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先进封装最强科普
近几年，先进封装已成为半导体越来越普遍的主题。在由多个部分组成的系列中，将深入研究实现先进封装技术，如高精度倒装芯片、热压键合（TCB）和各种类型的混合键合（HB）。 首先让我们讨论一下对先进封装的需求，摩尔定律正在以迅猛的速度发展。自台积电 32nm 失误以来，直到目前的 5nm 工艺节点，台积电的晶体管密度每年增长 2 倍。 先进封装！ 这就是我们要注意的地方，一些工具供应商将所有倒装芯片封装称为“先进封装”。SemiAnalysis 和大多数业内下游人士不会这么说。 因此，我们将所有凸点尺寸小于 100 微米的封装称为“先进”。 最常见的先进封装类别称为扇出。有些人会争辩说它甚至不是先进的封装，但那些人大错特错。 Tesla Dojo 1是集成扇出封装的另一个引人注目的例子，但在晶圆级。SemiAnalysis透露，特斯拉将在发布公告前使用这种包装类型。 在先进封装中，有 2.5D 和 3D 封装。
1.4K30编辑于 2022-05-18 - 来自专栏芯智讯
持续采购先进EDA工具，联电发力先进封装
换句话来说，联电也将具备2.5D、3D IC与扇出型晶圆级封装能力，以满足客户先进封装之需求。 也就是说，联电也将能为其客户提供先进封装服务。 在此之前，联电进入先进封装领域有迹可循，除去年底与西门子EDA合作外，今年年初，联电也宣布携手Cadence共同开发3D IC混合键合（Hybrid Bond）解决方案，该方案联电也已准备就绪，整合跨制程的技术 联电以其丰富的晶圆凸块、堆叠式芯片及晶圆级封装等一站式服务经验，拓展至2.5D、3D IC解决方案，力求卡位先进封装商机。 编辑：芯智讯-林子
41720编辑于 2023-08-09 - 来自专栏光芯前沿
美国先进封装制造蓝图（MRHIEP）：用于高性能计算的先进封装供应链分析
上一篇翻译了美国先进封装制造蓝图的技术分析部分(美国先进封装制造蓝图（MRHIEP）：高性能计算相关的先进封装及异质集成技术)，这一篇来翻译一下美国对于全球先进封装供应链的分析，没有什么技术内容 此外，《芯片法案》中的国家先进封装制造计划（NAPMP）已拨款25亿美元用于先进封装的研发。 9.4.2 创新能力的引进 e.先进封装研究 《芯片法案》和国家先进封装制造计划（NAPMP）将在未来5年投资25亿美元用于先进封装研发。 随着先进封装业务向晶圆厂后端转移，光刻、蚀刻和化学机械抛光（CMP）正成为如晶圆上芯片封装（CoWoS）、混合键合等先进封装操作的关键制造工序。 先进封装设备 先进封装设备供应商在供应这些设备方面也面临着积压订单的情况。对于晶圆厂设备供应商来说，先进封装业务在其整体工具市场中所占份额较小，因此受到的关注较少。
35600编辑于 2025-04-08 - 来自专栏光芯前沿
美国先进封装制造蓝图（MRHIEP）：高性能计算相关的先进封装及异质集成技术
其目标是为美国制定一份可操作的先进封装路线图，基于异构集成路线图（HIR）并增添制造方法说明来实施 HIR。 以下是本报告的第二章关于高性能计算相关的先进封装及异质集成技术的翻译总结。 2.1 高性能计算制造路线图目标 高性能计算应用和相关先进封装技术目标如表2.1所示。 然而，近年来小芯片的出现导致FCBGA封装尺寸突然增加到80 - 100mm边长。据预测，在未来5 - 10年内，可能需要高达140mm x 140mm的封装基板尺寸来支持HPC异构集成。 共封装光学必须与单模和多模光纤无缝接口，从光纤到PIC的通道损耗在先进的封装中小于1dB。
87601编辑于 2025-04-08 - 来自专栏光芯前沿
Marvell：AI驱动的先进封装技术
例如，7nm制程下若需达到性能目标，芯片尺寸约为 700 平方毫米，到 5nm制程则需增加 60% 的面积，3nm制程时面积更是大幅增长至 1900 平方毫米，到 2nm制程几乎是 3 纳米制程的两倍。 三、先进封装技术的创新之路 （一）集成技术的突破 为满足 AI 对硬件的需求，行业开始探索创新解决方案。3.5D 集成技术应运而生，它能在相同的占位面积内提供更多的硅片面积。 此外，充分利用 2.5D、3D、3.5D 堆叠等硅片封装设计能力，推动芯片技术发展。 (三）封装的变革与挑战 传统的 JEDEC 托盘尺寸已无法满足芯片封装需求，芯片封装尺寸急剧增长。 这一趋势推动了晶圆级系统概念的发展，如 Cerebras 的 W3 采用 5 纳米技术，构建了 43 个光刻版大小的无基板晶圆级系统。 综上所述，AI 驱动的先进封装技术正引领芯片行业迈向新的征程。尽管面临诸多挑战，但创新的步伐从未停止。未来，我们有理由期待这一领域带来更多的惊喜与突破，为科技发展注入强大动力。
58110编辑于 2025-04-08 投资5亿元！亿道信息携手华封科技，进军先进封装！
亿道信息董事长张治宇及华封科技董事长王宏波对芯智讯透露，“亿封智芯先进封装项目”一期计划投资5亿元，将由华封科技提供完整的先进封装产线交付以及先进封装技术支持，亿道信息主要负责产品的定义与设计以及客户的导入 从晶圆级封装到板级封装 据介绍，亿封智芯先进封装产线将采用2.5D和3D封装及全环保工艺等前沿技术，不仅可以满足众多高端芯片客户的晶圆级封装需求，也覆盖了板级先进封装客户的需求。 但是当前国内的先进封装产能严重不足，亿封智芯先进封装项目投建就是为了解决这一问题。同时，先进封装技术的很多方法和工艺也可以用在板级设计上。 所谓整线解决方案，是华封科技2.0模式的核心，即为客户提供全套先进封装设备的同时，还提供先进封装技术的导入和先进封装工厂的运维服务，帮助客户实现系统级先进封装能力从无到有的突破。 张治宇也坦言：“华封科技在先进封装设备领域的技术及市场的领先地位，王宏波董事长对于先进封装行业趋势的精准判断和战略布局，杜博士领头的先进封装工艺团队的专业性和丰富的经验，这些都给了亿道信息足够的信心，所以我们才下定决心投身先进封装领域
51210编辑于 2026-03-20- 来自专栏光芯前沿
AMD先进封装技术：过去、现在与未来
APAC会议上AMd公司关于异构集成技术（Heterogeneous Integrated Technologies, HIT）主题报告，报告人为AMD异构集成技术部门高级技术人员Devin Wu，核心围绕先进封装技术 ，按“引言、AMD先进封装领导力、AMD芯粒（Chiplet）技术、未来方向”四大板块展开，内容如下： 一、引言：技术背景与传统缩放挑战 1. 传统芯片缩放的核心挑战 - 缩放因子有限且不一致：模拟I/O、内存、逻辑电路在28nm至5nm工艺节点中，缩放速度存在显著差异，难以协同优化； - 密度增益递减：随着工艺向5nm等先进节点演进，晶体管密度提升幅度逐渐减小 ； - 成本持续上升：单位有效面积（mm²）的成本随工艺进步增加（以250mm²裸片为例，从45nm到5nm节点成本显著攀升），摩尔定律增速放缓。 二、先进封装：AMD的行业领导力 AMD通过“横向（2D/2.5D）+纵向（3D）集成”路线，引领先进封装技术演进，关键技术节点时间线如下： - 2015年：推出2.5D高带宽内存（HBM）
95910编辑于 2025-09-03 - 来自专栏存储公众号：王知鱼
SMI：先进NAND封装在AI场景的应用
NAND 侧提升带宽路径-Single NAND Package 关于 Single NAND Package Single NAND Package（单个 NAND 封装）是指将 NAND 闪存芯片以单个物理封装的形式集成在一起的技术 这种封装可以是一个芯片上集成多个存储单元，也可以是将多个 NAND 芯片以单个封装形式组合在一起。 2. 优势 • 空间效率：通过将多个 NAND 芯片集成到单个封装中，可以节省电路板空间，提高存储器的密度。 • 性能提升：集成在同一封装中的 NAND 芯片可以通过共享数据通道和控制线路，提高数据传输速度和访问效率。 • 简化设计：使用单个封装简化了电路设计和PCB布局，降低了系统设计的复杂性。 • 在采用适当的数据压缩后，仍然需要16GB/秒的读取带宽，以提供每秒5到10个token的最低需求（针对小型语言模型）。 • 拥有数十GB设备的推理能力可能会变得随处可见。
57900编辑于 2025-02-11 - 来自专栏芯智讯
美国宣布：30亿美元投向先进封装研发！
11月21日消息，美国东部当地时间周一，美国拜登政府公布了包含约30亿美元补贴资金的“国家先进封装制造计划”，旨在提高美国半导体的先进封装能力，弥补其半导体产业链的短板。 洛卡西奥声称，到2030年，美国将拥有多个大批量先进封装设施，并成为最复杂芯片批量先进封装的全球领导者。 此外，还有一项5年内拨款110亿美元，用于实施“FY21 NDAA”法案第9906节授权的“商业研发和劳动力发展计划”，包括了国家半导体技术中心（“NSTC”）、国家先进封装制造计划以及第9906节授权的其他研发和劳动力发展计划 目前尚不清楚，美国政府对于30亿美元的“国家先进封装制造计划”补贴申请是否也有类似的限制条款。 即便如此，已经有不少外国企业计划在美国设立先进封装厂。 比如，韩国芯片制造商SK海力士公司就曾表示，将投资150亿美元在美国建立先进的封装设施；亚利桑那州州长凯蒂·霍布斯也透露，该州正在与台积电进行谈判，可能在该州建设先进封装厂。
38510编辑于 2023-11-22 - 来自专栏IT大咖说
先进IC封装，你需要知道的几大技术
先进集成电路封装技术是“超越摩尔定律”上突出的技术亮点。在每个节点上，芯片微缩将变得越来越困难，越来越昂贵，工程师们正在把多个芯片放入先进的封装中，作为芯片缩放的替代方案。 然而，虽然先进的集成电路封装正在迅速发展，设计工程师和工程管理人员必须跟上这一关键技术的步伐。首先，让我们了解高级IC封装中不断出现的基本术语。 华为曾向媒体透露7nm的麒麟980研发费用远超业界预估的5亿美元，紫光展锐的一名工作人员则对记者表示，5G Modem研发费用在上亿美元，光流片就相当费钱，还有团队的持续投入，累计参与项目的工程师有上千人 高带宽存储器(HBM) 如今，GDDR5经过这么多年的发展已然来到了一个瓶颈，光靠频率提升来提供更大的显存位宽已经没有太大空间，而这势必会反过来影响到GPU的性能发挥。 相对于传统的GDDR5显存来说，HBM无疑是更加先进。 HBM是一种标准化的堆叠内存技术，它为堆栈内以及内存和逻辑之间的数据提供了宽通道。
2K51发布于 2020-10-19 扩充先进封装产能，日月光32亿元取得群创南科Fab 5厂房
为应对生成式AI与高性能计算（HPC）快速发展所带动的AI芯片需求，封测龙头日月光投控正加速扩张先进封装版图。 根据公告，此次交易的建物总面积达184,313.95平方公尺，折合约5万5,754.97坪。为了加速交付进度以利扩充半导体先进封装产能，双方将另签署提前使用补偿协议。 市场解读，先进封装已成为当一半导体产业的关键瓶颈。 晶圆代工龙头台积电早于2024年即向群创取得南科厂房，如今同为半导体巨头的日月光也跟进布局，晶圆制造与先进封装同步扩张，使南科园区快速崛起为先进制程与封装重镇。 而在卖方群创光电方面，此次处分南科Fab 5厂的目的是为挹注公司营运及未来发展动能，充实营运资金，预计可带来约新台币133亿元的处置利益。
22710编辑于 2026-04-17- 来自专栏存储公众号：王知鱼
HBM，先进封装和能效的集大成者
掌握HBM通过3D堆叠、2.5D封装和超宽总线实现高带宽与能效的架构精髓。 识别DDR5在传统架构下，通过双32位子通道等创新提升并行性的策略。 洞察HBM与DDR5在不同计算范式（吞吐量 vs. 这些裸片之间的通信并非通过传统的引线键合，而是通过一种名为“硅通孔”（Through-Silicon Vias, TSV）的先进技术。 02 2.5D封装的集成范式 为了将HBM堆栈与主处理器（如GPU或CPU）连接起来，业界采用了2.5D封装技术 18。 此外，采用硅中介层的2.5D封装工艺远比制造标准PCB和DIMM复杂且昂贵 1。这种经济和工程上的选择完全是由数据密集型计算的需求驱动的。 表1：HBM3与DDR5架构对比 指标 (Metric) HBM3 DDR5 接口宽度 1024位/堆栈 64位/模组 通道数量 16通道/堆栈 2子通道/模组 集成方式 2.5D SiP（与处理器协同封装
2.7K11编辑于 2025-10-09 - 来自专栏光芯前沿
Intel先进封装技术：从异构集成到光互连创新
在2025年IEEE第75届电子元件与技术会议（ECTC）上，英特尔发布了一系列关于先进封装技术的研究成果，涵盖CPO/OIO、嵌入式多芯片互连桥（EMIB）的下一代演进（EMIB-T）、光互联封装集成及高精度热压焊 ◆封装架构与核心组件设计 CPO封装架构以EMIB技术为基础，构建了多芯片封装（MCP）系统：中心为XPU计算芯片，周边通过EMIB连接多个辅助芯片，其中部分为光学I/O（OIO）芯片。 本文演示的概念验证（POC）多芯片封装以及该领域正在深入研究的 POC，表明将光子学集成到封装中的前景广阔。 将其与先进封装架构（如 Foveros 和 Foveros Direct）相结合，可实现更节能、更高带宽的光子封装。 ◆ 应用场景与实际效果 低温差TCB技术已在多个先进封装场景中验证其价值： ① EMIB间距缩放：在Xeon 6处理器（Granite Rapids GNR）中，将EMIB间距缩小20%，
2.6K20编辑于 2025-07-10 瞄准先进封装市场，传ASML将开发混合键合设备
据业内传闻显示，继此前推出了两款面向先进封装市场的光刻机之后，光刻机大厂ASML正大举进军半导体后端制造设备市场，主要聚焦于快速增长的先进封装领域。 根据韩国媒体The Elec报导称，ASML将与外部的零部件供应商合作开发先进封装所需的整套混合键合（hybrid bonding）设备。 与EUV光刻的整体光刻解决方案，将晶圆键合对位精度提升至约5nm。 此外，先进封装市场快速成长，相关设备商表现亮眼，这也成为ASML进军混合键合的重要因素之一。 贝思半导体（Besi）表示，其第四季末积压订单同比暴涨105%，主要受到了混合键合需求带动；ASMPT去年也预估，先进封装将占其总营收约四分之一。
20710编辑于 2026-03-19英特尔EMIB-T先进封装良率已达90%！
全球AI芯片竞赛的战火，已然从制程工艺蔓延至先进封装领域。当前，台积电CoWoS产能持续满载，供不应求的局面让下游厂商焦头烂额。 在此背景下，英特尔正以其EMIB先进封装技术杀入这一由台积电长期把持的市场。 良率突破的“含金量”：跨过门槛，但硬仗在后 对于英特尔而言，90%的EMIB-T先进封装良率无疑是一剂强心针。 其中，第二种封装方案确实有其优点，技术层面上效果看起来很不错。 这似乎也印证了，除了台积电以外，联发科和谷歌合作的Humufish（TPU v9x）可能还会选择其英特尔的EMIB-T先进封装技术路线。 这其中不仅是因为台积电仍在试图争取后段封装订单，更在于台积电需要严肃评估英特尔EMIB-T及载板的实际后端产出，避免其稀缺且昂贵的先进制程产能被错配。
24510编辑于 2026-05-06- 来自专栏芯智讯
日本Resonac宣布在美国建先进封装和材料研发中心
11月22日，日本半导体材料制造商Resonac宣布，将在美国硅谷建立一个先进半导体封装和材料研发中心。 值得注意的是，11月21日消息，美国东部当地时间周一，美国拜登政府公布了包含约30亿美元补贴资金的“国家先进封装制造计划”，旨在提高美国半导体的先进封装能力，弥补其半导体产业链的短板。 美国期望通过“国家先进封装制造计划”，到2030年将拥有多个大批量先进封装设施，并成为最复杂芯片大量先进封装的全球领导者。 据悉，美国商务部预计2024年宣布芯片封装计划的第一个材料和基板补贴目标，而未来的投资将集中在其他封装技术，以及更大范围的设计生态体系。 显然，Resonac宣布将在美国硅谷建立一个先进半导体封装和材料研发中心，也是希望能够获得美国政府关于先进封装的相关补贴。
51310编辑于 2023-11-23 先进封装成突围关键，TEL如何助力中国客户技术跨越？
瞄准先进封装，TEL助力中国客户实现技术跨越 特别是在中国本土先进制程发展受限，芯片制造商纷纷转向通过Chiplet、3D集成等先进封装技术的来实现芯片性能提升的背景下，TEL也积极地顺应这一趋势，提供具有优势的设备 比如，面向先进封装与3D集成制造流程，TEL可以提供： 永久键合系统Synapse™ Si：可用于实现高精度、高产能的晶圆对晶圆（Wafer-to-Wafer）永久结合，是面向先进封装与 3D 集成制造流程中的核心设备 除了上述面向先进封装的设备外，TEL在传统晶圆制造环节的清洗和涂胶显影设备也同样具备强大的竞争力，并且部分型号也能满足先进制程的需求。 所以，中国厂商在先进封装、3D IC这方面的发展很快，与国外同步，甚至可能更急迫地在往前发展。 凭借贯穿晶圆制造到先进封装的全链条设备布局，TEL已成为全球半导体产业链中不可或缺的一环。
26210编辑于 2026-04-10- 来自专栏芯片工艺技术
半导体与半导体生产设备：Chiplet技术，先进封装，优选谁
长电科技：国内封装龙头，TSV-less 路线引领 长电科技聚焦关键应用领域，在 5G 通信类、高性能计算、消费类、汽车和工业等重要领域拥有行业领先的半导体先进封装技术（如 SiP、WL-CSP、FC、 4nm 芯片作为先进硅节点技术，也是导入 Chiplet 封装的一部分，作为集成电路领域的顶尖科技产品之一，可被应用于智能手机、5G 通信、人工智能、自动驾驶，以及包括 GPU、CPU、FPGA、ASIC 2021 年全球 OSAT 中通富微电位列第五，先进封装方面位列第七。 目前，公司技术布局进展顺利，已开始大规模生产 Chiplet 产品，工艺节点方面 7nm 产品实现量产，5nm 产品完成研发。 显示驱动芯片方面，公司率先布局，已导入国内外第一梯队客户，业务即将进入爆发期； （6）5G 方面，公司持续以“先进封装耕耘 SOC 大客户，提高周边配套芯片客户份额”为策略，相关业务将持续增长。 此外，通富微电积极布局其他封装技术研发项目，在高性能计算、5G 应用及汽车电子等领域持续深耕，将为未来发展注入新动能
2K20编辑于 2022-11-16 - 来自专栏芯智讯
投资900亿新台币，台积电宣布新建先进封装晶圆厂
7月25日消息，据中国台湾媒体报道，由于先进封装产能供不应求，台积电计划斥资近新台币900亿元（约合人民币206亿元），于竹科辖下铜锣科学园区设立生产先进封装的晶圆厂，预计创造约1500个就业机会。 未来台积电可以在这边，至少会有5个先进制程工厂，将会是扩大中国台湾在半导体产业战略地位非常重要的园区。 凸显台积电CoWoS先进封装产能的吃紧程度。 台积电此前也表示，自去年起，CoWoS产能需求几乎是双倍成长，面对CoWoS先进封装产能爆满。 为此，台积电数月前就曾宣布，计划将CoWoS产能扩大40%以上，优先规划把先进封装龙潭AP3厂部分InFO制程转至南科厂，空出来的龙潭厂加大力度扩充CoWoS产能，竹南AP6厂也将加入支援，扩充先进封装制程 刘德音在此前的台积电股东会上就曾透露，受益于AI需求增加，客户端对于先进封装需求远大于台积电现有产能，迫使公司急需增加先进封装产能，在此状态下，会把CoWoS制程中的oS流程交由专业封测代工厂（OSAT
45220编辑于 2023-08-09 Intel 18A良率已有惊人提升，先进封装业务取得突破
，并强调外部客户对于英特尔代工服务（IFS）提供的芯片和先进封装解决方案均有着浓厚的兴趣，这也是英特尔管理层对代工部门改善现状充满信心的主要原因之一。 他表示，英特尔正大规模生产采用Intel 18A 制程的Panther Lake 芯片，这些产品预计将于2026年1月5日进入零售展示。 此外，先进封装业务正成为英特尔代工部门的一项快速增长的业务，这主要是由于台积电CoWoS 先进封装产能出现瓶颈。John Pitzer 证实，英特尔在一些先进封装客户方面取得了良好的成功。 这清楚地表明，英特尔的EMIB、EMIB-T 和Foveros 等封装解决方案正被客户视为台积电先进封装解决方案的有效替代。 然而，尽管英特尔当时可能低估了先进封装业务的潜力，并且在让Foveros 达到预期目标方面表现可能稍逊一筹，同时台积电在增加CoWoS 产能方面做得非常好，但这段经历带来了重要的改变。
34910编辑于 2026-03-20
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