IT时代网9月3日消息,瑞士洛桑联邦理工学院的研究团队开发出一种新型氮化镓晶体管,耐压能力接近4000伏,并保持较低的电阻水平。相关研究发表于新一期《自然·电子学》杂志。
高压与低阻难以兼得,是功率半导体设计的老矛盾。氮化镓作为第三代半导体材料的代表,适合高频高压场景,可在传统结构里,耐压指标往上走,导通电阻往往随之抬升。洛桑团队这次的新器件,把耐压推到接近4000伏,电阻仍压在低位。
按研究团队的设想,这类器件有望用于人工智能数据中心、可再生能源系统、电动汽车等高压电力电子领域。数据中心供电、新能源变流、车载电驱,都是对功率器件耐压与效率极其敏感的场景。
注:本文综合自财联社等,文中包含AI辅助创作的内容。