晶圆边缘效应与LVDT多点布局

单点测厚只能反映探针所在位置的厚度，而实际晶圆经磨削后往往存在厚度不均匀现象——尤其是晶圆边缘区域，由于磨削轮与晶圆的相对运动轨迹、吸盘边缘支撑刚性差异等因素，边缘厚度与中心厚度可能存在系统性偏差，这就是业内常提到的"边缘效应"（Edge Effect）。

为了评估整片晶圆的厚度均匀性（TTV），单一固定测点的LVDT显然不够，行业内常见做法包括：

多探针阵列布局：在晶圆半径方向布置多个LVDT测头，同时采集不同半径位置的厚度读数

旋转扫描测量：晶圆随吸盘旋转过程中，固定测头周期性采样，结合旋转角度重建全周厚度分布

磨削后离线多点扫描：在磨削工位下游设置独立测厚工位，对晶圆做径向或全域扫描

无论采用哪种布局，其背后对LVDT本身提出的共同要求是：多探针之间必须有一致的标定基准与温度特性，否则探针间的系统性差异会被误判为"晶圆厚度不均匀"，反而掩盖真实的工艺问题。