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三星否认HBM3E质量问题！
5月27日消息，据韩国媒体Business Korea报道称，针对此前三星高带宽內存（HBM）未通过英伟达（NVIDIA）认证是因为功耗及散热问题的消息，三星予以了否认。 据了解，三星近期开始量产第五代HBM产品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E。 目前英伟达有多种GPU采用HBM3E內存，包括H200及B200、B100和GB200，虽然都需要HBM3E內存堆叠，但对功耗和散热要求不同。 因此，Tom′s Hardware猜测，三星HBM3E內存可满足英伟达H200、B200及AMD即将推出的Instinct MI350X的要求，但可能无法满足Nvidia GB200要求。 所以，三星方面只能说时运不济，努力了多年，却在市场爆发的时候输给给了竞争对手。因此，三星只能通过各种方式加强产品进展，包括更换半导体部门业务负责人，希望能重新回到HBM市场领先的行列。
23510编辑于 2024-05-28 三星HBM3E终于通过英伟达认证！
9月21日消息，据韩国媒体Businesskorea援引业内人士的消息报道称，三星第五代12层堆叠高带宽内存HBM3E产品终于通过了英伟达（Nvidia）的品质认证测试，预计不久后开始向英伟达供应HBM3E 随后，美光的HBM3E在今年第一季通过英伟达认证，三星虽然已向AMD出货HBM3E 12层芯片，但从去年2月向英伟达提供首批HBM3E 12层芯片样品测试后，一直未能满足英伟达严格的性能要求，就这样拉扯长达 直到近日，韩国多家媒体援引业内人士透露，三星终于正式通过英伟达HBM3E 12层芯片质量认证测试，将成第三家向英伟达提供HBM3E 12层产品的公司。 不过HBM通常会提前1年预订，而SK海力士、美光今年配额已全数售罄，脚步晚了1年半的三星预计短期供货量有限，表现结果有待观察。 三星打算本月向英伟达大量出货 HBM4 样品，盼早日获得英伟达认证。 编辑：芯智讯-浪客剑
18910编辑于 2026-03-20三星：Groq 3 LPU正在生产，订单量超预期！
3月17日消息，据韩国媒体Business korea报道，三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存（HBM5），其底层芯片（Base die）将采用2nm工艺。 同时，英伟达新款人工智能（AI）推理专用芯片“Groq 3 语言处理单元（LPU）”已委托三星晶圆代工，并采用4nm工艺生产。 三星电子设备解决方案（DS）事业部存储器开发执行副总裁黄相俊和总裁韩进万于当地时间3月16日在美国加利福尼亚州圣何塞举行的GTC 2026大会三星电子展位上发表了上述讲话。 黄仁勋在三星代工生产Groq 3 LPU晶圆上亲笔签名并写上“GROQ SUPER FAST”，在三星HBM4晶圆上写上“AMAGING HBM4!”。这两款产品均由三星制造。 他特别着重解释了“Groq 3 LPU”，此前英伟达首席执行官黄仁勋在当天的 GTC 2026 主题演讲中提到“三星电子正在制造它”，这引起了人们的极大兴趣。
18210编辑于 2026-03-19三星Q3存储业务营收创历史新高！
在存储业务方面，三星表示，2025 年第三季度存储业务在 HBM3E 和服务器 SSD 的强劲增长的推动下，销售额环比增长 19%。 其中内存业务通过扩大 HBM3E 销售额，同时积极应对所有应用的强劲需求，使得季度销售额达到了26.7万亿韩元（约合187亿美元），同比增长20%，环比增长26%，创下历史新高。 三星指出，目前HBM3E正在量产中，并销售给所有相关客户，而HBM4样品正在同时向主要客户发货。有利的价格环境和库存价值调整等一次性成本的显着降低有助于提高利润。 三星预计，2025 年第四季度，DS部门的存储业务将积极响应人工智能和传统服务器的需求，推出 HBM3E、高密度 eSSD 和其他领先的内存产品。 3、三星电子显示业务（SDC）第三季度实现合并营收8.1 万亿韩元（约合57亿美元），营业利润1.2万亿韩元（约合8.4亿美元）。
17210编辑于 2026-03-19- 来自专栏芯智讯
三星即将推出280层3D QLC NAND Flash
1月30日消息，三星已宣布即将于2月18日至2月22日在美国旧金山举行的IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，介绍其280层堆叠的3D QLC NAND Flash，这将是迄今为止储存数据密度最高的新型 3D QLC NAND Flash。 根据三星即将演讲的主题《A 280-Layer 1Tb 4b / cell 3D-NAND Flash Memory with a 28.5Gb / mm² Areal Density and a 3.2GB /s High-Speed 10 Rate》来观察，其280层堆叠的1Tb QLC 3D QLC NAND闪存将具有以下特性： 首先，该280层3D NAND Flash将是由280层的储存单元垂直堆叠而成 根据三星此前曝光的PPT来看，其QLC NAND V9闪存可以提供最高8TB的M.2硬盘，I/O速度超过单个芯片2.4Gbps，原始性能可与当今TLC闪存直接竞争。
25710编辑于 2024-02-06 三星和SK海力士对HBM3E涨价20%
12月25日消息，据《朝鲜日报》报道，随着美国特朗普政府允许英伟达H200对中国出口，消息人士称三星电子和SK海力士已将2026年HBM3E供应价格上调近20%。 尽管HBM3E今年仍是HBM市场的主流产品，且随着HBM4在明年上市，HBM3E的价格预计将趋于回落或持平，但包括英伟达、AMD在内的AI芯片厂商仍在持续出货基于HBM3E的AI加速器，使需求可能将保持稳步增长 除了英伟达对于HBM3E需求增长外，谷歌和亚马逊等大型科技公司也在经历HBM3E需求的上升。谷歌的张量处理单元（TPU）和亚马逊的Trainium均配备HBM3E，计划于2026年开始发货。 谷歌第七代TPU每颗芯片将集成8个HBM3E堆栈，而亚马逊的Trainium3据称使用了4个堆栈HBM3E堆栈。 与此同时，随着三星电子和SK海力士预计优先加快下一代HBM4的生产，HBM3E供应依然紧张，持续落后于需求。分析师预测，明年HBM收入结构将约为：45%是HBM3E，55%为HBM4。
27110编辑于 2026-03-20- 来自专栏芯片工艺技术
三星的开始
三星公司于1969年1月在韩国以三星电子工业公司的名义成立。它的创始人Lee Byung-Chul是一位韩国商人。 三星还于1985年成立了三星数据系统（现称为三星SDS），以满足企业对系统开发不断增长的需求。 在这个时间点上，可以肯定地说三星表现不错。 直到1995年，即三星首次推出手机后的几年，才决定三星需要一种新的业务战略来应对其未来。三星电气工业公司董事长李坤熙是率先进行这一变革的人。 智慧的开始 2010年6月，三星发布了首款智能手机：三星GalaxyS。 自从Tab S2成功以来，三星已经发布了更多出色的平板电脑，其最新版本是2020年的Galaxy Tab Active3 。
96320编辑于 2022-06-08 - 来自专栏芯智讯
三星发布全新3D ToF及全局快门传感器
12月28日消息，三星近日发布了两款专为AR/VR头戴装置和智能手机设计的两款新感测器：3D ToF飞行时间传感器ISOCELL Vizion 63D 和全局快门（global shutter）传感器ISOCELL 目前两款传感器正接受全球装置制造商和品牌商的测试，预计会在三星MR混合现实头戴装置等未来产品中使用。 整合深度感知硬件ISP的传感器ISOCELL Vizion 63D ，功耗较传统元件降低了40% 据介绍，3D ToF传感器ISOCELL Vizion 63D尺寸为1/6.4英寸，采用3.5μm尺寸像素 该元件能计算发射光与反射光之间的相位差，并借此了解周遭环境的3D状况，因此特别适用于AR/VR头戴装置、机器人和智慧手机等装置上的安全人脸识别功能。 可以预见的是，我们很快就能在三星即将推出的MR头戴装置上看到该元件。 编辑：芯智讯-林子
41610编辑于 2023-12-29 - 来自专栏镁客网
李在镕：三星计划利用全球首个3纳米工艺制造芯片
三星计划在2021年实现3nm工艺量产。 策划&撰写：韩璐 据外媒报道，三星电子正在考虑用3nm工艺制造芯片，三星实际领导人李在镕在参观位于京畿道华城的半导体研发中心时，特地探讨了围绕3nm的半导体战略。 围绕GAA，三星电子表示，3nm GAA技术的逻辑面积效率比5nm制造工艺提高35%，功耗降低50%，性能方面则提高约30%。 不过三星已经把目标放在了未来的3nm工艺上，预计2021年量产，这个时间点要早于台积电。 从量产时间点来看，虽然三星在3nm工艺上要早于台积电一年，不过最后结果如何，目前依旧不能下定论。
51010发布于 2020-02-12 - 来自专栏智能相对论
三星，再次“西征”
文|智能相对论 作者|Alex Chiang 三星，和它的中国“结” 你是否经历过“三星霸市”的时代？ 三星成立了新的中国团队，涉足领域覆盖手机、家居设备，直接向三星副董事长韩钟熙汇报。 但事情的重点，并不是三星何时宣称重返中国市场，而是如何重返？ 这一次，三星能成功吗？ 三星为何再次 “瞄准”国内市场？ 在痛失中国这一庞大市场的前提下，三星智能手机在全球的销量仍能雄踞榜首。 而即将上市的三星Galaxy Z Flip3 Bespoke起售价为8399元。 参考文章： 「1」《三星手机又想重返中国 》，财经天下； 「2」《三星手机年销2.75亿台，蝉联10年全球第一，却在中国市场一败涂地》，数码小妖精； 「3」《折叠屏打头阵，三星再战中国》，资本侦探； 「
52520编辑于 2022-05-17 - 来自专栏Android Camera开发
三星 Camera Sdk
没想到三星还出了Camera SDK，今天就来了解下吧~ 三星虽然在国内基本没市场了，不过，三星的实力还是得佩服。 简介 三星Camera SDK专为第三方APP打造，将三星系统Camera的实用功能和高级特性封装对外开放，通过集成三星Camera SDK，任何APP都可以轻松调用三星Camera的原生功能，如HDR ü 对比图： 3. 架构 4. SDK集成 第三方App需要集成三星Camera API-2 SDK JAR到App中。 JAR包只含SDK的接口部分，实现在三星设备系统侧的三星 Platform APK中，类似于谷歌的AR Core。 第三方的Camera APP在运行时需要检查三星 Platform APK是否已经被安装。如果三星设备中并没有三星 Platform APK或版本不匹配，需要提醒用户安装或更新。
44210编辑于 2024-01-30 - 来自专栏罗超频道
华为赶超三星
在不久后，余承东在上海再一次缩小了这一预言的范围：全球手机厂商未来只剩3家，苹果、三星、华为，我也觉得这是吹牛。 ? 而且华为似乎要将超过三星的一时间点尽量提前，据外媒报道，华为将2019年智能手机的年度出货量目标定为2.5亿部，并将在2020年挑战3亿部的出货量目标，如果目标实现，华为将在2019年就会超越三星，成为世界第一 在供应链方面，华为部分手机元件依赖于三星。根据三星的企业数据显示，华为入围三星电子2018年上半年的五大客户，华为手机的屏幕、内存和闪存都靠三星提供。 在手机业务上，华为是三星的最大竞争对手，很难说三星是否会在基础原件上对华为进行限制。虽然三星不同业务体系间独立性很强，但也只是相对独立。 3、缺乏操作系统。 华为软件服务营收上不去的关键是缺少自主研发的操作系统，操作系统是手机厂商提供给用户的核心互联网软件产品，不论通过何种互联网软件服务变现都离不开操作系统。
59120发布于 2019-03-06 - 来自专栏芯智讯
三星明年将推出基于3D ToF技术的X光机
12月28日消息，据韩媒 The Elec 报导，三星计划于明年推出一款采用 3D ToF （飞时测距，Time of Flight）技术的 X 光机，其中核心的图像感测器由 SONY 制造。 三星过去曾在自家智能手机中使用过 ToF 模组，但现在已不再这样做。 据介绍，这台 X 光机是由三星的医疗设备业务推出。 报导称，将 ToF 技术应用于医疗机器，有助于提高拍摄图像的准确性，因为会收集骨骼、肌腱和静脉的3D信息，以及其形状、体积和密度。 事实上，三星早在 2010 年就打算布局医疗设备，另外也将制药、太阳能、车用电池和 LED 视为未来的成长引擎。在整个 2010 年代，三星收购许多间医疗设备相关公司，但后来将它们出售。 不过，三星仍保留在 2013 年收购的 NeuroLogica，公司业务是生产电脑断层扫描机。此外，三星的医疗设备业务生产各种成像设备，从核磁共振成像机器到X光机。
33620编辑于 2023-02-09 传三星12层堆叠HBM3E已通过英伟达认证
8月12日消息，据韩国媒体“Alpha经济”独家报导，人工智能（AI）芯片大厂英伟达（NVIDIA）近期与三星电子已达成协议，将供应12层堆叠的HBM3E內存。 报道称，根据协议内容，英伟达将分批从三星电子获得约3万至5万颗12层HBM3E 內存。据悉，三星供应的12层堆叠HBM3E 內存将全部用于水冷服务器。 对此，三星电子回应称“无法确认”。 不过，三星电子此前一直被传HBM3E获得英伟达验证，但是多此被证伪。今年6月，三星电子似乎仍未能通过第3次英伟达12层HBM3E 的认证，第4次认证时间传出是在9月。 三星电子近期正积极压低HBM3E 的生产成本，以争取英伟达下单。三星电子表示，“考察下半年一般型DRAM价格的上涨趋势，预期HBM3E 与一般型DRAM 之间的利润差距会快速缩小。”
9210编辑于 2026-03-20- 来自专栏芯智讯
台积电3nm量产持续延迟？高通骁龙8 Gen 3 可能重回三星？
3 行动处理器交由三星来生产。 报导引用消息人士的说法，指出因为台积电3nm制程一直存在量产问题的情况下，三星方面很有可能接下骁龙8 Gen 3 的代工订单。 事实上，目前已经宣布量产3nm GAA 技术制程的三星，除了仅供应某家加密货币厂商之外，至今尚未拿下智能手机芯片厂商的订单。不过，消息指出，目前三星已经通过高通的样品认证，有机会在未来进行供货。 因此，如果三星能够解决良率不佳的问题，则高通将可以享受到3nm GAA 技术制程带来的性能提高23%，能耗最多降低45% 的好处。 报导最后强调，三星的第二代3nm制程将预计在2024 年量产，号称比第一代3nm制程有更多的进步，这也代表三星进一步希望从台积电手上抢下更多市占率的企图。
39730编辑于 2022-11-29 - 来自专栏数字芯片实验室
三星和SK hynix放弃DDR3生产，专注于对HBM3的持续需求
PCB上的DDR3内存。 据IT Home报道，三星和SK hynix将永远退役各自的DDR3生产线。据报道，两家韩国内存制造商将在今年下半年停止向市场供应DDR3内存。 两家公司都在做出这一改变，以应对对人工智能优化的HBM3内存日益增长的需求，因此三星和SK hynix正专注于更有利可图的市场。 DDR3仍然用于不需要尖端DDR5甚至DDR4内存的特定应用。 鉴于利润率，三星和SK hynix取消DDR3生产而支持DDR5和HBM3内存类型也就不足为奇了。SK hynix证实，由于人工智能的繁荣，HBM3内存需求失控。 服务器和PC市场早已远离2007年首次推出的DDR3，DDR4自2014年以来一直存在。因此，三星和SK hynix终于准备从生产线上完全移除DDR3也就不足为奇了。 美光和南亚继续生产数量有限的DDR3内存。随着生产逐渐减少，三星和SK海力士退出DDR3市场可能有助于提高DDR3定价。
57910编辑于 2024-05-28 Exynos 2600实测：三星2nm仍不及台积电3nm
3月28日消息，随着三星Galaxy S26系列的上市，三星首款基于自家2nm GAA制程工艺的Exynos 2600处理器的性能也被曝光。 从基于该处理器的实测数据来看，三星2nm GAA制程的能效表现仍不及基于台积电3nm的高通Snapdragon 8 Elite Gen 5。 S26搭载的Exynos 2600的性能表现上已与高通基于台积电3nm（N3P）的Snapdragon 8 Elite Gen 5 相当，但30W峰值功耗已与部分笔记本电脑的功耗相当，令人担忧。 根据最新Geekbench 6测试显示： 高通Snapdragon 8 Elite Gen 5： 单核： 3,641分 多核： 10,902分 峰值功耗： 21.48W 三星Exynos 2600： 单核 这也反应了台积电3nm制程的整体表现仍优于三星2nm。
16800编辑于 2026-04-10- 来自专栏机器之心
三星3D版「AI上色」算法：神经网络实时渲染真实视频
选自 arXiv 作者：Kara-Ali Aliev、Dmitry Ulyanov、Victor Lempitsky 机器之心编译 近日，三星的三维研究人员开发出了一种「实时真实图片神经渲染器」的模型 对于点云中的每一个点，我们将其和一个小的 N-维描述器（类似于 3 维的颜色描述器）联系起来。 图 5：「Plant」数据集上的对比结果，细节展示格式与图 3 相同。 ? 图 6：「Shoe」数据集上的对比结果，细节展示格式与图 3 相同。 他们还在图 3 至图 6（显示点云）的验证集框中展示了不同方法的定性对比结果。 总的来说，定量和定性对比结果都显示出了使用点云作为几何代理的优势。 定性结果揭示了尤其会在体积较小物体上出现的此类网格生成失败情况（如图 3 中的自行车细节或图 5 中的植物叶子）。
1.1K20发布于 2019-07-30 - 来自专栏新智元
全球3纳米里程碑！三星抢发量产芯片，弯道超车台积电？
中间三位大咖抱的可不是普通的「盘子」，而是刚从三星华城电子园区生产线上拿下来的3纳米晶圆。 再看看周围的其他团队成员，笑得也相当开心。而且他们比的不是剪刀手，而是代表着3纳米的「3」。 4月份就有消息传出来，说三星基于GAA的3纳米工艺良率才在10%~20%之间，比预期低得多。 三星需要付出更多的精力和成本来解决这个问题。 5月份就再次传出了3纳米良率问题已得到解决的消息，6月初才又传出来进入试验性量产的说法。 不过，有了4月的前车之鉴，业界很多专家都对三星3纳米的真实情况打了个小小的问号。 据报道，6月22日，市场再次传出了三星3纳米芯片量产再一次推迟的消息，还是因为良率问题。 而且，三星之前给别的大厂代工芯片还闹出过不少笑话。 如果三星3nm工艺真的只有表中170 MTr/mm²的程度，那么这和台积电的差距，就一目了然了！ 最终，台积电的3纳米到底会带来多强烈的「震撼」，我们拭目以待！
37310编辑于 2022-07-01 - 来自专栏数字芯片实验室
据报道，三星未能通过NVIDIA的HBM3E内存资格测试
行业报告表明，三星未能通过NVIDIA的HBM3E内存验证，这可能会给这家韩国巨头造成打击。 三星的HBM3E内存验证因未能达到SK海力士和NVIDIA设定的标准而遇到了障碍 这将给三星的内存部门带来令人震惊的局面，过去几个季度，三星的内存部门将出现经济反弹。 在之前的报道中，披露了三星如何在AMD等公司之后吸引NVIDIA对其HBM生产线的兴趣，AMD已经将这家韩国巨头的HBM3E 8层纳入其AI加速器。 AlphaBiz的报告披露，虽然一些消息来源称三星的HBM3E内存被归类为“有缺陷”，但其他消息来源认为，验证测试失败只是因为SK hynix将标准定得很高，因为该公司采用了不同的制造技术，这与三星有很大不同 如果我们看看行业动态，三星对市场快速增长的影响力被视为对台积电和SK hynix的威胁，只是因为这家韩国巨头可以通过其一系列部门（如三星工艺厂）提供尖端的内存和半导体供应。
26610编辑于 2024-05-17
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