ESD防护器件瞬态电压最主要的特点有三个:超高压,瞬时态,高频次。超高压是指通常的瞬态电压尖峰,高出正常电路电压幅值的好几倍。 虽然有些微电子半导体芯片受到瞬态电压侵袭后,它的性能没有明显的下降,但是多次累积的侵袭会给芯片器件造成内伤而形成隐患。 瞬态电压对芯片器件造成的损伤难以与其它原因造成的损伤加以区别,从而不自觉地掩盖了失效的真正原因。由于微电子半导体芯片的精、细、结构,如要替换或修理需要使用高度精密仪器,是非常费财的。 所以压敏电阻的响应时间要小于1ns,越小越好漏电流:最大峰值电流:压敏电阻在规定的条件下,允许通过其上的最大脉冲电流值;绝缘电阻/瞬态电阻:最大能量吸收能力:应用范围:某些压敏电阻会推荐具体应用,例如用在EMI、ESD防护 另外,一般TVS的寄生电容较大,如果在高速数据线上面使用,需要选择特制的低电容器件。价格较贵。
特点:响应时间达到几百ns~几秒,在保护器件中相应最慢,通流量大。用途:主要用于交流电源,防雷电路,直流电源口等高压防护,用在电源信号的最前端,保护后级电路。失效模式:多数情况下为开路。 ②压敏电阻压敏电阻是一种限压型保护器件。工作原理:当过电压出现在压敏电阻两端时,压敏电阻可将电压钳位到一个相对固定的电压值,从而保护后级电路。特点:响应时间ns级。使用寿命较短。 ③电压钳位型瞬态抑制二极管TVSTVS是一种限压型保护器件。工作原理:当过电压出现在TVS两端时,TVS可将电压钳位到一个相对固定的电压值,从而保护后级电路。特点:响应时间ps级。限压器件中最快的。 失效模式:主要是短路④电压开关型瞬态抑制二极管TSSTSS是一种限压型保护器件。 ⑤热敏电阻PTCPTC是一种限流保护器件。区别于NTC。工作原理:PTC的电阻值随流过的电流的增大而迅速增大,从而起到限流的作用。特点:响应时间ms级。失效模式:主要是开路。
E:Ipp:是否有EOS(surge)防护的需求。 注意:很多国产的datasheet会标出Ppk,这是没有参考意义的,为什么呢,请自己思考下,然后留言你的看法,或者后台回复“Ppk”查看答案。 EOS 是在ESD的基础上面加强去防护EOS的,所以EOS可能能够防护ESD,而ESD不一定能够防护EOS。
一、半导体器件的核心控流作用:单向导电的物理基础1. 二、动态排流防护的三层工作逻辑:感知 - 响应 - 保护1. 过压过流保护机制· 瞬态过压防护:· 并联压敏电阻(MOV):当电压超过额定值(如 1.2kV)时,MOV 阻值骤降(从 MΩ 级降至 Ω 级),将过电压钳位至安全范围(如 800V),保护二极管不被击穿 交流干扰的阻断与泄放· 工频干扰防护:· 当 50Hz 交流干扰电压(如高压电缆感应)叠加在金属结构上时,排流器在交流正半周导通排流,负半周截止,但长期交变电流可能导致二极管发热(需选用低正向压降器件) ;· 搭配 LC 滤波电路(电感 100μH + 电容 10μF),衰减 100kHz 以下交流分量,降低器件损耗。
电子元器件有多种分类方式,应用于不同的领域和范围。 1.按制造行业划分——元件与器件 元件与器件的分类是按照元器件制造过程中是否改变材料分子组成与结构来区分的,是行业划分的概念。 例如有时说元件或器件时实际指的是元器件,而像半导体敏感元件实际按定义应该称为器件等。 分立器件与集成器件的本质区别是,分立器件只具有简单的电压电流转换或控制功能,不具备电路的系统功能;而集成器件则可以组成完全独立的电路或系统功能。 6.电子工艺关于元器件的分类 电子工艺对元器件的分类,既不按纯学术概念去划分,也不按行业分工划分,而是按元器件应用特点来划分。常用元器件分类。 实际上在元器件供应商那里,分类是没有一定之规的,例如某大型元器件供应商网站关于元器件分类。
如果能辨别标识的含义,就不用将器件查下来量了。 如果眼神不好(或者原件实在太小了),可以用工业显微镜拍下来,再识别原件上印刷的器件标识。 在显微镜下, 光滑好看的焊点,也变的那么粗糙:) 慢慢记录, 见到能用标识识别的器件,就记录一下。 然后去x宝上找IN4148, 果真店家说明上说是T4标记. 1N4007 自己买了料,这就知道具体器件的丝印了。 用倾斜工作台和工业显微镜配合,可以很清楚的看到器件丝印。 通过观测,结合器件丝印和datasheet, 可以看到,数据表上描述的引脚定义和封装丝印一致。 TVS二极管 / SMAJ15A 元件比较大,丝印和元器件名称完全一样。
电子元器件是元件和器件的总称。电子元件:指在工厂生产加工时不改变分子成分的成品。如电阻器、电容器、电感器。因为它本身不产生电子,它对电压、电流无控制和变换作用,所以又称无源器件。 简介 电子元器件是元件和器件的总称。电子元件:指在工厂生产加工时不改变分子成分的成品。如电阻器、电容器、电感器。因为它本身不产生电子,它对电压、电流无控制和变换作用,所以又称无源器件。 按分类标准,电子器件可分为12个大类,可归纳为真空电子器件和半导体器件两大块。电子元器件发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。 (又可称为被动元件PassiveComponents)(1)电路类器件:二极管,电阻器等等(2)连接类器件:连接器,插座,连接电缆,印刷电路板(PCB) 二、器件:工厂在生产加工时改变了分子结构的器件称为器件 器件分为: 1、主动器件,它的主要特点是:(1)自身消耗电能(2)还需要外界电源。
本章节讲解如何移植各类器件驱动。LCD驱动移植移植LCD驱动的主要工作是编写一个驱动,在驱动中生成模型的实例,并完成注册。 触摸屏的器件驱动被放置在源码目录//drivers/hdf_core/framework/model/input/driver/touchscreen中。 创建触摸屏器件驱动在上述touchscreen目录中创建名为touch_ic_name.c的文件。 .Init = HdfXXXXChipInit, }; HDF_INIT(g_touchXXXXChipEntry);其中ChipDevice中要实现如下方法:配置产品,加载器件驱动
有问题欢迎微信交流:lp9628 工业器件标定与识别(如下图所示): ----> ----> 代码实现: 主要流程:直方图均衡化,去除噪声,二值化,查找轮廓,选出需要轮廓。
从Intel收购Altera后,中低端市场就很少见到Intel的FPGA了,今天就简单介绍一下Intel在14年发布的类FPGA的CPLD,由于排版匆促,相关文档在文后给出。
本文介绍了DM368 NAND Flash启动的原理,并且以DM368 IPNC参考设计软件为例,介绍软件是如何配合硬件实现启动的.
主要工艺有:有源区隔离、源漏极欧姆接触制备,栅极肖特基接触 器件表面钝化、电极互连工艺。 2)光刻 大栅宽的多指栅器件是对光刻工艺水平的一个考验。线条的平直性、窗口拐角的直角。 3)器件隔离 有两种方法,一是离子注入形成高阻区,2是台面刻蚀。
,包含功率模块及功率分立器件在内的功率半导体器件销售额为125.28亿美元,2018年分立器件销售额达到20年来的高点,销售额为230.91亿美元,年复合增长率为3.10%,其中,中国大陆功率半导体器件市场规模约为全球的 ▲ 全球功率半导体分立器厂商销售份额占比 从器件种类来看,以硅基功率MOSFET和IGBT为代表的场控型器件是国际功率半导体分立器件市场的主力军,其中IGBT器件的年平均增长率超过30%,远高于其它种类器件 、机电元件、印制电路板、敏感元件和传感器、频率器件、新型绿色电池、光电线缆、新型微特电机、电声器件、半导体功率器件、电力电子器件和真空电子器件。 继续巩固中国在传统元器件领域的优势,加强引进消化吸收再创新和产业垂直整合,加快新型元器件的研发和产业化。重点发展片式化、微型化、集成化、高性能的新型元器件,鼓励环保型电子元器件的发展。 2011年3月 国家发展改革委员会 《产业结构调整指导目录(2011年本)》 将“新型电子元器件(片式元器件、频率元器件、混合集成电路、电力电子器件、光电子器件、敏感元器件及传感器、新型机电元件、高密度印刷电路板和柔性电路板等
几乎全行业的电子化发展,势必大大增加了对功率半导体器件的需求。 功率半导体器件(Power Semiconductor Device)又称电力电子器件(Power Electronic Device),主要用于电力设备的电能变换和电路控制,是进行电能(功率)处理的核心器件 IGBT是目前最先进的功率器件技术,它的产业链包括了上游的 IC 设计,中游的制造和封装,下游则包括了工控、新能源、家电、电气高铁等领域; 高端功率器件如 IGBT 看重工程师经验,公司品牌和口碑需要持续的积累 SiC可以用来制造射频和微波功率器件,各种高频整流器,MESFETS、MOSFETS和JFETS等。SiC高频功率器件已在Motorola公司研发成功,并应用于微波和射频装置。 GE公司正在开发SiC功率器件和高温器件(包括用于喷气式引擎的传感器)。西屋公司已经制造出了在26GHz频率下工作的甚高频的MESFET。
在电子电路设计中,电感作为储能、滤波、谐振的核心元件,其性能直接影响电路的稳定性、效率与可靠性。然而,电感选型不当、布局不合理或调试方法错误,常导致电路出现振荡、噪声、发热甚至损坏等问题。本文将从选型、布局与调试三个维度,梳理电感应用中的关键注意事项,助你避开常见陷阱。
TFF和AWG是最常用的两种WDM技术,本文讨论基于TFF的WDM器件。 薄膜滤光片 法布里-帕罗干涉仪(FPI)是光学滤波领域常用的干涉仪。 未标题-7.jpg 未标题-8.jpg WDM器件 TFF滤光片用于WDM器件中,图9所示为三端口WDM器件的结构,包括一个双光纤准直器、一个单光纤准直器和一个TFF滤光片,TFF滤光片粘贴在双光纤准直器的准直透镜的端面上 未标题-9.jpg 为了将所有波长解复用,需要将n个三端口器件串联起来,组成WDM模块,如图10所示,其中每个三端口器件中的TFF滤光片,其透射波长不同。 未标题-10.jpg 基于三端口WDM器件的WDM模块,其尺寸相对较大(典型8信道WDM模块的尺寸为130×90×13mm3),在一些特殊应用领域,这个尺寸不符合要求。 未标题-11.jpg 从图10中可以看到,模块中的不同波长经过不同数量的三端口WDM器件,因此产生不同的插入损耗。随着端口数增加,损耗均匀性劣化。此外,最后端口处的最大损耗是限制端口数的另一个因素。
Altera的Cyclone系列器件命名规则如下 器件系列 + 器件类型(是否含有高速串行收发器) + LE逻辑单元数量 + 封装类型 + 高速串行收发器的数量(没有则不写) + 引脚数目 + 器件正常使用的温度范围 + 器件的速度等级 + 后缀 下图为官方手册给出的信息 ? 以EP4CE10F17C8N芯片为例进行详细介绍: EP4C:Altera器件系列CycloneIV; E/GX:E表示普通逻辑资源丰富的器件,GX表示带有高速串行收发器的器件; 10 :LE逻辑单元的数量 ,6约最大是500Mhz,7约最大是430Mhz,8约最大是400Mhz,可以看出在Altera的器件中数字越小表示速度越快,而在Xilinx的器件中数字越大表示速度越快;一般来讲,提高一个速度等级将带来 12%到15%的性能提升,但是器件的成本却增加了20%大30%。
光敏电阻器是利用半导体的光电导效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器,又称为光电导探测器。
一、基础知识 技术性的东西学习起来都是一层一层的,如果前面的基础知识如果没有学好,到了后面的学习会让你懵懵懂懂,最后会走很多弯路。 对外设的学习,可以从两方面来看,一个是单片机与外设的电路图连接,这是硬件方面;另一个是软件方面,如何用软件控制这个外设。例如:
音视频硬件中,声学器件是必不可少的基础元件,声学器件主要包括麦克风和喇叭,麦克风拾取声音,喇叭播放声音。 麦克风简介 麦克风是声电换能器件,学术名称传声器。广泛应用于通话、语音识别、音乐录制和主动降噪等场合。 麦克风可以将声音的变化通过特定的机制转换为电压或电流的变化,再交给电路系统进行处理。 所以归麦克风凭借其良好的性能,迅速成为消费类产品的首选声学元器件。如下图所示为两种类型麦克风的示例图。 喇叭简介 喇叭是将电信号转换成声信号的电声换能器件,学术名称扬声器。喇叭的种类按照驱动结构分类,可分为电动式、电磁式、静电式和压电式等,其中电动式扬声器是行业的主流。