的引脚定义和封装丝印一致。 TVS二极管 / SMAJ15A 元件比较大，丝印和元器件名称完全一样。
1.5K30编辑于 2022-09-24 - 来自专栏毛毛v5
MP3、故事机MCU选型记录
要弄一个mp3音频硬件。没有接触过，所以开始找了好多方案，by8001+51(stm32),vs1003+51(stm32)。后来发现stm32太贵了。所以开始琢磨51+vs1003，电路图找了好多。 双mcu，可以自己写代码，内置mp3解码，有sdio，gpio，spi，i2c，adc，dac，内置蓝牙，wifi，运行freertos，内置wifi，蓝牙协议栈。开发环境也挺好配置。 另外该琢磨哪里去找做玩具外壳，或者音箱外壳，或者mp3外壳的注塑厂了。。。
72320发布于 2021-03-16 - 来自专栏电子元器件
什么是电子元器件 电子元件和电子器件的区别
电子元器件是元件和器件的总称。电子元件：指在工厂生产加工时不改变分子成分的成品。如电阻器、电容器、电感器。因为它本身不产生电子，它对电压、电流无控制和变换作用，所以又称无源器件。 简介 电子元器件是元件和器件的总称。电子元件：指在工厂生产加工时不改变分子成分的成品。如电阻器、电容器、电感器。因为它本身不产生电子，它对电压、电流无控制和变换作用，所以又称无源器件。 按分类标准，电子器件可分为12个大类，可归纳为真空电子器件和半导体器件两大块。电子元器件发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。 （又可称为被动元件PassiveComponents）（1）电路类器件：二极管，电阻器等等（2）连接类器件：连接器，插座，连接电缆，印刷电路板（PCB） 二、器件：工厂在生产加工时改变了分子结构的器件称为器件 2、分立器件，分为（1）双极性晶体三极管（2）场效应晶体管（3）可控硅 （4）半导体电阻电容 电阻 电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。
2.3K30编辑于 2022-03-21 - 来自专栏鸿蒙开发笔记
OpenHarmony开发——器件驱动移植
本章节讲解如何移植各类器件驱动。LCD驱动移植移植LCD驱动的主要工作是编写一个驱动，在驱动中生成模型的实例，并完成注册。 触摸屏的器件驱动被放置在源码目录//drivers/hdf_core/framework/model/input/driver/touchscreen中。 创建触摸屏器件驱动在上述touchscreen目录中创建名为touch_ic_name.c的文件。 .Init = HdfXXXXChipInit, }; HDF_INIT(g_touchXXXXChipEntry);其中ChipDevice中要实现如下方法：配置产品，加载器件驱动
42921编辑于 2024-08-06 - 来自专栏小鹏的专栏
工业器件检测和识别
有问题欢迎微信交流：lp9628 工业器件标定与识别（如下图所示）： ----> ----> 代码实现： 主要流程：直方图均衡化，去除噪声，二值化，查找轮廓，选出需要轮廓。
1.1K100发布于 2018-01-09 - 来自专栏OpenFPGA
MAX 10 FPGA器件gaishu
从Intel收购Altera后，中低端市场就很少见到Intel的FPGA了，今天就简单介绍一下Intel在14年发布的类FPGA的CPLD，由于排版匆促，相关文档在文后给出。
46510发布于 2021-02-26 - 来自专栏全栈程序员必看
NAND FLASH_NAND器件
ID 列表,从而得知更详细的NAND Flash的信息,例如页(page)大小等,对EMIF做好相应的配置.DM368支持启动的NAND的ID信息可以在参考文档1(ARM子系统用户手册)里面找到.硬件选型时 nandBoot->numPage; //Number of Pages 6 #if defined(IPNC_DM365) || defined(IPNC_DM368) 7 headerPtr[3] = blockNum+3; //Starting Block Number 8 headerPtr[4] = 0; //Starting Page Number - always start data in 9 page 1 (this header goes in page 0) 对比表1,你可看到headerPtr[3]的内容是用来存放UBL代码的起始块号.这里+3的意思就是UBL是存放在UBL 4块开始的,而烧写U-Boot是从8+3=11块.在IPNC上使用的NAND Flash是2K一个页,每个块128KB.所以UBL烧写的地址是128KBx4=0x80000,而烧写U-Boot的地址是
94150编辑于 2022-09-21 - 来自专栏芯片工艺技术
GaN HEMT 器件制备工艺
主要工艺有：有源区隔离、源漏极欧姆接触制备，栅极肖特基接触 器件表面钝化、电极互连工艺。 2）光刻 大栅宽的多指栅器件是对光刻工艺水平的一个考验。线条的平直性、窗口拐角的直角。 3）器件隔离 有两种方法，一是离子注入形成高阻区，2是台面刻蚀。
2.4K20编辑于 2022-06-06 - 来自专栏AI电堂
小器件如何助力大国重器：本土功率半导体分立器件产业解析
2007年3月 原信息产业部 《信息产业科技发展“十一五”规划和2020年中长期规划纲要》 推动元器件产业结构升级。 2010年3月 国家发展改革委员会办公厅 《关于组织实施2010年新型电力电子器件产业化专项的通知》 确立了工半导体分立器件产业化专项重点，支持MOSFET、IGCT、IGBT、FRD等量大面广的新型电力电子芯片和器件的产业化 2011年3月 国家发展改革委员会 《关于组织实施2010年新型电力电子器件产业化专项的通知》 确立了工半导体分立器件产业化专项重点，支持MOSFET、IGCT、IGBT、FRD等量大面广的新型电力电子芯片和器件的产业化 2011年3月 国家发展改革委员会 《产业结构调整指导目录(2011年本)》 将“新型电子元器件(片式元器件、频率元器件、混合集成电路、电力电子器件、光电子器件、敏感元器件及传感器、新型机电元件、高密度印刷电路板和柔性电路板等 2016年3月 十二届全国人大四次会议 《过敏经济和社会发展第十三个五年规划纲要》 针对功率表器件行业: ——加强与整机产业的联动，以市场促进器件开发、以设计带动制造、推动“虚拟IDM”运行模式的发展；
81320发布于 2021-11-19 PN学堂-《电子元器件》电感
然而，电感选型不当、布局不合理或调试方法错误，常导致电路出现振荡、噪声、发热甚至损坏等问题。本文将从选型、布局与调试三个维度，梳理电感应用中的关键注意事项，助你避开常见陷阱。 一、电感选型：避开“参数陷阱”1. 3. 封装与结构：小体积≠高性能封装尺寸：小型化电感（如0402、0603）适合高频、低电流场景，但大电流应用需选择大尺寸电感（如E型、环形电感）以降低DCR。 避免平行走线：电感与高频信号线（如时钟线、数据总线）需保持安全距离（≥3mm），或采用垂直交叉布局，减少磁耦合干扰。2. 问题3：EMI超标原因：电感漏磁或布局不合理。解决：改用屏蔽电感，优化布局增加隔离距离。四、总结：电感应用的“黄金法则”选型三要素：电流、电感量、频率特性需与电路需求匹配，避免降额不足或过度设计。
46710编辑于 2025-12-15- 来自专栏芯片工艺技术
什么是半导体功率器件
功率半导体器件（Power Semiconductor Device）又称电力电子器件（Power Electronic Device），主要用于电力设备的电能变换和电路控制，是进行电能（功率）处理的核心器件 GE公司正在开发SiC功率器件和高温器件(包括用于喷气式引擎的传感器)。西屋公司已经制造出了在26GHz频率下工作的甚高频的MESFET。 目前有使用 SiC MOS的车型是特斯拉的 Model 3。 目前阻碍 SiC 成本下降的主要原因是基材缺陷。 因此，目前来看，SiC 产业链被国外高度垄断，未来 2-3 年当 SiC 成本由目前是 Si 基 4-5 倍下降至 2 倍，并且国内 SIC 上下游产业链也更加成熟、打破国外垄断时，预 计 SIC 才会在国内开始提升渗透率 总结来看，未来 3-5 年 Si IGBT 还是应用主流，国内厂商的核心逻辑在于工控家电新能源领域进行国产替代提升份额，5 年后 SiC 基材逐渐侵占 Si 基材份额的大趋势下，相信国内的技术领先优质的龙头功率半导体也能够积极储备相关技术和产品
2.4K11编辑于 2022-06-08 - 来自专栏FPGA开源工作室
Altera的Cyclone系列器件命名
Altera的Cyclone系列器件命名规则如下 器件系列 + 器件类型（是否含有高速串行收发器） + LE逻辑单元数量 + 封装类型 + 高速串行收发器的数量（没有则不写） + 引脚数目 + 器件正常使用的温度范围 + 器件的速度等级 + 后缀 下图为官方手册给出的信息 ? 以EP4CE10F17C8N芯片为例进行详细介绍： EP4C：Altera器件系列CycloneIV； E/GX：E表示普通逻辑资源丰富的器件，GX表示带有高速串行收发器的器件； 10 ：LE逻辑单元的数量 ，6约最大是500Mhz，7约最大是430Mhz，8约最大是400Mhz，可以看出在Altera的器件中数字越小表示速度越快，而在Xilinx的器件中数字越大表示速度越快；一般来讲，提高一个速度等级将带来 12%到15%的性能提升，但是器件的成本却增加了20%大30%。
99910发布于 2019-10-29 - 来自专栏亿源通科技HYC
TFF型WDM器件技术原理
未标题-3.jpg 未标题-4.jpg 然而，在一些特殊应用领域，比如DWDM传输系统中，要求滤波器具有平顶平顶和窄带滤波特性。这种滤波器需要多腔薄膜结构，如图5所示。 未标题-7.jpg 未标题-8.jpg WDM器件 TFF滤光片用于WDM器件中，图9所示为三端口WDM器件的结构，包括一个双光纤准直器、一个单光纤准直器和一个TFF滤光片，TFF滤光片粘贴在双光纤准直器的准直透镜的端面上 未标题-9.jpg 为了将所有波长解复用，需要将n个三端口器件串联起来，组成WDM模块，如图10所示，其中每个三端口器件中的TFF滤光片，其透射波长不同。 未标题-10.jpg 基于三端口WDM器件的WDM模块，其尺寸相对较大（典型8信道WDM模块的尺寸为130×90×13mm3），在一些特殊应用领域，这个尺寸不符合要求。 紧凑型WDM模块的典型尺寸为50×30×6mm3，比常规WDM模块的尺寸小得到。紧凑型DWDM和CWDM模块，通常又叫作CDWDM和CCWDM。
1.7K40发布于 2020-05-18 - 来自专栏电子工程师成长日记
小型元器件介绍：光敏电阻
光敏电阻器是利用半导体的光电导效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器，又称为光电导探测器。
68520编辑于 2022-07-21
腾讯云开发者
Copyright © 2013 - 2026 Tencent Cloud. All Rights Reserved. 腾讯云 版权所有
深圳市腾讯计算机系统有限公司 ICP备案/许可证号：粤B2-20090059 
粤公网安备44030502008569号
腾讯云计算（北京）有限责任公司 京ICP证150476号 | 京ICP备11018762号