SK海力士美国HBM工厂奠基，2029年量产“美国造”AI存储器

2026年8月27日，SK海力士于美国印第安纳州西拉斐特市普渡大学霍洛韦体育馆举行人工智能（AI）存储器先进封装生产基地奠基仪式，正式落地其在美国的首个高带宽存储器（HBM）专业化生产项目。

该生产基地坐落于美国印第安纳州，项目总投资规模超40亿美元。按照整体建设规划，工厂将于2028年10月完成洁净室搭建与投用，2029年下半年正式开启新一代高带宽存储器（HBM）量产工作。项目全面商业化运营后，将配置约100名专业生产及研发人员，有望打造成为美国核心的HBM先进封装、测试与量产基地，补齐北美高端AI存储芯片产能短板。

本次落地的印第安纳州项目是SK海力士在美国布局的首座HBM专属生产基地，将构建韩美两地协同联动的一体化生产运营体系。未来SK海力士将在韩国本土完成高端半导体晶圆的精密制造，通过跨境供应链输送至印第安纳州工厂，完成后续先进封装、性能测试等核心工序，最终以“美国制造（Made in USA）”的产品标准，面向北美本土科技企业客户供货，精准适配美国本地供应链及市场需求。

除量产产线外，该基地还将配套建设先进封装研发与测试平台（Advanced Packaging R&D Testbed），对外开放共享研发资源，为上下游客户、高校科研团队及产业链合作伙伴提供专业化、一体化的联合研发场景。平台将聚焦下一代半导体先进封装核心技术攻关，大幅加速产品原型验证、性能迭代与可靠性测试进程，助力高端存储封装技术的创新落地。

SK海力士方面表示，本次重磅投资印第安纳州，将有效完善美国AI半导体产业链布局、强化本土产业链韧性与自主供给能力，同时深度深化韩美高科技产业的战略合作维度，构建技术互通、产能互补、互利共赢的跨国产业发展新格局。

目前，项目已筛选超100家优质企业纳入西拉斐特工厂原材料、核心零部件及生产设备候选供应商名录。多元化的本土供应链体系将为工厂建设、试产及规模化运营提供稳定支撑，进一步完善美国人工智能产业配套生态，夯实北美高端存储产业发展基础。

SK海力士并承诺将在基地建设及后续商业化运营全周期中，持续联动美国地方及全国性企业开展深度合作，预计累计创造约7000个直接及间接就业岗位，有效拉动区域经济与高端人才就业发展。

此外，SK海力士与普渡大学正式签署先进封装领域研发合作谅解备忘录（MOU）。根据合作协议，双方将建立长期稳定的科研合作机制，聚焦系统集成技术、HBM高端先进封装技术等核心领域开展联合攻关，持续推动半导体封装产业的技术革新与创新发展。

总的来看，此次奠基仪式的成功举办，标志着SK海力士在全球AI存储器战略布局中迈出了关键一步。随着2029年量产目标的推进，该基地有望成为北美AI芯片供应链的重要支点，为全球人工智能产业的持续发展提供坚实的存储器基础支撑。

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