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晶圆切割提升晶圆工艺制程，国产半导体划片机解决方案
晶圆切割是半导体制造中的关键环节之一。提升晶圆工艺制程需要综合考虑多个方面，包括切割效率、切割质量、设备性能等。针对这些问题，国产半导体划片机解决方案可以提供一些帮助。 首先，在切割效率方面，国产半导体划片机可以提升晶圆的切割速度和切割精度。通过不断研发创新，半导体划片机能够高效地切割各种材料，从而缩短加工时间，提高生产效率。 其次，在切割质量方面，国产半导体划片机可以提供比较完善的解决方案。如果工件表面有杂质或材料本身不光滑，可能会影响刀片的切割质量和寿命。 半导体划片机可以针对不同材料的特点，采用不同的切割工艺，从而保证切割质量和寿命。此外，在设备性能方面，国产半导体划片机可以提供高性能、高稳定性和高可靠性的划片机。 通过优化设备结构和控制系统，半导体划片机可以保证设备长时间稳定运行，减少故障率，提高设备利用率。总之，国产半导体划片机解决方案可以在切割效率、切割质量和设备性能等方面为提升晶圆工艺制程提供帮助。
33000编辑于 2023-07-06 - 来自专栏博捷芯划片机
芯片尺寸越做越小，晶圆划片刀的选择至关重要
随着终端电子产品往多功用化、智能化和小型化方向开展，芯片尺寸越做越小，留给晶圆划片机的空间越来越小，既要保证足够的良品率，又要确保加工效率，这对晶圆划切刀片以及划片工艺是不小的应战。 从划片刀自身的制造来看，影响刀片性能乃至影响晶圆划片的几个重要要素是：金刚石颗粒大小、颗粒集中度、分离剂强度、刀片厚度、刀片长度、修刀工艺。 本文主要剖析这几个要素的影响作用，协助大家合理选刀。 但是这个原理只合适300um左右及以上厚度的晶圆，当处置200μm以下这种极薄的晶圆时，大颗粒金刚石产生的撞击力大，薄晶圆无法接受大的冲击力，这时分就需求选择颗粒较小的金刚石来保证良好的划片质量。 依据实践测试得出，高集中度的金刚石颗粒，划片阻力小，划片速度快，效率高，还能够延长划片刀的寿命，减少晶圆正面崩缺。但是高集中度刀片分离剂少，刀片韧性低，正面崩边大，容易断刀。 例如，砷化镓(GaAs)晶圆普通请求较细的金刚砂尺寸(较硬的刀片)，而钽酸锂(LiTaO3)晶圆最合适用较粗的金刚砂尺寸和较低的金刚石浓度(较软的刀片)。
1.1K30编辑于 2023-03-07 - 来自专栏博捷芯划片机
划片机的两种切割工艺
划片工艺:根据晶圆工艺制程及对产品需求的不同,一片晶圆通常由几百至数万颗小芯片组成,业内大部分晶圆的Dice之间有着40um-100um不等的间隙区分，此间隙被称为切割道，而圆片上99%的芯片都具有独立的性能模块 划片机作为半导体芯片后道工序的加工设备,用于晶圆的划片、分割或开槽等微细加工，切割的质量与效率直接影响到芯片的质量和生产成本。 划片机种类分为砂轮划片机与激光划片机，分别对应刀片切割工艺与激光切割工艺。 砂轮划片机是综合了水气电、空气静压高速主轴、精密机械传动、传感器及自动化控制等技术的精密数控设备。 其特点为切割成本低、效率高,适用于100um以上的较厚晶圆的切割，是当前主流切割方式。 激光划片机是利用高能激光束照射在工件表面,使被照射区域局部熔化、气化、从而达到划片的目的。 其特点为切割精度高、切割速度快,盱100μm以下的较薄晶圆的切割。激光切割机己推出20余年,约占整个划片机市场的20%左右。
93220编辑于 2023-03-03 晶圆修边处理后，晶圆 TTV 变化管控
关键词：晶圆修边；TTV 变化；工艺参数；设备改进；检测反馈一、引言晶圆修边是半导体制造过程中的重要环节，可去除晶圆边缘的缺陷与多余材料，降低后续工艺中晶圆破裂风险。 但修边处理会使晶圆边缘受力，内部应力重新分布，导致 TTV 发生变化，影响晶圆平整度和芯片制造精度。因此，研究晶圆修边处理后 TTV 变化的管控方法具有重要意义。 刀具转速需合理设定，过高转速会使晶圆边缘局部受力过大，产生较大应力，导致 TTV 增加；转速过低则修边效率低下。通过大量试验，针对不同材质和规格的晶圆，确定最佳刀具转速区间。 此外，刀具与晶圆的接触角度也需精确调整，合适的接触角度能使修边力均匀分布在晶圆边缘，降低因受力不均导致的 TTV 变化 。2.2 设备改进对晶圆修边设备进行优化可有效管控 TTV 变化。 同时，在设备上安装高精度的压力传感器，实时监测修边过程中晶圆所受压力，一旦压力异常，系统自动调整修边参数，防止因压力过大造成晶圆变形，进而影响 TTV 。
30700编辑于 2025-05-27- 来自专栏芯片工艺技术
晶圆键合技术
二、晶圆键合设备 1.晶圆键合工艺 先将晶圆装载到FOUP中，并由中央机械手臂对晶圆逐片检测——（FOUP是指front-opening Unified Pod，即前开腔体） 表面预处理 酸蒸汽清洗——衬底暴露于一种还原性的酸蒸汽中以去除表面氧化层 （2）表面预处理——湿法化学处理 硅硅键合或熔融键合中常用——亲水性处理：经过亲水性处理后，晶圆表面吸附的【OH】基会与其他晶圆表面的悬挂键进行结合 ，这些基会吸附晶圆表面水分子形成角水基，当两个经亲水性处理的晶圆的距离接近角水基中存在的偶极矩的作用范围时，两晶圆会在范德华力作用下相互接触并键合到一起。 环形波纹产生的过程为：首先，两晶圆相互悬浮直至形成点接触，启动键合并穿透表面的静电斥力，在后续键合过程中，接触面附近的空气呈环形波纹被挤压排除；当晶圆在范德华力作用下完全接触后，室温下晶圆接触界面处就会形成环四聚物的环形物质 酸蒸汽处理可以避免晶圆浸没在液体中，可以将试剂对叠层晶圆上的钝化层、键合层、绝缘层受到的刻蚀影响降到最低甚至是完全避免。
1.9K20编辑于 2022-06-08 晶圆背面减薄过程，对晶圆TTV 的管控
摘要：本文聚焦晶圆背面减薄过程中晶圆总厚度偏差（TTV）的管控问题，从减薄工艺参数优化、设备性能提升、检测与反馈机制完善等方面，系统阐述有效的 TTV 管控方法，旨在减少减薄过程对晶圆 TTV 的不良影响 ，保障晶圆制造质量。 关键词：晶圆背面减薄；TTV；工艺参数；设备优化；检测反馈一、引言在半导体制造中，晶圆背面减薄是为满足芯片轻薄化需求的关键工艺。 然而，减薄过程中机械应力、热应力等因素易使晶圆产生变形，导致 TTV 发生变化，影响芯片的性能与良品率。因此，研究晶圆背面减薄过程中 TTV 的管控方法，对提升半导体制造水平具有重要意义。 其创新扫描原理极大提升材料兼容性，从轻掺到重掺P型硅，到碳化硅、蓝宝石、玻璃等多种晶圆材料均适用：对重掺型硅，可精准探测强吸收晶圆前后表面；点扫描第三代扫频激光技术，有效抵御光谱串扰，胜任粗糙晶圆表面测量
59610编辑于 2025-05-28- 来自专栏集成电路IC测试座案例合计
晶圆测试解析：晶圆探针卡是如何检测的？
在半导体制造的整个流程中，IC设计、晶圆制造、晶圆测试以及晶圆封装是不可或缺的关键步骤。 晶圆测试：从晶圆针测到最后测试半导体器件的制造流程复杂而繁多，其中测试环节又分为多个阶段。晶圆测试主要分为两大块：晶圆针测和最后测试。 晶圆针测是在晶圆加工完成后的一个重要步骤，而最后测试则是产品出厂前的最后一道关卡。 晶圆针测：筛选、修复与效率挑战晶圆针测，亦称为晶圆级测试，是在晶圆仍未被切割成单个芯片之前对其进行的电气性能测试。 使用探针卡进行晶圆针测的一个核心功能是能够大范围、高密度地同时检测晶圆上的多个芯粒，并且能够动态地更新检测数据。这一过程的难度在于如何快速且准确地完成测试，而不损坏晶圆上的敏感结构。 此外，探针卡在接触晶圆表面时，如何最大限度地减少对晶圆表面的磨损也是一个技术难题。探针卡的关键角色探针卡是晶圆针测中不可或缺的部分，它是检测过程中直接与芯片接触的部件。
1K10编辑于 2024-10-23 - 来自专栏芯片工艺技术
晶圆芯片的良率
今天查阅了一下晶圆良率的控制，晶圆的成本和能否量产最终还是要看良率。晶圆的良率十分关键，研发期间，我们关注芯片的性能，但是量产阶段就必须看良率，有时候为了良率也要减掉性能。 那么什么是晶圆的良率呢？ 比如上图，一个晶圆，通过芯片最好测试，合格的芯片/总芯片数===就是该晶圆的良率。普通IC晶圆一般都可以完成在晶圆级的测试和分布mapping出来。 而晶圆的最终良率主要由每一步工艺的良率的积组成,从晶圆制造,中测,封装到成测,每一步都会对良率产生影响,其中晶圆制造因为工艺复杂,工艺步骤多步（300步左右）成为影响良率的主要因素。 由此可见,晶圆良率越高,同一片晶圆上产出的好芯片数量就越多,如果晶圆价格是固定的,那好芯片数量就越多就意味着每片晶圆的产量越高,每颗芯片的成本越低,那么理所当然,利润也就越高。 最后，晶圆被测试完毕之后，通过自动分拣机，可以剔除不良芯片，而且对性能良莠不齐的芯片也可以分检，比如Intel的CPU晶圆，性能较好的芯片检出来做i7处理器芯片，差点的做i5芯片，其实都是一个娘生的，只不过一个长的好看点
3.3K20编辑于 2022-06-08 - 来自专栏博捷芯划片机
划片机在切割不同产品时，如何正确地选择划切刀？
划片机在切割不同产品时，如何正确地选择划切刀？划片刀采用独特工艺，将划片刀与铝合金法兰合成一体，使其具有更高的精度。能对各种硬脆材料进行开槽和切断。 采用精选的金刚石磨料，使划片刀具有卓越的切削性能和超长的使用寿命。采用先进的制造工艺对金刚石磨料的浓度和结合剂的控制，有效降低了切割时材料崩边发生的概率。 刀片切割应用领域：硬刀—半导体晶圆等硅材料软刀—LED封装材料、压电陶瓷等材料金属刀片—集成电路封装材料、陶瓷材料等树脂刀片—集成电路封装材料、玻璃等超硬材料等
92610编辑于 2023-03-07 - 来自专栏博捷芯划片机
博捷芯划片机在LED灯珠EMC支架中切割应用
EMC支架封装工艺流程：固晶-焊线-点胶-切割-分光-编带。 对切割EMC LED 封装技术有绝大优势。 作为新兴市场的LED行业，要求降低生产成本，无疑是采用博捷芯双轴全自动精密划片机进行切割与单轴的设备比较，产能倍增但占地相同。 针对切割时间较长的产品，双轴系统的优势更展露无遗。 双轴晶圆切割机为12英寸全自动动精密划片机，采用高精密进口主要配件，T轴采用DD马达，重复精度1μm，稳定性极强，兼容6"-12"材料，双CCD视觉系统，性能达到业界一流水平 设备工作流程： 1.下取物臂将待切割材料从晶片盒中取出 ，将待切割材料放置到预校准台进行预校准，再送到工作盘上，进行划片作业。 公司专注于精密划片、切割以及特殊材料切割加工领域，依托先进的研发技术及丰富的行业经验，自建系列设备的标准产业化生产线，不断为客户提供合理、实用、高效的产品解决方案，满足客户对优质划片设备的需求，提供完整的划片工艺解决方案
53560编辑于 2023-02-21 - 来自专栏智能制造预测性维护与大数据应用
飞龙三式||开放架构国产化半导体测控系统
制作一颗硅晶圆需要的半导体设备大致有十个，它们分别是单晶炉、气相外延炉、氧化炉、磁控溅射台、化学机械抛光机、光刻机、离子注入机、引线键合机、晶圆划片机、晶圆减薄机等。 相关资料 国产化||半导体晶圆针测测试系统 半导体载流子寿命测试 DAQNavi从入门到精通视频 研华测试测量解决方案与应用案例2021
59320编辑于 2022-06-01 - 来自专栏芯片工艺技术
wafer晶向问题（二）
上期说到砷化镓wafer的晶向切割的问题。一个完整的六寸或者8寸等圆片，如何确定切割的晶向呢？ 这就要从wafer的老大哥硅片说起。 如下图，我们看出 在垂直<110>晶向上切出出光面， 切割砷化镓晶面，就不能采用常规的切穿晶圆的方法了，需要用划片机，先在wafer面上划开一个沟道，然后用劈裂机，施加一个外力，让晶圆自然解离。 这样晶圆会顺着本身原子力最弱的一个晶体面解离开。 因此如何准确找到解离面的方向是关键，这时就需要用到定位边，定位边本身有固定的晶向和所处的晶面，但是此时是抛出了做定位边时的机械等误差的，有的质量差得，不一定是准确的。 那时平边方向可能和正确的晶向存在一个夹角。厂家给的精度一般是±0.05°，但是IC一般都这个精度不敏感，但是激光器比较敏感，就需要重新做晶向定位边。这个可以考虑如何做？
5.8K22编辑于 2022-06-08 - 来自专栏博捷芯划片机
QFN、DFN封装工艺中，划片机是实现精密切割的关键设备之一
QFN、DFN封装工艺包括以下几个步骤：芯片切割：使用划片机等设备将芯片从硅晶圆上切割分离出来。芯片贴装：将切割下来的芯片粘贴到双框架芯片封装的基板上。 在DFN封装工艺中，划片机是实现精密切割的关键设备之一。DFN封装是一种先进封装形式，具有小体积、高密度、热导性好等优点，被广泛应用于集成电路封装领域。 在DFN封装过程中，划片机可用于切割芯片、引脚和焊球等，从而实现DFN封装的精确定位和可靠连接。通过精密切割，可以保证DFN封装的热传导性能、电气性能和机械强度等关键指标的优异表现。 因此，划片机在DFN封装工艺中扮演着非常重要的角色。
74720编辑于 2023-07-24 - 来自专栏芯片工艺技术
不同尺寸晶圆&基板的参数
晶圆依靠基板进行生长或者进行芯片工艺。所以一般说晶圆的尺寸，也可以说是基板的尺寸。 晶圆尺寸可以从2寸一直到18寸。 附件是2寸、3寸、4寸、5寸、6寸、8寸、12寸常见晶圆的尺寸，厚度根据不同的工艺产品要求会有不同。供大家参考。
6.9K20编辑于 2022-06-08 晶圆的平边和应用
机械定位 设备对准基准：光刻机通过平边确定晶圆方向，实现晶圆在曝光、涂胶、显影等步骤中的精确定位（精度达±0.1°）。 切割与分片参考 划片引导：平边作为晶圆切割的起始参考线，确保芯片分片时沿解理方向断裂，减少边缘损伤。 光刻对准流程 预对准：机械手通过平边将晶圆定位至光刻机卡盘，误差控制在±0.5°以内。 光学对准：光刻机的对准系统（如TTL显微镜）扫描平边附近的标记（Alignment Mark），结合晶圆坐标系调整曝光图形角度。 工艺前校准 晶圆检测：使用晶圆几何测量仪（如KLA UVision）检测平边实际角度，生成补偿参数。
16310编辑于 2026-03-18- 来自专栏博捷芯划片机
BJCORE半导体划片机设备——封装的八道工序
传统封装工艺大致能够分为反面减薄、晶圆切割、晶圆贴装、引线键合、塑封、激光打印、切筋成型和废品测试等8个主要步骤。 与IC晶圆制造（前道）相比，后道封装相对简单，技术难度较低，对工艺环境、设备和资料的请求远低于晶圆制造。 通常在集成电路封装前，需求对晶圆反面多余的基体资料去除一定的厚度，这一过程称之为晶圆反面减薄工艺，对应配备是晶圆减薄机。 晶圆切割依据晶圆工艺制程及客户的产品需求，一片晶圆通常由几百至数万颗小芯片组成，业内大局部晶圆上的Dice之间有着40um-100um不等的间隙辨别，此间隙被称为划片街区（切割道)。 晶圆贴装晶圆贴装的目的将切割好的晶圆颗粒用银膏粘贴在引线框架的晶圆庙上，用粘合剂将已切下来的芯片贴装到引线框架的中间燥盘上。通常是环氧（或聚酰亚胺）用作为填充物以增加粘合剂的导热性。
73340编辑于 2023-03-25 - 来自专栏光芯前沿
Cerebras的晶圆级算力革命
值得关注的是，Cerebras正布局光互连技术以进一步突破性能天花板，与Ranovus合作探索的晶圆级光互连与共封装晶圆方案，获得了DARPA的资金支持，目标是实现超乎寻常的互连带宽。 这一技术方向将进一步优化晶圆间、集群间的通信效率，解决大规模扩展场景下的互连延迟与带宽限制，为未来更高性能的计算集群奠定基础。 Cerebras的训练系统采用“集群即ML加速器”的设计理念，通过MemoryX外部内存系统实现近乎无限的模型权重存储能力，权重被流式传输到晶圆上进行层计算，梯度则流式输出，无需在晶圆上存储权重，解耦了权重优化计算与存储的依赖 ◆ 结语：晶圆级计算开启算力新纪元 Cerebras Systems通过晶圆级架构创新，将AI与HPC的算力与效率提升至全新高度。 在AI模型持续增大、HPC场景日益复杂的趋势下，晶圆级计算正成为突破算力边界的关键方向。
50510编辑于 2025-12-25 - 来自专栏AI电堂
为什么8吋晶圆这么缺？
300mm晶圆1410万片，200mm晶圆540万片。 03 8吋与12吋晶圆的区别 8吋晶圆与12吋的晶圆最直观区别在于物理面积带来的单片晶圆产出芯片量的差别，两者相差2.25倍。 12吋晶圆工艺制程从90mn到现在7nm、 5nm、3nm，及以下更先进的逻辑制程开发。 采用8吋晶圆生产芯片的优势在于成本低廉、供应链完整，而以12吋晶圆生产芯片优点为产能优势。 采用12吋晶圆代工开发的芯片，其后期投资较8吋晶圆高出很多，资金压力往往是8吋产线向12吋演进的一大难关。 目前，全球每月8吋晶圆产能约为540万片，新建8吋厂计划仅有TSMC，不能解决8吋晶圆的燃眉之急。
68210发布于 2021-11-12 首个美国制造Blackwell晶圆量产下线！
的晶圆正式量产下线。 英伟达创始人兼首席执行官黄仁勋当天也参观了台积电Fab 21晶圆厂，庆祝第一款英伟达Blackwell晶圆在美国本土生产实现量产。 在庆祝活动的舞台上，黄仁勋与台积电运营副总裁王永利一起在Blackwell晶圆上签名，以纪念这一个里程碑，展示了人工智能基础设施的核心引擎现在是如何在美国构建的。 2020年台积电就宣布了在美国亚利桑那州投资120亿美元建厂计划，并于 2021 年 4 月开始在该地区建造首个晶圆制造厂。 这两座晶圆厂完工后，合计将年产超过60万片晶圆，换算至终端产品市场价值预估超过400亿美元。
12010编辑于 2026-03-20- 来自专栏芯片工艺技术
8英寸晶圆产能吃紧
在全球晶圆代工收入破纪录的背后，却是8英寸晶圆产能吃紧。这一情况已经从2019年第二季度持续到现在，不但未见缓解迹象，反而越来越严峻，成为收入增长下半导体行业的隐忧。 ），晶圆尺寸越大，意味着在同一块晶圆能生产的芯片越多，能够在降低成本的同时，提高良率。 从晶圆尺寸的发展历程就能看出，相比于12英寸，8英寸产线更为陈旧落后。在良率相同的情况下，一片12英寸的晶圆生产的IC数量约为200颗，是一片8英寸晶圆的两倍，前者有更高的成本效益。 不过，8英寸晶圆也有着自己的优势，首先是拥有特殊的晶圆工艺，其次大部分折旧的固定资产成本较低，最重要的是对于产能要求不高的厂商而言更加经济。 如果要从产品上将8英寸晶圆和12英寸晶圆区分开来，8英寸晶圆主要用于需要特征技术或差异化技术的产品，包括功率芯片、图像传感器芯片、指纹识别芯片、MCU、无线通信芯片等，涵盖消费电子、通信、计算、工业、汽车等领域
82510编辑于 2022-06-08
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