近几年,先进封装已成为半导体越来越普遍的主题。在由多个部分组成的系列中,将深入研究实现先进封装技术,如高精度倒装芯片、热压键合(TCB)和各种类型的混合键合(HB)。 在硬币的另一面,封装没有享受同样水平的增长。 在台积电的 N7 节点上,AMD 的凸块间距从约 200 微米变为 130 微米,IO 仅增加了 2.35 倍。 先进封装! 这就是我们要注意的地方,一些工具供应商将所有倒装芯片封装称为“先进封装”。SemiAnalysis 和大多数业内下游人士不会这么说。 因此,我们将所有凸点尺寸小于 100 微米的封装称为“先进”。 最常见的先进封装类别称为扇出。有些人会争辩说它甚至不是先进的封装,但那些人大错特错。 Tesla Dojo 1是集成扇出封装的另一个引人注目的例子,但在晶圆级。SemiAnalysis透露,特斯拉将在发布公告前使用这种包装类型。 在先进封装中,有 2.5D 和 3D 封装。
换句话来说,联电也将具备2.5D、3D IC与扇出型晶圆级封装能力,以满足客户先进封装之需求。 也就是说,联电也将能为其客户提供先进封装服务。 在此之前,联电进入先进封装领域有迹可循,除去年底与西门子EDA合作外,今年年初,联电也宣布携手Cadence共同开发3D IC混合键合(Hybrid Bond)解决方案,该方案联电也已准备就绪,整合跨制程的技术 联电以其丰富的晶圆凸块、堆叠式芯片及晶圆级封装等一站式服务经验,拓展至2.5D、3D IC解决方案,力求卡位先进封装商机。 编辑:芯智讯-林子
上一篇翻译了美国先进封装制造蓝图的技术分析部分(美国先进封装制造蓝图(MRHIEP):高性能计算相关的先进封装及异质集成技术),这一篇来翻译一下美国对于全球先进封装供应链的分析,没有什么技术内容 此外,《芯片法案》中的国家先进封装制造计划(NAPMP)已拨款25亿美元用于先进封装的研发。 9.4.2 创新能力的引进 e.先进封装研究 《芯片法案》和国家先进封装制造计划(NAPMP)将在未来5年投资25亿美元用于先进封装研发。 随着先进封装业务向晶圆厂后端转移,光刻、蚀刻和化学机械抛光(CMP)正成为如晶圆上芯片封装(CoWoS)、混合键合等先进封装操作的关键制造工序。 先进封装设备 先进封装设备供应商在供应这些设备方面也面临着积压订单的情况。对于晶圆厂设备供应商来说,先进封装业务在其整体工具市场中所占份额较小,因此受到的关注较少。
其目标是为美国制定一份可操作的先进封装路线图,基于异构集成路线图(HIR)并增添制造方法说明来实施 HIR。 以下是本报告的第二章关于高性能计算相关的先进封装及异质集成技术的翻译总结。 2.1 高性能计算制造路线图目标 高性能计算应用和相关先进封装技术目标如表2.1所示。 共封装光学必须与单模和多模光纤无缝接口,从光纤到PIC的通道损耗在先进的封装中小于1dB。 随后在 2021 年,长江存储利用混合键合技术用于其 128 层 3D NAND,2022 年 AMD 在其锐龙 7 处理器中使用了台积电的 SOIC 技术。
它不仅改变了我们的生活方式,还对芯片和封装工程领域产生了翻天覆地的影响。今天分享一个来自Marvell资深工程师 Brendan Shank 的精彩报告。 例如,7nm制程下若需达到性能目标,芯片尺寸约为 700 平方毫米,到 5nm制程则需增加 60% 的面积,3nm制程时面积更是大幅增长至 1900 平方毫米,到 2nm制程几乎是 3 纳米制程的两倍。 三、先进封装技术的创新之路 (一)集成技术的突破 为满足 AI 对硬件的需求,行业开始探索创新解决方案。3.5D 集成技术应运而生,它能在相同的占位面积内提供更多的硅片面积。 此外,充分利用 2.5D、3D、3.5D 堆叠等硅片封装设计能力,推动芯片技术发展。 (三)封装的变革与挑战 传统的 JEDEC 托盘尺寸已无法满足芯片封装需求,芯片封装尺寸急剧增长。 综上所述,AI 驱动的先进封装技术正引领芯片行业迈向新的征程。尽管面临诸多挑战,但创新的步伐从未停止。未来,我们有理由期待这一领域带来更多的惊喜与突破,为科技发展注入强大动力。
APAC会议上AMd公司关于异构集成技术(Heterogeneous Integrated Technologies, HIT)主题报告,报告人为AMD异构集成技术部门高级技术人员Devin Wu,核心围绕先进封装技术 ,按“引言、AMD先进封装领导力、AMD芯粒(Chiplet)技术、未来方向”四大板块展开,内容如下: 一、引言:技术背景与传统缩放挑战 1. 传统芯片缩放的核心挑战 - 缩放因子有限且不一致:模拟I/O、内存、逻辑电路在28nm至5nm工艺节点中,缩放速度存在显著差异,难以协同优化; - 密度增益递减:随着工艺向5nm等先进节点演进,晶体管密度提升幅度逐渐减小 二、先进封装:AMD的行业领导力 AMD通过“横向(2D/2.5D)+纵向(3D)集成”路线,引领先进封装技术演进,关键技术节点时间线如下: - 2015年:推出2.5D高带宽内存(HBM) Domain Specific Accelerators)、异构内存(Heterogeneous Memory); ③ 支撑技术:高速接口设计(HIGH SPEED INTERFACE DESIGN)、先进
NAND 侧提升带宽路径-Single NAND Package 关于 Single NAND Package Single NAND Package(单个 NAND 封装)是指将 NAND 闪存芯片以单个物理封装的形式集成在一起的技术 这种封装方式在现代存储器设计中具有重要意义,尤其是在提高存储密度和性能方面。以下是对这一概念的详细理解: 1. 这种封装可以是一个芯片上集成多个存储单元,也可以是将多个 NAND 芯片以单个封装形式组合在一起。 2. 优势 • 空间效率:通过将多个 NAND 芯片集成到单个封装中,可以节省电路板空间,提高存储器的密度。 • 性能提升:集成在同一封装中的 NAND 芯片可以通过共享数据通道和控制线路,提高数据传输速度和访问效率。 • 简化设计:使用单个封装简化了电路设计和PCB布局,降低了系统设计的复杂性。
11月21日消息,美国东部当地时间周一,美国拜登政府公布了包含约30亿美元补贴资金的“国家先进封装制造计划”,旨在提高美国半导体的先进封装能力,弥补其半导体产业链的短板。 洛卡西奥声称,到2030年,美国将拥有多个大批量先进封装设施,并成为最复杂芯片批量先进封装的全球领导者。 其中,国家先进封装制造计划将获得约30亿美元补贴资金。 今年2月,美国政府启动了第一轮《芯片与科学法案》对半导体制造业的资助。 目前尚不清楚,美国政府对于30亿美元的“国家先进封装制造计划”补贴申请是否也有类似的限制条款。 即便如此,已经有不少外国企业计划在美国设立先进封装厂。 比如,韩国芯片制造商SK海力士公司就曾表示,将投资150亿美元在美国建立先进的封装设施;亚利桑那州州长凯蒂·霍布斯也透露,该州正在与台积电进行谈判,可能在该州建设先进封装厂。
先进集成电路封装技术是“超越摩尔定律”上突出的技术亮点。在每个节点上,芯片微缩将变得越来越困难,越来越昂贵,工程师们正在把多个芯片放入先进的封装中,作为芯片缩放的替代方案。 然而,虽然先进的集成电路封装正在迅速发展,设计工程师和工程管理人员必须跟上这一关键技术的步伐。首先,让我们了解高级IC封装中不断出现的基本术语。 2016年,iPhone7上的16nm A10处理器和天线开关模组使用了扇出晶圆级封装(Fan-out Wafer Level Packaging,简称FoWLP)技术,取代了传统PCB,从而一举成为科技明星 但现在7nm和16nm有很多不一样的地方,不能把16nm的设计直接放到7nm上,从架构到设计到后端都要做很多改变。 相对于传统的GDDR5显存来说,HBM无疑是更加先进。 HBM是一种标准化的堆叠内存技术,它为堆栈内以及内存和逻辑之间的数据提供了宽通道。
这种模式是数据并行工作负载的典型特征,广泛存在于图形处理器(GPU)和人工智能(AI)加速器中,例如在AI模型训练中处理大型张量、图形渲染中的纹理映射以及科学计算模拟等场景 7。 这些裸片之间的通信并非通过传统的引线键合,而是通过一种名为“硅通孔”(Through-Silicon Vias, TSV)的先进技术。 02 2.5D封装的集成范式 为了将HBM堆栈与主处理器(如GPU或CPU)连接起来,业界采用了2.5D封装技术 18。 对于AI和HPC等前沿应用而言,内存带宽是首要瓶颈,其重要性远超组件成本或绝对密度 7。 研究表明,HBM2的能效约为7 pJ/bit 1。
在2025年IEEE第75届电子元件与技术会议(ECTC)上,英特尔发布了一系列关于先进封装技术的研究成果,涵盖CPO/OIO、嵌入式多芯片互连桥(EMIB)的下一代演进(EMIB-T)、光互联封装集成及高精度热压焊 ◆封装架构与核心组件设计 CPO封装架构以EMIB技术为基础,构建了多芯片封装(MCP)系统:中心为XPU计算芯片,周边通过EMIB连接多个辅助芯片,其中部分为光学I/O(OIO)芯片。 如图 7 和表 V 所示,平均端面插入损耗从 - 2.39 略微劣化到 - 2.52 dB,标准差从 0.34 增加到 0.36 dB。 将其与先进封装架构(如 Foveros 和 Foveros Direct)相结合,可实现更节能、更高带宽的光子封装。 ◆ 应用场景与实际效果 低温差TCB技术已在多个先进封装场景中验证其价值: ① EMIB间距缩放:在Xeon 6处理器(Granite Rapids GNR)中,将EMIB间距缩小20%,
据业内传闻显示,继此前推出了两款面向先进封装市场的光刻机之后,光刻机大厂ASML正大举进军半导体后端制造设备市场,主要聚焦于快速增长的先进封装领域。 根据韩国媒体The Elec报导称,ASML将与外部的零部件供应商合作开发先进封装所需的整套混合键合(hybrid bonding)设备。 2024年,ASML已推出首款面向半导体后段制造的设备TWINSCAN XT:260,这是一款用于先进封装的深紫外光(DUV)光刻系统,主要应用于在中介层上形成重布线层(RDL);ASML还发布了整合DUV 此外,先进封装市场快速成长,相关设备商表现亮眼,这也成为ASML进军混合键合的重要因素之一。 贝思半导体(Besi)表示,其第四季末积压订单同比暴涨105%,主要受到了混合键合需求带动;ASMPT去年也预估,先进封装将占其总营收约四分之一。
11月22日,日本半导体材料制造商Resonac宣布,将在美国硅谷建立一个先进半导体封装和材料研发中心。 值得注意的是,11月21日消息,美国东部当地时间周一,美国拜登政府公布了包含约30亿美元补贴资金的“国家先进封装制造计划”,旨在提高美国半导体的先进封装能力,弥补其半导体产业链的短板。 美国期望通过“国家先进封装制造计划”,到2030年将拥有多个大批量先进封装设施,并成为最复杂芯片大量先进封装的全球领导者。 据悉,美国商务部预计2024年宣布芯片封装计划的第一个材料和基板补贴目标,而未来的投资将集中在其他封装技术,以及更大范围的设计生态体系。 显然,Resonac宣布将在美国硅谷建立一个先进半导体封装和材料研发中心,也是希望能够获得美国政府关于先进封装的相关补贴。
瞄准先进封装,TEL助力中国客户实现技术跨越 特别是在中国本土先进制程发展受限,芯片制造商纷纷转向通过Chiplet、3D集成等先进封装技术的来实现芯片性能提升的背景下,TEL也积极地顺应这一趋势,提供具有优势的设备 比如,面向先进封装与3D集成制造流程,TEL可以提供: 永久键合系统Synapse™ Si:可用于实现高精度、高产能的晶圆对晶圆(Wafer-to-Wafer)永久结合,是面向先进封装与 3D 集成制造流程中的核心设备 除了上述面向先进封装的设备外,TEL在传统晶圆制造环节的清洗和涂胶显影设备也同样具备强大的竞争力,并且部分型号也能满足先进制程的需求。 所以,中国厂商在先进封装、3D IC这方面的发展很快,与国外同步,甚至可能更急迫地在往前发展。 凭借贯穿晶圆制造到先进封装的全链条设备布局,TEL已成为全球半导体产业链中不可或缺的一环。
7月25日消息,据中国台湾媒体报道,由于先进封装产能供不应求,台积电计划斥资近新台币900亿元(约合人民币206亿元),于竹科辖下铜锣科学园区设立生产先进封装的晶圆厂,预计创造约1500个就业机会。 据韩国媒体The Elec报导称,由于台积电CoWoS先进封装产能供不应求,台积电大客户英伟达考虑将其所需的第三代HBM(高带宽内存)及 2.5D 封装订单的10%交由三星电子。 凸显台积电CoWoS先进封装产能的吃紧程度。 台积电此前也表示,自去年起,CoWoS产能需求几乎是双倍成长,面对CoWoS先进封装产能爆满。 为此,台积电数月前就曾宣布,计划将CoWoS产能扩大40%以上,优先规划把先进封装龙潭AP3厂部分InFO制程转至南科厂,空出来的龙潭厂加大力度扩充CoWoS产能,竹南AP6厂也将加入支援,扩充先进封装制程 刘德音在此前的台积电股东会上就曾透露,受益于AI需求增加,客户端对于先进封装需求远大于台积电现有产能,迫使公司急需增加先进封装产能,在此状态下,会把CoWoS制程中的oS流程交由专业封测代工厂(OSAT
公司于 2021 年 7 月推出了 XDFOI 全系列极高密度扇出型封装解决方案,该技术是一种面 向 Chiplet 应用的极高密度、多扇出型封装高密度异构集成解决方案,包括 2D/2.5D/3D 集成技术 先进封测技术涵盖 4nm 制程,突破国内顶尖封装工艺节点。 长电科技 2022 年 7 月公告在进封测技术领域取得新的突破,实现 4nm 工艺制程手机芯片的封装,以及 CPU、GPU 和射频芯片的集成封装。 2021 年全球 OSAT 中通富微电位列第五,先进封装方面位列第七。 目前,公司技术布局进展顺利,已开始大规模生产 Chiplet 产品,工艺节点方面 7nm 产品实现量产,5nm 产品完成研发。 ,公司大规模生产 Chiplet 产品,7nm 产品已大规模量产,进一步扩大利润空间。
Global Technology and AI Conference),英特尔副总裁John Pitzer公开驳斥了关于英特尔晶圆代工部门可能分拆的传闻,并强调外部客户对于英特尔代工服务(IFS)提供的芯片和先进封装解决方案均有着浓厚的兴趣 此外,先进封装业务正成为英特尔代工部门的一项快速增长的业务,这主要是由于台积电CoWoS 先进封装产能出现瓶颈。John Pitzer 证实,英特尔在一些先进封装客户方面取得了良好的成功。 这清楚地表明,英特尔的EMIB、EMIB-T 和Foveros 等封装解决方案正被客户视为台积电先进封装解决方案的有效替代。 John Pitzer 强调,目前客户的接洽是基于一种溢出效应(spillover effect),也就是大约在12到18个月前,CoWoS 供应极度紧张,许多客户来到英特尔寻求其先进封装产能,使得英特尔当时对该业务感到非常兴奋 然而,尽管英特尔当时可能低估了先进封装业务的潜力,并且在让Foveros 达到预期目标方面表现可能稍逊一筹,同时台积电在增加CoWoS 产能方面做得非常好,但这段经历带来了重要的改变。
日月光营收新台币1,605.81亿元,环比增长4%,同比下滑11%;毛利率为16%,环比减少了0.2个百分点,同比减少了3.2个百分点;税后净利润为新台币93.92亿元(约合人民币21.5亿元),较环比增长7% 日月光投控表示,2023年第四季,封装业务较第三季减少了3%,测试业务较第三季则增长了4%,材料销售也较第三季增长了10%。 另外,全年封测事业营收将和逻辑半导体市场相仿的速度成长,而且预计有更高的先进封装与测试营收占比。 日月光投强调,今年将是“复苏的一年”,将会全力冲刺先进封装领域,同时今年的资本支出将显著增加。
所以我们就想能不能将返回结果的数据进行统一,具体如何来做,大体的思路为: 为了封装返回的结果数据:创建结果模型类,封装数据到 data 属性中 为了封装返回的数据是何种操作及是否操作成功:封装操作结果到 code 属性中 操作失败后为了封装返回的错误信息:封装特殊消息到 message(msg)属性中 据分析,我们可以设置统一数据返回结果类 public class Result { 表现层与前端数据传输协议实现 2.1 结果封装 对于结果封装,我们应该是在表现层进行处理,所以我们把结果类放在 controller 包下,当然你也可以放在 domain 包,这个都是可以的,具体如何实现结果封装
6月6日消息,据Tom's hardware报道,业内传闻显示,美国航天科技大厂SpaceX 为应对自身的需求,正计划在美国德克萨斯州建立一座芯片封装厂,导入面板级扇出型封装(FOPLP)技术,而且其基板尺寸高达 目前SpaceX 大部分芯片封装是交由欧洲的意法半导体封装,部分超出产能的订单则转交给群创代工。不过,SpaceX 正积极推动自家芯片内部生产。 其 7,600 颗强大的卫星网络是目前在轨最大的卫星网络,并且SpaceX 计划再发射超过 32,000 颗卫星,以实现真正的全球覆盖。不仅如此,该公司还签订了几份为美国政府制造卫星的合同。 SpaceX并不是唯一一个计划将芯片封装带回美国的公司。台积电此前宣布的对美国追加1000亿美元投资当中,就有宣布将在美国建设两座先进封装工厂。 最近,GlobalFoundries还宣布了投资 160 亿美元扩大其在纽约和佛蒙特州工厂的半导体制造和先进封装能力。