- 综合排序
- 最热优先
- 最新优先
- 来自专栏全栈程序员必看
薄膜电容分类研究_贴片薄膜电容
薄膜电容总的来说性能很好，但也分很多种类和级别，应用的场合也有所不同。 基础知识在Wiki上很详尽，下图展示了薄膜电容的电极/电介质材料和它们的缩写： 电极材料 首字母M是指金属化薄膜电极（塑料薄膜上制作有薄薄的金属层），而F是指金属箔电极（单独的金属箔，不依附于塑料薄膜 但金属化薄膜电极的好处是电容尺寸更小，因为作为电极的金属层非常薄。 首字母以后的字母代表了介质材料。 电介质材料 目前最常见的MKT和MKS电容都是金属化聚酯（PET，俗称涤纶）薄膜电容。 停产的主要原因是90年代以来，PC薄膜不再生产了。 而金属化薄膜与金属箔电极的性能区别非常小，金属化薄膜体积上有优势，应用中可优先采用。
1.7K20编辑于 2022-09-23 - 来自专栏测试GO材料测试
薄膜应力测试仪（激光曲率法） 测试原理及样品要求
薄膜应力测试仪（激光曲率法） 测试原理及样品要求在半导体、微电子、光伏及新材料等领域，沉积在基片上的薄膜其内在应力是决定器件性能与可靠性的关键参数。 过大的应力会导致薄膜起皱、开裂甚至与基片剥离，直接影响产品的成品率和寿命。因此，精准、高效地测量薄膜应力至关重要。薄膜应力测试仪，特别是基于激光曲率法的设备，已成为该领域的主流测量工具。 本文将以FST5000薄膜应力仪为例，详细介绍其测试原理与样品要求。 一、 核心测试原理：从激光扫描到Stoney公式激光曲率法薄膜应力测试仪的核心原理，建立在经典的基片弯曲法和Stoney公式之上，并通过先进的激光扫描技术实现了高精度的非接触测量。 总结FST5000薄膜应力测试仪凭借其基于激光曲率法的先进测量原理，提供了快速、精准、非接触的应力分析方案。
34410编辑于 2025-11-03 - 来自专栏芯片工艺技术
芯片表面SiO2薄膜
在微电子技术以及在微结构、微光学和微化学传感器中，需要在由不同材料构成的大面积的薄膜层中构造功能完善的结构。
62000编辑于 2022-06-08 - 来自专栏睐芯科技LightSense
光学薄膜透射率计量示例
下图显示了用于测量平面平行光学元件光谱透射率的光谱光度计或偏振计装置的示例。将样品放置在x/y平移台上，以选择任意点x、y进行测量，同时将发送器和接收器单元固定在设置上。计算机控制x/y载物台和光度计或偏振计单元。可以进行全自动透射率测量，以生成不同波长的平面样品的透射率图。横向分辨率主要受到发送器单元光斑尺寸的限制。
17510编辑于 2024-08-09 - 来自专栏睐芯科技LightSense
光学薄膜反射率计量示例
接上一篇：光学薄膜透射率计量示例绝对方法避免了对参考镜的需要；然而，必须重新排列设置的某些组件，以便在没有样品的情况下进行校准。然后必须连续进行两次测量，一次有样品，另一次没有样品。 在校准（a）和样品测试（b）之间切换涉及旋转镜子M3和平移检测器。通过M3的平移和旋转来引入不同的入射角，以便将光束引导到样品上。同时，探测器相应地平移和旋转。
33210编辑于 2024-08-09 - 来自专栏全栈程序员必看
电容分类_电解电容和薄膜电容的区别
空气介质可变电容器 符号： 可变电容量：100–1500p 主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等 应用：电子仪器，广播电视设备等 11.名称：薄膜介质可变电容器 符号： 可变电容量：15–550p 主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大 应用：通讯，广播接收机等 12.名称：薄膜介质微调电容器 符号： 可变电容量：1
91130编辑于 2022-09-23 - 来自专栏光芯前沿
OFC 2025：薄膜铌酸锂的产业化讨论
目前已测试部分供应商的Cdm，带宽表现出色，但在与现有技术性能匹配上仍需改进。 2. 当前展示了1.6 T收发器（同样基于薄膜铌酸锂，功耗25W），并对200 g/λ模块进行测试，差分驱动略优于单端驱动(TDECQ较低)，技术已相对成熟。 在1.6 T市场，硅光子学可满足带宽需求，而薄膜铌酸锂技术已确立，供应链成熟且有可靠性数据，客户开始对其感兴趣并进行测试，预计将从1.6 T市场小份额应用起步，逐步向3.2 T发展，类似特斯拉高端汽车的市场切入路径 ◆ 商业化挑战与应对策略 面临材料质量和均匀性（影响大规模生产时的测试和筛选成本）、集成与封装（需与其他材料集成以获取激光器和接收器）、成本效益（制造良率需满足大规模生产，期望达到与体材料制造类似的 ◆ 最大耐受功率 TFLN能承受较高功率，如测试测量设备中5瓦连续波功率通过时，调制器本身无问题，限制可能来自环氧树脂和边缘耦合器等。
1.4K10编辑于 2025-04-11 - 来自专栏光芯前沿
哈佛大学：薄膜铌酸锂的电光漂移研究
薄膜铌酸锂极大推动了集成光子学的发展。然而，不过它的直流电光不稳定性（如漂移DC Drift、阈值效应）也成为制约高精度应用的核心问题。
1K10编辑于 2025-04-08 - 来自专栏光芯前沿
薄膜铌酸锂(TFLN) 与钛酸钡(BTO)：电光调制谁更强
◆ 表征方法 高频下的薄膜电光材料表征面临诸多挑战。与体材料不同，薄膜难以直接应用于自由空间干涉仪。集成电光调制器虽可解决这一问题，但其带宽常受限于RC时间常数、射频衰减和信号速度失配。 由于目前不同单位采用不同的晶体生长技术，各家的薄膜质量不一样，因此报道的数值也有很大差异。 本工作采用的是射频溅射外延的方法，这种方法采用的是标准化学计量比的BTO靶材进行沉积，所以可以获得低损耗的BTO薄膜。 LN的泡克尔斯系数测试出来（r₃₃=26.9 pm/V，r₁₃+2r₄₂=15.0 pm/V）在全频段内保持稳定（图4a）。 这里BTO在测试之前需要先做一个直流偏压极化，在进行电光测试之前撤掉极化。补充材料的稳定性数据可以看到撤掉极化之后会有一个1dB的调制效率降低过程。实际工作不知道是不是也会有直流漂移的问题。
1.1K10编辑于 2025-04-08 - 来自专栏亿源通科技HYC
WDM波分复用技术：TFF(薄膜滤波) & AWG(阵列波导光栅)介绍
WDM （Wavelength Division Multiplexing）技术是通过在光纤中传输多个不同波长的光信号来扩大光纤传输带宽并提高网络传输能力的一种技术，而TFF(薄膜滤波)和AWG（阵列波导光栅 TFF技术TFF （Thin-film filter）技术是一种常用的WDM器件技术之一，也被称为薄膜滤波技术。它利用特殊的薄膜材料的一些光学特性来实现对不同波长的光信号进行分离或复用。 薄膜滤波器通常由多个不同厚度的膜层构成，在这些膜层的分布中有一定的规律和特定的反射率，这样可以让特定的波长在薄膜中反射，而其他波长则透过这些膜层，实现了对信号的分离和复用。 将几十层不同的介质薄膜组合起来，组成具有特定波长选择特性的干涉滤波器，就可以实现将不同波长分离或合并的效果。 TFF通常由多个不同厚度的膜层构成，最核心的和最贵的也就是薄膜，如需要得到大通道的器件，则需要增加薄膜数量，因此TFF的价格就随着信道数量的增加而增加。
1.9K11编辑于 2023-06-14 中微公司年营收突破123亿，薄膜设备成增长新引擎
刻蚀设备营收占比近80%，薄膜设备营收暴涨224.23% 从业务结构看，刻蚀设备仍是中微公司的核心收入来源。2025年，刻蚀设备销售额约98.32亿元，同比增长35.12%，收入占比接近80%。 薄膜沉积设备业务在2025年迎来爆发式增长，全年营收约5.06亿元，同比增长224.23%，成为驱动中微公司业绩增长的重要新引擎。 公司LPCVD设备累计出货量突破300个反应台，为先进存储器件和逻辑器件开发的LPCVD和ALD等十多款导体和介质薄膜设备已顺利进入市场。 本次交易完成后，中微公司将具备“刻蚀+薄膜沉积+量检测+湿法”四大前道核心工艺能力，成功实现从“干法”向“干法+湿法”整体解决方案的关键跨越。 展望未来，中微公司表示，随着人工智能、云计算、自动驾驶等新兴应用加速落地，芯片制造向更先进制程迈进，刻蚀、薄膜沉积、量检测等核心集成电路高端设备的需求持续升温。
12010编辑于 2026-04-10- 来自专栏脑机接口
Nature子刊-柔性薄膜上3D电极的直接激光写入
美国俄勒冈大学研究员设计了一种集成在柔性薄膜上的3D微电极阵列，其制造过程结合了传统的硅薄膜处理技术和双光子光刻在微米分辨率下的3D结构的直接激光书写技术，首次提出了一种产生高深宽比结构的方法。 发表在《自然通讯》杂志上的这项研究，介绍了利用双光子光刻和薄膜制备工艺制备的3D微电极阵列，可产生高深宽比（>10：1）结构，集成在柔性PI聚酰亚胺或Parylene C薄膜上，包括一种300µm间距的 用于神经记录的3D打印电极阵列 通过双光子光刻技术在薄膜上3D打印非导电结构，随后涂上导电性铂，形成功能电极阵列。
1.2K20编辑于 2023-09-19 - 来自专栏全栈程序员必看
lammps教程：薄膜渗透模拟（3）–不同孔隙率对过滤效果的影响
大家好，又见面了，我是你们的朋友全栈 本文是薄膜渗透过滤的最后一篇文章：不同孔隙率薄膜建模。 孔隙或空位缺陷的建模原理比较简单：删除一定数量的原子就可以。 初始模型和删除50%原子后的薄膜对比： 模拟结果为： 模拟in文件为： #编写：Simon Gravelle boundary s p p pair_style lj/cut 2.5 neigh_modify group solvent type 4 group solute type 5 #排除墙原子之间的作用力 neigh_modify exclude group solid solid #按比例删除薄膜原子 1530917 zero yes fix_modify mylgv temp temperature_fluid thermo_modify temp temperature_fluid #固定薄膜
94120编辑于 2022-10-03 - 来自专栏AI电堂
小型化设计中，高可靠性的EMI抑制电容应该怎么选？
如何确定EMI抑制薄膜容器的可靠性 电子行业中有源和无源元器件公认的加速寿命测试标准是温度湿度偏压（THB）测试，该测试条件是在交流或直流偏置条件下，工作温度85°C，相对湿度85％。 多年依赖，各个行业（包括汽车、能源、消费和工业）的设计人员都使用此测试，来确定其最终产品在恶劣气候条件下是否具有长达25年工作的可靠性。最近，THB测试已被认为是EMI抑制薄膜容器的IEC标准。 下表是根据IEC标准的不同温度湿度偏置（THB）测试的条件： ? 进入「薄膜电容」页面后，可以看到不同类型的薄膜电容，包括「介电材料」、「尺寸」及「特点」的参数，方便工程师进行筛选、搜索及选料。 另外，还需要考虑符合THB测试要求，并通过了IEC-60384-14 IIB级耐湿性测试，因为这是一个确保电容器在严苛环境下仍有高可靠性性能表现的重要的指标。
86720发布于 2021-07-27 电子电路能量存储与信号滤波核心:电容-什么是电容与测试系统的桥梁？
）、光伏逆变器母线支撑（铝电解电容）、充电桩功率回路 decoupling（MLCC）性能需求：耐高电压（薄膜电容 1200V~3000V），长寿命（薄膜电容≥10 万小时 @85℃），低损耗（D 值≤ （二）径向引线封装（Radial：铝电解 / 薄膜电容，引脚间距 2.5mm~15mm）结构特点：圆柱状外壳（铝电解为铝壳，薄膜电容为金属 / 塑料壳），两端引出直插引脚（直径 0.5mm~1.2mm） （三）轴向引线封装（Axial：薄膜 / 铝电解电容，引脚长度 5mm~20mm）结构特点：圆柱状外壳，引脚沿轴线引出（两端伸出长度对称），薄膜电容多为该封装（耐高频、低损耗），铝电解容值较小（1μF~ 纹波测试时探针温度＜40℃，电容寿命测试误差从 15% 降至 5%，某新能源薄膜电容 10000 小时寿命测试中，测试座稳定运行无故障。 医疗薄膜电容无尘测试项目（某医疗设备厂商）需求：对 Axial 封装医疗薄膜电容（0.1μF/630V，ISO 10993）进行无尘高频测试（1MHz），洁净度 Class 100，ESR 测试误差＜5%
30410编辑于 2025-10-29突破性能瓶颈，斯坦福大学研发出钻石薄膜芯片散热技术
现在，一项来自斯坦福大学的突破性技术，也就是“低温多晶钻石薄膜”正以前所未有的方式，将热能进行具体散热管理。 ▲氮化镓高电子迁移率晶体管是钻石冷却的理想测试案例 然而，研究团队在一次将钻石生长在以氮化硅覆盖的氮化镓（GaN）上时，研究人员意外地观察到实测的TBR 远低于预期。 在氮化镓与3D CMOS 芯片的早期应用上展现潜力 该团队首先在氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMTs）中测试了这种低TBR 钻石涂层。 GaN HEMTs 是一种理想的测试案例，因为其关键发热部分（二维电子气体）非常接近器件表面。且早期结果令人振奋，包括在GaN 射频晶体管中，添加钻石后，器件温度下降了超过50 °C。
22410编辑于 2026-03-19- 来自专栏阻容感
YAGEO国巨RT0603FR与RT0603LR薄膜精密电阻选型资料
国巨（YAGEO）的RT系列薄膜电阻以“高精度、高稳定性” 著称，广泛应用于对电路性能要求严苛的场景。 YAGEO国巨RT0603FR与RT0603LR薄膜精密电阻具体细分系列为：RT0603FRC07,RT0603FRD07,RT0603FRE07,RT0603FRE10,RT0603FRE13,RT0603LRA07 型号命名规则：国巨RT0603FR与RT0603LR薄膜电阻采用统一编码规则，各字符段分别对应核心参数信息。 以 “RT0603LRA0710KL” 为例，具体解析如下：RT：代表电阻的系列，即RT系列薄膜精密电阻。0603：表示电阻尺寸，对应 0603 封装规格。 RT0603FR与RT0603LR系列薄膜精密电阻型号推荐RT0603FRC0710KLRT0603FRD0718KLRT0603FRE0768RLRT0603LRA071KLRT0603FRC0715KLRT0603FRD071RLRT0603FRE1010RLRT0603LRA07249RLRT0603FRC076K81LRT0603FRE07147KLRT0603FRE102KLRT0603LRB0710KLRT0603FRD07120KLRT0603FRE07220KLRT0603FRE1327KLRT0603LRC071K15LRT0603FRD07121KLRT0603FRE073K3LRT0603FRE13820RRT0603LRD072KL
47310编辑于 2025-10-11 - 来自专栏光芯前沿
OCP 2024：Hyperlight高速低功耗薄膜铌酸锂调制在448Glane时代的机遇
Hyperlight的CEO在OCP 2024介绍了铌酸锂在448G/lane时代的应用，分享了一些448G测试的数据。
60810编辑于 2025-04-08 - 来自专栏光芯前沿
IEDM 2025：NTT报道高速率、低功耗硅基异质集成薄膜激光器＋高速EAM
本文采用课题组自主研发的薄膜III-V光子器件，分别基于两种技术路径构建光链路：一是MTP集成薄膜DFB激光器与EAM的高速光发射机，二是全晶圆级工艺集成膜激光器、EAM与PD的完整光链路，分别满足可插拔收发器与高能效共封装光学 关键性能测试结果 器件的核心性能验证展现了MTP方案的高速优势： - 光致发光（PL）光谱证实，激光与EAM的带隙失谐约25nm，满足各自功能优化需求； - 器件总插入损耗仅3.3dB，DFB 光链路构成与性能优化 完整光链路由薄膜膜DFB激光器、薄膜EAM、薄膜PD与7.6mm长SiOx波导组成（图8），所有器件共享统一外延结构，内置InGaAsP多量子阱（MQW）有源层： - 光链路静态与动态性能 静态测试中，固定PD偏置电压为-3V，不同EAM偏置电压下（0~-1.5V），PD输出电流与激光输入电流呈稳定线性关系（图9），无扭结现象，证实DFB激光器在无光学隔离器时仍保持稳定单模工作 动态性能测试中，无需光学隔离器与终端电阻的配置下，光链路实现了清晰的眼图（图10）：50-Gbit/s速率下能耗低至0.14 pJ/bit，64-Gbit/s速率下能耗为0.26 pJ/bit，较传统共封装光学方案实现显著优化
48610编辑于 2025-12-21 - 来自专栏光芯前沿
IMEC & 上海交大/华科：基于微转印技术实现晶圆级硅光异质集成高性能TFLT调制器
最终样品在2 mm×7 mm的样品区域内集成了21个30 μm×7 mm的薄膜，薄膜密度达1.5个/mm²；按此密度推算，4英寸晶圆上可制备的薄膜总数超12000个。 薄膜的异质集成通过商用微转印设备完成：借助聚合物PDMS印章拾取预制的悬浮钽酸锂薄膜；为提升界面粘附性能，印刷前先在目标衬底表面涂覆BCB缓冲层；将薄膜精准放置于目标衬底的预设位置后取下印章，使薄膜固定于最终集成区域 ③ 性能测试与验证数据 器件性能测试结果显示，在推挽幅度调制配置下，半波电压（Vπ）低至3.5V，对应的电压-长度乘积（VπL）为2.3V·cm，与单片钽酸锂平台的最新水平相当。 ③ 性能测试与多场景验证 该氮化硅基异质集成调制器在C波段的插入损耗仅为1.0dB，显著低于imec的损耗；电光带宽突破110GHz，为超高速信号调制提供了充足余量。 稳定性测试中，器件在72小时连续工作期间的功率漂移仅0.3dB，展现出可靠的长期运行能力，解决了传统铌酸锂调制器的偏置漂移痛点。
49110编辑于 2026-01-26
腾讯云开发者
Copyright © 2013 - 2026 Tencent Cloud. All Rights Reserved. 腾讯云 版权所有
深圳市腾讯计算机系统有限公司 ICP备案/许可证号：粤B2-20090059 
粤公网安备44030502008569号
腾讯云计算（北京）有限责任公司 京ICP证150476号 | 京ICP备11018762号